CN111257727A - 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法 - Google Patents

侦测wat测试中电弧放电的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111257727A
CN111257727A CN202010053205.1A CN202010053205A CN111257727A CN 111257727 A CN111257727 A CN 111257727A CN 202010053205 A CN202010053205 A CN 202010053205A CN 111257727 A CN111257727 A CN 111257727A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
wat
image
key
arc discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010053205.1A
Other languages
English (en)
Inventor
肖尚刚
周波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd filed Critical Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202010053205.1A priority Critical patent/CN111257727A/zh
Publication of CN111257727A publication Critical patent/CN111257727A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种侦测WAT测试中电弧放电的方法包括如下步骤：步骤一、采用图像识别装置识别出测试键的测试前图像。步骤二、采用WAT测试机台对测试键上的各测试结构进行WAT测试。步骤三、采用图像识别装置识别出测试键的测试后图像。步骤四、比较测试前图像和测试后图像。如果测试前后图像中的测试结构的图像存在差异，则判断WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。如果测试前后图像中的测试结构的图像不存在差异，则判断WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条测试键的WAT测试。本发明还公开了一种侦测WAT测试中电弧放电的装置。本发明能在第一时间侦测电弧放电，从而最大化减轻电弧放电对晶圆质量的影响。

Description

侦测WAT测试中电弧放电的装置和方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种侦测晶圆可接受性测试(WaferAcceptTest，WAT)测试中电弧放电的装置。本发明还涉及一种侦测WAT测试中电弧放电的方法。
背景技术
现有技术中，侦测WAT测试过程中电弧放电的方法是根据电性参数的测量表现或缺陷扫描的结果来判断是否产生了电弧放电，若出现电弧放电通常会造成测试参数大面积失败(Fail)，但机台仪器问题或晶圆本身工艺问题有时也会造成电性参数大面积Fail，而且这种方法往往要获取大量参数多点的测量结果，获取大量参数多点的测量结果则需要进行多次WAT测试，所以不能第一时间侦测到电弧放电的发生，也即在电弧放电之后还会进行多次WAT测试。
另外，电弧放电会在测试键(Testkey)附近产生大量颗粒缺陷，故可通过缺陷扫描来发现电弧放电，但缺陷扫描也不能做到对电弧放电的第一时间侦测。
由上可知，现有方法的时效性不足，往往发现时已经造成几片甚至几十片晶圆受到影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种侦测WAT测试中电弧放电的装置，能在第一时间侦测电弧放电，从而最大化减轻电弧放电对晶圆质量的影响。为此，本发明还提供一种侦测WAT测试中电弧放电的方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的侦测WAT测试中电弧放电的装置包括：
晶圆，所述晶圆上设置有测试键，所述测试键上包括测试结构以及测试衬垫，所述测试衬垫为所述测试结构的电引出结构。
WAT测试机台，用于对所述晶圆的所述测试键上的各所述测试结构进行WAT测试。
图像识别装置，用于进行图像识别。
控制模块，用于实现：
在对所述测试键进行WAT测试之前，采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试前图像。
在对所述测试键进行WAT测试之后，采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试后图像。
比较所述测试前图像和所述测试后图像。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键的WAT测试。
进一步的改进是，所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。
进一步的改进是，所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
进一步的改进是，所述控制模块采用硬件或软件实现。
进一步的改进是，所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
进一步的改进是，在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫上。
进一步的改进是，各所述测试键都设置在划片槽上。
进一步的改进是，所述晶圆上形成有多个产品芯片。
为解决上述技术问题，本发明提供的侦测WAT测试中电弧放电的方法包括如下步骤：
步骤一、采用图像识别装置识别出晶圆上的所要测试的测试键的测试前图像。
所述测试键上包括测试结构以及测试衬垫，所述测试衬垫为所述测试结构的电引出结构。
步骤二、采用WAT测试机台对所述测试键上的各所述测试结构进行WAT测试。
步骤三、采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试后图像。
