JP2776416B2 - レチクル外観検査装置 - Google Patents
レチクル外観検査装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクの外観検査
技術に関し、特に、レチクルの外観検査を行う装置及び
検査方法に関する。
技術に関し、特に、レチクルの外観検査を行う装置及び
検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスクは、ＬＳＩ製造のウェハ露光工程
で用いられる重要な治具である。また、マスクの種類に
は、等倍の回路図形を有するマスク或いは、５倍乃至１
０倍の回路図形を有するマスク（レチクル、ｒｅｔｉｃ
ｌｅ）などがある。
で用いられる重要な治具である。また、マスクの種類に
は、等倍の回路図形を有するマスク或いは、５倍乃至１
０倍の回路図形を有するマスク（レチクル、ｒｅｔｉｃ
ｌｅ）などがある。
【０００３】このレチクルの製造工程の一つにレチクル
の形状や異物など外観を検査する工程がある。このよう
なレチクルの外観検査を行う装置及び検査方法として
は、従来、特開平４−３６５０４５号（以下、従来例）
に開示されているものが挙げられる。
の形状や異物など外観を検査する工程がある。このよう
なレチクルの外観検査を行う装置及び検査方法として
は、従来、特開平４−３６５０４５号（以下、従来例）
に開示されているものが挙げられる。
【０００４】従来例のレチクル外観検査装置は、図３に
示される様に、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）装置か
ら出力されたパターン設計データからレチクル設計デー
タを得る設計パターンデータ入力部３１と、設計パター
ンデータ入力部３１において得られたレチクル設計デー
タからレチクル名及びパターンの外観的な特徴を抽出す
るレチクル名・設計パターン特徴抽出手段３２と、レチ
クル名・設計パターン特徴抽出手段３２により抽出され
たレチクル名及び特徴情報を一時的に保持する設計パタ
ーン特徴データ保持手段３３と、レチクル上のパターン
情報から該レチクルパターンの画像データであるレチク
ルパターン画像データを得るレチクル画像データ入力部
３４と、レチクル画像データ入力部３４において得られ
たレチクルパターン画像データからレチクル名及びパタ
ーンの外観的な特徴を抽出するレチクル名・レチクルパ
ターン特徴抽出手段３５と、レチクル名・レチクルパタ
ーン特徴抽出手段３５により抽出されたレチクル名及び
レチクル上のパターンの特徴情報、並びに設計パターン
特徴データ保持手段３３に保持されたレチクル名及び特
徴情報とを比較する特徴比較手段３６と、特徴比較手段
３６による比較結果を出力する比較結果出力手段３７と
を備えている。
示される様に、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）装置か
ら出力されたパターン設計データからレチクル設計デー
タを得る設計パターンデータ入力部３１と、設計パター
ンデータ入力部３１において得られたレチクル設計デー
タからレチクル名及びパターンの外観的な特徴を抽出す
るレチクル名・設計パターン特徴抽出手段３２と、レチ
クル名・設計パターン特徴抽出手段３２により抽出され
たレチクル名及び特徴情報を一時的に保持する設計パタ
ーン特徴データ保持手段３３と、レチクル上のパターン
情報から該レチクルパターンの画像データであるレチク
ルパターン画像データを得るレチクル画像データ入力部
３４と、レチクル画像データ入力部３４において得られ
たレチクルパターン画像データからレチクル名及びパタ
ーンの外観的な特徴を抽出するレチクル名・レチクルパ
ターン特徴抽出手段３５と、レチクル名・レチクルパタ
ーン特徴抽出手段３５により抽出されたレチクル名及び
レチクル上のパターンの特徴情報、並びに設計パターン
特徴データ保持手段３３に保持されたレチクル名及び特
徴情報とを比較する特徴比較手段３６と、特徴比較手段
３６による比較結果を出力する比較結果出力手段３７と
を備えている。
【０００５】また、このような構成を有する従来例のレ
チクル外観検査装置においては、レチクルのパターン設
計データから得られたレチクル設計データと、検査対象
となるレチクルから得られたレチクルパターン画像デー
タとを、パターンの特徴などにおいて比較し、その特徴
が一致するか不一致であるかを検出することによりレチ
クルの外観を検査している。
チクル外観検査装置においては、レチクルのパターン設
計データから得られたレチクル設計データと、検査対象
となるレチクルから得られたレチクルパターン画像デー
タとを、パターンの特徴などにおいて比較し、その特徴
が一致するか不一致であるかを検出することによりレチ
クルの外観を検査している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の微細化に伴い、レチクルの外観検査で検出すべき欠陥
や異物などの寸法も微細化している。例えば、６４Ｍｂ
ＤＲＡＭクラスのデバイスに関して、５倍のレチクル上
で０．２μｍ程度の寸法を有している。
の微細化に伴い、レチクルの外観検査で検出すべき欠陥
や異物などの寸法も微細化している。例えば、６４Ｍｂ
ＤＲＡＭクラスのデバイスに関して、５倍のレチクル上
で０．２μｍ程度の寸法を有している。
【０００７】しかしながら、従来のレチクル外観検査装
置及び検査方法による検査技術は、欠陥や異物などの寸
法の微細化に対応していないため、以下に示す様な問題
を有していた。
置及び検査方法による検査技術は、欠陥や異物などの寸
法の微細化に対応していないため、以下に示す様な問題
を有していた。
【０００８】即ち、ウェハプロセスにおいて、実際には
問題とならない程度の欠陥や異物などを検出してしまう
場合がある。この場合は、実際に良品として用いられる
レチクルさえも不良品として評価してしまうことになる
ので、必要以上に歩留りの低下を招くという問題があっ
た。また、逆に、ウェハプロセスにおいて、実際に問題
となる検出すべき欠陥や異物などを検出しないといった
場合がある。この場合は、良品として評価されたレチク
ルがウェハラインで問題となる場合があった。
問題とならない程度の欠陥や異物などを検出してしまう
場合がある。この場合は、実際に良品として用いられる
レチクルさえも不良品として評価してしまうことになる
ので、必要以上に歩留りの低下を招くという問題があっ
た。また、逆に、ウェハプロセスにおいて、実際に問題
となる検出すべき欠陥や異物などを検出しないといった
場合がある。この場合は、良品として評価されたレチク
