JPS58223328A - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
マスク欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPS58223328A JPS58223328A JP57107164A JP10716482A JPS58223328A JP S58223328 A JPS58223328 A JP S58223328A JP 57107164 A JP57107164 A JP 57107164A JP 10716482 A JP10716482 A JP 10716482A JP S58223328 A JPS58223328 A JP S58223328A
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- JP
- Japan
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- defect
- pattern
- inspected
- allowable
- defects
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるフォト
マスクの欠陥の有無お工びパターンの正否？検査するマ
スク欠陥検査装置に関する。
マスクの欠陥の有無お工びパターンの正否？検査するマ
スク欠陥検査装置に関する。
従来、フ第１・マスクに形成されたパターンの検査７行
なうマスク欠陥検査装置においては、フォトマスクにパ
ターン？形成される際に用いられる設計データに基づい
て発生される第１の走査信号と、設計データを基にフォ
トマスクに形成された被検査パターンから得られる第２
の走査信号と？比較照合して欠陥の有無およびパターン
の正否紮判定している。そして、コニ記欠陥の有無およ
びパターンの正否？判定する欠陥判定部において検出さ
れる欠陥は、マスク欠陥検査装置にエリ検出の基準とな
るスレツショルドヅ°イズが固有となっており、マスク
からウエ−ハヘ転写する場合に転写装置の性能上の問題
からウェーハへ転写されない欠陥についても欠陥と判定
され欠陥情報がメモリーへ格納される。
なうマスク欠陥検査装置においては、フォトマスクにパ
ターン？形成される際に用いられる設計データに基づい
て発生される第１の走査信号と、設計データを基にフォ
トマスクに形成された被検査パターンから得られる第２
の走査信号と？比較照合して欠陥の有無およびパターン
の正否紮判定している。そして、コニ記欠陥の有無およ
びパターンの正否？判定する欠陥判定部において検出さ
れる欠陥は、マスク欠陥検査装置にエリ検出の基準とな
るスレツショルドヅ°イズが固有となっており、マスク
からウエ−ハヘ転写する場合に転写装置の性能上の問題
からウェーハへ転写されない欠陥についても欠陥と判定
され欠陥情報がメモリーへ格納される。
すなわち、マスクのパターンの複雑さに応じて存在して
も実用上影響のない欠陥についても欠陥と判定され欠陥
情報が登録される。この工うに、検出される全ての欠陥
についての欠陥情報が登録されるため、欠陥情報を保持
するためのメモリーが大きくなる。しかも、あらゆるマ
スクについて欠陥検出最小寸法が固定のため、マスクパ
ターンの最小線幅の大きなものと小さなものとで検査時
間が同じであり、マスク欠陥検査装置自体のスループッ
トが悪い。ま九、検査終了後修正？要する欠陥か、修正
葡要しない欠陥かｒ判定するための作業が必要であり、
したがって検査から修正までの時間が長くなる等の問題
があった。
も実用上影響のない欠陥についても欠陥と判定され欠陥
情報が登録される。この工うに、検出される全ての欠陥
についての欠陥情報が登録されるため、欠陥情報を保持
するためのメモリーが大きくなる。しかも、あらゆるマ