步骤四、比较所述测试前图像和所述测试后图像。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键的WAT测试。
进一步的改进是，所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。
进一步的改进是，所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
进一步的改进是，步骤一至四的流程通过控制模块控制，所述控制模块采用硬件或软件实现。
进一步的改进是，所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
进一步的改进是，在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫上。
进一步的改进是，各所述测试键都设置在划片槽上。
本发明通过设置图像识别模块并通过控制模块的控制实现在测试键的WAT测试前后对测试键进行图像识别并通过对识别的测试前后图像进行比较来判断是否发生电弧放电，以及在侦测到电弧放电时及时停止WAT测试，所以，本发明能在第一时间侦测电弧放电，从而最大化减轻电弧放电对晶圆质量的影响。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明侦测WAT测试中电弧放电的方法的流程图；
图2A是本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法中的测试键的测试前图像的示意图；
图2B是本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法中无电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图；
图2C是本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法中有电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图；
图3是本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法中有电弧放电时的测试键的测试后图像的光学实物照片。
具体实施方式
本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的装置包括：
晶圆，所述晶圆上设置有测试键1，如图2A所示，所述测试键1上包括测试结构2以及测试衬垫3，所述测试衬垫3为所述测试结构2的电引出结构。
通常，各所述测试键1都设置在划片槽上。所述晶圆上形成有多个产品芯片。
WAT测试机台，用于对所述晶圆的所述测试键1上的各所述测试结构2进行WAT测试。在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫3上。
图像识别装置，用于进行图像识别。
控制模块，用于实现：
在对所述测试键1进行WAT测试之前，采用所述图像识别装置识别出所述测试键1的测试前图像。
在对所述测试键1进行WAT测试之后，采用所述图像识别装置识别出所述测试键1的测试后图像。
比较所述测试前图像和所述测试后图像。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构2的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。如图2C所示，是本发明实施例中有电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图，可以看出，所述测试结构2上形成有由电弧放电产生的损坏结构102。图3中方框201中对应的缺陷为图2C中的损坏结构102。图2C中，所述测试衬垫3上对应的缺陷101为扎针产生的痕迹。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构2的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键1的WAT测试。如图2B所示，是本发明实施例中无电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图；可以看出，图2B中的所述测试结构2的图像和图2A中的所述测试结构2的图像相同。在所述测试衬垫3上具有扎针产生的痕迹对应的缺陷101。
本发明实施例中，所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。较佳选择为，所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
所述控制模块采用硬件或软件实现。所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
本发明实施例通过设置图像识别模块并通过控制模块的控制实现在测试键1的WAT测试前后对测试键1进行图像识别并通过对识别的测试前后图像进行比较来判断是否发生电弧放电，以及在侦测到电弧放电时及时停止WAT测试，所以，本发明实施例能在第一时间侦测电弧放电，从而最大化减轻电弧放电对晶圆质量的影响。
如图1所示，是本发明侦测WAT测试中电弧放电的方法的流程图；本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法包括如下步骤：
步骤一、采用图像识别装置识别出晶圆上的所要测试的测试键1的测试前图像。
如图2A所示，是本发明实施例侦测WAT测试中电弧放电的方法中的测试键的测试前图像的示意图；所述测试键1上包括测试结构2以及测试衬垫3，所述测试衬垫3为所述测试结构2的电引出结构。
通常，各所述测试键1都设置在划片槽上。所述晶圆上形成有多个产品芯片。
步骤二、采用WAT测试机台对所述测试键1上的各所述测试结构2进行WAT测试。
在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫3上。
步骤三、采用所述图像识别装置识别出所述测试键1的测试后图像。
步骤四、比较所述测试前图像和所述测试后图像。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构2的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。如图2C所示，是本发明实施例方法中有电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图，可以看出，所述测试结构2上形成有由电弧放电产生的损坏结构102。图3中方框201中对应的缺陷为图2C中的损坏结构102。图2C中，所述测试衬垫3上对应的缺陷101为扎针产生的痕迹。
