JPH0483253A - 位相シフトマスクの修正法及び修正装置 - Google Patents
位相シフトマスクの修正法及び修正装置Info
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- JPH0483253A JPH0483253A JP2198799A JP19879990A JPH0483253A JP H0483253 A JPH0483253 A JP H0483253A JP 2198799 A JP2198799 A JP 2198799A JP 19879990 A JP19879990 A JP 19879990A JP H0483253 A JPH0483253 A JP H0483253A
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- mask
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置等の製造工程中に用いられる微細パ
ターン転写用の位相シフトマスクのパターン修正方法に
関し、その目的とするところは遮光体パターンと透明体
パターンの検査、及びパターン修正を位相シフト法本来
の目的、方法に合致した内容に基づいて行わしめる為の
手段及び方法を提供するところにある。
ターン転写用の位相シフトマスクのパターン修正方法に
関し、その目的とするところは遮光体パターンと透明体
パターンの検査、及びパターン修正を位相シフト法本来
の目的、方法に合致した内容に基づいて行わしめる為の
手段及び方法を提供するところにある。
［従来の技術］
従来のパターン転写技術において用いられるマスクの修
正技術においては遮光体として用いられるＣｒ膜のパタ
ーンとしての認識を水銀ランプ光及びレンズ光学系等を
用いて光学的に行い修正個所の特定を行ってきた。
正技術においては遮光体として用いられるＣｒ膜のパタ
ーンとしての認識を水銀ランプ光及びレンズ光学系等を
用いて光学的に行い修正個所の特定を行ってきた。
第２図に従来方式によるマスクリペア装置の機構模式図
を示す。
を示す。
（１）に示すのが検査対象のマスク （２）に示すのが
遮光体パターンの観察光学系 （５）に示すのがレーザ
ーリペア機ｍ部である。
遮光体パターンの観察光学系 （５）に示すのがレーザ
ーリペア機ｍ部である。
実際の修正に当たっては観察光学系〔２〕を通してマス
クを検査し修正個所を特定した後レーザーを照射して修
正を行う。
クを検査し修正個所を特定した後レーザーを照射して修
正を行う。
［発明が解決しようとする課題］
しかしパターン形成材料としてＣｒ等の遮光体と有機物
等の透明体を用いる位相シフトマスクでは従来の単一の
光学系のみを用いるパターン認識方式では遮光体及び透
明体両者の光学的特性がかけ離れている為同時にパター
ンの認識を行うことは困難である。
等の透明体を用いる位相シフトマスクでは従来の単一の
光学系のみを用いるパターン認識方式では遮光体及び透
明体両者の光学的特性がかけ離れている為同時にパター
ンの認識を行うことは困難である。
又、位相シフトマスクに於いては遮光体パターンと透明
体パターンとは一定の設計法則に従って配置されること
が多く双方の位置関係を正確に保つ必要があるが従来の
検査修正装置においては双方の位置精度も含めた検査修
正機能を期待することは出来なかった。
体パターンとは一定の設計法則に従って配置されること
が多く双方の位置関係を正確に保つ必要があるが従来の
検査修正装置においては双方の位置精度も含めた検査修
正機能を期待することは出来なかった。
本発明は上記問題点を解決するために為されたものであ
りその目的とするところは遮光体パターンと透明体パタ
ーンの検査及びパターン修正を迅速かつ確実に行わしめ
るところにある。
りその目的とするところは遮光体パターンと透明体パタ
ーンの検査及びパターン修正を迅速かつ確実に行わしめ
るところにある。
［課題を解決するための手段］
遮光体パターンと透明体パターンとを同一基板上で用い
る位相シフトマスクにおいて各パターンを複数のパター
ン検出系を有し各個別にパターン検出を行い座標検出後
双方の座標位置関係を予め定められた設計法則に従って
整合化する演算回路を有し、欠陥と認識される個所を判
別した後レーザーリペア等を用いて修正を行う事により
遮光体パターンと透明体パターンの検査、及びパターン
修正を迅速かつ確実に行なう事が可能となる［実施例］ 第１図に本発明の実施例による位相シフトマスクの修正
装置の機構模式図を示す。
る位相シフトマスクにおいて各パターンを複数のパター
ン検出系を有し各個別にパターン検出を行い座標検出後
双方の座標位置関係を予め定められた設計法則に従って
整合化する演算回路を有し、欠陥と認識される個所を判
別した後レーザーリペア等を用いて修正を行う事により
遮光体パターンと透明体パターンの検査、及びパターン
修正を迅速かつ確実に行なう事が可能となる［実施例］ 第１図に本発明の実施例による位相シフトマスクの修正
装置の機構模式図を示す。
（１）に示すのが検査対象の位相シフトマスクでありレ
ーザー測長機構を備えたＸＹステーシトに設置されてい
る。
ーザー測長機構を備えたＸＹステーシトに設置されてい
る。
（２）に示すのが遮光体パターンの検出光学系（３）に
示すのが透明体パターンの検出系 （４）に示すのが遮
光体、透明体台パターン比較方式若しくはＣＡＤデータ
と照合することにより欠陥を検出する機能ブロック （
５）に示すのがＹＡＧレーザ−（８）等を用いたりベア
機構部である。
示すのが透明体パターンの検出系 （４）に示すのが遮
光体、透明体台パターン比較方式若しくはＣＡＤデータ
と照合することにより欠陥を検出する機能ブロック （
