JPH0426845A - 異物検査方法 - Google Patents

異物検査方法

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Publication number
JPH0426845A
JPH0426845A JP2132036A JP13203690A JPH0426845A JP H0426845 A JPH0426845 A JP H0426845A JP 2132036 A JP2132036 A JP 2132036A JP 13203690 A JP13203690 A JP 13203690A JP H0426845 A JPH0426845 A JP H0426845A
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JP
Japan
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light
resist coating
coating layer
wavelength range
base material
Prior art date
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Application number
JP2132036A
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English (en)
Inventor
Yutaka Yagi
裕 八木
Fumio Kikuma
菊間 史男
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0426845A publication Critical patent/JPH0426845A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示
管用電極などの製造に適用されているフォトファプリケ
ーンヨン分野のレジストコーテイング後の基材に対して
、レジストコーティング層表面に付着したごみや表面の
傷等の欠陥(以下異物と総称する)と、レジストコーテ
ィング層内に存在する異物とを、それぞれ区別して検出
するための異物検査方法に関する。
〔従来の技術〕
シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示管用電極な
どの製造に適用されているフォトフアプリケーション工
程には、金属基板に対する前処理及び脱脂工程、レジス
トコーティング工程、製版工程、エツチング、剥離及び
洗浄工程等があり、これらの各工程は自動化(インライ
ン化)されているが、各工程のモニター及び外観検査な
どの自動化は行われておらず、目視による外観検査に鯨
っている。しかしながら、これらの自動化に対してのニ
ーズは大きいものがある。特にレジストコーテイング後
の基材に対する外観検査の自動化の要望には根強いもの
がある。これは レジストコーティングにおいて欠陥が
発生すると良品率に対する影響が大きいからである。
一般に平面上に付着した異物の検出には、被検査面に対
してレーザ光等の光ビームを照射し、異物による散乱光
を検出する方法が知られている(例えば、特開昭60−
67845号公報参照)。従って、レジストコーテイン
グ後の基材表面の異物検出にもこの技術を適用すること
が考えられる。すなわち、第8図に示すように、金属基
板1a表面にレジストコーティング層1bを形成してな
る基材1に対して、光源を備えた投光系(図示せず)に
よって検出光2を照射し、基材1の表面部分からの散乱
光をレンズ3及び検出器4からなる受光系で検出するよ
うに構成し、かつ基材11と。
投光系、受光系からなる検出装置とを相対的に移動させ
るようにすればよい、このように構成すれば、第8図に
示すように基材表面に何隻異物がない場合には基材表面
での散乱光がないため、検出器4の検出信号のレベルは
第9図に示すように低いレベルで一定であるが、基材表
面部に異物があるとその異物による散乱光が生じるので
、検出器4の検出信号が大きくなり5異物を検出できる
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、この方法によって異物検出を行うと1次の問
題のあることが判明した。すなわち、フォトファブリケ
ーションに用いられるレジストは2通常カゼイン、PV
Aなどの水溶性コロイドに重クロム酸塩を添加したもの
が用いられており、これらのレジストはほぼ透明で、異
物検出のために照射された光に対しても透明である。こ
