KR20190101301A - 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법 - Google Patents

펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법 Download PDF

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Abstract

펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 UV(ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 EUV(extreme ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계, 및 상기 UV 광에 의해 검출된 결함들 중에서, 상기 EUV 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장하는 단계를 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법이 제공될 수 있다.
또한, UV 광 및 EUV 광에 의해 검출 가능한 제1 타입 결함, 및 상기 UV 광에 의해 검출되고 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않는 제2 타입 결함에 대한 정보를 갖는 데이터 베이스를 준비하는 단계, 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여 결함을 검출하는 단계, 및 상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함 또는 상기 제2 타입 결함 중에서 어느 것에 해당되는지 판단하는 단계를 포함하는 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법이 제공될 수 있다.

Description

펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법{Construction method of database for pellicle membrane inspection and Method of inspecting pellicle membrane using the database}
본 발명은 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법에 관련된 것으로, 상세하게는, UV(ultraviolet) 광 및 EUV(extreme ultraviolet) 광에 의해 검출된 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 검사 데이터베이스 구축 방법, 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법과 관련된 것이다.
EUV(extreme ultraviolet) 노광 공정은 수 나노미터 이하 노드 반도체(node semiconductor) 양산 공정에 적용 가능한 유일한 차세대 반도체 노광 기술이다. 상기 EUV 노광 공정에서 사용되는 13.5 nm의 파장은, 종래의 노광 공정에서 사용되는 193 nm의 파장과는 다르게, 자연계의 대부분의 물질에서 높은 소광계수를 나타낸다. 이러한 EUV 광의 특성으로 인하여, 노광 공정 중에 발생하는 결함이나 오염은 패턴 형성과정에서 치명적인 영향을 미칠 수 있다. 상기 EUV 노광 공정의 성공적인 양산을 위해서는, 공정 상의 수율 향상이 필수적이기 때문에, 공정 중 발생하는 오염물질의 유입을 방지하여 마스크의 오염을 막는 펠리클의 개발이 반드시 필요하다.
현재까지 EUV 노광 공정용 펠리클은 초기 연구 단계에 있으며, 상기 EUV 노광 공정용 펠리클의 기본 특성에 대한 검사 기술 조차 확립되지 않은 상태이다. 이러한 이유로, 종래에는 UV(ultraviolet)를 이용해 노광 공정용 펠리클 및 마스크를 검사하는 방법이 사용되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허 등록 공보 KR100719373B1(출원번호: 10-2005-0073884, 출원인: 삼성전자주식회사)에는, 레티클과 펠리클이 분리되어 상기 레티클은 레티클 척의 상면에 탑재되고 상기 펠리클은 상기 레티클 척의 하면에 탈착가능하게 고정된 레티클 스테이지를 이용한 펠리클 검사 방법에 있어서, 상기 레티클에 UV를 조사하여 웨이퍼를 노광하는 단계, 상기 레티클과 상기 펠리클 사이의 공간에 퍼징 가스를 도입시켜 상기 공간을 퍼징시키는 단계, 상기 레티클을 상기 레티클 척으로부터 분리시켜 세정하는 단계, 상기 펠리클을 상기 레티클 척으로부터 분리시키는 단계, 상기 펠리클의 UV 투과율을 검사하는 단계와 상기 펠리클의 UV 투과율이 양호한 경우 상기 펠리클을 상기 레티클 척의 하면으로 이동시켜 고정시키는 단계, 및 상기 펠리클의 UV 투과율이 불량한 경우 상기 펠리클을 교체하는 단계를 포함하는 펠리클 검사 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상술된 바와 같이, 자연계의 대부분의 물질에서 높은 소광계수를 나타내는, 상기 EUV 광의 독특한 특성으로 인하여, 종래의 노광 공정에 사용되는 193 nm 파장을 이용하는 것은, 상기 EUV 노광 공정용 펠리클의 성능을 평가하는 데에 한계가 있다. 상기 EUV 노광 공정용 펠리클은, 상기 EUV 광에 대한 투과만 가능하도록 설계되었기 때문에, 노광 파장과 같은 파장인 13.5 nm의 EUV 광을 사용하는 경우에 한해서, 상기 EUV 노광 공정용 펠리클에 대한 정확한 검사가 가능하다. 이는 EUV 노광 공정이 반도체 양산 공정에 적용되기 위해서는 반드시 선행 연구되어야 하는 기술이다.