スクについて欠陥検出最小寸法が固定のため、マスクパ
ターンの最小線幅の大きなものと小さなものとで検査時
間が同じであり、マスク欠陥検査装置自体のスループッ
トが悪い。ま九、検査終了後修正？要する欠陥か、修正
葡要しない欠陥かｒ判定するための作業が必要であり、
したがって検査から修正までの時間が長くなる等の問題
があった。
本発明の目的は、フォトマスクの被検査パターンの欠陥
の有無お工びパターンの正否？必要最小限の時間で検査
することができ、検査スループットの向上？はかり得、
かつ欠陥検査後の修正工程におけるスルーブツト向上に
寄与し得るマスク欠陥検査装置１に提供することにある
〇〔発明の概要〕 本発明の骨子は、フォトマスクの被検査パターンに許容
される欠陥の最大寸法営予め保持しておき、この寸法以
上の欠陥のみ？欠陥として判定することにある。
の有無お工びパターンの正否？必要最小限の時間で検査
することができ、検査スループットの向上？はかり得、
かつ欠陥検査後の修正工程におけるスルーブツト向上に
寄与し得るマスク欠陥検査装置１に提供することにある
〇〔発明の概要〕 本発明の骨子は、フォトマスクの被検査パターンに許容
される欠陥の最大寸法営予め保持しておき、この寸法以
上の欠陥のみ？欠陥として判定することにある。
すなわち本発明は、半導体集積回路装置の製作に用いる
フォトマスクに光を照射すると共に該光？フォトマスク
上で走査し、この光照射お↓びフォトマスク上での光照
射位置の移動に工り得られる上記フォトマスクに形成さ
れた被検査パターンに対応する走査信号音検出し、この
検出された走査信号と上記被検査パターン？形成する際
の股引データケ基に得られる走査信号との差分子求めて
被検査パターンの欠陥寸法音検出するマスク欠陥検査装
置において、上記被検査パターンに許容される欠陥の最
大寸法が設定され、かつ前記設計データに応じて上記最
大寸法が可変せられる許容欠陥設定部？設けると共に、
この許容欠陥設定部に設定された許容欠陥寸法と前記検
出された検出欠陥寸法と？比較照合し′Ｃ欠陥の有無お
よびパターンの正否ケ判定する欠陥判定部？設ける工う
にしたものである。
フォトマスクに光を照射すると共に該光？フォトマスク
上で走査し、この光照射お↓びフォトマスク上での光照
射位置の移動に工り得られる上記フォトマスクに形成さ
れた被検査パターンに対応する走査信号音検出し、この
検出された走査信号と上記被検査パターン？形成する際
の股引データケ基に得られる走査信号との差分子求めて
被検査パターンの欠陥寸法音検出するマスク欠陥検査装
置において、上記被検査パターンに許容される欠陥の最
大寸法が設定され、かつ前記設計データに応じて上記最
大寸法が可変せられる許容欠陥設定部？設けると共に、
この許容欠陥設定部に設定された許容欠陥寸法と前記検
出された検出欠陥寸法と？比較照合し′Ｃ欠陥の有無お
よびパターンの正否ケ判定する欠陥判定部？設ける工う
にしたものである。
本発明に工れば、従来のマスク欠陥検査装置に比べて、
マスクからクエーノ為へパターン？転写する場合に転写
装置の性能上の問題から実際にはマスクに存在してもウ
エーノ・へは転写されない欠陥については欠陥判定部に
おいて欠陥と判定せず、その欠陥情報についてもメモリ
ーへ登録しない。つまり、マスクのパターンの複雑さに
応じてマスク上に実際には存在しても実用上影響のない
欠陥については欠陥判定部で欠陥と判定せずに欠陥情報
もメモリーへ登録しない。
マスクからクエーノ為へパターン？転写する場合に転写
装置の性能上の問題から実際にはマスクに存在してもウ
エーノ・へは転写されない欠陥については欠陥判定部に
おいて欠陥と判定せず、その欠陥情報についてもメモリ
ーへ登録しない。つまり、マスクのパターンの複雑さに
応じてマスク上に実際には存在しても実用上影響のない
欠陥については欠陥判定部で欠陥と判定せずに欠陥情報