ルがウェハラインで問題となる場合があった。
【０００９】このような問題が起こる理由について、以
下に図４に示す具体例を用いて説明する。
下に図４に示す具体例を用いて説明する。
【００１０】レチクル設計データ４１が、例えば一辺が
１．５μｍの正方形状であったとする。このレチクル設
計データ４１に対応する３種のレチクルパターンを参照
符号４２、４３、及び４４で示す。レチクルパターン
（欠陥なし）４２は、欠陥などのないレチクル設計デー
タ４１に対応するレチクルパターンである。図４から理
解できる様に、レチクルパターン（欠陥なし）４２の各
コーナーは、レチクル設計データ４１と比較して若干丸
くなっている。レチクルパターン（欠陥１）４３、及び
レチクルパターン（欠陥２）４４は、夫々欠陥などを有
したレチクル設計データ４１に対応するレチクルパター
ンである。これらの３種のレチクルパターン４２、４
３、及び４４を５：１のステッパーにかけてウェハに転
写すると、１／５縮小光学系を通す為に、ウェハパター
ン４５、４６、及び４７は、夫々以下のようになる。即
ち、レチクルパターン（欠陥なし）４２に対応するウェ
ハパターン（欠陥なし）４５は、ほとんど円形のパター
ンになる。また、レチクルパターン（欠陥１）４３に対
応するウェハパターン（欠陥１）４６は、１／５縮小光
学系を通す際に、レチクルパターン（欠陥１）４３の有
していた突起部分がスムージングされて全く欠陥の影響
のないパターンとなる。言い換えれば、レチクルパター
ン（欠陥１）４３は、実際には問題とならない程度の欠
陥や異物などしか有していないと言える。一方、レチク
ルパターン（欠陥２）４４に対応するウェハパターン
（欠陥２）４７は、１／５縮小光学系を通す際に解像限
界以下となってしまうため全く解像しないものになる。
言い換えれば、レチクルパターン（欠陥２）４４こそ
が、本来検出すべき欠陥などを有しているパターンであ
ると言える。
１．５μｍの正方形状であったとする。このレチクル設
計データ４１に対応する３種のレチクルパターンを参照
符号４２、４３、及び４４で示す。レチクルパターン
（欠陥なし）４２は、欠陥などのないレチクル設計デー
タ４１に対応するレチクルパターンである。図４から理
解できる様に、レチクルパターン（欠陥なし）４２の各
コーナーは、レチクル設計データ４１と比較して若干丸
くなっている。レチクルパターン（欠陥１）４３、及び
レチクルパターン（欠陥２）４４は、夫々欠陥などを有
したレチクル設計データ４１に対応するレチクルパター
ンである。これらの３種のレチクルパターン４２、４
３、及び４４を５：１のステッパーにかけてウェハに転
写すると、１／５縮小光学系を通す為に、ウェハパター
ン４５、４６、及び４７は、夫々以下のようになる。即
ち、レチクルパターン（欠陥なし）４２に対応するウェ
ハパターン（欠陥なし）４５は、ほとんど円形のパター
ンになる。また、レチクルパターン（欠陥１）４３に対
応するウェハパターン（欠陥１）４６は、１／５縮小光
学系を通す際に、レチクルパターン（欠陥１）４３の有
していた突起部分がスムージングされて全く欠陥の影響
のないパターンとなる。言い換えれば、レチクルパター
ン（欠陥１）４３は、実際には問題とならない程度の欠
陥や異物などしか有していないと言える。一方、レチク
ルパターン（欠陥２）４４に対応するウェハパターン
（欠陥２）４７は、１／５縮小光学系を通す際に解像限
界以下となってしまうため全く解像しないものになる。
言い換えれば、レチクルパターン（欠陥２）４４こそ
が、本来検出すべき欠陥などを有しているパターンであ
ると言える。
【００１１】ここで、従来のレチクル外観検査装置及び
検査方法では、レチクルパターン（欠陥１）４３のタイ
プの欠陥は検出しやすいが、レチクルパターン（欠陥
２）４４のタイプの欠陥は検出しにくい。何故なら、レ
チクルパターン（欠陥１）４３のタイプの欠陥は、レチ
クルパターン（欠陥なし）４２と比較して、真っ直ぐで
なければならない部分に突起部分を有しているので、認
識しやすいためである。一方、レチクルパターン（欠陥
２）４４のタイプの欠陥は、レチクルパターン（欠陥な
し）４２の丸くなっているコーナー部分に重なっている
ため検出しにくいためである。
検査方法では、レチクルパターン（欠陥１）４３のタイ
プの欠陥は検出しやすいが、レチクルパターン（欠陥
２）４４のタイプの欠陥は検出しにくい。何故なら、レ
チクルパターン（欠陥１）４３のタイプの欠陥は、レチ
クルパターン（欠陥なし）４２と比較して、真っ直ぐで
なければならない部分に突起部分を有しているので、認
識しやすいためである。一方、レチクルパターン（欠陥
２）４４のタイプの欠陥は、レチクルパターン（欠陥な
し）４２の丸くなっているコーナー部分に重なっている
ため検出しにくいためである。
【００１２】尚、これらの具体例は、５倍のレチクルに
ついて述べたものであるが、１０倍のレチクルに関して
は、５倍のレチクル以上に問題となることはいうまでも
ないことである。
ついて述べたものであるが、１０倍のレチクルに関して
は、５倍のレチクル以上に問題となることはいうまでも
ないことである。
【００１３】本発明の目的は、上記の問題を解決すべ
く、ウェハ上に実際に転写された状態におけるレチクル
パターンとパターン設計データとの比較及びレチクルの
良・不良の判定が可能なレチクル外観検査装置及び方法
を提供することにある。
く、ウェハ上に実際に転写された状態におけるレチクル
パターンとパターン設計データとの比較及びレチクルの
良・不良の判定が可能なレチクル外観検査装置及び方法
を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために、以下に示す手段を提供する。
解決するために、以下に示す手段を提供する。
【００１５】即ち、本発明によれば、検査対象となるレ
チクルのレチクルパターンから該レチクルパターンの画
像データであるレチクルパターン画像データを得るレチ
クル画像データ入力部と、該レチクル画像データ入力部
において得られた前記レチクルパターン画像データに基
づいて、前記レチクルパターンをステッパの縮小光学系
に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーション
するレチクルシミュレーション手段と、前記レチクルの
パターン設計データを処理して画像データであるレチク
ル設計データを得るレチクル設計データ入力部と、該レ
チクル設計データ入力部において得られた前記レチクル
設計データに基づいて、前記レチクル設計データ通りに
設計された場合に得られるレチクルのレチクルパターン
をステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光強度
分布をシミュレーションする設計データシミュレーショ
ン手段と、該設計データシミュレーション手段の出力と
前記レチクルシミュレーション手段の出力とを比較し
て、該設計データシミュレーション手段の出力と該レチ
クルシミュレーション手段の出力とが、一致している場
合には一致信号を、不一致の場合には不一致信号を出力
する比較手段とを備えることを特徴とするレチクル外観
検査装置が得られる。
チクルのレチクルパターンから該レチクルパターンの画
像データであるレチクルパターン画像データを得るレチ
クル画像データ入力部と、該レチクル画像データ入力部
において得られた前記レチクルパターン画像データに基
づいて、前記レチクルパターンをステッパの縮小光学系
に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーション
するレチクルシミュレーション手段と、前記レチクルの
パターン設計データを処理して画像データであるレチク
ル設計データを得るレチクル設計データ入力部と、該レ
チクル設計データ入力部において得られた前記レチクル
設計データに基づいて、前記レチクル設計データ通りに
設計された場合に得られるレチクルのレチクルパターン
をステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光強度
分布をシミュレーションする設計データシミュレーショ
ン手段と、該設計データシミュレーション手段の出力と
前記レチクルシミュレーション手段の出力とを比較し
て、該設計データシミュレーション手段の出力と該レチ
クルシミュレーション手段の出力とが、一致している場
合には一致信号を、不一致の場合には不一致信号を出力
する比較手段とを備えることを特徴とするレチクル外観
検査装置が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記レチクル外観
検査装置において、前記比較手段の出力を受けて、該出
力が前記一致信号の場合には前記レチクルを良と判定
し、該出力が前記不一致信号の場合には前記レチクルを
不良と判定して判定結果を出力する比較結果判定手段を
更に備えることを特徴とするレチクル外観検査装置が得
られる。
検査装置において、前記比較手段の出力を受けて、該出
力が前記一致信号の場合には前記レチクルを良と判定
し、該出力が前記不一致信号の場合には前記レチクルを
不良と判定して判定結果を出力する比較結果判定手段を
更に備えることを特徴とするレチクル外観検査装置が得
られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記いずれかに記
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクル画像
データ入力部は、前記検査対象となるレチクルに検査光
を照射する検査光照射部と、該レチクルを透過した前記
検査光を検出する光検出部と、該光検出部により検出さ
れた検査光を受けて画像処理を行い前記レチクルパター
ン画像データを出力するレチクル画像処理部と、該レチ
クルパターン画像データを一時的に保持するレチクル画
像メモリとを備えたことを特徴とするレチクル外観検査
装置が得られる。
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクル画像
データ入力部は、前記検査対象となるレチクルに検査光
を照射する検査光照射部と、該レチクルを透過した前記
検査光を検出する光検出部と、該光検出部により検出さ
れた検査光を受けて画像処理を行い前記レチクルパター
ン画像データを出力するレチクル画像処理部と、該レチ
クルパターン画像データを一時的に保持するレチクル画
像メモリとを備えたことを特徴とするレチクル外観検査
装置が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記いずれかに記
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクル設計
データ入力部は、レチクル設計データを受けて画像処理
を行う設計データ画像処理部と、該設計データ画像処理
部の出力を一時的に保持する設計データ画像メモリとを
備えたことを特徴とするレチクル外観検査装置が得られ
る。
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクル設計
データ入力部は、レチクル設計データを受けて画像処理
を行う設計データ画像処理部と、該設計データ画像処理
部の出力を一時的に保持する設計データ画像メモリとを
備えたことを特徴とするレチクル外観検査装置が得られ
る。
【００１９】また、本発明によれば、前記いずれかに記
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクルシミ
ュレーション手段は、前記レチクルパターン画像データ
に対して前記シミュレーションを行うレチクルシミュレ
ーション部と、該レチクルシミュレーション部の出力を
一時的に保持するレチクルシミュレーション結果格納メ
モリとを備えており、前記設計データシミュレーション
手段は、前記レチクル設計データに対して前記シミュレ
ーションを行う設計データシミュレーション部と、該設
計データシミュレーション部の出力を一時的に保持する
設計データシミュレーション結果格納メモリとを備えて
いることを特徴とするレチクル外観検査装置が得られ
る。
載のレチクル外観検査装置において、前記レチクルシミ
ュレーション手段は、前記レチクルパターン画像データ
に対して前記シミュレーションを行うレチクルシミュレ
ーション部と、該レチクルシミュレーション部の出力を
一時的に保持するレチクルシミュレーション結果格納メ
モリとを備えており、前記設計データシミュレーション
手段は、前記レチクル設計データに対して前記シミュレ
ーションを行う設計データシミュレーション部と、該設
計データシミュレーション部の出力を一時的に保持する
設計データシミュレーション結果格納メモリとを備えて
いることを特徴とするレチクル外観検査装置が得られ
る。
【００２０】更に、本発明によれば、検査対象となるレ
チクルのレチクルパターンから該レチクルパターンの画
像データであるレチクルパターン画像データを取り込む
第１のステップと、該レチクルパターン画像データに基
づいて、前記レチクルパターンをステッパの縮小光学系