のため1第10図に示すように、基材1のレジストコー
テイング層1b上面に異物5aがあり、レジストコーテ
ィング層lb内(金属基板1a表面)にも異物5bがあ
る場合には、これらの各々の異物5a、5bによって散
乱光が生し、検出器4による検出信号は第11図に示す
ように、基材1のA位置とB位置で突出し、この位置に
異物があることを認識することはできる。しかしながら
、その異物がレジストコーテイング層1b表面の異物5
aか或いは内部の異物5bかを認識することはできない
更に、第12図に示すように、基材1を構成する金属基
板1aの表面あらさが粗く、多数の凹凸があった場合に
は、その凹凸によって散乱光が発生し、検出器4の検出
信号は第13図に示すように大きいノイズを拾い、異物
検出自体が困難であった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、基材1
の金属基板表面が平滑な場合には、レジストコーティン
グ層の表面の異物と内部の異物とを区別して検出するこ
とが可能であり、また、金属基板表面が粗い場合には少
なくともレジストコーティング層表面の異物は検出する
ことの可能な異物検査方法を提供することを目的とする
〔課題を解決するための手段〕
かかる問題点を解決すべくなされた本発明は9表面にレ
ジストコーティング層を有する基材に対して検出光を照
射し、その基材からの散乱光の光量を測定して異物を検
出する異物検査方法であって、前記検出光として、第一
波長領域と第二波長領域を含んだ光を使用し、前記レジ
ストコーティング層として、前記第一波長領域の光は吸
収する゛が第二波長領域の光は透過する色に着色したも
のを使用し、更に、前記散乱光内の第一波長領域のみの
光量を測定し、且つ前記散乱光内の第二波長領域を含む
光の光量を測定することを特徴とする異物検査方法を要
旨とする。
以下9本発明を、第1図を参照して更に詳細に説明する
。検査すべき基材11は金属基板11a上にレジストコ
ーティング1illbを有しているが1本発明では、こ
のレジストコーティング層11bとして、適当な波長領
域(第一波長領域)の光のみを吸収する色に着色したも
のを用いる。この基材11に対して、光源を備えた投光
系(図示せず)によって検出光12を照射するが、この
検出光12としては、前記した第一波長領域の光のみな
らず、第二波長領域の光も含んだものとする。例えば、
レジストコーティング層11bを赤色光のみを吸収する
緑色に着色した場合(すなわち第一波長領域の光を赤色
光とした場合)には、検出光12として、赤色光(第一
波長領域の光)と緑色光(第二波長領域の光)とを含む
黄色光を用いることができ1 また、レジストコーティ
ング層11bを、緑色光のみを吸収する赤色に着色した
場合(すなわち、第一波長領域の光を緑色光とした場合
)にも、検出光15として、緑色光(第一波長領域の光
)と赤色光(第二波長領域の光)とを含む黄色光を用い
ることができる。このような波長の検出光12は光源自
体を選定することにより形成してもよいし、或いは適当
なフィルタを光源と基材11との間に介在させることに
より形成してもよい、なお、検出光12はレジストコー
ティング層11bを感光させることのない波長領域に選
定することは言うまでもない。
本発明は異物による散乱光を検出して異物検出を行うも
−のであるが、その際、その散乱光を第一波長領域のみ
の光と、少なくとも第二波長領域を含む光とに分離して
各々の光量を検出する。このため、散乱光を検出する受
光系14には5捕捉した散乱光15を平行光に変換する
集光部16と、集光した散乱光を第一波長領域のみの光
18aと第二波長領域を含む光18bに分離する分離手
段17と、各光18a、18bを集光するレンズ19a
、19bと、各光の光量を検出する第−及び第二検出器
20a、20bとを設けている。
なお、第二検出器20bへの光18bは第二波長領域の
みの光であっても或いは第一波長領域と第二波長領域と
を含むものであってもよい。散乱光15を二つの光18
a、18bに分離するための分離手段17としては7例
えば、ダイクロイックミラーを使用できる。
ダイクロイックミラーを使用すると、第一波長領域の光
(例えば、赤色光)と第二波長領域の光(例えば。
緑色光)に分離できる。また、この代わりに、第2図に
示すように、散乱光を二つに分けるハーフミラ−17A
と、一方の光路に配置され第一波長領域の光のみを通過
させるフィルタ17Bとで分離手段を構成してもよい、
この場合には、一方の光18aは第一波長領域のみの光
となるが、他方の光18bは元の散乱光15と同一波長
