JP2000147748A - フォトマスク外観検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】実際にウェハ上に転写される露光波長でのマス
クパターンの欠陥モード解析を行うことができるフォト
マスクの外観検査装置を提供すること。 【解決手段】フォトマスクＳ１のパターンを取り込み、
マスクパターンデータＳ４に変換する。一方、ＣＡＤパ
ターンＳ５をマスクパターンデータＳ７に変換する。両
者のマスクパターンデータに対して、露光波長等の光学
条件Ｓ９を入力し、光シュミレーション処理Ｓ８によっ
て得られる光強度分布データＳ１０及びＳ１１をデータ
比較評価処理Ｓ１２することでフォトマスクの欠陥判定
を行い、欠陥位置を特定する。欠陥位置の光強度分布デ
ータを欠陥モード解析処理Ｓ１３することで欠陥モード
の解析を行い、欠陥情報データベースＳ１５を作成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスク製造工
程中の外観検査工程において、フォトマスクのパターン
の欠陥を検査するための外観検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マスクパターンはフォトリソグラフィ技
術を用いて、フォトマスク上のパターンをウェハなどの
基板に露光転写するときの親パターン（マスタパター
ン）となる。転写されたパターンが正確に設計パターン
を再現するかどうかがマスクの品質の善し悪しとなる
が、品質上で問題となる要因が外観欠陥である。外観欠
陥は形状欠陥とその他に大きく分類できる。形状欠陥と
は、遮光パターンの形状と設計パターンの不一致部分で
あり、主な形状不良として断線、黒点、白点、突起、凹
み、ショートなどがある。これらの形状欠陥は、転写さ
れない程度のものであれば問題とならない。また、転写
されても回路特性に実害が無いような大きさであれば欠
陥には計数（カウント）せず、一定のサイズ以上のもの
を欠陥対象とする。一般的には設計パターンサイズの１
／３〜１／４程度以上が欠陥として定義されるが、微細
化が進むにつれて定義は厳しくなる傾向がある。

【０００３】フォトマスク上にある上記の欠陥を検出す
る工程が欠陥検査である。欠陥検査は１９７０年代の中
頃迄は目視検査に頼っていたが、パターンの微細化で目
視では不可能となり、１９７０年代の後半から自動外観
検査装置が導入されるようになった。自動外観検査の方
式は実際のマスクパターン同士を比較する方式であるｄ
ｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法と、設計データと比較する方
式であるｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ比較法に分類できる。

【０００４】ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法の基本構成は
２つの光学系をもち、それぞれからの比較するべきマス
クパターンの拡大像をＣＣＤなどのセンサ上に結像させ
電気信号に変換し、適当なアルゴリズムを用いて比較論
理回路で不一致部分を検出する。不一致部分を検出した
ときの座標を欠陥位置情報として記録する。ｄｉｅ−ｔ
ｏ−ｄｉｅ比較法は基本的には同じ信号の比較であるの
で、ｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ比較法に比べ検出感度は高く、
検査速度も速く、装置の構成も簡単である。

【０００５】しかし、ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法では
１枚のレチクルに１つのパターンしか持たない場合には
検査ができない欠点がある。また、複数のパターンをも
つレチクルにおいても、描画装置などの異常で再現性が
ある欠陥の場合には原理的に検出できない欠点がある。
一方、ｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ比較法では設計データと比較
するためそのようなことはなく、ｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ比
較法の重要性が増している。ｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ比較法
は単眼のｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法に設計パターンを
入力として比較パターンを発生する回路を追加した構造
になっており、マスクパターンの拡大像と設計パターン
とを比較し、不一致部分を検出する方法である。この方
法は、パターンを発生させる時間が検査時間を決めるた
め、検査時間はｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法に比較して
一般に長くなる。

