JPS61267336A - 半導体装置の検査方法および検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査方法および検査装置Info
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- JPS61267336A JPS61267336A JP60108828A JP10882885A JPS61267336A JP S61267336 A JPS61267336 A JP S61267336A JP 60108828 A JP60108828 A JP 60108828A JP 10882885 A JP10882885 A JP 10882885A JP S61267336 A JPS61267336 A JP S61267336A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＬＳＩ等の半導体装置の特性検査、故障解析の
為の検査方法ならびに検査装置に関するものであり、特
に微細化ＬＳＩの故障解析を効率的に実施可能とするも
のである。
為の検査方法ならびに検査装置に関するものであり、特
に微細化ＬＳＩの故障解析を効率的に実施可能とするも
のである。
従来の技術
半導体集積回路装置（ＬＳＩ）の高集積化に伴い、故障
ＬＳＩのどこが故障しているかを探す為の故障解析を当
該ＬＳＩの入出力端子を用いた電気的方法だけで実施す
ることは困難となり、ＬＳＩ内部回路の電気的状態を直
接観測する必要がある。
ＬＳＩのどこが故障しているかを探す為の故障解析を当
該ＬＳＩの入出力端子を用いた電気的方法だけで実施す
ることは困難となり、ＬＳＩ内部回路の電気的状態を直
接観測する必要がある。
従来、これに対してＬＳＩ内部の金属配線パターンに金
属探針を機械的に接触させて電気的測定を行っていた。
属探針を機械的に接触させて電気的測定を行っていた。
しかし、本方法はＬＳＩの微細化。
高密度化に伴ない、ＬＳＩ内部の金属配線パターンに対
して精度よく接触させる事が困難となり、今日のＬＳＩ
に対応できなくなってきた。
して精度よく接触させる事が困難となり、今日のＬＳＩ
に対応できなくなってきた。
３ ′＼−〆
近年、上記問題に対して微細に絞ったレーザー光をＬＳ
Ｉ表面に照射し、ＬＳＩの内部状態を非接触で解析する
方法が提案されている。（永瀬＝「レーザー走査形デバ
イス解析システム」、電子通信学会 半導体トランジス
タ研究会資料、 ５ＳＤ７９−５６Ｌ本方法は微細に絞
ったレーザー光でＬＳＩ表面を走査し、ＬＳＩの電源端
子に現われる光励起電流を輝度変調し、ＬＳＩパターン
に対応させて表示するものであり、非接触でＬＳＩの内
部状態を解析できる特徴を有するものである。
Ｉ表面に照射し、ＬＳＩの内部状態を非接触で解析する
方法が提案されている。（永瀬＝「レーザー走査形デバ
イス解析システム」、電子通信学会 半導体トランジス
タ研究会資料、 ５ＳＤ７９−５６Ｌ本方法は微細に絞
ったレーザー光でＬＳＩ表面を走査し、ＬＳＩの電源端
子に現われる光励起電流を輝度変調し、ＬＳＩパターン
に対応させて表示するものであり、非接触でＬＳＩの内
部状態を解析できる特徴を有するものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記方法によってＬＳＩの故障解析を行
う場合、単なる光励起電流にもとづくパターンの表示の
みであるため、当該ＬＳＩのパターン配置並びに電気的
知識を必要とし、限られた人しか解析できないという問
題がある。更に、複雑な犬槻模ＬＳＩに於いては、本方
法によって得１ られる輝度変調画像が電気的
にどのように対応し、それが正しいか否かを判定するこ
とは非常に困難となる。
う場合、単なる光励起電流にもとづくパターンの表示の
みであるため、当該ＬＳＩのパターン配置並びに電気的
知識を必要とし、限られた人しか解析できないという問
題がある。更に、複雑な犬槻模ＬＳＩに於いては、本方
法によって得１ られる輝度変調画像が電気的