領域(第一波長領域と第二波長領域を含む)となる。
〔作用〕
異物検出に当っては、基材11と、投光系及び受光系か
らなる検出装置を相対的に移動させ、検出光12で基材
11を照射し、基材11表面からの散乱光15を二つの
光18a、18bに分離し、それぞれの光量を第一検出
器20a、第二検出器20bで測定する。
この検出光12は第一波長領域と第二波長領域を含んで
いるが、レジストコーティング層11bは第一波長領域
の光を吸収し第二波長領域の光のみを通過させる。
このため、第−波長令頁域の光はレジストコーティング
層11bの表面で反射し、レジストコーティング11b
内には透過せず、また、第二波長領域の光はレジストコ
ーテイング層11b表面で一部が反射するとともに残り
がレジストコーティング層11b内に侵入し金属基板1
1a表面で反射する。このため、受光系14で捕捉され
る散乱光のうち、第一検出器20aに入射する第一波長
領域の光18aはレジストコーティング1illbの表
面及びその表面にある異物23aによって反射したもの
であり、第一検出器20aの出力信号は第3図に示すよ
うに1位置Aにおいて突出したものとなっている。かく
して、レジストコーティング層11bの表面にある異物
23aを検出できる。一方第二検出器20bに入射する
光18bはレジストコーティング層11bに侵入する第
二波長領域の光を含んでいるので、レジストコーティン
グ層11bの表面の異物23aのみならず、レジストコ
ーティング層11b内の異物23b(金属基板11a表
面の異物)による散乱光を含んでおり、従って、第二検
出器20bの出力信号は第4図に示すように2位置A、
  Hにおいて突出したものとなっている。かくして、
第一検出器20aの信号と比較することにより2位置B
にあるレジストコーティング層11b内の異物23bを
検出することができる。
また、基材11を構成する金属基板11aの表面あらさ
が粗い時には、その表面による乱反射が発生し第二検出
器20bからの信号はノイズが太き(、異物を存在を認
識できない。しかしながら、この場合にも第一検出器2
0aの出力は、金属基板11aの表面の影響を全く受け
ておらず、従って、レジストコーティング層11b上の
異物23aのみは検出することができる。
〔実施例〕
以下9本発明方法を適用してレジストコーテイング後の
シャドウマスク用基材表面の異物検出を行う装置の1例
を説明する。第5図はその異物検出装置を概略的に示す
側面図、第6図はその概略平面図であり、受光系の図示
は省略している。第7図はその受光系の概略正面図であ
る。第5図〜第7図において、31は検査されるべき基
材であり1巻取31Aの形態でセントされ、その巻取3
1Aから繰り出されるようになっている。この基材31
には、赤色に着色されたレジストコーティング層が形成
されている。32は、基材31をその長平方向に搬送す
る搬送ローラである。33は検出光34を基材31上に
直線X−Xに沿って細い帯状に照射する投光系であり、
白色光を照射するハロゲンランプ等の光源35と、光源
35からの検出光を基材31上に細い帯状に集光させる
レンズ36と、光源35からの光を黄色光にするフィル
タ37等からなっている。38は、検出光で照射された
基材表面の散乱光39を受光する受光系であり、第1図
に示す受光系と同様の構成になっている。すなわち、受
光系38は。
散乱光を平行光とする集光部と、その光を緑色光と赤色
光に分離するグイクロイックミラーと、緑色光40aを
集光するレンズ及びその集光位置に配置された第−検出
器即ちリニアイメージセンサ41aと、赤色光40bを
集光するレンズ及びその集光位置に配置された第二検出
器即ちリニアイメージセンサ41b等からなる。
上記構成の異物検知装置において、基材31が矢印C方
向に走行しており、その際に投光系33が基材31を直
線X−Xに沿って細い帯状に黄色の検出光で照射し、受
光系38がその直線X−X上の散乱光を監視する。そし
て、第1図を参照して説明したのと同様に。
レジストコーティング層の内外に異物がある場合。
方のリニアイメージセンサ41aの出力は第3図に示す
ようにレジストコーティング層表面の異物のみに対応し
て突出するので、その異物を検出でき、また、他方のリ
ニアイメージセンサ41bは第4図に示すようにレジス
トコーティング層の内外の異物に対応して突出するので
、レジストコーティング層内外の異物を検出でき、これ
らのデータを比較することにより、レジストコーティン
グ層内の異物も識別して検出できる。
か(して、基材31の全面に対して連続的に異物検査を
行うことができる。
なお、上記実施例では、光源35としてハロゲンランプ