もメモリーへ登録しない。
したがって、欠陥情報を保持する友めのメモリーケ減少
させることができる。また、マスクのパターンの最小線
幅に応じて最適な欠陥検出最小寸法？欠陥判定部に設定
することにエリ検査を必要最小限の時間で行なうことが
可能であり、マスク欠陥検査装置自体のスループットが
向上する。以上の結果として、実用上修正ケ要する欠陥
についてのみ欠陥と判定されてそれについての欠陥情報
が登録されるので、修正のための確認作業が不要であり
、検査から修正までの一連の工程でのスルーブツトが向
上する等の効果を奏する０ 〔発明の実施例〕 第１図（ａ）は設計データに応じたパターン？示す平面
図、同図（ｂ）は欠陥の存在する実際の被検査パターン
？示す平面図、第２図は本発明の一実施例に係わるマス
ク欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である０第
２図中１はフォトマスク２ケ載置する試料台であり、こ
の試料台１は計算機３から指令を受けたＸステージ制御
回路４お工びＸステージ制御回路５に↓り駆動制御され
る。そして、試料台１の移動位置はＸレーザ干渉計６お
工びＹレーザ干渉計７にふり高精度に測定されるものと
なっている。
させることができる。また、マスクのパターンの最小線
幅に応じて最適な欠陥検出最小寸法？欠陥判定部に設定
することにエリ検査を必要最小限の時間で行なうことが
可能であり、マスク欠陥検査装置自体のスループットが
向上する。以上の結果として、実用上修正ケ要する欠陥
についてのみ欠陥と判定されてそれについての欠陥情報
が登録されるので、修正のための確認作業が不要であり
、検査から修正までの一連の工程でのスルーブツトが向
上する等の効果を奏する０ 〔発明の実施例〕 第１図（ａ）は設計データに応じたパターン？示す平面
図、同図（ｂ）は欠陥の存在する実際の被検査パターン
？示す平面図、第２図は本発明の一実施例に係わるマス
ク欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である０第
２図中１はフォトマスク２ケ載置する試料台であり、こ
の試料台１は計算機３から指令を受けたＸステージ制御
回路４お工びＸステージ制御回路５に↓り駆動制御され
る。そして、試料台１の移動位置はＸレーザ干渉計６お
工びＹレーザ干渉計７にふり高精度に測定されるものと
なっている。
一方、試料台１の上方には電源回路８により発光駆動さ
れる光源９が配置されている（、光源９からの光は、試
料台１に載置されるフォトマスク２上にスポット照射さ
れ、フォトマスク２上のパターン像が信号検出部１０の
受光面に結像される。ここで、上記光照射と共に試料台
１ケ連続移動させることに↓す、信号検出部１０ではフ
ォトマスク２上の被検査パターンに対応した走査信号が
検出される０そして、この検出走査信号は、設計データ
発生回路１）にエリ前記被検査パターン？形成する際の
設計データに基づいて得られた走査信号と共に、欠陥判
定装置１２に供給されるものとなっている。
れる光源９が配置されている（、光源９からの光は、試
料台１に載置されるフォトマスク２上にスポット照射さ
れ、フォトマスク２上のパターン像が信号検出部１０の
受光面に結像される。ここで、上記光照射と共に試料台
１ケ連続移動させることに↓す、信号検出部１０ではフ
ォトマスク２上の被検査パターンに対応した走査信号が
検出される０そして、この検出走査信号は、設計データ
発生回路１）にエリ前記被検査パターン？形成する際の
設計データに基づいて得られた走査信号と共に、欠陥判
定装置１２に供給されるものとなっている。
欠陥判定装置１２は第３図に示す如く検出データバッフ
ァ２１、設計データバッファ２２、第１比較データ変換
回路；ｔ ：ｔ、第２比較データ変換回路２４、差分信
号発生回路（欠陥検出部）２５、欠陥判定回路（欠陥判
