JPH0426844A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH0426844A JPH0426844A JP2132035A JP13203590A JPH0426844A JP H0426844 A JPH0426844 A JP H0426844A JP 2132035 A JP2132035 A JP 2132035A JP 13203590 A JP13203590 A JP 13203590A JP H0426844 A JPH0426844 A JP H0426844A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示
管用電極などの製造に適用されているフォトファブリケ
ーシッン分野のレジストコーテイング後の基材に対して
、その表面に付着したごみや表面の傷等の欠陥（以下異
物と総称する）を検出する異物検査方法に関する。
管用電極などの製造に適用されているフォトファブリケ
ーシッン分野のレジストコーテイング後の基材に対して
、その表面に付着したごみや表面の傷等の欠陥（以下異
物と総称する）を検出する異物検査方法に関する。
シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示管用電極な
どの製造に適用されているフォトフアプリケション工程
には、金属基板に対する前処理及び脱脂工程、レジスト
コーティング工程、製版工程、エツチング、剥離及び洗
浄工程等があり、これらの各工程は自動化（インライン
化）されているが、各工程のモニター及び外観検査など
の自動化は行われておらず９目視による外観検査に頬っ
ている。しかしながら、これらの自動化に対してのニー
ズは大きいものがある。特にレジストコーテイング後の
基材に対する外観検査の自動化の要望には根強いものが
ある。これは、レジストコーティングにおいて欠陥が発
生すると良品率に対する影響が大きいからである。
どの製造に適用されているフォトフアプリケション工程
には、金属基板に対する前処理及び脱脂工程、レジスト
コーティング工程、製版工程、エツチング、剥離及び洗
浄工程等があり、これらの各工程は自動化（インライン
化）されているが、各工程のモニター及び外観検査など
の自動化は行われておらず９目視による外観検査に頬っ
ている。しかしながら、これらの自動化に対してのニー
ズは大きいものがある。特にレジストコーテイング後の
基材に対する外観検査の自動化の要望には根強いものが
ある。これは、レジストコーティングにおいて欠陥が発
生すると良品率に対する影響が大きいからである。
しかしながら、現在のところ、レジストコーテイング後
の基材の異物を自動的に検出可能な異物検査装置として
実用運用できる装置は開発されていない、これは、フォ
トファブリケーンヨンに用いる材料表面の特性によって
、異物検出が困難なためである。
の基材の異物を自動的に検出可能な異物検査装置として
実用運用できる装置は開発されていない、これは、フォ
トファブリケーンヨンに用いる材料表面の特性によって
、異物検出が困難なためである。
一般に平面上に付着した異物の検出には、被検査面に対
してレーザ光等の検出光を照射し、異物による散乱光を
検出する方法が知られている（例えば、特開昭６０−６
７８４５号公報参照）、従って、レジストコーテイング
後の基材表面の異物検出にもこの技術を適用することが
考えられる。すなわち、第６図に示すように、金属基板
１ａ表面にレジストコーティング層１ｂを形成してなる
基材１に対して、光源を備えた投光系（図示せず）によ
って検出光２を照射し、基材ｌの表面に存在する異物３
による散乱光４を、レンズ５及び検出器６からなる受光
系で検出するように構成し。
してレーザ光等の検出光を照射し、異物による散乱光を
検出する方法が知られている（例えば、特開昭６０−６
７８４５号公報参照）、従って、レジストコーテイング
後の基材表面の異物検出にもこの技術を適用することが
考えられる。すなわち、第６図に示すように、金属基板
１ａ表面にレジストコーティング層１ｂを形成してなる
基材１に対して、光源を備えた投光系（図示せず）によ
って検出光２を照射し、基材ｌの表面に存在する異物３
による散乱光４を、レンズ５及び検出器６からなる受光
系で検出するように構成し。
