JP2005291874A - パターンのムラ欠陥検査方法及び装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ムラ欠陥を明瞭に顕在化させて高精度に検出できること。
【解決手段】 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンが形成されたチップ５５を表面に備えたフォトマスク５０へ光を照射する照明装置１２と、上記フォトマスクのチップにおける繰り返しパターンの単位パターンのエッジ部にて生じた散乱光を受光して受光データに変換する受光器１３とを有し、この受光データを解析して繰り返しパターンに生じたムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査装置１０において、上記照明装置は、照明用光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光、例えば平行度が２°以内の光をフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射するものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、映像デバイスにおけるパターンのムラ欠陥を検出し、または映像デバイスのパターンを製造するためのフォトマスクにおけるパターンのムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査方法及びパターンのムラ欠陥検査装置に関する。

従来、撮像デバイス及び表示デバイス等の映像デバイス、或いは、それらを製造するためのフォトマスクにおいては、表面に形成されたパターンの検査項目としてムラ欠陥検査がある。ムラ欠陥とは、規則的に配列したパターンに、意図せずに発生した異なる規則性をもつエラーであり、製造工程等において何らかの原因により発生する。

撮像デバイスや表示デバイスにおいて、ムラ欠陥が存在すると、感度ムラ及び表示ムラが発生し、デバイス性能の低下につながる恐れがある。撮像デバイスや表示デバイスを製造する際に用いられるフォトマスクにおいても、フォトマスクのパターンにムラ欠陥が発生すると、そのムラ欠陥が映像デバイスのパターンに転写されるため、映像デバイスの性能が低下する恐れがある。

従来、上述のような映像デバイスのパターンやフォトマスクのパターンにおけるムラ欠陥は、通常微細な欠陥が規則的に配列していることにより、個々のパターンの形状検査においては検出できない場合が多いものの、領域全体として見たときに、他の部分と異なる状態となってしまうものである。そのため、ムラ欠陥検査は、目視による斜光検査等の外観検査によって主に実施されている。

しかしながら、この目視検査は、作業者によって検査結果にばらつきが発生するという問題があるため、例えば、特許文献１のようなムラ欠陥検査装置が提案されている。この特許文献１のムラ欠陥検査装置は、表面にパターンが形成された基板に光を照射し、パターンのエッジ部からの散乱光を、ＣＣＤラインセンサで感知することによってムラを検出するものである。
特開平１０−３００４４７号公報

特許文献１に記載のような従来のムラ欠陥検査装置では、照明装置内に設置される照明用光源として、蛍光灯やハロゲンランプなどが用いられるのが一般的である。ムラ欠陥検査装置では、照明装置から照射された光が繰り返しパターンにおける単位パターンのエッジ部で散乱することにより、繰り返しパターンの位置や大きさなどの不規則性を強調し、ムラ欠陥を可視化させることにより検出している。

しかし、照明用光源が蛍光灯やハロゲンランプ等のように方向性のない拡散光を照射する場合には、その光が単位パターンのエッジ部にて散乱する散乱光に方向性が与えられず、エッジ部以外の他の部分からの反射光等の影響が増加してしまうため、ムラ欠陥が顕在化されにくい。このため、従来のムラ欠陥検査装置ではムラ欠陥を高精度に検出できない恐れがある。

本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、ムラ欠陥を明瞭に顕在化させて高精度に検出できるムラ欠陥検査方法及び装置を提供することにある。

請求項１に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体へ光を照射し、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとし、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査方法において、上記被検査体へ照射する光は、光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光であることを特徴とするものである。

請求項２に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、請求項１に記載の発明において、上記被検査体へ照射する光は、平行度が２°以内の光であることを特徴とするものである。

請求項３に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、請求項１または２に記載の発明において、上記被検査体へ照射される光または上記被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択して抽出し、この選択して抽出された波長帯の光を用いてムラ欠陥を検出することを特徴とするものである。