に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーション
し、レチクルパターンシミュレーションデータを出力す
る第２のステップと、前記レチクルのパターン設計デー
タを処理して画像データであるレチクル設計データを得
る第３のステップと、該レチクル設計データに基づい
て、該レチクル設計データ通りに設計された場合に得ら
れるレチクルのレチクルパターンをステッパの縮小光学
系に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーショ
ンし、設計データシミュレーションデータを出力する第
４のステップと、前記レチクルパターンシミュレーショ
ンデータと前記設計データシミュレーションデータとを
比較して、前記レチクルパターンシミュレーションデー
タと前記設計データシミュレーションデータとが、一致
しているか不一致であるかを検出する第５のステップ
と、該検出した結果に基づいて前記レチクルの良・不良
を判定する第６のステップとを備えることを特徴とする
レチクル外観検査方法が得られる。
チクルのレチクルパターンから該レチクルパターンの画
像データであるレチクルパターン画像データを取り込む
第１のステップと、該レチクルパターン画像データに基
づいて、前記レチクルパターンをステッパの縮小光学系
に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーション
し、レチクルパターンシミュレーションデータを出力す
る第２のステップと、前記レチクルのパターン設計デー
タを処理して画像データであるレチクル設計データを得
る第３のステップと、該レチクル設計データに基づい
て、該レチクル設計データ通りに設計された場合に得ら
れるレチクルのレチクルパターンをステッパの縮小光学
系に通した場合に得られる光強度分布をシミュレーショ
ンし、設計データシミュレーションデータを出力する第
４のステップと、前記レチクルパターンシミュレーショ
ンデータと前記設計データシミュレーションデータとを
比較して、前記レチクルパターンシミュレーションデー
タと前記設計データシミュレーションデータとが、一致
しているか不一致であるかを検出する第５のステップ
と、該検出した結果に基づいて前記レチクルの良・不良
を判定する第６のステップとを備えることを特徴とする
レチクル外観検査方法が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。
いて図面を用いて説明する。
【００２２】本実施の形態のレチクル外観検査方法は、
検査対象となるレチクルのレチクルパターンから該レチ
クルパターンの画像データであるレチクルパターン画像
データを取り込む第１のステップと、該レチクルパター
ン画像データに基づいて、レチクルパターンをステッパ
の縮小光学系に通した場合に得られる光強度分布をシミ
ュレーションし、レチクルパターンシミュレーションデ
ータを出力する第２のステップと、検査対象となるレチ
クルのパターン設計データを処理して画像データである
レチクル設計データを得る第３のステップと、レチクル
設計データに基づいて、レチクル設計データ通りに設計
された場合に得られるレチクル（「レチクル設計データ
から欠陥なく製造された場合に予測されるレチクル」を
含む意味である。）のレチクルパターンをステッパの縮
小光学系に通した場合に得られる光強度分布をシミュレ
ーションし、設計データシミュレーションデータを出力
する第４のステップと、レチクルパターンシミュレーシ
ョンデータと設計データシミュレーションデータとを比
較して、レチクルパターンシミュレーションデータと設
計データシミュレーションデータとが、一致しているか
不一致であるかを検出する第５のステップと、検出した
結果に基づいて検査対象であるレチクルの良・不良を判
定する第６のステップとを備えるものである。
検査対象となるレチクルのレチクルパターンから該レチ
クルパターンの画像データであるレチクルパターン画像
データを取り込む第１のステップと、該レチクルパター
ン画像データに基づいて、レチクルパターンをステッパ
の縮小光学系に通した場合に得られる光強度分布をシミ
ュレーションし、レチクルパターンシミュレーションデ
ータを出力する第２のステップと、検査対象となるレチ
クルのパターン設計データを処理して画像データである
レチクル設計データを得る第３のステップと、レチクル
設計データに基づいて、レチクル設計データ通りに設計
された場合に得られるレチクル（「レチクル設計データ
から欠陥なく製造された場合に予測されるレチクル」を
含む意味である。）のレチクルパターンをステッパの縮
小光学系に通した場合に得られる光強度分布をシミュレ
ーションし、設計データシミュレーションデータを出力
する第４のステップと、レチクルパターンシミュレーシ
ョンデータと設計データシミュレーションデータとを比
較して、レチクルパターンシミュレーションデータと設
計データシミュレーションデータとが、一致しているか
不一致であるかを検出する第５のステップと、検出した
結果に基づいて検査対象であるレチクルの良・不良を判
定する第６のステップとを備えるものである。
【００２３】また、このようなレチクル外観検査方法を
行うために本実施の形態のレチクル外観検査装置は、図
１に示されるような構成を備えている。即ち、検査対象
となるレチクルのレチクルパターンから該レチクルパタ
ーンの画像データであるレチクル画像データを得るレチ
クル画像データ入力部１と、レチクルシミュレーション
手段２と、レチクルのパターン設計データを処理して画
像データであるレチクル設計データを得るレチクル設計
データ入力部３と、設計データシミュレーション手段４
と、比較手段５と、比較結果判定手段６とを備えてい
る。
行うために本実施の形態のレチクル外観検査装置は、図
１に示されるような構成を備えている。即ち、検査対象
となるレチクルのレチクルパターンから該レチクルパタ
ーンの画像データであるレチクル画像データを得るレチ
クル画像データ入力部１と、レチクルシミュレーション
手段２と、レチクルのパターン設計データを処理して画
像データであるレチクル設計データを得るレチクル設計
データ入力部３と、設計データシミュレーション手段４
と、比較手段５と、比較結果判定手段６とを備えてい
る。
【００２４】更に、詳しくは、図２に示されるように、
レチクル画像データ入力部１は、検査対象となるレチク
ル１２に検査光を照射する検査光照射部１１と、レチク
ル１２を透過した検査光を検出する光検出部１３と、光
検出部１３により検出された検査光を受けて画像処理を
行いレチクルパターン画像データを出力するレチクル画