EUV 광을 이용해, 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 검사하는 기술은, 결함 검출 성능에 있어서 탁월하지만, 좁은 검사 면적과 느린 검사 속도로 인해 생산성 면에서 한계가 존재한다. 이에 따라, 펠리클 멤브레인의 대면적을 고속으로 정확하게 검사하는 방법이 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, UV(ultraviolet) 광에 의해 검출된 결함들 중에서, EUV(extreme ultraviolet) 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, UV 광에 의한 검사만으로도, EUV 광에 의해 검출되는 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 예측이 가능한 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 대면적을 고속으로 정확하게 검사하는 것이 가능한 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 시간 및 비용을 절약할 수 있어, 경제성 및 생산성이 향상된 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상술된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법은, 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 UV(ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 EUV(extreme ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계, 및 상기 UV 광에 의해 검출된 결함들 중에서, 상기 EUV 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적이 더 넓을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 선형으로 조사할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 복수의 LED(light emitting diode) 광원 유닛이 일렬로 배치된, LED 모듈에 의해 상기 UV 광이 선형으로 조사될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간이 더 짧을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들은, 결함 종류, 크기 또는 위치 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 제1 타입 결함 및 상기 제2 타입 결함으로 구별되어 데이터베이스로 저장될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클은 이동 가능한 스테이지 상에 배치되고, 상기 스테이지의 이동에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함이 영상으로 검출될 수 있다.
또한, 상술된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 제공한다
일 실시 예에 따르면, 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법은, UV 광 및 EUV 광에 의해 검출 가능한 제1 타입 결함, 및 상기 UV 광에 의해 검출되고 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않는 제2 타입 결함에 대한 정보를 갖는 데이터 베이스를 준비하는 단계, 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여 결함을 검출하는 단계, 및 상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함 또는 상기 제2 타입 결함 중에서 어느 것에 해당되는지 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 타입 결함으로 분류되는 경우, 최종적 결함인 것으로 판단될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 타입 결함으로 분류되는 경우, 최종적 결함이 아닌 것으로 판단될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, UV(ultraviolet) 광에 의해 검출된 결함들 중에서, EUV(extreme ultraviolet) 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법, 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법이 제공될 수 있다.
상기 제1 타입 및 제2 타입 결함으로 분류되는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스가 구축됨에 따라, 상기 데이터베이스를 이용해 EUV 광을 조사하지 않고도, UV 광을 조사하는 것만으로, 용이하게 EUV 광에 의해 검출되는 펠리클 멤브레인의 결함을 예측하는 것이 가능하다. 또한, 펠리클 멤브레인의 대면적을 고속으로 정확하게 검사하여, 시간 및 비용을 절약할 수 있어, 경제성 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 UV(ultraviolet) 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 UV 검사 장치의 LED(light emitting diode) 모듈의 실사이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 EUV(extreme ultraviolet) 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 UV 검사 장치를 이용해 측정된 펠리클 멤브레인의 결함들을 나타내는 이미지이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 검사 장치를 이용해 측정된 펠리클 멤브레인의 결함들을 나타내는 이미지이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 UV 검사 장치의 성능을 나타내는 사진이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 검사 장치의 성능을 나타내는 사진이다.
도 12 및 도 13은 오염된 펠리클이 마스크 패턴 이미징에 미치는 효과를 나타내는 사진 및 그래프이다.
도 14 및 도 15는 마스크 패턴 이미징에 영향을 미치는 펠리클 오염원의 임계 크기를 확인하는 사진이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 UV(ultraviolet) 검사 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 UV 검사 장치의 LED(light emitting diode) 모듈의 실사이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 EUV(extreme ultraviolet) 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클(100)을 준비할 수 있다(S110).
상기 펠리클(100)은 제1 펠리클 스테이지(20) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 펠리클 스테이지(20)는, 제1 스테이지(21), 제1 지지부(22) 및 제2 지지부(23)를 포함할 수 있다.
상기 제1 펠리클 스테이지(20)는, 상기 제2 지지부(23) 상에 상기 제1 지지부(22)가 제공되고, 상기 제1 지지부(22) 상에 상기 제1 스테이지(21)가 제공되어, 상기 제2 지지부(23), 상기 제1 지지부(22), 및 상기 제1 스테이지(21)가 차례로 적층된 구조로 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 지지부(22)는 제1 방향(x 방향)으로 연장될 수 있고, 상기 제2 지지부(23)는 제2 방향(y 방향)으로 연장될 수 있다.