を用い、基材31を帯状に常時照射する構成としている
が9これに代えて、レーザビームを直線X−Xに沿って
走査させる構成としてもよい。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように5本発明によれば基材の
レジストコーティング層の下の金属表面が平滑な場合に
は、レジストコーティング層の表面にある異物とその中
にある異物とを区別して検出することができ、また、基
材の金属基板表面が粗くてノイズが大きくなる場合には
、レジストコーティング層表面の異物のみを検出するこ
とができ、フォトファブリケーション分野のレジストコ
ーテイング後の基材の異物検出の自動化を可能とすると
いう効果を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法によって異物を検出する状態を概略
的に示す側面図、第2図はその変形例を説明する概略側
面図、第3図は第1図の第一検出器による検出信号レベ
ルを示すグラフ、第4図は第1図の第二検出器の検出信
号レベルを示すグラフ、第5図は本発明方法の実施に使
用する異物検出装置の1例を示す概略側面図、第6図は
その概略平面図であり、受光系の図示を省略している。 第7図はその受光系の概略正面図。 第8図は従来技術を適用して基材の異物検査を行う状態
を示す概略側面図、第9図は第8図の検出器による検出
信号レベルを示すグラフ、第10図は基材にある異物を
検出する状態を示す第8図と同様な概略側面図第11図
は第10図の検出器による検出信号レベルを示すグラフ
、第12図は基材の金属基板表面のあらさによる散乱光
が検出器に入射する状態を説明する第8図と同様な部分
の概略側面図、第13図はその検出器の検出信号レベル
を示すグラフである。 11−基材、11a−金属基板、  1 l b−1z
シストコ一テイング層、12−・検出光、14−受光系
515・−散乱光、16・・・集光部、17−分離手段
、18a第一波長領域のみの光、18b 第二波長領域
を含む光、  19 a、  19 b−1z7ズ、2
0a−第一検出器20b−第二検出器、23a、23b
−異物。 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第1 】独8A氷板 1b−レジストコーチづ〉ブ7シ 12 オ咬)Lメ一 5t−2図 牙3 図 5t’4 図 牙6図 牙7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  表面にレジストコーティング層を有する基材に対して
    検出光を照射し、その基材からの散乱光の光量を測定し
    て異物を検出する異物検査方法であって、前記検出光と
    して、第一波長領域と第二波長領域を含んだ光を使用し
    、前記レジストコーティング層として、前記第一波長領
    域の光は吸収するが第二波長領域の光は透過する色に着
    色したものを使用し、更に、前記散乱光内の第一波長領
    域のみの光量を測定し、且つ前記散乱光内の第二波長領
    域を含む光の光量を測定することを特徴とする異物検査
    方法。
JP2132036A 1990-05-22 1990-05-22 異物検査方法 Pending JPH0426845A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05264468A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置
JP2005308615A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Olympus Corp 表面欠陥検査装置
JP2007040862A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Dainippon Printing Co Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JP2019028035A (ja) * 2017-08-03 2019-02-21 キヤノン株式会社 異物検査装置、異物検査方法、インプリント装置および物品製造方法
WO2024058243A1 (ja) * 2022-09-14 2024-03-21 三菱ケミカル株式会社 導電膜の製造方法、マスクの製造方法、半導体デバイスの製造方法、導電膜の欠陥検査方法、及び欠陥検査装置

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