にどのように対応し、それが正しいか否かを判定するこ
とは非常に困難となる。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上述の問題点を解決する為に、レーザー光照射
によって故障ＬＳＩの含丑れる被検査ＬＳＩから得られ
る第１の光励起電流にもとづく像を、基準となる良品Ｌ
ＳＩの前記被検査ＬＳＩのレーザー光照射部の対応部の
レーザー光照射による第２の光励起電流にもとづく像と
比較する方法を用い、更に第１の像を第１の色で又第２
の像を第１の色と異なる第２の色で同一表示装置に同時
表示するものである。
によって故障ＬＳＩの含丑れる被検査ＬＳＩから得られ
る第１の光励起電流にもとづく像を、基準となる良品Ｌ
ＳＩの前記被検査ＬＳＩのレーザー光照射部の対応部の
レーザー光照射による第２の光励起電流にもとづく像と
比較する方法を用い、更に第１の像を第１の色で又第２
の像を第１の色と異なる第２の色で同一表示装置に同時
表示するものである。
作 用
上記手段によって故障ＬＳＩ内部の正常動作部分は基準
ＬＳＩと同じ動作、即ち同じ光励起電流にもとづく像で
ある為、第１と第２の色の相方の合成色で表示され、又
故障ＬＳＩ内部の異状動作をしている部分は第１の像が
第１の色で強調されて表示される。したがって、これら
の像から被検査ＬＳＩの良否判定または不良箇所の検出
を容易に行うことが可能となる。
ＬＳＩと同じ動作、即ち同じ光励起電流にもとづく像で
ある為、第１と第２の色の相方の合成色で表示され、又
故障ＬＳＩ内部の異状動作をしている部分は第１の像が
第１の色で強調されて表示される。したがって、これら
の像から被検査ＬＳＩの良否判定または不良箇所の検出
を容易に行うことが可能となる。
実施例
５ペー／
先ず、本発明による半導体検査装置の実施例について第
１図をもとに説明する。
１図をもとに説明する。
良品すなわち基準ＬＳＩおよびこの基準ＬＳＩと同一構
造の被検査（不良品を含む）ＬＳＩ表面をレーザー照射
する為のレーザー光源１（本実施例に於いてはＨｅ−Ｎ
ｅレーザー）からのレーザー光出力はＡ、○、 Ｍ（Ａ
ｃｏｕｓｔｏ −ＯｐｔｉｃＭｏｄｕｌａｔｏｒ）２に
よシパワー制御並びに０Ｎ１０ＦＦ制御されたのち、レ
ーザー光学系３およびｘ−Ｙガルバーミラー４を介して
光学顕微鏡５へ導かれる。ここでレーザー光ｌは光学顕
微鏡５０対物レンズ７によって細かく絞られてＬＳＩ５
の表面に照射される。ＬＳＩ６表面でのレーザー光ｅの
スポット径は対物レンズ７の倍率によって異なるが本実
施例に於いては約１μｍψを実現している。
造の被検査（不良品を含む）ＬＳＩ表面をレーザー照射
する為のレーザー光源１（本実施例に於いてはＨｅ−Ｎ
ｅレーザー）からのレーザー光出力はＡ、○、 Ｍ（Ａ
ｃｏｕｓｔｏ −ＯｐｔｉｃＭｏｄｕｌａｔｏｒ）２に
よシパワー制御並びに０Ｎ１０ＦＦ制御されたのち、レ
ーザー光学系３およびｘ−Ｙガルバーミラー４を介して
光学顕微鏡５へ導かれる。ここでレーザー光ｌは光学顕
微鏡５０対物レンズ７によって細かく絞られてＬＳＩ５
の表面に照射される。ＬＳＩ６表面でのレーザー光ｅの
スポット径は対物レンズ７の倍率によって異なるが本実
施例に於いては約１μｍψを実現している。
ＬＳＩ６表面の任意の場所に対してレーザー光照射する
手段として、本実施例に於いては２つの方法を用いてい
る。第１の方法は前述のＸ−Ｙガルバーミラー４によっ
てレーザー光をＸ方向、Ｙ６ヘー／ 方向に移動させることによりＬＳＩ表面の限られた領域
内の任意部分に対する点照射、あるいは前記限られた領
域内の面走査が可能である。ここで述べた限られた領域
とは、光学顕微鏡５０対物レンズ７によって決定される
顕微鏡視野領域である。
手段として、本実施例に於いては２つの方法を用いてい
る。第１の方法は前述のＸ−Ｙガルバーミラー４によっ
てレーザー光をＸ方向、Ｙ６ヘー／ 方向に移動させることによりＬＳＩ表面の限られた領域
内の任意部分に対する点照射、あるいは前記限られた領
域内の面走査が可能である。ここで述べた限られた領域