상기 펠리클(100)은, 상기 제1 펠리클 스테이지(20)의 상기 제1 스테이지(21)의 상부면 상에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 측정하고자 하는 상기 펠리클 멤브레인의 위치에 따라, 상기 제1 스테이지(21)가 상기 제1 지지부(22) 상에서, 상기 제1 방향(x 방향)으로 이동될 수 있다. 또한, 측정하고자 하는 상기 펠리클 멤브레인의 위치에 따라, 상기 제1 스테이지(21)가 상부면에 제공된 상기 제1 지지부(22)가, 상기 제2 지지부(23) 상에서, 상기 제2 방향(y 방향)으로 이동됨에 따라, 측정하고자 하는 상기 펠리클 멤브레인의 위치가 용이하게 조절될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같이, 상기 펠리클(100)이, 상기 제1 및 제2 방향(x 방향 및 y 방향)으로 이동 가능한, 상기 제1 및 제2 지지부(22, 23)를 포함하는, 상기 제1 펠리클 스테이지(20) 상에 배치되고, 상기 제1 펠리클 스테이지(20) 상의 상기 제1 및 제2 지지부(22, 23)의 이동에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 영상으로 검출되어, 상기 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스를 용이하게 구축할 수 있다.
상기 펠리클 멤브레인에 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출할 수 있다(S120). 다시 말해, UV 광원부(10)에 의해 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광이 조사되고, UV 검출부(30)에 의해 상기 펠리클 멤브레인 상에서 반사 및 산란된 UV 광이 수집 및 측정될 수 있다. 구체적으로, 반사 및 산란된 상기 UV 광을 수집 및 측정하는 단계는, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하는 단계, 및 상기 UV 검출부(30)가 반사 및 산란된 상기 UV 광을 수집 및 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하는 단계는, 상기 UV 광원부(10)에서 발생된 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 것을 포함할 수 있다. 상기 UV 광원부(10)에서 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 상기 UV 광의 파장은, 종래의 UV 노광 공정용 노광기에서 발생하는 광원의 파장과 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 UV 광원부(10)에서 발생된 상기 UV 광의 파장은, 약 365 nm일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하는 단계는, 복수의 LED 광원 유닛이 일렬로 배치된, LED 모듈에 의해 상기 UV 광이 선형으로 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 후술되는 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적이 더 넓을 수 있다. 또한, 후술되는 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간이 더 짧을 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 LED 모듈을 사용하는 경우, 상기 UV 광이 선형으로 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 것에 따라, 짧은 시간 내에 상기 펠리클 멤브레인의 대면적을 검사하는 것이 가능하므로, 상기 펠리클 멤브레인의 결함 검사에 있어서 시간 및 비용을 절약할 수 있어, 경제성이 향상될 수 있다.
또한 상기 UV 광원부(10)는, 상기 UV 광원부(10)로부터 상기 펠리클 멤브레인으로 조사되는 상기 UV 광의 경로, 및 상기 펠리클 멤브레인 상에서 상기 UV 검출부(30)로 산란되는 상기 UV 광의 경로에, 상기 UV 광의 경로 조절을 위한 광학 렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 UV 검출부(30)가 상기 UV 광을 수집 및 측정하는 단계는, 상기 UV 검출부(30)에 의해, 상기 펠리클 멤브레인 상에서 반사 및 산란된 상기 UV 광의 발광강도가 측정되는 것을 포함할 수 있다. 상기 UV 검출부(30)에서 측정된 상기 UV 광의 상기 발광강도는, 후술되는 EUV 검출부(70)에서 측정된 EUV 광의 발광강도와 함께 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 결함 검출에 이용될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 UV 검출부(30)는 대물 렌즈(objective lens), 영상 렌즈(image lens), 및 라인 카메라(line camera)를 포함할 수 있다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 펠리클 멤브레인에 EUV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출할 수 있다(S130).
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 멤브레인에, 상기 UV 광을 조사하는 단계와, 상기 EUV 광을 조사하는 단계는 서로 다른 검사 장치에서 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하는 단계 이후에, 상기 페리클(100)은 상기 EUV 광을 조사하는 EUV 검사 장치로 이동될 수 있다.
상기 EUV 검사 장치로 이동된 상기 펠리클(100)은, 다층 박막 거울(50) 상에 위치한 제2 펠리클 스테이지(60) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 펠리클 스테이지(60)는, 상기 펠리클(100)을 상기 다층 박막 거울(50)과 이격 배치시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(100) 및 상기 다층 박막 거울(50)의 직접적인 접촉에 의한 상기 다층 박막 거울(50)의 오염 및/또는 손상을 최소화할 수 있다.