かつこれらの投光系、受光系に対して基材ｌを相対的に
移動させることにより、基材１表面の異物検出が可能で
あると考えられる。ところが、実際に第６図に示す構成
で異物検出を行ったところ、検出器６の検出信号は第７
図に示すように大きく変動しており、基材１の位置Ａに
存在する異物３の検出が極めて困難であった。
移動させることにより、基材１表面の異物検出が可能で
あると考えられる。ところが、実際に第６図に示す構成
で異物検出を行ったところ、検出器６の検出信号は第７
図に示すように大きく変動しており、基材１の位置Ａに
存在する異物３の検出が極めて困難であった。
この理由は次の通りである。すなわち、フォトファプリ
ケージテンに用いる金属基板１ａは多くの場合。
ケージテンに用いる金属基板１ａは多くの場合。
金属材料を圧延したものであり１表面にかなり大きいあ
らさ（ガラス基板やシリコン基板に比較して）がある、
その金属基板１ａに対してレジストをコーティングする
と、レジストコーティング層１ｂの表面は平坦となる。
らさ（ガラス基板やシリコン基板に比較して）がある、
その金属基板１ａに対してレジストをコーティングする
と、レジストコーティング層１ｂの表面は平坦となる。
しかしながら、フォトファプリケージテンに用いられる
レジストは９通常カゼイン、ＰＶＡなどの水溶性コロイ
ドに重クロム酸塩を添加したものが用いられており、こ
れらのレジストはほぼ透明で、異物検出のために照射さ
れた光に対しても透明である。このため、基材表面の異
物を検出すぺ（検出光２を照射すると、その検出光２が
レジストコーティング層１ｂを透過して金属基板１ａの
表面に達し、その表面の凹凸によって乱反射し、その散
乱光７が検出器６に入射する。従って、第７図に示すよ
うに、検出器６の出力信号は金属基板１ａの表面粗さに
よる散乱光量に応じて大きく変動し、換言すればノイズ
が大きくなっており。
レジストは９通常カゼイン、ＰＶＡなどの水溶性コロイ
ドに重クロム酸塩を添加したものが用いられており、こ
れらのレジストはほぼ透明で、異物検出のために照射さ
れた光に対しても透明である。このため、基材表面の異
物を検出すぺ（検出光２を照射すると、その検出光２が
レジストコーティング層１ｂを透過して金属基板１ａの
表面に達し、その表面の凹凸によって乱反射し、その散
乱光７が検出器６に入射する。従って、第７図に示すよ
うに、検出器６の出力信号は金属基板１ａの表面粗さに
よる散乱光量に応じて大きく変動し、換言すればノイズ
が大きくなっており。
異物による散乱光を認識できなくなっていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、金属基
板の表面あらさによるノイズを抑えて異物を検出するこ
との可能な異物検査方法を提供することを目的とする。
板の表面あらさによるノイズを抑えて異物を検出するこ
との可能な異物検査方法を提供することを目的とする。
かかる問題点を解決すべくなされた本発明は１表面にレ
ジストコーティング層を有する基材に対して検出光を照
射し、その表面からの散乱光の光量を測定して異物を検
出する異物検査方法であって、前記レジストコーティン
グ層を着色しておき、そのレジストコーティング層によ
って吸収される波長の光を検出光として用いることを特
徴とする異物検査方法を要旨とする。
ジストコーティング層を有する基材に対して検出光を照
射し、その表面からの散乱光の光量を測定して異物を検
出する異物検査方法であって、前記レジストコーティン
グ層を着色しておき、そのレジストコーティング層によ
って吸収される波長の光を検出光として用いることを特
徴とする異物検査方法を要旨とする。
以下１本発明を、第１図を参照して更に詳細に説明する
。検査すべき基材１１は金属基板１１ａ上にレジストコ
ーティング層１１ｂを存しているが１本発明では、この
レジストコーティング層１１ｂとして、適当な色に着色
したものを用いる。この基材１１に対して。
。検査すべき基材１１は金属基板１１ａ上にレジストコ
ーティング層１１ｂを存しているが１本発明では、この
レジストコーティング層１１ｂとして、適当な色に着色
したものを用いる。この基材１１に対して。
投光系（図示せず）によって検出光１２を照射し、基材
１１の表面に存在する異物１３による散乱光１４をレン
ズ１５及び検出器１６を備えた受光系で検出する。
１１の表面に存在する異物１３による散乱光１４をレン
