JPH01287449A - パターン欠陥検査装置 - Google Patents
パターン欠陥検査装置Info
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- JPH01287449A JPH01287449A JP11873088A JP11873088A JPH01287449A JP H01287449 A JPH01287449 A JP H01287449A JP 11873088 A JP11873088 A JP 11873088A JP 11873088 A JP11873088 A JP 11873088A JP H01287449 A JPH01287449 A JP H01287449A
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Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野1
本発明は半導体装置製造工程におけるフォトリングラフ
イー技術の如く、同一形状のパターンを多数転写形成す
る際に形成されたパターンが正常か否かを検査する為の
パターン欠陥検査装置に関するものである。 〔従来の技術] 従来行なわれてきたパターン欠陥検査装置には隣接グイ
比較方式と、CADデーター比較方式がある。vA接タ
イ比較方式においては隣接したグイ双方の画像情報を取
り込み、同一個所の画像情報を比較判定し、差異個所を
欠陥個所として認識するものである。一方、CADデー
タ比較方式ではCADデータによって生成されたパター
ン情報とグイの画像情報を比較判定するものである。
イー技術の如く、同一形状のパターンを多数転写形成す
る際に形成されたパターンが正常か否かを検査する為の
パターン欠陥検査装置に関するものである。 〔従来の技術] 従来行なわれてきたパターン欠陥検査装置には隣接グイ
比較方式と、CADデーター比較方式がある。vA接タ
イ比較方式においては隣接したグイ双方の画像情報を取
り込み、同一個所の画像情報を比較判定し、差異個所を
欠陥個所として認識するものである。一方、CADデー
タ比較方式ではCADデータによって生成されたパター
ン情報とグイの画像情報を比較判定するものである。
従来一般的に用いられてきた隣接タイ比較方式によるパ
ターン欠陥検査装置においては同一ウェハー上の隣接タ
イ同志の比較検査を行なう為、各ダイ同志に共通な欠陥
が発生した場合、欠陥として検出する事は不可能である
。さらに、他のウェハー、マスク同志での比較検査、拡
大、縮少されたパターン同志を比較検査することも不可
能であった。
ターン欠陥検査装置においては同一ウェハー上の隣接タ
イ同志の比較検査を行なう為、各ダイ同志に共通な欠陥
が発生した場合、欠陥として検出する事は不可能である
。さらに、他のウェハー、マスク同志での比較検査、拡
大、縮少されたパターン同志を比較検査することも不可
能であった。
本発明は以上に述べた様な問題点を解決する為のもので
あり、検査基準となる画像情報の取り込みと修正を行な
う機能を検査機能と分離して持たせ、被検査パターンと
修正された画像情報との比較検査を行なう事によって、
欠陥検査を行なわしめるものである。 【実 施 例] 第1図に本発明の実施例によるウェハーパターン欠陥検
査装置の機能ブロック図を示す。 本実施例では縮少投影露光装置を用いて作成されたウェ
ハー上のレジストパターンを、あらかしめ良品であると
判定されているウェハーパターンを比較検査用画像情報
としてメモリーに取り込みその後、被検ウェハーの比較
検査を行っている。 図中(1)で示されたX、Yテーブルにのせられた基準
ウェハー上のレジストパターンを光学系(3)を介しC
OD (4)にて、パターンデータに変換し、ステージ
コントローラー(6)よりの位置情報とあわせ画像情報
として、メモリー(6)に取り込む、さらに取り込まれ
た画像情報を、パターンとしてCRT (9)上に表示
し、必要に応じて修正を行なう。 その後、基準ウェハーを被検ウェハーに置きかえ検査を
行なう、検査時は、CCDのパターンデータを比較判定
回路(7)に転送し、あらかじめ画像情報メモリー(6
)に取り込まれているパターンデータと比較判定し、欠
陥と判定された個所のみをCRT(10)上に表示する
。 [発明の効果] 前記した実施例によれば、従来困難であったチップ面積
の大きな素子(縮少投影露光装置の露光エリアに1チツ
プのみ収容できる様な素子)のパターン欠陥検査が、良
品パターンと比較検査する事により容易に実施できた。 さらに、パターンの修正機能を持たせる事により、ゲー
トアレイ等の多品種少量生産品の欠陥検査においても、
基準パターンの部分的な修正を行なう事により、各機種
の欠陥検査に対応可能である。 また別の効果として、画像情報として線中等にある許容
中をもたせたデータを入力させる事により、精度管理を
伴った欠陥検査を行わせる事が可能である。
あり、検査基準となる画像情報の取り込みと修正を行な
う機能を検査機能と分離して持たせ、被検査パターンと
修正された画像情報との比較検査を行なう事によって、
欠陥検査を行なわしめるものである。 【実 施 例] 第1図に本発明の実施例によるウェハーパターン欠陥検
査装置の機能ブロック図を示す。 本実施例では縮少投影露光装置を用いて作成されたウェ
ハー上のレジストパターンを、あらかしめ良品であると
判定されているウェハーパターンを比較検査用画像情報
としてメモリーに取り込みその後、被検ウェハーの比較
検査を行っている。 図中(1)で示されたX、Yテーブルにのせられた基準
ウェハー上のレジストパターンを光学系(3)を介しC
OD (4)にて、パターンデータに変換し、ステージ
コントローラー(6)よりの位置情報とあわせ画像情報
として、メモリー(6)に取り込む、さらに取り込まれ