상기 제2 펠리클 스테이지(60)는, 제2 스테이지(61), 제3 스테이지(62), 제3 및 제4 지지부들(63), 및 제5 및 제6 지지부들(64)를 포함할 수 있다.
상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62)는, 상기 다층 박막 거울(50)의 제1 및 제2 측면(sidewall) 상에 배치되고, 서로 마주보며, 상기 제1 방향(x 방향)으로 연장될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62)는, 상기 제1 및 제2 방향(x 방향, y 방향)에 직각인 제3 방향(z 방향)으로 이동할 수 있다. 상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62)가 상기 제3 방향(z 방향)으로 이동됨에 따라, 상기 다층 박막 거울(50)과 상기 펠리클(100) 사이의 간격이 용이하게 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 다층 박막 거울(50)과 상기 펠리클(100) 사이의 간격은, 0.5 내지 5 mm일 수 있다.
상기 제3 및 제4 지지부들(63)은, 상기 제2 펠리클 스테이지(60) 상에 배치되는 상기 펠리클(100)과 직접 접촉되는 부분으로, 상기 제2 스테이지(61)의 상부면에 배치되고, 상기 제3 스테이지(62)를 향하여 상기 제2 방향(y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한 상기 제3 및 제4 지지부들(63)은, 상기 제1 방향(x 방향)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4 지지부들(63)은, 상기 제2 스테이지(61) 상에서 상기 제1 및 제2 방향(x 방향 및 y 방향)으로 이동할 수 있다. 상기 제3 및 제4 지지부들(63)이 상기 제1 방향(x 방향)으로 이동됨에 따라, 상기 제3 및 제4 지지부들(63) 사이의 간격이 용이하게 조절될 수 있다. 또한, 상기 제3 및 제4 지지부들(63)이 상기 제2 방향(y 방향)으로 이동됨에 따라, 상기 제3 및 제4 지지부들(63)과 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격이 용이하게 조절될 수 있다.
상기 제5 및 제6 지지부들(64)은, 상기 제3 및 제4 지지부들(63)과 마찬가지로, 상기 제2 펠리클 스테이지(60) 상에 배치되는 상기 펠리클(100)과 직접 접촉되는 부분으로, 상기 제3 스테이지(62)의 상부면에 배치되고, 상기 제2 스테이지(61)를 향하여 상기 제2 방향(y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제5 및 제6 지지부들(64)은, 상기 제1 방향(x 방향)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제5 및 제6 지지부들(64)은, 상기 제2 스테이지(32) 상에서 상기 제1 및 제2 방향(x 방향 및 y 방향)으로 이동할 수 있다. 상기 제5 및 제 6 지지부들(64)이 상기 제1 방향(x 방향)으로 이동됨에 따라, 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격이 용이하게 조절될 수 있다. 또한, 상기 제5 및 제6 지지부들(64)이 상기 제2 방향(y 방향)으로 이동됨에 따라, 상기 제3 및 제4 지지부들(63)과 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격이 용이하게 조절될 수 있다.
이에 따라, 상술된 바와 같이, 측정하고자 하는 상기 펠리클(100)의 크기에 따라, 상기 펠리클(100)이 직접 접촉되어 배치되는 상기 제3 및 제4 지지부들(63) 사이의 간격, 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격, 상기 제3 및 제5 지지부들(63, 64) 사이의 간격, 및 상기 제4 및 제6 지지부들(63, 64) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 다시 말해서, 측정하고자 하는 상기 펠리클(100)의 크기에 따라, 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64) 사이의 간격들이 용이하게 조절되어, 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)의 위치가 결정될 수 있다.
상기 펠리클(100)은, 상기 제2 펠리클 스테이지(60)의 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)의 상부면 상에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 측정하고자 하는 상기 펠리클(100)의 크기에 따라, 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)이 상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62) 상에서, 상기 제1 방향(x 방향)으로 이동되어, 상기 제3 및 제4 지지부들(63) 사이의 간격 및 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 및 제4 지지부들(63) 사이의 간격 및 상기 제5 및 제6 지지부들(64) 사이의 간격은, 0 내지 100 mm일 수 있다.
또한, 상기 펠리클(100)의 크기에 따라, 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)이 상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62) 상에서 상기 제2 방향(y 방향)으로 이동되어, 상기 제3 및 제5 지지부들(63, 64) 사이의 간격 및 상기 제4 및 제6 지지부들(63, 64) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 및 제5 지지부들(63, 64) 사이의 간격 및 상기 제4 및 제6 지지부들(63, 64) 사이의 간격은, 0 내지 100 mm일 수 있다.