ズ１５及び検出器１６を備えた受光系で検出する。
すなわち、散乱光１４をレンズ１５で検出器１６上に集
光し、検出器１６は受光光量を測定し、測定値があらか
しめ設定した値以上となると異物があると判断する。
光し、検出器１６は受光光量を測定し、測定値があらか
しめ設定した値以上となると異物があると判断する。
この際２本発明では検出光１２として９着色したレジス
トコーティング層１１ｂによって吸収される波長の光を
用いる。このような波長の検出光は光源自体を選定する
ことにより形成してもよいし、或いは適当なフィルタを
光源と基材１１との間に介在させることにより形成して
もよい、なお、検出光１２はレジストコーティング層１
１ｂを感光させることのない波長領域に選定することは
言うまでもない。
トコーティング層１１ｂによって吸収される波長の光を
用いる。このような波長の検出光は光源自体を選定する
ことにより形成してもよいし、或いは適当なフィルタを
光源と基材１１との間に介在させることにより形成して
もよい、なお、検出光１２はレジストコーティング層１
１ｂを感光させることのない波長領域に選定することは
言うまでもない。
レジストコーティング層１１ｂに着色する色と、検出光
の色との組み合わせとしては、第１表に示すようなもの
が使用できる。しかし２本発明はこの組み合わせの例に
限定されるものではない。
の色との組み合わせとしては、第１表に示すようなもの
が使用できる。しかし２本発明はこの組み合わせの例に
限定されるものではない。
第１表
〔作用〕
異物検出に当っては
基材１１と。
投光系及び受光
系からなる検出装置を相対的に移動させ、検出光１２で
基材１１を照射し、その散乱光１４を検出器１６で検出
する。この際、基材１１のレジストコーティング層１１
ｂをそれに吸収される色の検出光１２で照射すると、そ
の検出光１２はレジストコーティング層１１ｂで吸収さ
れる。このため、レジストコーティング層１１ｂの下の
金属基板１１ａの表面があらく、凹凸があってもその凹
凸による散乱光がほとんど発生しない。
基材１１を照射し、その散乱光１４を検出器１６で検出
する。この際、基材１１のレジストコーティング層１１
ｂをそれに吸収される色の検出光１２で照射すると、そ
の検出光１２はレジストコーティング層１１ｂで吸収さ
れる。このため、レジストコーティング層１１ｂの下の
金属基板１１ａの表面があらく、凹凸があってもその凹
凸による散乱光がほとんど発生しない。
また、レジストコーテイング層１１ｂ表面は平滑である
のでこの面での散乱光もほとんど生じない、かくして、
レジストコーティング層１１ｂの表面に異物が無い場合
には検出器１６に入射する散乱光量が少なく。
のでこの面での散乱光もほとんど生じない、かくして、
レジストコーティング層１１ｂの表面に異物が無い場合
には検出器１６に入射する散乱光量が少なく。
金属基板１１ａやレジストコーティング層１１ｂの表面
あらさによるノイズがほとんど存在しなくなる。そして
、基材１１表面に異物１３が存在すると、その異物が検
出光１２で照射さることにより散乱光を発生するので、
第２図に示すように、検出器１６による検出信号は異物
の存在する部分（Ａ位置）で大きく突出することとなり
、異物を確実に検出することができる。
あらさによるノイズがほとんど存在しなくなる。そして
、基材１１表面に異物１３が存在すると、その異物が検
出光１２で照射さることにより散乱光を発生するので、
第２図に示すように、検出器１６による検出信号は異物
の存在する部分（Ａ位置）で大きく突出することとなり
、異物を確実に検出することができる。
以下１本発明方法を適用してレジストコーテイング後の
シャドウマスク用基材表面の異物検出を行う装置の１例
を説明する。第３図はその異物検出装置を概略的に示す
側面図、第４図はその概略平面図であり、受光系の図示
は省略している。第５図はその受光系の概略正面図であ
る。第３図〜第５図において、３１は検査されるべき基
材であり１巻取３１Ａの形態でセットされ、その巻取３
１Ａから繰り出されるようになっている。この基材３１
には、赤色に着色されたレジストコーティング層が形成
されている。３２は、基材３１をその長平方向に搬送す
る搬送ローラである。３３は検出光３４を基材３１上に
直線Ｘ−Ｘに沿って細い帯状に照射する投光系であり、
白色光を照射するハロゲンランプ等の光源３５と、光源