とは、光学顕微鏡５０対物レンズ７によって決定される
顕微鏡視野領域である。
従って通常の対物レンズを用いる場合は、例えば１０ｍ
ｍ角程度０大口径化ＬＳＩの全面をカバーすることがで
きない。そこで本実施例では第２の方法としてＬＳＩｅ
をＸ−Ｙステージ８に載置する構造とし、ステージ８を
ステージコントロール１５にて制御しＸ−Ｙステージ８
の移動によって大口径化ＬＳＩの任意の場所に対するレ
ーザー光照射を可能としている。尚、本実施例で用いた
Ｘ−Ｙステージ８のＸ方向、Ｙ方向の移動範囲はそれぞ
れ±５ｏ岨である。
ｍ角程度０大口径化ＬＳＩの全面をカバーすることがで
きない。そこで本実施例では第２の方法としてＬＳＩｅ
をＸ−Ｙステージ８に載置する構造とし、ステージ８を
ステージコントロール１５にて制御しＸ−Ｙステージ８
の移動によって大口径化ＬＳＩの任意の場所に対するレ
ーザー光照射を可能としている。尚、本実施例で用いた
Ｘ−Ｙステージ８のＸ方向、Ｙ方向の移動範囲はそれぞ
れ±５ｏ岨である。
ＬＳＩの解析を行う場合、ＬＳＩに対して電気的なテス
ト入力信号の印加が必要となる。この為の手段として制
御用コンピューター９により制御されるワードジュネレ
ータ−１０のデーターメモリーにテスト入力データーを
記憶させ、このデ−７７・− ターをＬＳＩに印加する方法を用いた。
ト入力信号の印加が必要となる。この為の手段として制
御用コンピューター９により制御されるワードジュネレ
ータ−１０のデーターメモリーにテスト入力データーを
記憶させ、このデ−７７・− ターをＬＳＩに印加する方法を用いた。
次に、レーザー照射によってＬＳＩ内部で励起される光
励起電流を検出する為の光励起電流検出器１１．並びに
この光励起電流検出器１１で測定される電流値を記憶す
るための光励起電流メモリー１４とを備えている。
励起電流を検出する為の光励起電流検出器１１．並びに
この光励起電流検出器１１で測定される電流値を記憶す
るための光励起電流メモリー１４とを備えている。
次に前述のＸ−Ｙガルバーミラー４又はＸ−Ｙステージ
８（【よってＬＳＩ面をレーザー走査して得られる光励
起電流を画像化する為に本実施例ではＲ，Ｇ、 Ｂ ３
画面よりなるフレームメモリ１２を備え、前記光励起電
流メモυ１４の記憶データー又は予め測定された光励起
電流を記憶する他の記憶手段（例えば磁気ディスクメモ
リ）より読み出したデーターをこのフレームメモリー１
２に転送することによって画像化を行っている。フレー
ムメモリー１２に書き適寸れた光励起電流は、光励起電
流の大小に対応した輝度変調画像データーとしてカラー
テレビ装置１３にＲ，Ｇ、 Ｂの映像信号として出力さ
れる。
８（【よってＬＳＩ面をレーザー走査して得られる光励
起電流を画像化する為に本実施例ではＲ，Ｇ、 Ｂ ３
画面よりなるフレームメモリ１２を備え、前記光励起電
流メモυ１４の記憶データー又は予め測定された光励起
電流を記憶する他の記憶手段（例えば磁気ディスクメモ
リ）より読み出したデーターをこのフレームメモリー１
２に転送することによって画像化を行っている。フレー
ムメモリー１２に書き適寸れた光励起電流は、光励起電
流の大小に対応した輝度変調画像データーとしてカラー
テレビ装置１３にＲ，Ｇ、 Ｂの映像信号として出力さ
れる。
以上の構成により、例えば良品ＬＳＩ解析による光励起
電流をＧ（緑）のフレームメモリ１２に、故障ＬＳＩ（
不良ＬＳＩ）解析による光励起電流をＲ（赤）のフレー
ムメモリー１２にそれぞれ書き込み、双方の光励起電流
をそれぞれ異なる色でテレビ装置１３に同時表示するこ
とが可能となる。
電流をＧ（緑）のフレームメモリ１２に、故障ＬＳＩ（
不良ＬＳＩ）解析による光励起電流をＲ（赤）のフレー
ムメモリー１２にそれぞれ書き込み、双方の光励起電流
をそれぞれ異なる色でテレビ装置１３に同時表示するこ
とが可能となる。
次に、本発明による半導体検査の原理を第２図。
第３図を用いて説明する。第２図はｎチャンネルＭＯ８
−ＦＥＴとｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴよりなるＣＭＯ
Ｓインバーター回路を含むＬＳＩ６を検査する場合の測
定回路を示し、第３図は前記ＣＭＯＳインバーター回路
のｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴ領域をレーザー光ｌにて
走査した場合の光励起電流の測定例を示す。Ｉｅ、Ｉｈ
はレーザー光ｌの照射により光励起で生じた電子、正孔
による電流を示す。
−ＦＥＴとｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴよりなるＣＭＯ
Ｓインバーター回路を含むＬＳＩ６を検査する場合の測
定回路を示し、第３図は前記ＣＭＯＳインバーター回路
のｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴ領域をレーザー光ｌにて
走査した場合の光励起電流の測定例を示す。Ｉｅ、Ｉｈ
はレーザー光ｌの照射により光励起で生じた電子、正孔
による電流を示す。
第３図に於いてａはレーザー光ｌの走査領域を示し、ｂ
、Ｃは第２図に示したゲート入力電圧ｖＧをｏＶ 、２
Ｖとした場合の光励起電流の測定結果を示すものであり
、Ｘ軸、Ｙ軸はレーザー走査のｘ、ｙ方向を示し、Ｘ軸
は各レーザー照射点９ベー／ に於ける光励起電流の大きさを示す。これらの測定結果
から判る様にｖＧが２ｖ即ちｎチャンネルＭＯ３−ＦＥ
ＴがＯＮ、ｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴがＯＦＦの場合
はソース、ドレイン、ゲートのいずれの領域に於いても
光励起電流の増加はみられない。一方、ＶＧがｏＶ即ち
ｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴがＯＦ Ｆ 、 ｐ ｆ
ヤ７ ネルＭｏ ５−ＦＥＴがＯＮの場合はゲート領域
とドレイン領域およびそれらの周辺をレーザー光ｌにて
走査したときに光励起電流の増加が観察される。これら
の理由は次の様に説明される。
、Ｃは第２図に示したゲート入力電圧ｖＧをｏＶ 、２
Ｖとした場合の光励起電流の測定結果を示すものであり
、Ｘ軸、Ｙ軸はレーザー走査のｘ、ｙ方向を示し、Ｘ軸
は各レーザー照射点９ベー／ に於ける光励起電流の大きさを示す。これらの測定結果
から判る様にｖＧが２ｖ即ちｎチャンネルＭＯ３−ＦＥ
ＴがＯＮ、ｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴがＯＦＦの場合
はソース、ドレイン、ゲートのいずれの領域に於いても
光励起電流の増加はみられない。一方、ＶＧがｏＶ即ち
ｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴがＯＦ Ｆ 、 ｐ ｆ
ヤ７ ネルＭｏ ５−ＦＥＴがＯＮの場合はゲート領域
とドレイン領域およびそれらの周辺をレーザー光ｌにて
走査したときに光励起電流の増加が観察される。これら
の理由は次の様に説明される。
即ち、第４図Ａに示す様にゲート入力電圧ＶＧが２ｖの
ときにｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴのドレイン領域にレ
ーザー照射した場合、ＬＳＩ内部で励起された電子Ｏ２
正孔■のうち、一部は再結合により消滅するが、残りの
正孔■はｐ＋ＧＮＤ端子領域へ拡散によって流れ、外部
に対して電流Ｉｈを供給する。一方、消滅しなかった電
子はＯＮ状態のｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴのチャン゛
ネル領域を通りｎ＋ ソース領域へ至り、外部より１
０ページ 電流工。が供給される。ここで、ｎ＋ソース領域とｐ＋
ＧＮＤ領域はアルミ配線によって短絡されている為、電
子、正孔の作用は相互に打消される。
ときにｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴのドレイン領域にレ
ーザー照射した場合、ＬＳＩ内部で励起された電子Ｏ２