또한, 상기 제2 및 제3 스테이지(61, 62)가 상기 제3 방향(z 방향)으로 이동되어, 상기 다층 박막 거울(50) 및 상기 펠리클(100) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 다층 박막 거울(50)과 상기 펠리클(100) 사이의 간격은, 0.5 내지 5 mm일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같이, 상기 펠리클(100)이 상기 제1, 제2, 및 제3 방향(x 방향, y 방향, 및 z 방향)으로 이동 가능한 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)을 포함하는 상기 제2 펠리클 스테이지(60) 상에 배치되고, 상기 제2 펠리클 스테이지(60) 상의 상기 제3 내지 제6 지지부들(63, 64)의 이동에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 영상으로 검출되어, 상기 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스를 용이하게 구축할 수 있다.
EUV 광원부(40)에 의해 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광이 조사되고, EUV 검출부(70)에 의해 상기 펠리클 멤브레인을 투과한 후 상기 다층 박막 거울(50)에 반사되어 상기 펠리클 멤브레인에 재투과된 EUV 광이 수집 및 측정될 수 있다. 구체적으로, 재투과된 상기 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계는, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광을 조사하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인을 투과한 상기 EUV 광을 상기 다층 박막 거울(50)이 상기 펠리클 멤브레인에 재투과시키는 단계, 및 상기 EUV 검출부(70)가 재투과된 상기 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광을 조사하는 단계는, 상기 EUV 광원부(40)에서 발생된 상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 것을 포함할 수 있다. 상기 EUV 광원부(40)에서 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 상기 EUV 광의 파장은, 종래의 EUV 노광 공정용 펠리클 투과도 측정 장치에서 사용되는 노광기에서 발생하는 광원의 파장과 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 광원부(40)에서 발생된 상기 EUV 광의 파장은, 약 13.5nm일 수 있다.
또한, 상기 EUV 광원부(40)에 포함된 광학 렌즈를 통해 광의 경로가 조절되므로, 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 상기 EUV 광의 입사각은, 종래의 EUV 노광 공정용 펠리클 투과도 측정 장치에서 사용되는 노광기에 의해 펠리클에 조사되는 광원의 입사각과 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 상기 EUV 광의 입사각은, 약 6°일 수 있다.
상기 펠리클 멤브레인을 투과한 상기 EUV 광을 상기 다층 박막 거울(50)이 상기 펠리클 멤브레인에 재투과시키는 단계는, 상기 펠리클 멤브레인을 투과한 상기 EUV 광의 적어도 일부가 상기 다층 박막 거울(50)에 의해 반사되어, 상기 펠리클 멤브레인을 재투과하는 것을 포함할 수 있다.
상기 EUV 검출부(70)가 상기 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계는, 상기 EUV 검출부(70)에 의해, 상기 다층 박막 거울(50)로부터 반사되어 상기 펠리클 멤브레인을 재투과한 상기 EUV 광의 발광강도가 측정되는 것을 포함할 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 EUV 검출부(70)에서 측정된 상기 EUV 광의 상기 발광강도는, 상기 펠리클(100)이 상기 EUV 검사 장치에 배치되기 전, 상기 UV 검출부(30)에서 측정된 상기 UV 광의 상기 발광강도와 함께 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 결함 검출에 이용될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라, 상기 다층 박막 거울(50)을 이용하여, 상기 펠리클 멤브레인에 투과된 상기 EUV 광을 상기 펠리클 멤브레인에 재투과시키는 반사형 구조의 상기 펠리클 검사 장치는, 상기 펠리클(100)에 상기 마스크가 부착되는 경우, 상기 마스크의 이미지 전사 특성이 용이하게 평가될 수 있다. 반면, 본 발명의 실시 예와는 달리, 종래의 투과형 구조의 EUV 노광 공정용 펠리클 투과도 측정 장치의 경우, 상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 한번만 투과되므로, 상기 펠리클(100)에 상기 마스크가 부착되는 경우, 상기 마스크의 이미지 전사 특성 평가가 불가능할 수 있다.
상기 UV 광에 의해 검출된 결함들 중에서, 상기 EUV 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장할 수 있다(S140).
