JPS6252849B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6252849B2 JPS6252849B2 JP3807880A JP3807880A JPS6252849B2 JP S6252849 B2 JPS6252849 B2 JP S6252849B2 JP 3807880 A JP3807880 A JP 3807880A JP 3807880 A JP3807880 A JP 3807880A JP S6252849 B2 JPS6252849 B2 JP S6252849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip pattern
- chip
- photomask
- pattern
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSI用フオトマスク等の同一チツプパ
ターンがマスク基板上に縦横に反復配列されたフ
オトマスクの欠陥検査を、隣接チツプパターン比
較方式の自動検査装置によつて確実に行うことの
できるフオトマスクの製造方法に関するものであ
る。
ターンがマスク基板上に縦横に反復配列されたフ
オトマスクの欠陥検査を、隣接チツプパターン比
較方式の自動検査装置によつて確実に行うことの
できるフオトマスクの製造方法に関するものであ
る。
一般にLSI等の製造上、必要不可欠とするフオ
トマスクは、第１図に示すように集積回路チツプ
のパターン設計情報をパターンジエネレータ等に
より感光性ガラス基板１上に５倍から10倍に拡大
して形成したチツプパターン２を有してなるレチ
クルを用い、フオトレピータによつて該レチクル
のチツプパターン２を、第２図に示すようにマス
ク基板２１上に繰り返して縦横に1/5〜1/10に縮
小投影露光して複数個配列形成することによつて
製作されている。
トマスクは、第１図に示すように集積回路チツプ
のパターン設計情報をパターンジエネレータ等に
より感光性ガラス基板１上に５倍から10倍に拡大
して形成したチツプパターン２を有してなるレチ
クルを用い、フオトレピータによつて該レチクル
のチツプパターン２を、第２図に示すようにマス
ク基板２１上に繰り返して縦横に1/5〜1/10に縮
小投影露光して複数個配列形成することによつて
製作されている。
しかして上述のようにして製作されたフオトマ
スクに対する欠陥有無の検査としては、従来、顕
微鏡を用いて目視で検査を行なつていた。しかし
目に頼る人的検査は時として見落としなどがあり
信頼性を低下させると共に、検査に長時間を要す
る等の欠点があつた。またLSI化の進展に伴つて
パターンが複雑化したり、あるいはチツプパター
ンが増大すると上記のごとき目視検査は不可能に
なつてくる。
スクに対する欠陥有無の検査としては、従来、顕
微鏡を用いて目視で検査を行なつていた。しかし
目に頼る人的検査は時として見落としなどがあり
信頼性を低下させると共に、検査に長時間を要す
る等の欠点があつた。またLSI化の進展に伴つて
パターンが複雑化したり、あるいはチツプパター
ンが増大すると上記のごとき目視検査は不可能に
なつてくる。
そこで前記フオトマスクの欠陥検査を自動化す
る一方式として、フオトマスク中の隣接する２つ
の検査対象チツプパターン同士を比較して欠陥を
検出する自動検査装置（この場合、原図に欠陥が
なければ２つの検査対象チツプパターンの同一部
分に同一の欠陥が生じる確率をほぼ零とする考え
方に基づく）を用いることが考えられる。
る一方式として、フオトマスク中の隣接する２つ
の検査対象チツプパターン同士を比較して欠陥を
検出する自動検査装置（この場合、原図に欠陥が
なければ２つの検査対象チツプパターンの同一部
分に同一の欠陥が生じる確率をほぼ零とする考え
方に基づく）を用いることが考えられる。
しかしながら上記隣接チツプパターン比較方式
による検査装置によると、第１図に示すように、
フオトマスクを製作するレチクルのチツプパター
ン２に欠陥３があると、該レチクルによつて製作
されたフオトマスクの全チツプパターンに第２図
で示すように欠陥３ａ，３ｂ……が存在するわけ
であり、かかる欠陥は検出できないという欠点が
あつた。
による検査装置によると、第１図に示すように、
フオトマスクを製作するレチクルのチツプパター
ン２に欠陥３があると、該レチクルによつて製作
されたフオトマスクの全チツプパターンに第２図
で示すように欠陥３ａ，３ｂ……が存在するわけ
であり、かかる欠陥は検出できないという欠点が
あつた。
従つて本発明は、上記従来例の欠点を除去する
ためになされたもので、その目的は、隣接チツプ
パターン比較方式による自動検査装置によつて検
査対象チツプパターンの欠陥を見逃すことなく、
確実に検出することが可能なチツプパターンの構
成を持つフオトマスクの製造方法を提供するもの
である。
ためになされたもので、その目的は、隣接チツプ
パターン比較方式による自動検査装置によつて検
査対象チツプパターンの欠陥を見逃すことなく、
確実に検出することが可能なチツプパターンの構
成を持つフオトマスクの製造方法を提供するもの
である。
かかる目的を達成するため、本発明のフオトマ
スクの製造方法は、同一の原図をもとにして形成
された第１のチツプパターンＡと第２のチツプパ
ターンA′を有するレチクルを用い、フオトマス
ク形成用基板上に形成される第１のチツプパター
ンＡの縦横に隣接する各チツプパターンが、前記
レチクル上の第２のチツプパターンA′によつて
形成されるように、位置をずらせながら繰り返し
焼付けを行うことを特徴としている。
スクの製造方法は、同一の原図をもとにして形成
された第１のチツプパターンＡと第２のチツプパ
ターンA′を有するレチクルを用い、フオトマス
ク形成用基板上に形成される第１のチツプパター
ンＡの縦横に隣接する各チツプパターンが、前記
レチクル上の第２のチツプパターンA′によつて
形成されるように、位置をずらせながら繰り返し
焼付けを行うことを特徴としている。
以下図面を用いて本発明に係る好ましい一実施
例を詳細に説明する。
例を詳細に説明する。
第３図は本発明の製造方法に用いるレチクルの