像処理部１４と、レチクルパターン画像データを一時的
に保持するレチクル画像メモリ１５とを備えている。
レチクル画像データ入力部１は、検査対象となるレチク
ル１２に検査光を照射する検査光照射部１１と、レチク
ル１２を透過した検査光を検出する光検出部１３と、光
検出部１３により検出された検査光を受けて画像処理を
行いレチクルパターン画像データを出力するレチクル画
像処理部１４と、レチクルパターン画像データを一時的
に保持するレチクル画像メモリ１５とを備えている。
【００２５】また、レチクルシミュレーション手段２
は、レチクル画像データ入力部１において得られたレチ
クルパターン画像データに基づいて、そのレチクルパタ
ーンをステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光
強度分布をシミュレーションするものであり、レチクル
パターンに対してシミュレーションを行いレチクルパタ
ーンシミュレーションデータを出力するレチクルシミュ
レーション部１６と、レチクルパターンシミュレーショ
ンデータを一時的に保持するレチクルシミュレーション
結果格納メモリ１７とを備えている。
は、レチクル画像データ入力部１において得られたレチ
クルパターン画像データに基づいて、そのレチクルパタ
ーンをステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光
強度分布をシミュレーションするものであり、レチクル
パターンに対してシミュレーションを行いレチクルパタ
ーンシミュレーションデータを出力するレチクルシミュ
レーション部１６と、レチクルパターンシミュレーショ
ンデータを一時的に保持するレチクルシミュレーション
結果格納メモリ１７とを備えている。
【００２６】更に、レチクル設計データ入力部３は、レ
チクル設計データ１８を受けて画像処理を行う設計デー
タ画像処理部１９と、設計データ画像処理部１９の出力
を一時的に保持する設計データ画像メモリ２０とを備え
ている。
チクル設計データ１８を受けて画像処理を行う設計デー
タ画像処理部１９と、設計データ画像処理部１９の出力
を一時的に保持する設計データ画像メモリ２０とを備え
ている。
【００２７】また、設計データシミュレーション手段４
は、レチクル設計データ入力部３において得られたレチ
クル設計データに基づいて、レチクル設計データ通りに
設計された場合に得られるレチクルのレチクルパターン
をステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光強度
分布をシミュレーションするものであり、設計データ画
像メモリ２０に保持されたデータに対してシミュレーシ
ョンを行い設計データシミュレーションデータを出力す
る設計データシミュレーション部２１と、設計データシ
ミュレーションデータを一時的に保持する設計データシ
ミュレーション結果格納メモリ２２とを備えている。
は、レチクル設計データ入力部３において得られたレチ
クル設計データに基づいて、レチクル設計データ通りに
設計された場合に得られるレチクルのレチクルパターン
をステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光強度
分布をシミュレーションするものであり、設計データ画
像メモリ２０に保持されたデータに対してシミュレーシ
ョンを行い設計データシミュレーションデータを出力す
る設計データシミュレーション部２１と、設計データシ
ミュレーションデータを一時的に保持する設計データシ
ミュレーション結果格納メモリ２２とを備えている。
【００２８】ここで、レチクルシミュレーション部１６
と設計データシミュレーション部２１をソフトウエアを
用いて構築する場合、例えば、“ＡＩＭＳ”等が使用可
能である。また、ハードウエアとしては、汎用のワーク
ステーションを用いても、専用ハードウエアを用いても
良い。このようなレチクルシミュレーション部１６及び
設計データシミュレーション部２１に対して、検査対象
となるレチクルが使用されるステッパの光学系パラメー
タ（例えば、倍率、レンズの開口数ＮＡ、検査光のコヒ
ーレンシーσ、検査光の波長λ等）を入力することによ
り、検査対象となるレチクル及びレチクル設計データ通
りに設計された場合に得られるであろうレチクルが実際
に使用された場合に、ステッパの光学系を通して得られ
るであろう光強度分布を得ることができる。
と設計データシミュレーション部２１をソフトウエアを
用いて構築する場合、例えば、“ＡＩＭＳ”等が使用可
能である。また、ハードウエアとしては、汎用のワーク
ステーションを用いても、専用ハードウエアを用いても
良い。このようなレチクルシミュレーション部１６及び
設計データシミュレーション部２１に対して、検査対象
となるレチクルが使用されるステッパの光学系パラメー
タ（例えば、倍率、レンズの開口数ＮＡ、検査光のコヒ
ーレンシーσ、検査光の波長λ等）を入力することによ
り、検査対象となるレチクル及びレチクル設計データ通
りに設計された場合に得られるであろうレチクルが実際
に使用された場合に、ステッパの光学系を通して得られ
るであろう光強度分布を得ることができる。
【００２９】このようにして得られたレチクル、設計デ
ータの各々のシミュレーション結果は、夫々、レチクル
シミュレーション結果格納メモリ１７及び設計データシ
ミュレーション結果格納メモリ２２を介して画像比較部
２３（比較手段５）に入力される。画像比較部２３は、
レチクル及び設計データの各々のシミュレーション結果
が入力されると、双方のシミュレーション結果を基に、
例えば論理演算などを行って差異の有無を判断し、双方
のシミュレーション結果が一致している場合には一致信
号を、不一致の場合には不一致信号を出力する。ここ
で、双方のシミュレーション結果の比較は全体を対象と
して行われても良いし、一部毎を対象として行われても
よい。例えば、全体を対象として比較された場合には、
双方のシミュレーション結果の全体が一致している場合
に一致信号を出力し、不一致の場合に不一致信号を出力
することになる。また、一部毎を対象として比較された
場合には、双方のシミュレーション結果の一部毎に一致
又は不一致を判断し、その一部毎に一致信号または不一
致信号を出力することになる。また、画像比較部２３に
おける比較結果は、表示・判別部２４に出力される。
ータの各々のシミュレーション結果は、夫々、レチクル
シミュレーション結果格納メモリ１７及び設計データシ
ミュレーション結果格納メモリ２２を介して画像比較部
２３（比較手段５）に入力される。画像比較部２３は、