定部）２６お工び欠陥判定バッファ（許容欠陥設定部）
２２から構成されている。すなわち、前記信号検出部１
０からの走査信号は検出データバッファ２１に登録され
、第１比較データ変換回路２３ケ介して差分信号発生回
路２５に送られる。前記設計データ発生回路１ノからの
走査信号は設計データバッファ２２に登録され、第２比
較データ変換回路２４忙介して差分信号発生回路２５に
送られる。差分信号発生回路２５は上記入力した各走査
信号の差、つまり前記被検パターンの欠陥寸法ケ検出す
るものであり、この検出欠陥寸法は欠陥判定回路２６に
送られる。欠陥判定回路２６は上記検出欠陥寸法と欠陥
判定バッファ２７に登録された許容欠陥寸法（被検パタ
ーンに許容される欠陥の最大寸法）と會比較照合し、検
出欠陥寸法が許容欠陥寸法↓り大なるとき欠陥有りと判
定するものである。そして、この欠陥判定回路２６の出
力信号が欠陥判定装置１２０判定情報として前記計算機
３に送出されるものとなっている。なお、第２図中１３
はキーボード付プリンタ、１４は磁気テープ装置、１５
は磁気ディスク装置？それぞれ示しているこの工うに構
成された本装置では、まず試料台１へ検査？行なうフォ
トマスク２ケ載せてフォトマスク２のアライメントを高
精度に行ない光源９から照射されに光音フォトマスク２
ｒ通して信号検出部１０へ結像させて、信号検出部１０
にエリフォトマスク２に形成されている被検査パターン
に対応した第１の走査信号が検出さハる。そして、この
第１の走査信号は欠陥判定装置１２に送られる。一方設
計データは磁気テープ装置１４↓り計算機３會介して磁
気ディスク族＠Ｉｓへ登録され、欠陥の判定倉行なうに
際して設計データが磁気ディスク装置１５工り計算機３
ケ介して設計データ発生回路１１へ送られる。そして、
第１の走査信号が欠陥判定装置１２へ送られるのと同期
して、設計データ発生回路１ノから第２の走査信号が欠
陥判定装置１２へ送られる。欠陥判定装置１２では第１
の走査信号？検出データバッファ２ノへ登録して第１比
較データ変換回路２３を・介して差分信号発生回路２５
へ第１の走査信号を送り、第２の走査信号も同様に設計
データバッファ２２から第２比較データ変換回路２４４
ｆ介して差分信号発生回路２５−＼送り、差分信号発生
回路２５にエリ第１の走査信号に対応した信号と第２の
走査信号に対応した信号から差分信号が求められ、これ
にエリ欠陥の寸法が検出される。この検出欠陥寸法は欠
陥判定回路２６へ送られ、欠陥判定バッファ２７に登録
され艮許容欠陥寸法と比較される。以上の処理’ｋＸレ
ーザー干渉計６とＹレーザー干渉側１で試料台１？測長
しなからＸステージ制御回路４とＹステージ制御回路５
で試料台１葡駆動して７イトマスク２？全面にわたり検
査を行うことができた。
ァ２１、設計データバッファ２２、第１比較データ変換
回路；ｔ ：ｔ、第２比較データ変換回路２４、差分信
号発生回路（欠陥検出部）２５、欠陥判定回路（欠陥判
定部）２６お工び欠陥判定バッファ（許容欠陥設定部）
２２から構成されている。すなわち、前記信号検出部１
０からの走査信号は検出データバッファ２１に登録され
、第１比較データ変換回路２３ケ介して差分信号発生回
路２５に送られる。前記設計データ発生回路１ノからの
走査信号は設計データバッファ２２に登録され、第２比
較データ変換回路２４忙介して差分信号発生回路２５に
送られる。差分信号発生回路２５は上記入力した各走査
信号の差、つまり前記被検パターンの欠陥寸法ケ検出す
るものであり、この検出欠陥寸法は欠陥判定回路２６に
送られる。欠陥判定回路２６は上記検出欠陥寸法と欠陥
判定バッファ２７に登録された許容欠陥寸法（被検パタ
ーンに許容される欠陥の最大寸法）と會比較照合し、検
出欠陥寸法が許容欠陥寸法↓り大なるとき欠陥有りと判
定するものである。そして、この欠陥判定回路２６の出