請求項４に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とするものである。

請求項５に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体へ光を照射する照明装置と、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとする受光器とを有し、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査装置において、上記照明装置は、光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光を上記被検査体へ照射することを特徴とするものである。

請求項６に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項５に記載の発明において、上記照明装置は、平行度が２°以内の光を被検査体へ照射することを特徴とするものである。

請求項７に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項５または６に記載の発明において、上記照明装置における光源が、超高圧水銀ランプまたはキセノンランプであることを特徴とするものである。

請求項８に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項５乃至７のいずれかに記載の発明において、上記被検査体へ照射される光または上記被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択して抽出する選択抽出手段を備え、この選択して抽出された波長帯の光を用いてムラ欠陥を検出することを特徴とするものである。

請求項９に記載の発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置は、請求項５乃至８のいずれかに記載の発明において、上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とするものである。

請求項１、２、４、５、６、７または９に記載の発明によれば、照明装置が、光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光を被検査体へ照射することから、この被検査体におけるパターンのエッジ部にて反射して散乱する散乱光に方向性を与えることができ、その結果、この散乱光においてエッジ部以外の他の部分からの反射光等による影響が減少して、この散乱光の強弱が明確となるので、ムラ欠陥を明瞭に顕在化でき、当該ムラ欠陥を高精度に検出することができる。

請求項３または８に記載の発明によれば、被検査体へ照射される光または上記被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択して抽出し、この選択して抽出された波長帯の光を用いてムラ欠陥を検出することから、検査を必要とするムラ欠陥の種類に応じて光の波長帯を選択して抽出することで、対象となるムラ欠陥の顕在化を際立たせることができ、このムラ欠陥を高精度に検出できる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。
[Ａ] 第１の実施の形態（図１〜図４）
図１は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第１の実施の形態の概略構成を示す斜視図である。図２は、図１の照明装置を示す斜視図である。

この図１に示すムラ欠陥検査装置１０は、被検査体としてのフォトマスク５０の表面に形成された繰り返しパターン５１に発生するムラ欠陥を検出するものであり、ステージ１１、照明装置１２、受光器１３、解析装置１５及び選択抽出手段としての波長フィルタ１４を有して構成される。上記フォトマスク５０は、本実施の形態では、映像デバイスの一つである、例えばＣＣＤの受光部を製造するための露光マスクである。

ここで、上記映像デバイスとしては、撮像デバイスと表示デバイスが挙げられる。撮像デバイスは、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ＶＭＩＳ等の固体撮像装置が代表的なものであり、表示デバイスは、液晶表示装置、プラズマ表示装置、ＥＬ表示装置、ＬＥＤ表示装置、ＤＭＤ表示装置等が代表的なものである。フォトマスク５０は、これらの映像デバイスのいずれかを製造するためのものである。

上記フォトマスク５０は、ガラス基板等の透明基板５２上にクロム膜等の遮光膜が設けられ、この遮光膜が所望の繰り返しパターン５１(図４)で部分的に除去されたものであり、上記繰り返しパターン５１は、単位パターン５３が規則的に配列して構成されたものである。図１における符号５５は、繰り返しパターン５１が形成されてなるチップ５５を呈し、フォトマスク５０に５×５個程度設けられる。

このフォトマスク５０の製造方法としては、まず、透明基板５２上に遮光膜を形成し、この遮光膜上にレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜に描画機における電子線またはレーザのビームを照射して描画を施し、所定のパターンを露光する。次に、描画部と非描画部を選択的に除去してレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、この遮光膜に繰り返しパターン５１を形成し、最後に、残存レジストを除去してフォトマスク５０を製造する。

上述の製造工程では、電子線またはレーザのビームの走査により、レジスト膜に直接描画を施す際に、ビームの径やスキャン幅に依存して描画に繋ぎ目が生じ、この繋ぎ目に、描画不良によるエラーが描画単位ごとに周期的に発生することがあり、これが前記ムラ欠陥発生の一因となっている。