レチクル及び設計データの各々のシミュレーション結果
が入力されると、双方のシミュレーション結果を基に、
例えば論理演算などを行って差異の有無を判断し、双方
のシミュレーション結果が一致している場合には一致信
号を、不一致の場合には不一致信号を出力する。ここ
で、双方のシミュレーション結果の比較は全体を対象と
して行われても良いし、一部毎を対象として行われても
よい。例えば、全体を対象として比較された場合には、
双方のシミュレーション結果の全体が一致している場合
に一致信号を出力し、不一致の場合に不一致信号を出力
することになる。また、一部毎を対象として比較された
場合には、双方のシミュレーション結果の一部毎に一致
又は不一致を判断し、その一部毎に一致信号または不一
致信号を出力することになる。また、画像比較部２３に
おける比較結果は、表示・判別部２４に出力される。
【００３０】該表示・判別部２４は、画像処理部２３か
らの出力を受けて検査対象となるレチクルの良・不良を
自動的に判断する。このような表示・判別部２４は、専
用のハードウエアで構成しても良く、ソフトウエアを用
いて構成しても良い。
らの出力を受けて検査対象となるレチクルの良・不良を
自動的に判断する。このような表示・判別部２４は、専
用のハードウエアで構成しても良く、ソフトウエアを用
いて構成しても良い。
【００３１】ここで、図２の例を参照すると、コンタク
トホール系のパターンの場合が示されている。また、レ
チクル画像メモリ１５及び設計データ画像メモリ２０に
注目すると、レチクル画像メモリ１５の中央のホールパ
ターンの右下コーナー部分１５１が欠けている。尚、図
２において、レチクル画像メモリ１５及び設計データ画
像メモリ２０は、夫々画像データを例えばディスプレイ
などに表示しているようにも見えるが、実際に表示する
訳ではないことは言うまでもない。
トホール系のパターンの場合が示されている。また、レ
チクル画像メモリ１５及び設計データ画像メモリ２０に
注目すると、レチクル画像メモリ１５の中央のホールパ
ターンの右下コーナー部分１５１が欠けている。尚、図
２において、レチクル画像メモリ１５及び設計データ画
像メモリ２０は、夫々画像データを例えばディスプレイ
などに表示しているようにも見えるが、実際に表示する
訳ではないことは言うまでもない。
【００３２】これらのレチクル画像メモリ１５及び設計
データ画像メモリ２０の出力を、夫々レチクルシミュレ
ーション部１６及び設計データシミュレーション部２１
においてシミュレーションした結果が、夫々レチクルシ
ミュレーション結果格納メモリ１７及び設計データシミ
ュレーション結果格納メモリ２２に示されている。レチ
クルシミュレーション結果格納メモリ１７に注目する
と、レチクル上では僅かな欠けを有していた中央のホー
ルパターンが消失してしまっている。これは、レチクル
上では僅かな欠けであってもステッパの縮小光学系を通
すと解像の限界を越えることがあるからである。その結
果、画像比較部２３においては明らかな差異として現れ
ている。ここで、図２において、レチクルシミュレーシ
ョン結果格納メモリ１７及び設計データシミュレーショ
ン結果格納メモリ２２並びに画像比較部２３は、夫々、
画像パターンをディスプレイなどに表示しているように
も見えるが、実際に表示する訳ではないことは言うまで
もない。
データ画像メモリ２０の出力を、夫々レチクルシミュレ
ーション部１６及び設計データシミュレーション部２１
においてシミュレーションした結果が、夫々レチクルシ
ミュレーション結果格納メモリ１７及び設計データシミ
ュレーション結果格納メモリ２２に示されている。レチ
クルシミュレーション結果格納メモリ１７に注目する
と、レチクル上では僅かな欠けを有していた中央のホー
ルパターンが消失してしまっている。これは、レチクル
上では僅かな欠けであってもステッパの縮小光学系を通
すと解像の限界を越えることがあるからである。その結
果、画像比較部２３においては明らかな差異として現れ
ている。ここで、図２において、レチクルシミュレーシ
ョン結果格納メモリ１７及び設計データシミュレーショ
ン結果格納メモリ２２並びに画像比較部２３は、夫々、
画像パターンをディスプレイなどに表示しているように
も見えるが、実際に表示する訳ではないことは言うまで
もない。
【００３３】尚、表示・判別部２４を単なる表示装置と
しても良く、更に、表示された比較結果を基にオペレー
タが良・不良の判定を行っても良い。
しても良く、更に、表示された比較結果を基にオペレー
タが良・不良の判定を行っても良い。
【００３４】また、本実施の形態においては、図２に示
されるように、検査対象となるレチクルの良・不良の判
定結果や座標値などを記録する欠陥記録部２５を更に備
えている。この欠陥記録部２５に記録された情報は、例
えば、次工程での処理に使用することができる。
されるように、検査対象となるレチクルの良・不良の判
定結果や座標値などを記録する欠陥記録部２５を更に備
えている。この欠陥記録部２５に記録された情報は、例
えば、次工程での処理に使用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のレチ
クル外観検査装置及び方法においては、検査対象である
レチクルのパターンから得られたレチクルパターン画像
データと、レチクルのパターン設計データから得られた
レチクル設計データとを基に、ステッパの縮小光学系を
通した場合に得られる光強度分布を夫々シミュレーショ
ンし、得られた各々のシミュレーション結果を比較して
いる。その結果、検査対象であるレチクルのパターンが
ウェハ上に実際に転写された状態での比較を行うことが
できる。
クル外観検査装置及び方法においては、検査対象である
レチクルのパターンから得られたレチクルパターン画像
データと、レチクルのパターン設計データから得られた
レチクル設計データとを基に、ステッパの縮小光学系を
通した場合に得られる光強度分布を夫々シミュレーショ
ンし、得られた各々のシミュレーション結果を比較して
いる。その結果、検査対象であるレチクルのパターンが
ウェハ上に実際に転写された状態での比較を行うことが
できる。
【００３６】従って、本発明によれば、レチクル上の欠
陥・異物がウェハプロセスで問題になるかどうかを容易
に判断できるようになると共にウェハプロセスでの問題
の有無という観点に立った検査が可能になる。
陥・異物がウェハプロセスで問題になるかどうかを容易
に判断できるようになると共にウェハプロセスでの問題
の有無という観点に立った検査が可能になる。
【００３７】また、本発明によれば、検査工程における
手間を大幅に削減することが可能となる（例えば、６４