正孔■のうち、一部は再結合により消滅するが、残りの
正孔■はｐ＋ＧＮＤ端子領域へ拡散によって流れ、外部
に対して電流Ｉｈを供給する。一方、消滅しなかった電
子はＯＮ状態のｎチャンネルＭＯ８−ＦＥＴのチャン゛
ネル領域を通りｎ＋ ソース領域へ至り、外部より１
０ページ 電流工。が供給される。ここで、ｎ＋ソース領域とｐ＋
ＧＮＤ領域はアルミ配線によって短絡されている為、電
子、正孔の作用は相互に打消される。
従って、電源端子あるいはＧＮＤ端子からは光励起電流
は検出されない。
は検出されない。
一方、ゲート入力電圧ｖＧがｏＶの場合は第４図Ｂに示
す様に正孔■はｐ”ＧＮＤ領域へ流れるが、電子○はｎ
チャンネルＭＯ８−ＦＥＴがＯＦＦしている為、ｎ＋
ドレイン領域に於いて電流引込の作用をする。これに対
し、電源からはＯＮ状態のｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴ
を介して、ｎ＋ドレイン領域に電流が供給される為に電
源端子での電流増加が観察される。
す様に正孔■はｐ”ＧＮＤ領域へ流れるが、電子○はｎ
チャンネルＭＯ８−ＦＥＴがＯＦＦしている為、ｎ＋
ドレイン領域に於いて電流引込の作用をする。これに対
し、電源からはＯＮ状態のｐチャンネル間Ｏ８−ＦＥＴ
を介して、ｎ＋ドレイン領域に電流が供給される為に電
源端子での電流増加が観察される。
以」二の様にレーザー照射による光励起電流をＬＳＩの
電源又は接地端子にて測定することにより、そのＦＥＴ
がＯＮＩ、ているかＯＦＦしているかを判定することが
できる。本発明ではこれらの光励起電流を特定の色で輝
度変調して同一表示装置に表示させ、比較することによ
り半導体装置の良否判定または不良箇所の検出を行う。
電源又は接地端子にて測定することにより、そのＦＥＴ
がＯＮＩ、ているかＯＦＦしているかを判定することが
できる。本発明ではこれらの光励起電流を特定の色で輝
度変調して同一表示装置に表示させ、比較することによ
り半導体装置の良否判定または不良箇所の検出を行う。
１１戸・−−ノ
次に本原理を応用したＬＳＩの故障解析例について第５
図、第６図を用いて説明する。第５図に解析したＬＳＩ
の一部の表面図を示す。第５図に示したＬＳＩ回路はＣ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５のインバータ回路部分であ
って、各インバーター回路はｐチャンネルおよびｎチャ
ンネルＭｏ８−ＦＥＴ２１．２２で構成されている。２
３．２４はＦＥＴ２２のドレイン、ソース領域である。
図、第６図を用いて説明する。第５図に解析したＬＳＩ
の一部の表面図を示す。第５図に示したＬＳＩ回路はＣ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５のインバータ回路部分であ
って、各インバーター回路はｐチャンネルおよびｎチャ
ンネルＭｏ８−ＦＥＴ２１．２２で構成されている。２
３．２４はＦＥＴ２２のドレイン、ソース領域である。
今、各回路の入力Ｉ、、Ｉ２，１．．Ｉ。、■５の論理
レベルが１ψ１１ψ゛であるべきとき、図中に示すレー
ザー走査領域２ｏを前述のレーザー光ｌでレーザー走査
した場合について第６図を用いて説明する。
レベルが１ψ１１ψ゛であるべきとき、図中に示すレー
ザー走査領域２ｏを前述のレーザー光ｌでレーザー走査
した場合について第６図を用いて説明する。
先ず、良品ＬＳＩをレーザー走査した場合は、入力論理
レベルがψ゛ゝ即ちｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴ２２が
ＯＦＦ、ｐチャンネｋＭＯ８−ＦＥＴ２１がＯＮ状態の
インバーター回路のｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴ２２の
ドレイン領域にし１ −ザー光が照射されたと
き、電源端子（図示せず）、より光励起電流が検出され
る。このため光励起電流像は第６図Ａに示す様に０２．