このムラ欠陥の一例を図４に示す。この図４では、ムラ欠陥領域を符号５４で示す。図４（Ａ）は、ビームによる描画の繋ぎ目に位置ずれが発生することによって、繰り返しパターン５１における単位パターン５３の間隔が部分的に異なってしまうことによるムラ欠陥を示す。図４（Ｂ）は、同じく、ビームによる描画の繋ぎ目に位置ずれが発生することによって、繰り返しパターン５１における単位パターン５３の位置が、他の単位パターンに対しずれてしまうことによるムラ欠陥を示す。これらの図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すムラ欠陥を座標位置変動系のムラ欠陥と称する。また、図４（Ｃ）及び（Ｄ）は、描画機のビーム強度がばらつくこと等によって、繰り返しパターン５１の単位パターン５３が部分的に細くなったり、太くなるムラ欠陥であり、これらのムラ欠陥を寸法変動系のムラ欠陥と称する。

さて、図１に示すムラ欠陥検査装置１０における前記ステージ１１は、フォトマスク５０を載置する台である。また、照明装置１２は、ステージ１１の一方側上方に配置されて、フォトマスク５０の表面の各チップ５５における繰り返しパターン５１(図４)へ斜め上方から光を照射するものである。この照明装置１２からフォトマスク５０へ照射される光は、図２に示すように、照明装置１２内に設置された照明用光源１６から発光され、平行光に近い方向性を持った光である。具体的には、この照明装置１２から照射される光は、照明用光源１６から発光された光を、平行度θが２°以内、好ましくは1°以内に、レンズまたはスリットなどにより調整された光である。ここで、上記平行度とは、直進する光に対して光が広がる角度を言う。尚、この照明装置１２から照射される光、及び上記照明用光源１６については後に詳説する。

前記受光器１３は、図１に示すように、ステージ２１の他方側上方に配置されて、フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１(図４)から反射された反射光、特に繰り返しパターン５１の単位パターン５３のエッジ部にて散乱された散乱光を受光して受光データに変換するものである。例えば、この受光器１３は、ＣＣＤラインセンサまたはＣＣＤエリアセンサ等の撮像センサが用いられる。受光器１３により変換された受光器データは、前記解析装置１５により解析される。つまり、フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１にムラ欠陥が生じていると、受光データの規則性に乱れが生ずるので、解析装置１５はこの規則性の乱れを解析することでムラ欠陥を検出する。

前記波長フィルタ１４は、照明装置１２から照射される光から所望の波長帯の光を抽出して選択し、この抽出して選択した波長帯の光をフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ導くものである。フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１に発生するムラ欠陥は、例えば図４に示すように複数種類存在し、ムラ欠陥検査装置１０においては、ムラ欠陥の種類ごとに、高感度に検出され得る波長帯の光が存在する。従って、波長フィルタ１４により選択され抽出される波長帯の光は、検査を必要とするムラ欠陥の種類に応じて決定され、この検査を必要とする種類のムラ欠陥を高感度に検出し得る波長帯の光である。

例えば、繰り返しパターン５１に図４（Ａ）及び（Ｂ）に示す座標変動系のムラ欠陥が存在する場合には、青色光（４４０〜５００ｎｍ付近の光）を用いると、このムラ欠陥が高感度に検出されるので、波長フィルタ１４は、照明装置１２から照射される光から青色光を選択して抽出し、この青色光を用いて上記座標変動系のムラ欠陥を高精度に検出可能とする。また、繰り返しパターン５１に図４（Ｃ）及び（Ｄ）に示す寸法変動系のムラ欠陥が存在する場合には、緑色光（５００〜５７０ｎｍの光）を用いるとこのムラ欠陥が高感度に検出されるので、波長フィルタ１４は、照明装置１２から照射される光から緑色光を選択して抽出し、この緑色光を用いて上記寸法変動系のムラ欠陥を高精度に検出可能とする。更に、赤色光（６２０〜７００ｎｍの光）を用いる方が高感度に検出され得るムラ欠陥の場合には、波長フィルタ１４は、照明装置１２から照射される光から赤色光を選択して抽出する。