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构2的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键1的WAT测试。如图2B所示，是本发明实施例方法中无电弧放电时的测试键的测试后图像的示意图；可以看出，图2B中的所述测试结构2的图像和图2A中的所述测试结构2的图像相同。在所述测试衬垫3上具有扎针产生的痕迹对应的缺陷101。
本发明实施例方法中，所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。较佳为，所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
步骤一至四的流程通过控制模块控制，所述控制模块采用硬件或软件实现。所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于，包括：
晶圆，所述晶圆上设置有测试键，所述测试键上包括测试结构以及测试衬垫，所述测试衬垫为所述测试结构的电引出结构；
WAT测试机台，用于对所述晶圆的所述测试键上的各所述测试结构进行WAT测试；
图像识别装置，用于进行图像识别；
控制模块，用于实现：
在对所述测试键进行WAT测试之前，采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试前图像；
在对所述测试键进行WAT测试之后，采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试后图像；
比较所述测试前图像和所述测试后图像；
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试；
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键的WAT测试。
2.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。
3.如权利要求2所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
4.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：所述控制模块采用硬件或软件实现。
5.如权利要求4所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
6.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫上。
7.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：各所述测试键都设置在划片槽上。
8.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的装置，其特征在于：所述晶圆上形成有多个产品芯片。
9.一种侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用图像识别装置识别出晶圆上的所要测试的测试键的测试前图像；
所述测试键上包括测试结构以及测试衬垫，所述测试衬垫为所述测试结构的电引出结构；
步骤二、采用WAT测试机台对所述测试键上的各所述测试结构进行WAT测试；
步骤三、采用所述图像识别装置识别出所述测试键的测试后图像；
步骤四、比较所述测试前图像和所述测试后图像；
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像存在差异，则判断所述WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试；
如果所述测试前图像和所述测试后图像中的所述测试结构的图像不存在差异，则判断所述WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条所述测试键的WAT测试。
10.如权利要求9所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：所述图像识别装置为光学图形识别装置，所识别的图像为光学图像。
11.如权利要求10所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：所述图像识别装置安装在所述WAT测试机台上。
12.如权利要求1所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：步骤一至四的流程通过控制模块控制，所述控制模块采用硬件或软件实现。
13.如权利要求12所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：所述控制模块安装在所述WAT测试机台上。
14.如权利要求9所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：在所述WAT测试过程中，所述WAT测试机台通过探针连接到对应的所述测试衬垫上。
15.如权利要求9所述的侦测WAT测试中电弧放电的方法，其特征在于：各所述测试键都设置在划片槽上。
CN202010053205.1A 2020-01-17 2020-01-17 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法 Pending CN111257727A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010053205.1A CN111257727A (zh) 2020-01-17 2020-01-17 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010053205.1A CN111257727A (zh) 2020-01-17 2020-01-17 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111257727A true CN111257727A (zh) 2020-06-09