다시 말해, 상기 UV 광 및 EUV 광을 통해 상기 펠리클 멤브레인의 발광강도를 측정함으로써, 상기 펠리클 멤브레인의 불량 여부가 평가될 수 있다. 구체적으로, S120 단계에서, 상기 UV 검출부(30)에 의해 측정된 UV 광의 상기 발광강도에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 선별할 수 있고, S130 단계에서, 상기 EUV 검출부(70)에 의해 측정된 상기 EUV 광의 상기 발광강도에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 최종 검출할 수 있다.
상기 펠리클 멤브레인의 결함들은, 결함 종류, 크기 또는 위치 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 제1 타입 결함 및 상기 제2 타입 결함으로 구별되어 데이터베이스로 저장될 수 있다. 예를 들어, 크기에 따라 상기 제1 타입 결함 및 상기 제2 타입 결함으로 구별되는 경우, 수백 마이크로미터 크기의 제1 결함 및 수 마이크로미터 크기의 제2 결함이, 상기 펠리클 멤브레인 상에 존재하고, 본 발명에 따라 상기 UV 광을 조사하여, 상기 제1 및 제2 결함이 검출될 수 있다. 이후, 상기 제1 및 제2 결함이 검출된 영역에 한해서, 본 발명에 따라 상기 EUV 광을 조사하여, 상기 제1 결함이 재검출되는 반면, 상기 제2 결함이 재검출되지 않을 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 결함은 상기 제1 타입 결함으로 분류되어 데이터베이스로 저장되고, 상기 제2 결함은 상기 제2 타입 결함으로 분류되어 데이터베이스로 저장될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, S130 단계에서, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광이 조사되는 영역은, S120 단계에서, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출된 영역에 한정될 수 있다. 다시 말해, 상기 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 전 영역을 빠르게 검사하고, 상기 UV 광에 의해, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출된 영역을 중심으로, 상기 EUV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 신속하고 정확하게 검출할 수 있다. 상기 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 정보는 데이터베이스로 저장되고, 후에 UV 광에 의한 검사만으로도, 상기 데이터베이스를 이용해 EUV 광에 의해 검출되는 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 예측이 가능하다. 이에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함 검사에 있어서 시간 및 비용을 절약할 수 있어, 경제성 및 생산성이 향상될 수 있다.
또는, 다른 실시 예에 따르면, S130 단계에서, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광이 조사되는 영역은, S120 단계에서, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출된 영역에 한정되지 않을 수 있다. 다시 말해, 상기 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 전 영역을 검사하고, 상기 EUV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 전 영역을 재검사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 보다 정확하게 검출할 수 있다. 상기 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 정보는 데이터베이스로 저장되고, 후에 UV 광에 의한 검사만으로도, 상기 데이터베이스를 이용해 EUV 광에 의해 검출되는 펠리클 멤브레인의 결함들에 대한 예측이 가능하다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 펠리클 멤브레인의 결함 검사에 있어서 시간 및 비용을 절약할 수 있어, 경제성 및 생산성이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 UV 검사 장치를 이용해 측정된 펠리클 멤브레인의 결함들을 나타내는 이미지이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 검사 장치를 이용해 측정된 펠리클 멤브레인의 결함들을 나타내는 이미지이다.
도 5를 참조하면, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출되는 것을 확인할 수 있다. 검출된 상기 결함들은 적색 고리(red ring) 및 청색 고리(blue ring)로 도 5에 도시되었다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 UV 광원부(10)의 상기 LED 모듈에 의해, 상기 UV 광이 선형으로 상기 펠리클 멤브레인에 고속으로 조사되고, 상기 펠리클 멤브레인 상에서 산란된 UV 광이 상기 UV 검출부(30)에 의해 수집 및 측정될 수 있다. 수집 및 측정된 상기 UV 광의 발광강도는 그레이스케일로 변환되어 이미지로 획득되고, 이를 분석하여 도 5와 같이 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출되는 것을 확인할 수 있다. 검출된 상기 결함들은 적색 고리(red ring)로 도 6에 도시되었다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 EUV 광원부(40)에 의해 상기 펠리클 멤브레인에 상기 EUV 광이 조사되고, 상기 EUV 검출부(70)에 의해 상기 펠리클 멤브레인을 투과한 후 상기 다층 박막 거울(50)에 반사되어 상기 펠리클 멤브레인에 재투과된 EUV 광이 수집 및 측정될 수 있다. 