Ｃ５のｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン領域２５
に対応する部分の輝度が高くなる。本実施例に於いては
緑色により良品ＬＳＩの光励起電流像を表示している為
、Ｃ２，Ｃ５のｎチャンネルＭｏ Ｓ −Ｆ Ｅ Ｔの
ドレイン領域は緑色に表示され、その他の領域は黒で表
わされる。
レベルがψ゛ゝ即ちｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴ２２が
ＯＦＦ、ｐチャンネｋＭＯ８−ＦＥＴ２１がＯＮ状態の
インバーター回路のｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴ２２の
ドレイン領域にし１ −ザー光が照射されたと
き、電源端子（図示せず）、より光励起電流が検出され
る。このため光励起電流像は第６図Ａに示す様に０２．
Ｃ５のｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン領域２５
に対応する部分の輝度が高くなる。本実施例に於いては
緑色により良品ＬＳＩの光励起電流像を表示している為
、Ｃ２，Ｃ５のｎチャンネルＭｏ Ｓ −Ｆ Ｅ Ｔの
ドレイン領域は緑色に表示され、その他の領域は黒で表
わされる。
次に故障によって■１．Ｉ２．■、、工４．Ｉ５の入力
論理が′１ψ１ψψ゛となってしまっている故障ＬＳＩ
に対して、良品ＬＳＩと同様にレーザー走査して得られ
る光励起電流像を第６図Ｂに示す。
論理が′１ψ１ψψ゛となってしまっている故障ＬＳＩ
に対して、良品ＬＳＩと同様にレーザー走査して得られ
る光励起電流像を第６図Ｂに示す。
この場合は入力論理レベルがψ゛となっているＣ２．Ｃ
４Ｃ５のｎチャンネルＭｏ３−ＦＥＴ２２のドレイン領
域２３に対応する部分の輝度が高くなっている。本実施
例では赤色で故障ＬＳＩの光励起電流像を表示している
為、Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５のｎチャンネルＭｏ３−ＦＥＴの
ドレイン領域２５は赤で表示され、その他の領域は黒で
表示される。
４Ｃ５のｎチャンネルＭｏ３−ＦＥＴ２２のドレイン領
域２３に対応する部分の輝度が高くなっている。本実施
例では赤色で故障ＬＳＩの光励起電流像を表示している
為、Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５のｎチャンネルＭｏ３−ＦＥＴの
ドレイン領域２５は赤で表示され、その他の領域は黒で
表示される。
本実施例ではごく簡単な回路構成のＬＳＩの解析例につ
いて述べたが、実際のＬＳＩに於いてはその回路規模が
大きくレーザー走査する面積も広１３ベーノ く、内部動作も複雑なため、従来では得られた故障ＬＳ
Ｉの光励起電流像が正常動作の結果得られたものか誤動
作の結果得られたものかは、ＬＳＩの内部回路構造、パ
ターン配置を知らなければ判定できない。しかるに本発
明は、前述の緑で表示した良品ＬＳＩの光励起電流像と
故障ＬＳＩの光励起電流像とを同一表示装置（第１図の
テレビ装置１３）に同時表示しこれをみることによって
この問題を解決できる。
いて述べたが、実際のＬＳＩに於いてはその回路規模が
大きくレーザー走査する面積も広１３ベーノ く、内部動作も複雑なため、従来では得られた故障ＬＳ
Ｉの光励起電流像が正常動作の結果得られたものか誤動
作の結果得られたものかは、ＬＳＩの内部回路構造、パ
ターン配置を知らなければ判定できない。しかるに本発
明は、前述の緑で表示した良品ＬＳＩの光励起電流像と
故障ＬＳＩの光励起電流像とを同一表示装置（第１図の
テレビ装置１３）に同時表示しこれをみることによって
この問題を解決できる。
良品ＬＳＩ、故障ＬＳＩの光励起電流像をそれぞれ緑色
、赤色で同時表示した結果を第６図Ｃに示す。同図に示
す様にＬＳＩと故障ＬＳＩが同じ動作をしているＦＥＴ
部は緑と赤の合成色即ち黄色で表示され、故障ＬＳＩの
誤動作部は赤によって表示される。
、赤色で同時表示した結果を第６図Ｃに示す。同図に示