Family

ID=70947687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010053205.1A Pending CN111257727A (zh) 2020-01-17 2020-01-17 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111257727A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232229A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Fujitsu Ltd 欠陥検査方法及びその装置
EP0644415A1 (en) * 1993-09-17 1995-03-22 Applied Materials, Inc. Particle detection by measuring electrical discharge
CN1365596A (zh) * 2000-03-28 2002-08-21 科学技术振兴事业团 等离子区的异常放电检测装置及其检测方法
CN101090083A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片检测方法
CN101246832A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路装置的制造方法
CN102683173A (zh) * 2012-03-31 2012-09-19 上海宏力半导体制造有限公司 减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法
CN103364176A (zh) * 2012-12-06 2013-10-23 西安工业大学 一种激光损伤阈值测试系统
CN103367328A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 国际商业机器公司 用于在视觉上检测静电放电事件的方法和装置
CN204203417U (zh) * 2014-10-24 2015-03-11 华南理工大学 一种led漏电流检测装置
CN106405372A (zh) * 2016-08-22 2017-02-15 上海华力微电子有限公司 一种避免电子束扫描过程中产生电弧放电的缺陷检测方法
CN109427608A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 基思利仪器有限责任公司 具有电介质流体分配器的探针卡系统

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232229A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Fujitsu Ltd 欠陥検査方法及びその装置
EP0644415A1 (en) * 1993-09-17 1995-03-22 Applied Materials, Inc. Particle detection by measuring electrical discharge
CN1365596A (zh) * 2000-03-28 2002-08-21 科学技术振兴事业团 等离子区的异常放电检测装置及其检测方法
CN101090083A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片检测方法
CN101246832A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路装置的制造方法
CN103367328A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 国际商业机器公司 用于在视觉上检测静电放电事件的方法和装置
CN102683173A (zh) * 2012-03-31 2012-09-19 上海宏力半导体制造有限公司 减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法
CN103364176A (zh) * 2012-12-06 2013-10-23 西安工业大学 一种激光损伤阈值测试系统
CN204203417U (zh) * 2014-10-24 2015-03-11 华南理工大学 一种led漏电流检测装置
CN106405372A (zh) * 2016-08-22 2017-02-15 上海华力微电子有限公司 一种避免电子束扫描过程中产生电弧放电的缺陷检测方法
CN109427608A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 基思利仪器有限责任公司 具有电介质流体分配器的探针卡系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘元修 等: "一种基于随机森林的可寻址WAT良率诊断方法", 《微电子学与计算机》 *
赵文彬: "冲击电压下半导体材料表面闪络现象与机理的研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)•信息科技辑》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102239051B1 (ko) 검사 시스템, 및 검사 시스템의 고장 해석 및 예지 방법
JP4456325B2 (ja) 検査方法及び検査装置
US10670652B2 (en) Semiconductor test equipment
JP2009244077A (ja) 基板検査装置及びその方法
US20070164763A1 (en) Method for detecting abnormality of probe card
US20070157056A1 (en) Method and apparatus for detecting defects in integrated circuit die from stimulation of statistical outlier signatures
US6380753B1 (en) Screening method of semiconductor device and apparatus thereof
CN117316797A (zh) 一种避免晶圆误测的复测方法
US6600329B2 (en) Method for inspecting electrical properties of a wafer and apparatus therefor
CN111257727A (zh) 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法
KR100655689B1 (ko) 프로브 방법, 프로브 방법에 사용되는 프로브 카드, 및프로브 카드를 이용해서 프로브 방법을 수행하기 위한프로브 장치
CN116183985A (zh) 用于晶圆测试的探针卡、测试系统及测试方法
US6943573B1 (en) System and method for site-to-site yield comparison while testing integrated circuit dies
US7230442B2 (en) Semi-conductor component testing process and system for testing semi-conductor components
KR102534369B1 (ko) 프로브 스테이션 테스트 장치
KR20130065043A (ko) 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
US7265568B2 (en) Semi-conductor component test process and a system for testing semi-conductor components
US20020145434A1 (en) Interconnect package cluster probe short removal apparatus and method
JP2004309413A (ja) Ｌｓｉ検査方法及び欠陥検査データ分析装置
KR20050067759A (ko) 반도체 검사장치
KR100934793B1 (ko) 반도체 소자 테스트 방법 및 그 장치, 적정 스트레스 전압검출 방법
KR100502405B1 (ko) 반도체장치이디에스방법
CN118098331A (zh) 晶圆的测试方法
CN117612461A (zh) 显示面板异常分析方法及分析系统
JP2008098230A (ja) 半導体試験システム、半導体試験装置、被試験ウェハおよび半導体試験方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200609

RJ01 Rejection of invention patent application after publication