수집 및 측정된 상기 EUV 광의 발광강도는 변환되어 수 나노스케일의 정밀한 이미지로 획득되고, 이를 분석하여 도 6과 같이 펠리클 멤브레인의 결함들이 검출될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 도 5에 상기 적색 고리로 도시된 상기 결함들이, 도 6에 상기 적색 고리로 도시된 결함들로 재검출 되는 경우, 본 발명의 상기 제1 타입 결함으로 분류되어 데이터베이스로 저장될 수 있다. 그러나, 도 5에 상기 청색 고리로 도시된 상기 결함들이, 도 6에 상기 적색 고리로 도시된 결함들로 재검출 되지 않는 경우, 본 발명의 상기 제2 타입 결함으로 분류되어 데이터베이스로 저장될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 제1 및 제2 타입 결함으로 분류되는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스가 구축됨에 따라, 상기 데이터베이스를 이용해 EUV 광을 조사하지 않고도, UV 광을 조사하는 것만으로, 용이하게 상기 EUV 광에 의해 검출되는 결함을 예측하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 멤브레인의 검사 방법이 설명된다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7을 참조하면, UV 광 및 EUV 광에 의해 검출 가능한 제1 타입 결함, 및 상기 UV 광에 의해 검출되고 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않는 제2 타입 결함에 대한 정보를 갖는 데이터 베이스를 준비할 수 있다(S210). 상술된 바와 같이, 상기 데이터 베이스를 이용하는 경우, 상기 EUV 광을 조사하지 않고도, 상기 UV 광을 조사하는 것만으로, 용이하게 상기 EUV 광에 의해 검출되는 결함을 예측하는 것이 가능하다.
펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비할 수 있다(S220). 상기 펠리클은 반도체 제조 공정에서 사용될 수 있는 펠리클이라면 어느 것이든 한정되지 않는다.
상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여 결함을 검출할 수 있다 (S230). 상기 UV 광은, 본 발명에 따른 복수의 LED 광원 유닛이 일렬로 배치된, LED 모듈을 사용하여, 선형으로 조사되어, 상기 펠리클 멤브레인의 대면적을 고속으로 검사할 수 있다.
상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함 또는 상기 제2 타입 결함 중에서 어느 것에 해당되는지 판단할 수 있다. 다시 말해, 상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함인지, 또는 아니지 판단할 수 있다(S240).
상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함인 경우, 최종적 결함인 것으로 판단될 수 있다 (S250). 반면에, 상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함이 아닌 경우(S240), 즉, 상기 제2 타입 결함인 경우, 최종적 결함이 아닌 것으로 판단될 수 있다(S260).
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 UV 검사 장치의 성능을 나타내는 사진이다.
도 8을 참조하면, 펠리클 멤브레인을 광학 현미경(optical microscope)으로 촬영하여 나타내었고, 도 9를 참조하면, 상기 실시 예에 따른 UV 검사 장치를 이용하여 도 8의 촬영에 사용된 펠리클 멤브레인의 오염물들을 검사하여 나타내었다.
도 8 및 도 9에서 확인할 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 UV 검사 장치의 경우, 약 5~130 μm 크기의 오염물(particle)들을 검출할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 검사 장치의 성능을 나타내는 사진이다.
도 10의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 펠리클 멤브레인에 존재하는 서로 다른 크기의 오염물들을 광학 현미경(optical microscope)으로 촬영하여 나타내었고, 도 11을 참조하면, 상기 실시 예에 따른 EUV 검사 장치를 이용하여 도 10의 촬영에 사용된 펠리클 멤브레인의 오염물들을 검사하여 나타내었다.
도 10 및 도 11에서 확인할 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 EUV 검사 장치의 경우, 100 um2, 50 um2 , 30 um2 크기의 오염물들을 검출할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
도 12 및 도 13은 오염된 펠리클이 마스크 패턴 이미징에 미치는 효과를 나타내는 사진 및 그래프이다.
도 12의 (a)를 참조하면, 128nm HP(@mask) L/S 패턴 EUV 마스크를 이미징 하여 나타내었고, 도 12의 (b)를 참조하면, 도 12의 (a)에서 상술된 마스크에 10 μm 크기 이상의 particle에 의하여 오염된 펠리클을 부착한 후 이를 이미징 하여 나타내었다.
도 12의 (a)에서 확인할 수 있듯이, 펠리클이 부착되지 않은 상태의 마스크를 이미징한 경우, 패턴이 선명하게 보이는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 도 12의 (b)에서 확인할 수 있듯이, 오염된 펠리클이 부착된 마스크를 이미징한 경우, 패턴의 형상이 뚜렷하게 나타나지 않는 것을 확인할 수 있었다.