【０００６】以上が従来の外観検査方法であるが、これ
らの方法では以下の問題に対応することが困難である。
それは、フォトマスクの品質というのは既に述べたよう
に転写されたパターンが正確に設計パターンを再現する
かどうかであり、フォトマスク上のパターンと設計パタ
ーンの不一致部が、ウェハ上で問題となるような欠陥と
して露光転写されるかどうかは、実際に露光してみない
と分からないという問題である。従来の外観検査方法は
作成したフォトマスクの可視光による光学像を使って検
査を行っており、パターンの不一致部を検出することで
断線、黒点、白点、突起、凹み、ショートなどの欠陥を
検出していた。しかし、フォトマスクのパターンをステ
ッパを用いてシリコン上に露光する際にはｇ線（４３６
ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦ（２４６ｎｍ）、
ＡｒＦ（１９３ｎｍ）といった外観検査に用いる可視光
より波長が短い光源が使用されるため、本来フォトマス
クの外観検査を露光波長とは異なる可視光で行うので
は、実際の欠陥転写性を正確に検出することはできな
い。そのため、従来の外観検査法で欠陥と判定されたパ
ターンも実際に露光すると欠陥部分が消失してしまう場
合や、また逆に欠陥でないと判定されたパターンでもウ
ェハ上に露光してみたところ、欠陥となってしまう（黒
ピン欠陥が結像してしまうなど）ことがあった。

【０００７】実際のＬＳＩ製造工程ではリソグラフィ工
程を各層に対して行うため、基板上に前回のリソグラフ
ィで生じたパターンの段差が残り、その上にまた積層し
て露光を行う。その際、基板上にパターン段差があるた
め均一なフォーカスで露光されず、デフォーカス（焦点
外れ）状態となる部分が存在する。しかし、従来の外観
検査方法ではフォトマスクパターンそのものを検査対象
とするため、本来目的とするウェハ上に露光されたパタ
ーンが前記デフォーカス部分で正確に転写されるかどう
かを判定することは原理的に不可能である。つまり、デ
フォーカス部分に対して生じるフォトマスクの露光パタ
ーンの変化が、実際にウェハ上に露光されたパターンの
変化と一致するのかという問題や、フォトマスク上の欠
陥がこの部分にどのような影響を与えるのかということ
は調べることができない。また特に、欠陥と本来のマス
クパターンとの相対的な位置関係もウェハ上に露光され
るパターンにとって重大な影響を与えるが、これを解析
することも困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記の
問題点を鑑み、フォトマスクの露光工程を考慮した外観
検査を行うため、ＣＡＤパターンとフォトマスクを画像
入力処理したパターンの光強度シミュレーション結果を
比較し、欠陥位置の光強度分布データを解析すること
で、実際にステッパで露光するときの光源の露光波長で
デフォーカスなどの光学条件が変化した場合の欠陥モー
ド解析を行い、欠陥モード解析結果の欠陥情報を次のフ
ォトマスク修正工程で利用するデータベースとして記憶
するフォトマスク外観検査装置を提供することを課題と
する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明において上記の課
題を達成するために、請求項１の発明では、ＣＡＤパタ
ーンの光強度シミュレーション結果とフォトマスクを画
像入力処理したフォトマスクパターンの光強度シミュレ
ーション結果を比較することで、露光波長での欠陥判定
を行い、光強度分布データの信号処理による欠陥モード
解析の結果をもとに欠陥情報のデータベースを作成する
フォトマスク外観検査装置であって、検査するフォトマ
スクの画像を入力する画像入力手段と、前記入力された
画像をマスクパターンデータに変換する画像データ変換
手段と、ＣＡＤパターンをマスクパターンデータに変換
するＣＡＤデータ変換手段と、前記画像データ変換手段
によって得られたマスクパターンデータから露光波長や
デフォーカスなどの光学条件を設定して光強度分布を計
算する光強度シミュレーション手段と、前記ＣＡＤデー
タ変換手段によって得られたマスクパターンデータから
露光波長やデフォーカスなどの光学条件を設定して光強
度分布を計算する光強度シミュレーション手段と、前記
光強度シミュレーション手段によって得られたマスクパ
ターンの光強度分布とＣＡＤパターンの光強度分布を比
較することで、欠陥判定を行いその欠陥位置を特定する
光強度分布比較評価手段と前記光強度分布比較評価手段
によって得られた欠陥位置における断面の光強度分布デ
ータを微分処理などの信号処理手法を用いて、欠陥モー
ドを解析する欠陥モード解析手段と前期欠陥モード解析
手段によって得られた欠陥情報をもとに、フォトマスク
修正工程で利用する欠陥情報データベースを作成する欠
陥情報データベース作成手段と、を具備することを特徴
とするフォトマスク外観検査装置としたものである。