す様にＬＳＩと故障ＬＳＩが同じ動作をしているＦＥＴ
部は緑と赤の合成色即ち黄色で表示され、故障ＬＳＩの
誤動作部は赤によって表示される。
尚、上述の例では故障ＬＳＩの０４の入力が誤って”ψ
“レベルとなった場合について述べたが、本来パψ゛レ
ベルであるべき入力が誤って゛１゛レベルとなった場合
は、対応するｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴのドレイン領
域は黒くなる。従っ１４ベー／゛ て良品ＬＴＩと故障ＬＳＩの光励起電流像を同時表示す
ると誤動作している部分は緑色で表示される。
“レベルとなった場合について述べたが、本来パψ゛レ
ベルであるべき入力が誤って゛１゛レベルとなった場合
は、対応するｎチャンネルＭｏ８−ＦＥＴのドレイン領
域は黒くなる。従っ１４ベー／゛ て良品ＬＴＩと故障ＬＳＩの光励起電流像を同時表示す
ると誤動作している部分は緑色で表示される。
また、光励起電流像は、光励起電流にもとづいたもので
あれば様々な形態の像を用いることができ、色も様々考
えることができる。
あれば様々な形態の像を用いることができ、色も様々考
えることができる。
発明の効果
以上の様に本発明によれば故障ＬＳＩの光励起電流像を
良品ＬＳＩの光励起電流像と比較することにより、故障
ＬＳＩの誤動作部を色の差によって表示することが可能
となる。従って容易に微細化、高集積化ＬＳＩ内部のど
の部分がどの様に誤動作しているかを解析することが可
能となる。更に従来の方法ではＬＳＩ回路構造、パター
ン配置を知る人でなければ故障解析できなかったが、本
発明によって、ＬＳＩ回路、パターン配置に関する知識
がなくても解析することができ、容易に被検査半導体装
置の良否判定さらに不良箇所の検出を行うことが可能と
なる。
良品ＬＳＩの光励起電流像と比較することにより、故障
ＬＳＩの誤動作部を色の差によって表示することが可能
となる。従って容易に微細化、高集積化ＬＳＩ内部のど
の部分がどの様に誤動作しているかを解析することが可
能となる。更に従来の方法ではＬＳＩ回路構造、パター
ン配置を知る人でなければ故障解析できなかったが、本
発明によって、ＬＳＩ回路、パターン配置に関する知識
がなくても解析することができ、容易に被検査半導体装
置の良否判定さらに不良箇所の検出を行うことが可能と
なる。
１５へ 。
第１図は本発明に用いる半導体装置の検査装置の一実施
例の概略図、第２図はＣＭＯＳインバーターの測定回路
図、第３図はｎチャンネルＭＯ３−ＦＥＴ領域の光励起
電流測定結果を示す図、第４図Ａ、Ｂは本発明の原理説
明図、第５図はＬＳＩ表面の部分パターン図、第６図Ａ
−ｃｉ’ｉＬＳ Ｉ故障解析例の表示状態の説明図であ
る。 １・・・・レーザー光源、３・・・・・レーザー光学系
、６・・・・・・ＬＳＩ、８・・・・Ｘ−Ｙステージ、
１１・・・・・光励起電流検出器、１２・・・フレーム
メモリ、１３・・・・・カラーテレビ。
例の概略図、第２図はＣＭＯＳインバーターの測定回路
図、第３図はｎチャンネルＭＯ３−ＦＥＴ領域の光励起
電流測定結果を示す図、第４図Ａ、Ｂは本発明の原理説
明図、第５図はＬＳＩ表面の部分パターン図、第６図Ａ
−ｃｉ’ｉＬＳ Ｉ故障解析例の表示状態の説明図であ
る。 １・・・・レーザー光源、３・・・・・レーザー光学系
、６・・・・・・ＬＳＩ、８・・・・Ｘ−Ｙステージ、
１１・・・・・光励起電流検出器、１２・・・フレーム
メモリ、１３・・・・・カラーテレビ。
Claims (2)
- （１）被検査半導体装置の所望部にレーザー光を照射し
、前記半導体装置の端子より得られる光励起電流にもと
づいて所定の色で表示される第１の像と、基準半導体装
置の、前記被検査半導体装置のレーザー光照射部に対応
する部分にレーザー光を照射し、前記基準半導体装置の
端子より得られる光励起電流にもとづいて前記第１の像
とは異なる色で表示される第２の像とを同一表示部に同
時に表示し、前記第１と第２の像とを比較して前記被検
査半導体装置の良否判定または不良箇所の検出を行なう