３５からの検出光を基材３１上に細い帯状に集光させる
レンズ３６と、光源３５からの光を緑色の光（波長５０
０〜６００ｎｍ程度）にするフィルタ３７等からなって
いる。３８は。
シャドウマスク用基材表面の異物検出を行う装置の１例
を説明する。第３図はその異物検出装置を概略的に示す
側面図、第４図はその概略平面図であり、受光系の図示
は省略している。第５図はその受光系の概略正面図であ
る。第３図〜第５図において、３１は検査されるべき基
材であり１巻取３１Ａの形態でセットされ、その巻取３
１Ａから繰り出されるようになっている。この基材３１
には、赤色に着色されたレジストコーティング層が形成
されている。３２は、基材３１をその長平方向に搬送す
る搬送ローラである。３３は検出光３４を基材３１上に
直線Ｘ−Ｘに沿って細い帯状に照射する投光系であり、
白色光を照射するハロゲンランプ等の光源３５と、光源
３５からの検出光を基材３１上に細い帯状に集光させる
レンズ３６と、光源３５からの光を緑色の光（波長５０
０〜６００ｎｍ程度）にするフィルタ３７等からなって
いる。３８は。
検出光３４で照射された基材１１表面からの散乱光３９
を受光する受光系であり、結像レンズ４０と検出器即ち
リニアイメージセンサ４１等からなる。
を受光する受光系であり、結像レンズ４０と検出器即ち
リニアイメージセンサ４１等からなる。
上記構成の異物検出装置において、基材３１が矢印Ｂ方
向に走行しており、その際に投光系３３が基材３１を直
線Ｘ−Ｘに沿って細い帯状に緑色の検出光で照射し、受
光系３８がその直線Ｘ−Ｘ上の散乱光を監視する。この
際、緑色の検出光３４は基材１１表面の赤色のレジスト
コーティング層で吸収されるため、レジストコーティン
グ層の下の金属基板表面のあらさによる散乱光の発生は
なく、受光系３８にはノイズがあまり生していない、そ
して、基材１１の表面に異物があるとその異物による散
乱光が受光系３８に入射するので、受光系３８のリニア
イメージセンサ４１による検出信号が増加し、これによ
り異物が検出される。かくして、基材３１の全面に対し
て連続的に異物検査を行うことができる。
向に走行しており、その際に投光系３３が基材３１を直
線Ｘ−Ｘに沿って細い帯状に緑色の検出光で照射し、受
光系３８がその直線Ｘ−Ｘ上の散乱光を監視する。この
際、緑色の検出光３４は基材１１表面の赤色のレジスト
コーティング層で吸収されるため、レジストコーティン
グ層の下の金属基板表面のあらさによる散乱光の発生は
なく、受光系３８にはノイズがあまり生していない、そ
して、基材１１の表面に異物があるとその異物による散
乱光が受光系３８に入射するので、受光系３８のリニア
イメージセンサ４１による検出信号が増加し、これによ
り異物が検出される。かくして、基材３１の全面に対し
て連続的に異物検査を行うことができる。
なお、上記実施例では、レジストコーティング層を赤色
に着色し、検出光を緑色としたが、これらの色の組み合
わせは種々変更可能である。また、上記実施例では光源
３５としてハロゲンランプを用い、基材３１を帯状に常
時照射する構成としているが１ これに代えて、レーザ
ビームを直線Ｘ−Ｘに沿って走査させる構成としてもよ
い。
に着色し、検出光を緑色としたが、これらの色の組み合
わせは種々変更可能である。また、上記実施例では光源
３５としてハロゲンランプを用い、基材３１を帯状に常
時照射する構成としているが１ これに代えて、レーザ
ビームを直線Ｘ−Ｘに沿って走査させる構成としてもよ
い。
以上の説明から明らかなように９本発明は、レジストコ
ーティング層を着色し、そのレジストコーティング層で
吸収される検出光を用いて基材表面を照射する構成とす
ることにより１ レジストコーティング層の下の金属基
板表面の凹凸による散乱光の発生を防止することができ
、レジストコーティング層表面の異物を確実に検出する
ことができ、フォトファブリケーション分野のレジスト
コーテイング後の基材の異物検出の自動化を可能とする
という効果を有している。
ーティング層を着色し、そのレジストコーティング層で
吸収される検出光を用いて基材表面を照射する構成とす
ることにより１ レジストコーティング層の下の金属基
板表面の凹凸による散乱光の発生を防止することができ
、レジストコーティング層表面の異物を確実に検出する
ことができ、フォトファブリケーション分野のレジスト