【００１０】このような発明により、ＣＡＤパターンと
マスクパターンの両者の光強度分布を比較することによ
って、フォトマスクの外観検査において単に露光波長と
は異なる可視光波長でのパターン検査だけでなく、露光
波長で実際にウェハ上に転写された状態での欠陥判定を
行うことができ、欠陥位置の断面データを微分処理など
の信号処理することで欠陥を解析し、欠陥モードを特定
することができる。また、欠陥モード解析によって得ら
れた欠陥の情報をデータベースにすることで次のフォト
マスクの修正工程でそれらの情報を利用することが可能
となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
〜９を用いて解説する。図１は本発明のフォトマスク外
観検査装置の構成図である。この図において、コントロ
ールプロセッサ１は、本実施形態におけるフォトマスク
外観検査装置（以下、本装置と略す）の各部をバスＢを
介して制御する。２はＲＯＭであり、本装置の起動プロ
グラム及び基本動作プログラム等を記憶している。３は
ＲＡＭであり、本装置にインストールされた本実施形態
におけるパターンデータ変換処理プログラムと光強度シ
ミュレーションプログラム、光強度分布比較評価プログ
ラム、欠陥モード解析プログラム（以下、４つのプログ
ラムを総称して外観検査プログラムと呼ぶ）が格納され
る。また、外観検査プログラムを実行する過程において
発生したデータを一時的に記憶する。４は外部記憶装置
としてのハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと略
す）であり、本実施形態における外観検査プログラムや
外観検査プログラムの結果、欠陥情報のデータベース等
のデータが記憶される。

【００１２】５は画像入力装置であり、フォトマスクの
画像をコンピュータに取り込むものである。６はフロッ
ピーディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯディスク、半導体メ
モリ等の、コンピュータが読み取り可能な記録媒体であ
り、本実施形態におけるＣＡＤパターンが記憶されてい
る。７はデータ読取装置であり、記録媒体６に記録され
たＣＡＤパターンの読み込みを行う。８は処理プロセッ
サ群であり、フォトマスクパターンやＣＡＤパターンの
データ変換を行うパターンデータ変換処理プロセッサｃ
１と、光強度シミュレーションや光強度分布比較評価、
欠陥モード解析の演算処理を行うデータ処理プロセッサ
ｃ２が、互いにローカルバスＬＢによって接続されてい
る。

【００１３】９はマウス、キーボードからなる入力装置
であり、本実施形態における光強度シミュレーション実
行時の光学条件の入力を行う。１０はモニタであり、フ
ォトマスクパターンやＣＡＤパターン、シミュレーショ
ンの結果等を表示する。１１はプリンタであり、光強度
分布比較評価および欠陥モード解析の結果等をプリント
アウトする。

【００１４】次に本実施形態の処理例を図２のフローチ
ャートに基づいて説明する。まず、検査したいフォトマ
スクＳ１のパターンの外観画像データをコンピュータに
取り込む。これには、光学顕微鏡によるパターンの拡大
画像をＣＣＤカメラで撮影して光学アナログ画像データ
を得た後、これを画像処理ボード上のＡ／Ｄ変換装置に
よってディジタル画像データに変換してＲＧＢデータと
してメモリに展開し、ビットマップなどのデータとして
コンピュータに取り込む方法や、パターンの拡大写真を
スキャナなどで読み込む方法などがある。なお、コンピ
ュータに取り込んだ画像はモニタ１０に表示され、その
データはＨＤＤ４に記憶される。

【００１５】次にコンピュータに取り込んだパターン画
像を、多値のラスタデータであるマスクパターンデータ
Ｓ４に変換する。これは本来光強度シミュレーション
は、複素透過率値のマスクパターンデータに対して行わ
れるが、本発明のにおいてはメモリの節約のため、マス
クパターンデータを多値のラスタデータで記憶してお
き、実際に光強度シミュレーションを行う際に複素透過
率値への変換を行なうようにしているためである。画像
データ変換処理Ｓ３の内容を図３のフローチャートに示
す。パターン画像データは各ドット毎に光の三原色
（Ｒ：レッド、Ｇ：グリーン、Ｂ：ブルー）のそれぞれ
の濃度を数値で表現したものから構成されており、その
ままでは上記シミュレーションに必要な透過率にならな
いので、白黒の濃度の階調で表した濃淡データに変換す
るための濃度変換処理ＳＡ１を行う。変換は濃度をＩと
してＩ＝（Ｒ＋Ｇ＋Ｂ）／３で行うことができる。これ
により、各ドットは濃淡データで表される。次にパター
ン画像データに含まれるノイズを除去するために、フィ
ルタを利用した平滑化処理ＳＡ２を行う。利用するフィ
ルタはメディアンフィルタというもので、対象ドットの
近傍を調べてそれらの中の中間値と対象ドットの値とを
交換する。そして次に、平滑化した濃淡データを適当な
階調の多値データに変換する多値化処理ＳＡ３を行う。
変換は階調毎のしきい値を設定し、それと各ドットの値
を比較してその大小関係によって多値データに置き換え
ることで行う。