ＭｂＤＲＡＭクラスの半導体装置の検査工程において約
２時間／Ｈから数分程度に削減できる）と共に、より確
実な検査を行うことが可能になる。
手間を大幅に削減することが可能となる（例えば、６４
ＭｂＤＲＡＭクラスの半導体装置の検査工程において約
２時間／Ｈから数分程度に削減できる）と共に、より確
実な検査を行うことが可能になる。
【図１】本発明のレチクル外観検査装置を示すブロック
図である。
図である。
【図２】図１に示されるレチクル外観検査装置を更に具
体的に示したブロック図である。
体的に示したブロック図である。
【図３】従来のレチクル外観検査装置を示すブロック図
である。
である。
【図４】レチクル設計データと、レチクルパターンと、
及びウェハパターンとの関係を示す図である。
及びウェハパターンとの関係を示す図である。
１ レチクル画像データ入力部 ２ レチクルシミュレーション手段 ３ レチクル設計データ入力部 ４ 設計データシミュレーション手段 ５ 比較手段 ６ 比較結果判定手段 １１ 検査光照射部 １２ レチクル １３ 光検出部 １４ レチクル画像処理部 １５ レチクル画像メモリ １６ レチクルシミュレーション部 １７ レチクルシミュレーション結果格納メモリ １８ 設計データ １９ 設計データ画像処理部 ２０ 設計データ画像メモリ ２１ 設計データシミュレーション部 ２２ 設計データシミュレーション結果格納メモリ ２３ 画像比較部 ２４ 表示・判別部 ２５ 欠陥記録部 ３１ 設計パターンデータ入力部 ３２ レチクル名・設計パターン特徴抽出手段 ３３ 設計パターン特徴データ保持手段 ３４ レチクル画像データ入力部 ３５ レチクル名・レチクルパターン特徴抽出手段 ３６ 特徴比較手段 ３７ 比較結果出力手段 ４１ レチクル設計データ ４２ レチクルパターン（欠陥なし） ４３ レチクルパターン（欠陥１） ４４ レチクルパターン（欠陥２） ４５ ウェハパターン（欠陥なし） ４６ ウェハパターン（欠陥１） ４７ ウェハパターン（欠陥２）
Claims (6)
- 【請求項１】 検査対象となるレチクルのレチクルパタ
ーンから該レチクルパターンの画像データであるレチク
ルパターン画像データを得るレチクル画像データ入力部
と、 該レチクル画像データ入力部において得られた前記レチ
クルパターン画像データに基づいて、前記レチクルパタ
ーンをステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光
強度分布をシミュレーションするレチクルシミュレーシ
ョン手段と、 前記レチクルのパターン設計データを処理して画像デー
タであるレチクル設計データを得るレチクル設計データ
入力部と、 該レチクル設計データ入力部において得られた前記レチ
クル設計データに基づいて、前記レチクル設計データ通
りに設計された場合に得られるレチクルのレチクルパタ
ーンをステッパの縮小光学系に通した場合に得られる光
強度分布をシミュレーションする設計データシミュレー
ション手段と、 該設計データシミュレーション手段の出力と前記レチク
ルシミュレーション手段の出力とを比較して、該設計デ
ータシミュレーション手段の出力と該レチクルシミュレ
ーション手段の出力とが、一致している場合には一致信
号を、不一致の場合には不一致信号を出力する比較手段
とを備えることを特徴とするレチクル外観検査装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレチクル外観検査装置
において、 前記比較手段の出力を受けて、該出力が前記一致信号の
場合には前記レチクルを良と判定し、該出力が前記不一
致信号の場合には前記レチクルを不良と判定して判定結
果を出力する比較結果判定手段を更に備えることを特徴
とするレチクル外観検査装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２のいずれかに記載のレチ
クル外観検査装置において、 前記レチクル画像データ入力部は、 前記検査対象となるレチクルに検査光を照射する検査光
照射部と、該レチクルを透過した前記検査光を検出する
光検出部と、該光検出部により検出された検査光を受け
て画像処理を行い前記レチクルパターン画像データを出
力するレチクル画像処理部と、該レチクルパターン画像
データを一時的に保持するレチクル画像メモリとを備え
たことを特徴とするレチクル外観検査装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のレチ
クル外観検査装置において、 前記レチクル設計データ入力部は、 レチクル設計データを受けて画像処理を行う設計データ
画像処理部と、該設計データ画像処理部の出力を一時的
に保持する設計データ画像メモリとを備えたことを特徴
とするレチクル外観検査装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載のレチ
クル外観検査装置において、 前記レチクルシミュレーション手段は、前記レチクルパ
ターン画像データに対して前記シミュレーションを行う
レチクルシミュレーション部と、該レチクルシミュレー
ション部の出力を一時的に保持するレチクルシミュレー
ション結果格納メモリとを備えており、 前記設計データシミュレーション手段は、前記レチクル
設計データに対して前記シミュレーションを行う設計デ
ータシミュレーション部と、該設計データシミュレーシ
ョン部の出力を一時的に保持する設計データシミュレー
ション結果格納メモリとを備えていることを特徴とする
レチクル外観検査装置。 - 【請求項６】 検査対象となるレチクルのレチクルパタ
ーンから該レチクルパターンの画像データであるレチク
ルパターン画像データを取り込む第１のステップと、 該レチクルパターン画像データに基づいて、前記レチク
ルパターンをステッパの縮小光学系に通した場合に得ら
れる光強度分布をシミュレーションし、レチクルパター
ンシミュレーションデータを出力する第２のステップ
と、 前記レチクルのパターン設計データを処理して画像デー
タであるレチクル設計データを得る第３のステップと、 該レチクル設計データに基づいて、該レチクル設計デー
タ通りに設計された場合に得られるレチクルのレチクル
パターンをステッパの縮小光学系に通した場合に得られ
る光強度分布をシミュレーションし、設計データシミュ
レーションデータを出力する第４のステップと、 前記レチクルパターンシミュレーションデータと前記設
計データシミュレーションデータとを比較して、前記レ
チクルパターンシミュレーションデータと前記設計デー
タシミュレーションデータとが、一致しているか不一致