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。 - （２）半導体装置表面の任意の部分にレーザー光を照射
する手段と、前記半導体装置の端子に現われる光励起電
流を検出する手段と、前記光励起電流にもとづく少なく
とも２つの画像を記憶出力するフレームメモリー装置と
、前記２つの画像を同時に表示するカラー表示装置より
なることを特徴とする半導体装置の検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108828A JPS61267336A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 半導体装置の検査方法および検査装置 |
| US06/800,741 US4736159A (en) | 1985-05-21 | 1985-11-20 | Laser probing for solid-state device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108828A JPS61267336A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 半導体装置の検査方法および検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267336A true JPS61267336A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14494571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108828A Pending JPS61267336A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 半導体装置の検査方法および検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4736159A (ja) |
| JP (1) | JPS61267336A (ja) |
Cited By (1)
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| US7733100B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-06-08 | Dcg Systems, Inc. | System and method for modulation mapping |
| US8754633B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-06-17 | Dcg Systems, Inc. | Systems and method for laser voltage imaging state mapping |
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-
1985
- 1985-05-21 JP JP60108828A patent/JPS61267336A/ja active Pending
- 1985-11-20 US US06/800,741 patent/US4736159A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63304179A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Laser Tec Kk | 光誘起電流による半導体装置の検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4736159A (en) | 1988-04-05 |
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