【００１６】フォトマスクを作成する際、もともとのパ
ターンはＣＡＤによって作成されており、ＣＡＤパター
ンとしてコンピュータに記憶されている。本発明ではこ
のＣＡＤパターンＳ５に対して光強度シミュレーション
を行った結果との比較を行うため、ＣＡＤパターンＳ５
を光強度シミュレーションが行えるようなマスクパター
ンデータＳ７に変換する必要がある。この変換は図４に
示すように、(a)のＣＡＤパターンを(b)のように2次元
のメッシュ状に分割し、(c)のようにパターンの閉図形
の内部を１それ以外を０とすることで行うことができ
る。

【００１７】フォトマスクＳ１のマスクパターンデータ
Ｓ４と、ＣＡＤパターンＳ５を変換したマスクパターン
データＳ７の両者をそれぞれ光強度シミュレーションＳ
８して光強度分布Ｓ１０及びＳ１１を求める。ＣＡＤパ
ターンの光強度分布Ｓ１０は理想のマスクパターンを露
光したときに得られるものと仮定できる。光強度シミュ
レーションＳ８を行う際、フォトマスクの検査の目的に
応じて露光波長や焦点外れ値（デフォーカス）といった
光学条件パラメータを入力装置９から入力する。

【００１８】次にデータ比較評価処理Ｓ１２でマスクパ
ターンによる光強度分布Ｓ１１とＣＡＤパターンによる
光強度分布Ｓ１０を比較し、その差異を検出することで
フォトマスクの欠陥判定を行い、欠陥の位置をもとめ
る。ここでは光強度分布同士の比較を行うことで、理想
なパターンであるＣＡＤパターンと実際のフォトマスク
のマスクパターンの、露光転写状態同士での比較評価が
できるため、パターンコーナー部の丸みや線幅の太り、
細りなどを相殺した検査を行うことができる。

【００１９】データ比較評価処理Ｓ１２で得られた欠陥
位置における断面の光強度分布データを利用して、欠陥
モード解析処理Ｓ１３で欠陥モードの解析を行う。欠陥
モード解析処理Ｓ１３の内容を図５に示す。まず最初
に、欠陥位置でのＣＡＤパターンとフォトマスクパター
ンの断面の光強度分布データを微分処理ＳＢ１して微分
波形を得る。この微分波形にはその断面におけるパター
ンの境界に関する情報が含まれており、微分波形のピー
クの位置や正負、形状などによってパターンの境界の様
子が分かる。なお、正のピークと負のピーク二つが一組
になって一つのパターンを表している。

【００２０】次に、ピーク数の算出ＳＢ２でＣＡＤとフ
ォトマスクの微分波形のピーク数を計算し、ピーク数の
比較ＳＢ３でＣＡＤとフォトマスクの微分波形のピーク
数を比べる。その結果フォトマスクのピーク数の方が少
なかった場合、本来パターンが離れているところがつな
がってしまっているためにパターンの境界を表すピーク
数が少なくなっていると判断できるので、その欠陥は短
絡欠陥であると特定できる。

【００２１】また、ピーク数が同じだった場合はパター
ンの境界がずれているということなので、突起欠陥か凹
み欠陥のどちらかということになる。これを特定するた
めに微分波形の差分（マスク−ＣＡＤ）を算出（ＳＢ
４）し、その結果の差分波形のピークを調べる（ＳＢ
５）。差分波形のピークがプラスからマイナスに変動し
ている場合は、フォトマスクのパターンの境界がＣＡＤ
のパターンの境界より外側にあるということなので突起
欠陥と特定でき、逆にマイナスからプラスに変動してい
る場合はフォトマスクのパターンの境界の方が内側にあ
るということになり凹み欠陥と特定できる。