た画像情報を、パターンとしてCRT (9)上に表示
し、必要に応じて修正を行なう。 その後、基準ウェハーを被検ウェハーに置きかえ検査を
行なう、検査時は、CCDのパターンデータを比較判定
回路(7)に転送し、あらかじめ画像情報メモリー(6
)に取り込まれているパターンデータと比較判定し、欠
陥と判定された個所のみをCRT(10)上に表示する
。 [発明の効果] 前記した実施例によれば、従来困難であったチップ面積
の大きな素子(縮少投影露光装置の露光エリアに1チツ
プのみ収容できる様な素子)のパターン欠陥検査が、良
品パターンと比較検査する事により容易に実施できた。 さらに、パターンの修正機能を持たせる事により、ゲー
トアレイ等の多品種少量生産品の欠陥検査においても、
基準パターンの部分的な修正を行なう事により、各機種
の欠陥検査に対応可能である。 また別の効果として、画像情報として線中等にある許容
中をもたせたデータを入力させる事により、精度管理を
伴った欠陥検査を行わせる事が可能である。
第1図は、本発明の実施例によるウェハーパターン欠陥
検査装置の機能ブロック図。 l・・・X%Yステージ 2・・・ステージコントローラー 3・・・光学系 4・・・C0D 5・・・ランプ 6・・・画像情報メモリー 7・・・比較判定回路 8・・・画像データプロセッサー 9・・・CRT 10・・・CRT 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
検査装置の機能ブロック図。 l・・・X%Yステージ 2・・・ステージコントローラー 3・・・光学系 4・・・C0D 5・・・ランプ 6・・・画像情報メモリー 7・・・比較判定回路 8・・・画像データプロセッサー 9・・・CRT 10・・・CRT 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 写真露光技術等を用いて同一形状のパターンを多数形
成する工程における、形成後のパターンの合否を検査す
るパターン欠陥検査装置において、以下の各構成を有す
る事を特徴とするパターン欠陥検査装置。 (a)標準となるサンプル、又はマスク等のパターンを
光学的に画像情報として内部メモリーに取り込み、格納
する手段、 (b)前記画像情報をCRT等の表示装置上にパターン
として表示せしめたのち、パターンの修正、追加、削除
等を行ない画像情報を修正する手段、 (c)被検パターンを光学的に画像情報として取り込み
、さらに前記修正された画像情報と比較検査を行ない差
異部分を欠陥として検出、表示を行なう手段。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11873088A JPH01287449A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | パターン欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11873088A JPH01287449A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | パターン欠陥検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01287449A true JPH01287449A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14743654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11873088A Pending JPH01287449A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | パターン欠陥検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01287449A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006234554A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
KR20210023977A (ko) | 2018-06-21 | 2021-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 결함 검사 방법, 기억 매체 및 기판의 결함 검사 장치 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP11873088A patent/JPH01287449A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006234554A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
KR20210023977A (ko) | 2018-06-21 | 2021-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 결함 검사 방법, 기억 매체 및 기판의 결함 검사 장치 |
US11669955B2 (en) | 2018-06-21 | 2023-06-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate defect inspection method, storage medium, and substrate defect inspection apparatus |
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