도 13의 (a)를 참조하면, 도 12의 (a)에서 상술된 마스크에 대해 magnitude profile을 분석하여 나타내었고, 도 13의 (b)를 참조하면, 도 12의 (b)에서 상술된 마스크에 대해 magnitude profile을 분석하여 나타내었다.
도 13의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 펠리클이 없는 상태의 마스크는 peak 및 valley가 명확하게 나타나지만, 펠리클이 부착된 상태의 마스크는 peak 및 valley가 불명확하게 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
도 14 및 도 15는 마스크 패턴 이미징에 영향을 미치는 펠리클 오염원의 임계 크기를 확인하는 사진이다.
도 14를 참조하면, 다양한 크기의 오염원이 있는 펠리클을 광학 현미경(optical microscope)으로 촬영하여 나타내었다. 도 14에서 확인할 수 있듯이, 펠리클에 1~10 μm 크기의 오염원들이 있는 것을 확인할 수 있었다.
도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 도 14에서 상술된 펠리클을 128nm HP(@mask) L/S 패턴 EUV 마스크에 부착한 후, 이를 이미징하여 나타내었다. 도 15의 (a) 및 (b)에서 확인할 수 있듯이, 마스크의 패턴들이 선명하게 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 즉, 1~10 μm 크기의 오염원들의 경우, 마스크 이미징에 영향을 미치지 않는 다는 것을 확인할 수 있었다.
결과적으로, UV를 이용한 검사에서는 오염원이 검출 되었으나, EUV 마스크 이미징에는 영향을 미치지 않음을 확인할 수 있었다. 이에 따라, UV를 통한 1차 검사에서 10 μm 이하 크기의 오염원이 검출되는 경우, 추가적인 EUV 검사가 필요 없이 오염물을 검출할 수 있어, 펠리클의 검사속도 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10: UV 광원부
20: 제1 펠리클 스테이지
21: 제1 스테이지
22: 제1 지지부
23: 제2 지지부
30: UV 검출부
40: EUV 광원부
50: 다층 박막 거울
60: 제2 펠리클 스테이지
61: 제2 스테이지
62: 제3 스테이지
63: 제3 및 제4 지지부들
64: 제5 및 제6 지지부들
70: EUV 검출부
100: 펠리클

Claims (10)

  1. 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계;
    상기 펠리클 멤브레인에 UV(ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계;
    상기 펠리클 멤브레인에 EUV(extreme ultraviolet) 광을 조사하여, 상기 펠리클 멤브레인의 결함들을 검출하는 단계; 및
    상기 UV 광에 의해 검출된 결함들 중에서, 상기 EUV 광에 의해 검출된 결함은 제1 타입 결함으로 분류하고, 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않은 결함은 제2 타입 결함으로 분류하여 저장하는 단계를 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 면적이 더 넓은 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 선형으로 조사하는 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    복수의 LED(light emitting diode) 광원 유닛이 일렬로 배치된, LED 모듈에 의해 상기 UV 광이 선형으로 조사되는 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 EUV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간보다, 상기 UV 광이 상기 펠리클 멤브레인에 조사되는 시간이 더 짧은 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 펠리클 멤브레인의 결함들은, 결함 종류, 크기 또는 위치 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 제1 타입 결함 및 상기 제2 타입 결함으로 구별되어 데이터베이스로 저장되는 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 펠리클은 이동 가능한 스테이지 상에 배치되고, 상기 스테이지의 이동에 따라, 상기 펠리클 멤브레인의 결함이 영상으로 검출되는 것을 포함하는 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법.
  8. UV 광 및 EUV 광에 의해 검출 가능한 제1 타입 결함, 및 상기 UV 광에 의해 검출되고 상기 EUV 광에 의해 검출되지 않는 제2 타입 결함에 대한 정보를 갖는 데이터 베이스를 준비하는 단계;
    펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비하는 단계;
    상기 펠리클 멤브레인에 상기 UV 광을 조사하여 결함을 검출하는 단계; 및
    상기 UV 광에 의해 검출된 결함이 상기 제1 타입 결함 또는 상기 제2 타입 결함 중에서 어느 것에 해당되는지 판단하는 단계를 포함하는 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 타입 결함으로 분류되는 경우, 최종적 결함인 것으로 판단되는 것을 포함하는 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 타입 결함으로 분류되는 경우, 최종적 결함이 아닌 것으로 판단되는 것을 포함하는 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법.
KR1020190020824A 2018-02-22 2019-02-22 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법 KR102297038B1 (ko)

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