【００２２】次に、フォトマスクのピーク数の方が多か
った場合は黒点欠陥などの余分なパターンが存在する
か、白点欠陥や断線などであるべきパターンがなくなっ
ているかのどちらかである。これを特定するため、前述
と同様に微分波形の差分（マスク−ＣＡＤ）を算出（Ｓ
Ｂ４）し、差分波形のピークを調べる（ＳＢ５）。差分
波形のピークがプラスからマイナスに変動している場合
は、フォトマスクのパターンの外側に孤立したパターン
が存在していると判断できるため、黒点欠陥と特定でき
る。逆にマイナスからプラスに変動している場合は、パ
ターンの内部でなくなっているところがあると判断でき
るため、白点欠陥または断線と特定できる。白点欠陥と
断線の違いは、欠陥の範囲のすべての断面において同様
な欠陥モード解析を行いその結果から判断する。

【００２３】これら欠陥モード解析の具体例を図６、
７、８に示す。図６はＣＡＤパターンとフォトマスクの
光強度分布を示したものでフォトマスクパターンには欠
陥が含まれている。図６の光強度分布において、データ
比較評価処理Ｓ１２によって特定された欠陥位置を通る
断面の光強度分布データを利用して欠陥モードの解析を
行う。図７の(１)は図６左で示したＣＡＤパターンの断
面Ａでの光強度分布データ、(２)は図６右で示したフォ
トマスクパターンの断面ａでの光強度分布データであ
る。これらのデータを微分処理して得た波形をそれぞれ
下の(３)、(４)に示す。２つの微分波形のピーク数を比
べるとどちらも２つで同じである。微分波形において正
のピークは左側のパターンエッジを表し、負のピークは
右側のパターンエッジを表す。即ち、欠陥部分は独立の
欠陥としてのピークは表れていないことを示している。
従って、この欠陥はパターンエッジに存在する突起また
は凹み（欠け）欠陥のどちらかであると考えられる。次
に2つの微分波形の差分(４)−(３)をとると(５)のよう
な差分波形が得られる。この波形を見るとピークがプラ
スからマイナスに変動して２つのピークに分離している
ため、フォトマスクのパターンの境界が本来のＣＡＤの
パターンの境界より右側にずれて外側にあることにな
り、この位置に突起欠陥があると特定できる。（容易に
わかるように、もしピークがマイナスからプラスに変動
していれば凹み欠陥と特定できる。）なお、ピークの中
心位置間の距離を計ることによって、欠陥の大きさを測
定することができる。

【００２４】次に図８の(１)はＣＡＤパターンの断面Ｂ
での光強度分布データ、(２)はフォトマスクパターンの
断面ｂでの光強度分布データである。これらのデータの
微分波形が下の(３)、（４）である。2つの微分波形の
ピーク数はＣＡＤパターンの方が２つであるのに対しフ
ォトマスクパターンの方は４つでフォトマスクパターン
の方が多いので、この欠陥は黒点欠陥か白点欠陥または
断線であると考えられる。これらの２つの微分波形の差
分(４)−(３)をとると(５)のような差分波形が得られ
る。この波形はピークがプラスからマイナスに変動して
いるため、フォトマスクのパターンの外側に余分なパタ
ーンが存在していることになり、この位置に独立した黒
点欠陥があると特定できる。欠陥の大きさは前述と同様
にピークの中心位置間の距離を計ることにより計測す
る。

【００２５】上記の具体例ではｘ方向における断面での
光強度分布データしか解析していないが、同様にして欠
陥位置でのｙ方向における断面での光強度分布データも
解析することで２次元の欠陥モード解析を行うことがで
きる。

【００２６】上記の欠陥モード解析処理Ｓ１３の結果を
もとに、欠陥情報データベースの作成処理Ｓ１４を行
う。欠陥情報とは図９に示すような欠陥別情報や各欠陥
モード数の累計などである。欠陥別情報は欠陥毎の番号
と欠陥モード、位置、大きさなどで構成される。作成し
たデータベースはモニタ１０に表示し、プリンタ１１か
らプリンタアウトするとともにＨＤＤ４に記憶される。
ここで作成した欠陥情報データベースは次の工程である
フォトマスクの修正工程で利用される。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明のように、この発明によれば
フォトマスクの外観検査工程において、フォトマスクの
画像を取り込み、そのマスクパターンに対して光強度シ
ミュレーションを行った結果と、ＣＡＤパターンに対し
て光強度シミュレーションを行った結果とを比較して欠
陥を判定し、欠陥位置における断面の光強度分布データ
に対して微分処理などの信号処理をすることで欠陥モー
ド解析を行うため、従来の検査装置では困難であった実
際の露光波長やデフォーカス時でのマスクパターンの欠
陥モードの特定を行うことができるという効果がある。
また、欠陥情報のデータベースが作成されるのでこれを
次のフォトマスクの修正工程で利用することができると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態によるフォトマスク外観検査
装置の構成図である。

