JPH01216548A - 半導体装置の不良解析装置 - Google Patents
半導体装置の不良解析装置Info
- Publication number
- JPH01216548A JPH01216548A JP63042610A JP4261088A JPH01216548A JP H01216548 A JPH01216548 A JP H01216548A JP 63042610 A JP63042610 A JP 63042610A JP 4261088 A JP4261088 A JP 4261088A JP H01216548 A JPH01216548 A JP H01216548A
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- JP
- Japan
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- improper
- laser
- memory
- defective
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 title 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の不良解析に関し、特にその不良箇
所が不明な場合に、この不良箇所を検出する解析装置に
関する。
所が不明な場合に、この不良箇所を検出する解析装置に
関する。
従来、この種の不良解析法の１つにレーザ光を用いた装
置（ＯＢＩＣ）がある、これはＰＮ接合にレーザ光を照
射した時発生するキャリア（電子。
置（ＯＢＩＣ）がある、これはＰＮ接合にレーザ光を照
射した時発生するキャリア（電子。
正孔）を電流としてモニターすることにより不良箇所を
検出するものである。この装置は半導体ペレット表面に
レーザ光をスキャンさせながら照射し、各レーザ照射点
における電流値をモニターし、これを画像処理技術によ
りＣＲＴに映し出すものである。
検出するものである。この装置は半導体ペレット表面に
レーザ光をスキャンさせながら照射し、各レーザ照射点
における電流値をモニターし、これを画像処理技術によ
りＣＲＴに映し出すものである。
上述した従来の解析装置の場合、レーザ光をスキャンさ
せながら、そのとき流れる電流をモニターしているため
、ある程度不良箇所が限定されている場合、又は素子数
が非常に少ない場合にのみ有効である。つまり、ＩＣ，
ＬＳＩのように素子数の多い半導体装置で、不良箇所が
全く不明の場合にはあまり有効な装置とはいえない。
せながら、そのとき流れる電流をモニターしているため
、ある程度不良箇所が限定されている場合、又は素子数
が非常に少ない場合にのみ有効である。つまり、ＩＣ，
ＬＳＩのように素子数の多い半導体装置で、不良箇所が
全く不明の場合にはあまり有効な装置とはいえない。
本発明の目的は前記課題を解決した不良解析装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来の解析装置に対し、本発明は不良品と良品
それぞれについて比較を行い、婁なった箇所のみ画面（
ＣＲＴ）に映し出すという相違点を有する。
それぞれについて比較を行い、婁なった箇所のみ画面（
ＣＲＴ）に映し出すという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明の不良解析袋！におい
ては、良品及び不良品の半導体ベレットにレーザ光をス
キャンさせながら照射した各照射点での電流値を記憶さ
せるメモリと、該メモリに記憶された良品の半導体ベレ
ットと不良品の半導体ベレットとの各レーザ光照射点で
の電流値を比較し、その電流値が異なる部分及びその周
辺のみ画像処理する画像処理部とを有するものである。
ては、良品及び不良品の半導体ベレットにレーザ光をス
キャンさせながら照射した各照射点での電流値を記憶さ
せるメモリと、該メモリに記憶された良品の半導体ベレ
ットと不良品の半導体ベレットとの各レーザ光照射点で
の電流値を比較し、その電流値が異なる部分及びその周
辺のみ画像処理する画像処理部とを有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、本発明は、半導体ベレット２を支持して直
交する２軸方向に移動するＸＹステージ６と、半導体ベ
レット２上にレーザ光を照射するレーザ装置１と、良品
及び不良品の半導体ベレット２にレーザ光をスキャンさ
せながら照射した各照射点での電流値を計測する電流計
３と、電流計３による測定値を記憶させるメモリと、該
メモリに記憶された良品の半導体ベレットと不良品の半
導体ベレットとの各レーザ光照射点での電流値を比較し
その電流値が異なる部分及びその周辺のみ画像処理する
画像処理部と、ＣＲＴ５とを有する。
交する２軸方向に移動するＸＹステージ６と、半導体ベ
レット２上にレーザ光を照射するレーザ装置１と、良品
及び不良品の半導体ベレット２にレーザ光をスキャンさ
せながら照射した各照射点での電流値を計測する電流計
３と、電流計３による測定値を記憶させるメモリと、該
メモリに記憶された良品の半導体ベレットと不良品の半
導体ベレットとの各レーザ光照射点での電流値を比較し
その電流値が異なる部分及びその周辺のみ画像処理する
画像処理部と、ＣＲＴ５とを有する。
本実施例では前記メモリ、画像処理部をコンピュータ４
により構成している。
により構成している。
第２図（ａ）の良品の半導体ベレット２ａをＸＹステー
ジ６上に搭載し、レーザ装置１よりレーザを照射し、Ｘ
Ｙステージ６を移動させてスキャンさせ、各レーザ照射
点７における電流値を電流計３にて計測し、その測定値
をコンビ五−夕４のメモリに一時記憶させる０次に同様