であるかを検出する第５のステップと、 該検出した結果に基づいて前記レチクルの良・不良を判
定する第６のステップとを備えることを特徴とするレチ
クル外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11270296A JP2776416B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | レチクル外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11270296A JP2776416B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | レチクル外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297109A JPH09297109A (ja) | 1997-11-18 |
| JP2776416B2 true JP2776416B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=14593370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11270296A Expired - Fee Related JP2776416B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | レチクル外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776416B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674889B1 (en) | 1999-06-17 | 2004-01-06 | Nec Corporation | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
| US7640530B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-12-29 | Nec Electronics Corporation | Method for inspecting mask |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6757645B2 (en) | 1997-09-17 | 2004-06-29 | Numerical Technologies, Inc. | Visual inspection and verification system |
| JP2000147748A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク外観検査装置 |
| US6873720B2 (en) | 2001-03-20 | 2005-03-29 | Synopsys, Inc. | System and method of providing mask defect printability analysis |
| KR100610441B1 (ko) * | 2001-03-20 | 2006-08-08 | 뉴메리컬 테크날러지즈 인코퍼레이티드 | 마스크 결함 인쇄적성 분석을 제공하는 시스템과 방법 |
| JP4266082B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの検査方法 |
| US6882745B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-04-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data |
| JP4091605B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | フォトマスクのパターン検査方法、フォトマスクのパターン検査装置、およびフォトマスクのパターン検査プログラム |
| US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| US7450748B2 (en) | 2003-12-02 | 2008-11-11 | International Business Machines Corporation | Mask inspection process accounting for mask writer proximity correction |
| JP2005309140A (ja) | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | フォトマスク製造方法、フォトマスク欠陥修正箇所判定方法、及びフォトマスク欠陥修正箇所判定装置 |
| JP2006091576A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 光強度差分評価方法と半導体装置 |
| CN113917790B (zh) * | 2021-09-22 | 2024-04-30 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备 |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP11270296A patent/JP2776416B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674889B1 (en) | 1999-06-17 | 2004-01-06 | Nec Corporation | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
| US7640530B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-12-29 | Nec Electronics Corporation | Method for inspecting mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09297109A (ja) | 1997-11-18 |
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