【図２】上記フォトマスク外観検査装置の処理の流れを
示すフローチャート図である。

【図３】画像データ変換処理のフローチャート図であ
る。

【図４】ＣＡＤデータ変換処理によるデータ変換の模式
図である。

【図５】欠陥モード解析処理のフローチャート図であ
る。

【図６】ＣＡＤパターンとフォトマスクパターンの光強
度分布図である。

【図７】欠陥モード解析処理の具体例（突起欠陥）であ
る。

【図８】欠陥モード解析処理の具体例（黒点欠陥）であ
る。

【図９】欠陥情報データベースである。

【符号の説明】

１…コントロールプロセッサ ２…ＲＯＭ ３…ＲＡＭ ４…ＨＤＤ ５…画像入力装置 ６…記録媒体 ７…データ読取装置 ８…処理プロセッサ群 ９…入力装置 １０…モニタ １１…プリンタ Ｂ…バス ＬＢ…ローカルバス Ｓ１…フォトマスク Ｓ２…画像入力処理 Ｓ３…画像データ変換処理 Ｓ４…マスクパターンデータ（フォトマスク） Ｓ５…ＣＡＤパターン Ｓ６…ＣＡＤデータ変換処理 Ｓ７…マスクパターンデータ（ＣＡＤデータ） Ｓ８…光強度シミュレーション処理 Ｓ９…光学条件入力 Ｓ１０…光強度分布データ（ＣＡＤデータ） Ｓ１１…光強度分布データ（フォトマスク） Ｓ１２…データ比較評価処理 Ｓ１３…欠陥モード解析処理 Ｓ１４…欠陥情報データベース作成処理 Ｓ１５…欠陥情報データベース ＳＡ１…濃度変換処理 ＳＡ２…平滑化処理 ＳＡ３…多値化処理 ＳＢ１…光強度分布データの微分処理 ＳＢ２…ピーク数の算出 ＳＢ３…ピーク数の比較 ＳＢ４…微分波形の差分（マスク−ＣＡＤ）を算出 ＳＢ５…差分波形のピークを調べる ｃ１…パターンデータ変換処理プロセッサ ｃ２…データ処理プロセッサ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＣＡＤパターンの光強度シミュレーション
   結果とフォトマスクを画像入力処理したフォトマスクパ
   ターンの光強度シミュレーション結果を比較すること
   で、露光波長での欠陥判定を行い、光強度分布データの
   信号処理による欠陥モード解析の結果をもとに欠陥情報
   のデータベースを作成するフォトマスク外観検査装置で
   あって、 検査するフォトマスクの画像を入力する画像入力手段
   と、 前記入力された画像をマスクパターンデータに変換する
   画像データ変換手段と、 ＣＡＤパターンをマスクパターンデータに変換するＣＡ
   Ｄデータ変換手段と、 前記画像データ変換手段によって得られたマスクパター
   ンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件を
   設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーション
   手段と、 前記ＣＡＤデータ変換手段によって得られたマスクパタ
   ーンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件
   を設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーショ
   ン手段と、 前記光強度シミュレーション手段によって得られたマス
   クパターンの光強度分布とＣＡＤパターンの光強度分布
   を比較することで、欠陥判定を行いその欠陥位置を特定
   する光強度分布比較評価手段と前記光強度分布比較評価
   手段によって得られた欠陥位置における断面の光強度分
   布データを微分処理などの信号処理手法を用いて、欠陥
   モードを解析する欠陥モード解析手段と前期欠陥モード
   解析手段によって得られた欠陥情報をもとに、フォトマ
   スク修正工程で利用する欠陥情報データベースを作成す
   る欠陥情報データベース作成手段と、 を具備することを特徴とするフォトマスク外観検査装
   置。