に第２図（ｂ）の不良品の半導体ベレット２ｂについて
も行う、その後コンピュータ４のメモリに入っている良
品、不良品それぞれのデータを比較する。すると不良箇
所８の電流値が良品と異なることがわかる。この不良箇
所８の周辺のベレット図を画像処理を行ってＣＲＴ５に
映すことによって不良箇所を検出する。
ジ６上に搭載し、レーザ装置１よりレーザを照射し、Ｘ
Ｙステージ６を移動させてスキャンさせ、各レーザ照射
点７における電流値を電流計３にて計測し、その測定値
をコンビ五−夕４のメモリに一時記憶させる０次に同様
に第２図（ｂ）の不良品の半導体ベレット２ｂについて
も行う、その後コンピュータ４のメモリに入っている良
品、不良品それぞれのデータを比較する。すると不良箇
所８の電流値が良品と異なることがわかる。この不良箇
所８の周辺のベレット図を画像処理を行ってＣＲＴ５に
映すことによって不良箇所を検出する。
以上説明したように本発明は良品と不良品のベレットに
それぞれレーザ光を照射し、そのとき流れな電流値を比
較することにより、不良箇所が不明な場合でもその場所
を知ることができる効果がある。 。
それぞれレーザ光を照射し、そのとき流れな電流値を比
較することにより、不良箇所が不明な場合でもその場所
を知ることができる効果がある。 。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図（ａ）
は良品ベレットの表面図、（ｂ）は不良品へレットの表
面図である。 １・・・レーザ装置 ２・・・半導体ベレット
３−・・電流計 ４・・・コンピュータ５
・・・ＣＲＴ ６・・・ｘＹステージ７
・・・レーザ照射点 ８・・・不良箇所特許出願
人 日本電気株式会社 １！ モ・２ 焼１図 す 隼 ２図
は良品ベレットの表面図、（ｂ）は不良品へレットの表
面図である。 １・・・レーザ装置 ２・・・半導体ベレット
３−・・電流計 ４・・・コンピュータ５
・・・ＣＲＴ ６・・・ｘＹステージ７
・・・レーザ照射点 ８・・・不良箇所特許出願
人 日本電気株式会社 １！ モ・２ 焼１図 す 隼 ２図
Claims (1)
- １、良品及び不良品の半導体ペレットにレーザ光をスキ
ャンさせながら照射した各照射点での電流値を記憶させ
るメモリと、該メモリに記憶された良品の半導体ペレッ
トと不良品の半導体ペレットとの各レーザ光照射点での
電流値を比較し、その電流値が異なる部分及びその周辺
のみ画像処理する画像処理部とを有することを特徴とす
る半導体装置の不良解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042610A JPH01216548A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の不良解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042610A JPH01216548A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の不良解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216548A true JPH01216548A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12640798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63042610A Pending JPH01216548A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体装置の不良解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01216548A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300824A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 |
| JPH07174723A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体集積回路故障検査装置 |
| JPH0846001A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nec Corp | 配線ショート箇所検出方法および配線ショート箇所検出 装置 |
| JPH08160095A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP63042610A patent/JPH01216548A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300824A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 |
| JPH07174723A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体集積回路故障検査装置 |
| JPH0846001A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nec Corp | 配線ショート箇所検出方法および配線ショート箇所検出 装置 |
| JPH08160095A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置 |
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