一実施例を示す概略平面図である。
一実施例を示す概略平面図である。
まずフオトマスクを製作するレチクル３１とし
ては、１つのガラス基板３２の上面に集積回路素
子形成のためのチツプパターンとして、図示のよ
うに同一の原図を用いて第１のチツプパターン
Ａ、第２のチツプパターンA′のように２チツプ
パターン３３の構成に形成したレチクル３１を用
意する。
ては、１つのガラス基板３２の上面に集積回路素
子形成のためのチツプパターンとして、図示のよ
うに同一の原図を用いて第１のチツプパターン
Ａ、第２のチツプパターンA′のように２チツプ
パターン３３の構成に形成したレチクル３１を用
意する。
そして第４図に示すように、フオトマスク形成
用の基板３４上に前記レチクル３１の２チツプパ
ターン３３を、例えば図示しないフオトリピータ
のステツプ・アンド・リピート操作により例えば
第１縦列３５に順次形成する。次に第２縦列３６
には図示のごとく前記２チツプパターン３３を隣
接第１縦列３５のチツプパターンに対し、１チツ
プパターンずらした状態で順次パターン形成す
る。
用の基板３４上に前記レチクル３１の２チツプパ
ターン３３を、例えば図示しないフオトリピータ
のステツプ・アンド・リピート操作により例えば
第１縦列３５に順次形成する。次に第２縦列３６
には図示のごとく前記２チツプパターン３３を隣
接第１縦列３５のチツプパターンに対し、１チツ
プパターンずらした状態で順次パターン形成す
る。
以下同様にして１縦列おきに１チツプパターン
ずらした形で、前記２チツプパターン３３を縦横
に複数配列したパターン構成のフオトマスクを形
成する。
ずらした形で、前記２チツプパターン３３を縦横
に複数配列したパターン構成のフオトマスクを形
成する。
このようにして形成された前記フオトマスクで
は、第４図に示すように第１のチツプパターンＡ
と第２のチツプパターンA′とが縦及び横にそれ
ぞれ隣接して配列され、この相互に隣接する第１
のチツプパターンＡと第２のチツプパターン
A′の同一位置に同一欠陥が生じることがないの
で、隣接チツプパターン比較方式による自動検査
装置によつて縦列方向、または横列方向に走査し
て各チツプパターン中の欠陥を漏れなく確実に検
出することが可能となる。
は、第４図に示すように第１のチツプパターンＡ
と第２のチツプパターンA′とが縦及び横にそれ
ぞれ隣接して配列され、この相互に隣接する第１
のチツプパターンＡと第２のチツプパターン
A′の同一位置に同一欠陥が生じることがないの
で、隣接チツプパターン比較方式による自動検査
装置によつて縦列方向、または横列方向に走査し
て各チツプパターン中の欠陥を漏れなく確実に検
出することが可能となる。
なお以上の実施例ではフオトマスクを形成する
チツプパターンの配列構成を１縦列おきに１チツ
プパターンずらして形成する例で説明したが、こ
の例に限定されることなく、例えば２縦列おき、
或いは３縦列おきと種々変形して実施できること
はいうまでもない。
チツプパターンの配列構成を１縦列おきに１チツ
プパターンずらして形成する例で説明したが、こ
の例に限定されることなく、例えば２縦列おき、
或いは３縦列おきと種々変形して実施できること
はいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明のフオ
トマスクの製造方法によれば、形成されたフオト
マスクにおける縦横に隣接する第１のチツプパタ
ーンＡと第２のチツプパターンA′の同一位置に
同一欠陥が生じることが解消されるので、隣接チ
ツプパターン比較方式による自動検査装置によつ
てチツプパターン中の欠陥を確実に検出すること
が可能となる。
トマスクの製造方法によれば、形成されたフオト
マスクにおける縦横に隣接する第１のチツプパタ
ーンＡと第２のチツプパターンA′の同一位置に
同一欠陥が生じることが解消されるので、隣接チ
ツプパターン比較方式による自動検査装置によつ
てチツプパターン中の欠陥を確実に検出すること
が可能となる。
またフオトマスクにおける第１のチツプパター
ンＡと第２のチツプパターンA′が縦及び横にそ
れぞれ隣接しているので、前記自動検査装置によ
つて各チツプパターン中の欠陥を縦列方向、また
は横列方向に走査し、隣接チツプパターン比較方
式により確実に漏れなく検出することが可能とな
る等、フオトマスク検査の効率化、その他フオト
マスクの信頼性が向上するなど極めて実用的な効
果を奏する。
ンＡと第２のチツプパターンA′が縦及び横にそ
れぞれ隣接しているので、前記自動検査装置によ
つて各チツプパターン中の欠陥を縦列方向、また
は横列方向に走査し、隣接チツプパターン比較方
式により確実に漏れなく検出することが可能とな
る等、フオトマスク検査の効率化、その他フオト
マスクの信頼性が向上するなど極めて実用的な効
果を奏する。
第１図は従来のレチクルを説明するための平面
図、第２図は従来のフオトマスクの製造方法を説
明するための概略平面図、第３図は本発明に係る
レチクルの一実施例を示す概略平面図、第４図は
本発明に係るフオトマスクの製造方法の一実施例
を説明するための概略平面図である。 １：感光性ガラス基板、２はチツプパターン、
３，３ａ，３ｂ：欠陥、２１，３４はフオトマス
ク形成用基板、３１：レチクル、３２：ガラス基
板、３３：２チツプパターン、３５：第１縦列、
３６：第２縦列、Ａ：第１のチツプパターン、
A′：第２のチツプパターンをそれぞれ示す。
図、第２図は従来のフオトマスクの製造方法を説
明するための概略平面図、第３図は本発明に係る
レチクルの一実施例を示す概略平面図、第４図は
本発明に係るフオトマスクの製造方法の一実施例
を説明するための概略平面図である。 １：感光性ガラス基板、２はチツプパターン、
３，３ａ，３ｂ：欠陥、２１，３４はフオトマス
ク形成用基板、３１：レチクル、３２：ガラス基
板、３３：２チツプパターン、３５：第１縦列、
３６：第２縦列、Ａ：第１のチツプパターン、
A′：第２のチツプパターンをそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 同一の原図をもとに形成された第１のチツプ
パターンＡと第２のチツプパターンA′を有する
レチクルを用い、フオトマスク形成用基板上に形