５）に示すのがＹＡＧレーザ−（８）等を用いたりベア
機構部である。
（２）に於いては水銀ランプ（６）の透過光とＣＣＤイ
メージセンサ−（７）を用いた透過型パターン検出方式
、（３）に於いては容量検出方式による微小段差検出を
利用した透明体パターン検出機構を採用している。
メージセンサ−（７）を用いた透過型パターン検出方式
、（３）に於いては容量検出方式による微小段差検出を
利用した透明体パターン検出機構を採用している。
（２）と（３）は同一剛体上設置されておりその位置関
係は−・定値に固定されている。
係は−・定値に固定されている。
マスクを設置したステージがパターン検出機構（２）と
（３）の下部をスキャンすることによりマスク上のパタ
ーン（遮光体、透明体）を検出し同時に遮光体、透明体
パターンの比較を行うことによって修正個所を決定する
。
（３）の下部をスキャンすることによりマスク上のパタ
ーン（遮光体、透明体）を検出し同時に遮光体、透明体
パターンの比較を行うことによって修正個所を決定する
。
その後マスクの修正部をリペア機構部下部に移動し修正
を行うものである。
を行うものである。
［発明の効果］
」−２実施例による位相シフトマスクの修正装置を用い
て欠陥検出及び欠陥個所の修正を行った結果 従来の検
査修正装置では不可能であった位相シフトマスクの検査
修正が可能となりＣｒ等の遮光体パターン及び有機膜等
の透明体パターン何れにおいても検出感度 欠陥修正の
確実性及び精度においても優れたものであることが確認
された。
て欠陥検出及び欠陥個所の修正を行った結果 従来の検
査修正装置では不可能であった位相シフトマスクの検査
修正が可能となりＣｒ等の遮光体パターン及び有機膜等
の透明体パターン何れにおいても検出感度 欠陥修正の
確実性及び精度においても優れたものであることが確認
された。
第１図は本発明による方式を用いた位相シフトマスクの
欠陥修正装置の構造模式図を示す。 １ 位相シフトマスク ２ 遮光体パターンの検出光学系 ３ 透明体パターンの検出系 ４ 欠陥検出機能ブロック部 ５ リペア機構部 ６ ランプ ７ ＣＣＤイメージセンサ ８ ＹＡＧレーザ ９ 透明体パターン １０ 遮光体パターン 第２図は従来の方式によるマスク修正装置の構造模式図
を示す。 １ 修正マスク ２ 遮光体パターンの観察光学系 ５ リペア機構部 ８ ＹＡＧレーザ
欠陥修正装置の構造模式図を示す。 １ 位相シフトマスク ２ 遮光体パターンの検出光学系 ３ 透明体パターンの検出系 ４ 欠陥検出機能ブロック部 ５ リペア機構部 ６ ランプ ７ ＣＣＤイメージセンサ ８ ＹＡＧレーザ ９ 透明体パターン １０ 遮光体パターン 第２図は従来の方式によるマスク修正装置の構造模式図
を示す。 １ 修正マスク ２ 遮光体パターンの観察光学系 ５ リペア機構部 ８ ＹＡＧレーザ
Claims (1)
- 半導体装置等の製造工程中に用いられているパターン
転写用のフォトマスクにおいて、光の位相差を用いて微
細なパターンを転写する位相シフトマスクのパターン欠
陥を修正するために、Ｃｒ等の遮光体パターンと、透明
体パターンとを各個別に検出する機構を有し、各パター
ンの位置関係を検出した後、予め定められた設計法則に
したがつてパターンの検証を行い修正必要個所を特定し
た後、レーザーリペア法又はＣＶＤ法等を用いて、修正
を行う事を特徴とする位相シフトマスクの修正法及び修
正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198799A JPH0483253A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 位相シフトマスクの修正法及び修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198799A JPH0483253A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 位相シフトマスクの修正法及び修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483253A true JPH0483253A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16397106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198799A Pending JPH0483253A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 位相シフトマスクの修正法及び修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101155213B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2012-06-13 | 크로마 에이티이 인코포레이티드 | 이차원 광학 검측의 플랫필드 교정방법 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198799A patent/JPH0483253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101155213B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2012-06-13 | 크로마 에이티이 인코포레이티드 | 이차원 광학 검측의 플랫필드 교정방법 |
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