尚、波長フィルタ１４は、フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１から反射されて散乱した散乱光を受光器１３が受光する手前に配置され、この散乱光から所望の波長帯の光を一または複数抽出して選択し受光器１３へ導くようにしてもよい。また、抽出選択手段は、上記波長フィルタ１４に限らず、カラーフィルタを含むバンドパスフィルタであってもよい。

ところで、前述のごとく、前記照明装置１２により、平行光に近い方向性を持った光に調整された光を発光する照明用光源１６は、複色光を発光する光源であり、レーザ光のような単波長の光を発光する光源は除かれる。また、光源としては蛍光灯、ハロゲンランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプなどが挙げられるが、蛍光灯やハロゲンランプなどは発光点が多数あるため平行光線が作りにくく、また、超高圧水銀ランプやキセノンランプは、点光源（正確には２点光源）であるため平行光線が作り易い。この平行光線を作りやすい観点から、本実施の形態における上記照明用光源１６は、超高圧水銀ランプまたはキセノンランプが好ましい。

また、照明装置１２が、照明用光源１６から発光された光を平行光に近い方向性をもった光、即ち平行度θが２°以内の光に調整して、フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射することから、この繰り返しパターン５１における各単位パターン５３（図４）のエッジ部で反射して散乱する散乱光に方向性を与えることが可能となり、この散乱光にはエッジ部以外の他の部分から反射した反射光等による影響が減少して、その散乱光の強弱が明確になるので、繰り返しパターン５１のムラ欠陥が明瞭に顕在化され可視化される。

例えば、繰り返しパターン５１に図４（Ｃ）または（Ｄ）に示す寸法変動系のムラ欠陥が生じて、フォトマスク５０のチップ５５が図３（Ａ）に示す縞模様に見えるムラ欠陥を呈する場合、照明装置１２の照明用光源１６がハロゲンランプで、平行度θが１０°以内となるように調整された光を照明装置１２が繰り返しパターン５１へ照射したときには、この繰り返しパターン５１の単位パターン５３のエッジ部にて散乱する散乱光に、エッジ部以外の他の部分から反射した反射光等による影響が多くなり、この散乱光の強弱が不明確となる。このため、受光器１３による受光データβは、図３（Ｃ）に示すようにフラットとなり、ムラ欠陥が顕在化されない。これは、照明装置１２から照射される光が０〜１０°の広範囲において様々な平行光の光を含むため、エッジ部で散乱する散乱光及び他の部分から反射する反射光が様々な角度を有することになり、それぞれの光が混合して識別が困難となるからである。

これに対し、フォトマスク５０のチップ５５が同様に縞模様に見えるムラ欠陥を呈する場合、照明装置１２の照明用光源１６が超高圧水銀ランプで、平行度θが０．６°以内となるように調整された光を照明装置１２がフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射したときには、この繰り返しパターン５１の単位パターン５３のエッジ部にて散乱する散乱光に、エッジ部以外の他の部分から反射した反射光等による影響が少なくなり、この散乱光の強弱が明確になる。このため、受光器１３による受光データαは、図３（Ｂ）に示すように、ムラ欠陥が生じた位置において急激に変化し、ムラ欠陥を顕在化することが可能となる。従って、解析装置１５は、ムラ欠陥の顕在化された上記受光データαを解析することで、このムラ欠陥を高精度に検出することが可能となる。

尚、図３（Ｂ）における照明用光源１６としての超高圧水銀ランプでは、図３（Ｃ）における照明用光源１６としてのハロゲンランプへ供給したと同一量の電気エネルギーが供給されたものである。また、図３（Ｂ）及び（Ｃ）のグラフにおいて、横軸はフォトマスク５０のチップ５５における原点からの距離を示し、縦軸は、受光データにおけるムラ検出濃度を示す。