コーテイング後の基材の異物検出の自動化を可能とする
という効果を有している。
第１図は本発明方法により異物を検出する状態を説明す
る概略側面図、第２図は第１図の検出器による検出信号
レベルを示すグラフ、第３図は本発明方法の実施に使用
する異物検出装置を概略的に示す側面図、第４図はその
概略平面図であり、受光系を省略している。 第５図は第３図の装置の受光系を示す概略正面図、第６
図は従来技術を適用して基材の異物検査を行う状態を示
す概略側面図、第７図は第６図の受光系による検出信号
レベルを示すグラフである。 １１−基材、１ｌａ−金属基板、１１ｂ−レジスコーテ
ィング層、１２−検出光、１３−異物、１４散乱光、１
５−結像レンズ、１６−・・検出器。 ト 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第１ 図 １１・−基材 第２図 ｒ−ムーー、 へ・・ｎ（へ−）二＼′にミ
る概略側面図、第２図は第１図の検出器による検出信号
レベルを示すグラフ、第３図は本発明方法の実施に使用
する異物検出装置を概略的に示す側面図、第４図はその
概略平面図であり、受光系を省略している。 第５図は第３図の装置の受光系を示す概略正面図、第６
図は従来技術を適用して基材の異物検査を行う状態を示
す概略側面図、第７図は第６図の受光系による検出信号
レベルを示すグラフである。 １１−基材、１ｌａ−金属基板、１１ｂ−レジスコーテ
ィング層、１２−検出光、１３−異物、１４散乱光、１
５−結像レンズ、１６−・・検出器。 ト 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第１ 図 １１・−基材 第２図 ｒ−ムーー、 へ・・ｎ（へ−）二＼′にミ
Claims (1)
- 表面にレジストコーティング層を有する基材に対して
検出光を照射し、その表面からの散乱光の光量を測定し
て異物を検出する異物検査方法であって、前記レジスト
コーティング層を着色しておき、そのレジストコーティ
ング層によって吸収される波長の光を検出光として用い
ることを特徴とする異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2132035A JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2132035A JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426844A true JPH0426844A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15071981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2132035A Pending JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426844A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040862A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 異物検査装置および異物検査方法 |
| JP2009271473A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Hoya Corp | マスクブランクおよびマスクブランクの製造方法 |
| JP2010117504A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の表面検査方法、及び電子デバイス用基板上の電極パターン検査方法 |
| WO2019239501A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 株式会社エフケー光学研究所 | 異物検査装置及び異物検査方法 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2132035A patent/JPH0426844A/ja active Pending
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