成される第１のチツプパターンＡの縦横に隣接す
る各チツプパターンが、前記レチクル上の第２の
チツプパターンA′によつて形成されるように、
位置をずらせながら繰り返し焼付けを行うことを
特徴とするフオトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3807880A JPS56133737A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3807880A JPS56133737A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56133737A JPS56133737A (en) | 1981-10-20 |
| JPS6252849B2 true JPS6252849B2 (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=12515446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3807880A Granted JPS56133737A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56133737A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60234906D1 (de) * | 2001-02-15 | 2010-02-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Verfahren zur herstellung einer phasenverschiebungsmaske und phasenverschiebungsmaske |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619051A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Fujitsu Ltd | Production of photo mask |
| JPS6161374A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | リブ付き多孔質板の製作方法 |
-
1980
- 1980-03-25 JP JP3807880A patent/JPS56133737A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619051A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Fujitsu Ltd | Production of photo mask |
| JPS6161374A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | リブ付き多孔質板の製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56133737A (en) | 1981-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003519923A (ja) | 潜像の格子構造を用いて整合性を測定する方法 | |
| US4442188A (en) | System for specifying critical dimensions, sequence numbers and revision levels on integrated circuit photomasks | |
| JPH0750664B2 (ja) | レチクルの検査方法 | |
| JPS6252849B2 (ja) | ||
| JP2836391B2 (ja) | 半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法 | |
| JP3333603B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップ及びその製造方法 | |
| JP2564440B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法 | |
| JPH104044A (ja) | パターン検出方法ならびにアライメントマーク検出方法およびそれを用いた光学装置 | |
| JPS594019A (ja) | パタ−ン比較検査方法 | |
| JPS6015504A (ja) | フオトマスク自動検査装置 | |
| JPS5919318A (ja) | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク | |
| CN1267082A (zh) | 具有新型识别图案的标线片 | |
| JP2532110B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| JPH06181156A (ja) | ホトリソグラフィーのパターン検証方法 | |
| JPH0617875B2 (ja) | パターン検査方法およびその装置 | |
| JPH0845830A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0145735B2 (ja) | ||
| JPS6196744A (ja) | 半導体集積回路のウエ−ハの試験方法 | |
| JPS59108318A (ja) | １チツプレテイクルマスクの検査方法 | |
| JP2655477B2 (ja) | ウェーハ外観検査装置 | |
| JPH0417361B2 (ja) | ||
| JPS6017747A (ja) | 半導体集積回路製造用レチクル | |
| JPH0214749B2 (ja) | ||
| JPH03154329A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0447451B2 (ja) |