また、照明装置１２が、平行光に近い光をフォトマスク５０におけるチップ５５の繰り返しパターン５１へ照射することによって、照明装置１２から照射される光の照射エネルギーを減少させることなく、光が照射された部分の光量分布（以下、単に「光量分布」と称する）を低く抑えることが可能となる。

即ち、蛍光灯やハロゲンランプなどのような光源では拡散光が照射され、この拡散光の場合、上記光量分布を低く抑えるためには、照明装置から照射される照射エネルギーを減少させる必要がある。しかし、照射エネルギーを減少すると、受光器１３が単位パターン５１のエッジ部で散乱する散乱光を受光する感度が低下して、ムラ欠陥の検出精度が低下してしまう。これに対し、上述のように、照明装置１２から繰り返しパターン５１へ平行光に近い光を照射することで、照明装置１２から照射される光の照射エネルギーを高い状態に保持したまま、上記光量分布を抑制できるので、受光器１３による散乱光の受光感度を良好に維持しつつ、この受光器１３による受光データにおいて強度的ばらつきを抑制することが可能となる。

次に、ムラ欠陥検査装置１０を用いてフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１に生じたムラ欠陥の検出方法を説明する。
フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照明装置１２から光を照射し、チップ５５の繰り返しパターン５１から反射した光を受光器１３が受光して受光データとし、解析装置１５がこの受光データを解析して、繰り返しパターン５１に生じたムラ欠陥を検出する。このとき、照明装置１２からは、照明用光源１６にて発光され、平行光に近い方向性をもった光、つまり平行度θが２°以内の光がフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ向かって照射される。しかも、この照射光は、波長フィルタ１４によりムラ欠陥の種類に応じて、このムラ欠陥を高感度に検出し得る光が選択されて抽出され、チップ５５の繰り返しパターン５１へ照射される。

以上のように構成されたことから、上記実施の形態によれば次の効果（１）及び（２）を奏する。
（１）照明装置１２が、照明用光源１６から発光され、平行光に近い方向性を持った光をフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射することから、この繰り返しパターン５１における単位パターン５３のエッジ部にて反射して散乱する散乱光に方向性を与えることができる。その結果、この散乱光のノイズが減少して、この散乱光の強弱が明確になるので、繰り返しパターン５１に生じたムラ欠陥を明瞭に顕在化でき、ムラ欠陥検出装置１０は当該ムラ欠陥を高精度に検出することができる。

（２）波長フィルタ１４が、照明装置１２からフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射される光から所望の波長帯の光を選択して抽出し、この選択して抽出された波長帯の光を受光器１３が受光して受光データに変換し、解析装置１５が受光データを解析してムラ欠陥を検出することから、波長フィルタ１４により、検査を必要とするムラ欠陥の種類に応じて波長帯の光を選択して抽出することで、対象となるムラ欠陥の顕在化を際立たせることができ、このムラ欠陥をより一層高精度に検出できる。

［Ｂ］第２の実施の形態（図５）
図５は、本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第２の実施の形態を示す斜視図である。この第２の実施の形態において、前記第１の実施の形態と同様な部分は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。

この第２の実施の形態のムラ欠陥検査装置２０は、照明装置１２をフォトマスク５０の下方に配置したものである。従って、受光器１３は、照明装置１２から照射され、フォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１間を透過する透過光、特にこの透過光のうち、単位パターン５５のエッジ部で回析された回析光を受光し、受光データに変換する。

この第２の実施の形態においても、照明装置１２は、照明用光源１６において発光され、平行光に近い方向性をもった光、例えば平行度θが２°以内、好ましくは１°以内の光をフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１へ照射する。また、このムラ欠陥検査装置２０においても、照明装置１２から照射されてフォトマスク５０のチップ５５へ向かう光、またはフォトマスク５０のチップ５５における繰り返しパターン５１間を透過した光から、波長フィルタ１４が所望の波長帯の光、つまり、繰り返しパターン５１に生じたムラ欠陥を高精度に検出し得る波長帯の光を抽出して選択する。従って、この第２の実施の形態においても、上記第１の実施の形態の効果（１）及び（２）と同様な効果を奏する。

以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、上記実施の形態では被検査体がフォトマスク５０であり、ムラ欠陥検査装置１０、２０は、映像デバイスを製造するための上記フォトマスク５０の繰り返しパターン５１に発生したムラ欠陥を検出したものを述べたが、この被検査体は、撮像デバイスや表示デバイス等の映像デバイスであってもよい。この場合には、ムラ欠陥検査装置１０、２０は、撮像デバイスにおける撮像面を形成する画素パターン（具体的には、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の受光部を形成する繰り返しパターン）に生じたムラ欠陥、表示デバイスにおける表示面を形成する画素パターン（具体的には、液晶表示パネルの薄膜トランジスタや対向基板、カラーフィルタ等の繰り返しパターン）に生じたムラ欠陥を、それぞれ検出するものであってもよい。

本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第１の実施の形態の概略構成を示す斜視図である。 図１の照明装置を示す斜視図である。 （Ａ）は、図１のフォトマスクにおけるチップに生じた縞模様に見えるムラ欠陥を示す図、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図３（Ａ）のムラ欠陥の一部拡大図と、その解析結果を示すグラフである。 図１のフォトマスクにおけるチップに形成された繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を示し、（Ａ）及び（Ｂ）が座標変動系のムラ欠陥を、（Ｃ）及び（Ｄ）が寸法変動系のムラ欠陥をそれぞれ示す図である。 本発明に係るパターンのムラ欠陥検査装置における第２の実施の形態を示す斜視図である。

符号の説明

１０ ムラ欠陥検査装置（パターンのムラ欠陥検査装置）
１２ 照明装置
１３ 受光器
１４ 波長フィルタ（選択抽出手段）
１６ 照明用光源
２０ ムラ欠陥検査装置（パターンのムラ欠陥検査装置）
５０ フィルタマスク（被検査体）
５１ 繰り返しパターン
５３ 単位パターン
５４ ムラ欠陥領域
５５ チップ
θ 平行度

Claims (9)

1. 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体へ光を照射し、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとし、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査方法において、
   上記被検査体へ照射する光は、光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光であることを特徴とするパターンのムラ欠陥検査方法。
2. 上記被検査体へ照射する光は、平行度が２°以内の光であることを特徴とする請求項１に記載のパターンのムラ欠陥検査方法。
3. 上記被検査体へ照射される光または上記被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択して抽出し、この選択して抽出された波長帯の光を用いてムラ欠陥を検出することを特徴とする請求項１または２に記載のパターンのムラ欠陥検査方法。
4. 上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のパターンのムラ欠陥検査方法。
5. 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを表面に備えた被検査体へ光を照射する照明装置と、上記被検査体からの反射光または透過光を受光して受光データとする受光器とを有し、この受光データを解析して上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するパターンのムラ欠陥検査装置において、
   上記照明装置は、光源から発光され、平行光に近い方向性をもった光を上記被検査体へ照射することを特徴とするパターンのムラ欠陥検査装置。
6. 上記照明装置は、平行度が２°以内の光を被検査体へ照射することを特徴とする請求項５に記載のパターンのムラ欠陥検査装置。
7. 上記照明装置における光源が、超高圧水銀ランプまたはキセノンランプであることを特徴とする請求項５または６に記載のパターンのムラ欠陥検査装置。
8. 上記被検査体へ照射される光または上記被検査体から導かれた光から所望の波長帯の光を選択して抽出する選択抽出手段を備え、この選択して抽出された波長帯の光を用いてムラ欠陥を検出することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のパターンのムラ欠陥検査装置。
9. 上記被検査体が映像デバイス、またはこの映像デバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載のパターンのムラ欠陥検査装置。

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