力信号が欠陥判定装置１２０判定情報として前記計算機
３に送出されるものとなっている。なお、第２図中１３
はキーボード付プリンタ、１４は磁気テープ装置、１５
は磁気ディスク装置？それぞれ示しているこの工うに構
成された本装置では、まず試料台１へ検査？行なうフォ
トマスク２ケ載せてフォトマスク２のアライメントを高
精度に行ない光源９から照射されに光音フォトマスク２
ｒ通して信号検出部１０へ結像させて、信号検出部１０
にエリフォトマスク２に形成されている被検査パターン
に対応した第１の走査信号が検出さハる。そして、この
第１の走査信号は欠陥判定装置１２に送られる。一方設
計データは磁気テープ装置１４↓り計算機３會介して磁
気ディスク族＠Ｉｓへ登録され、欠陥の判定倉行なうに
際して設計データが磁気ディスク装置１５工り計算機３
ケ介して設計データ発生回路１１へ送られる。そして、
第１の走査信号が欠陥判定装置１２へ送られるのと同期
して、設計データ発生回路１ノから第２の走査信号が欠
陥判定装置１２へ送られる。欠陥判定装置１２では第１
の走査信号？検出データバッファ２ノへ登録して第１比
較データ変換回路２３を・介して差分信号発生回路２５
へ第１の走査信号を送り、第２の走査信号も同様に設計
データバッファ２２から第２比較データ変換回路２４４
ｆ介して差分信号発生回路２５−＼送り、差分信号発生
回路２５にエリ第１の走査信号に対応した信号と第２の
走査信号に対応した信号から差分信号が求められ、これ
にエリ欠陥の寸法が検出される。この検出欠陥寸法は欠
陥判定回路２６へ送られ、欠陥判定バッファ２７に登録
され艮許容欠陥寸法と比較される。以上の処理’ｋＸレ
ーザー干渉計６とＹレーザー干渉側１で試料台１？測長
しなからＸステージ制御回路４とＹステージ制御回路５
で試料台１葡駆動して７イトマスク２？全面にわたり検
査を行うことができた。
かくして本装置によれば、欠陥検出部２５、欠陥判定部
２６及び許容欠陥判定部２７にエリフォトマスク２のパ
ターンの複雑さに応じて該パターンに許容される欠陥の
最大寸法エリ大きい欠陥のみケ欠陥として検出している
ので、欠陥情報？保持するためのメモリケ減少させるこ
とができ、さらに検査時間の短縮化？ｔまかることが可
能となる。また、実用上修正を要する欠陥についてのみ
欠陥と判定されるので、修正のための確認作業が不要と
なり、検査から修正までの工程におけるスループット？
向上させることができる。
２６及び許容欠陥判定部２７にエリフォトマスク２のパ
ターンの複雑さに応じて該パターンに許容される欠陥の
最大寸法エリ大きい欠陥のみケ欠陥として検出している
ので、欠陥情報？保持するためのメモリケ減少させるこ
とができ、さらに検査時間の短縮化？ｔまかることが可
能となる。また、実用上修正を要する欠陥についてのみ
欠陥と判定されるので、修正のための確認作業が不要と
なり、検査から修正までの工程におけるスループット？
向上させることができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定さＪ’Ｌるもので
はなく、その要旨ケ逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる０例えば、前記被検パターンに対応
する走査信号と検出するための手段として、前記試料台
ｒ移動する代りに、前記光源お工び信号検出部の受光面
ケ移動するようにしても工い。また、前記許容欠陥寸法
は検査するフォトマスクのパターンの複雑さに応じて適
宜定め八ば↓い。
はなく、その要旨ケ逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる０例えば、前記被検パターンに対応
する走査信号と検出するための手段として、前記試料台
ｒ移動する代りに、前記光源お工び信号検出部の受光面
ケ移動するようにしても工い。また、前記許容欠陥寸法
は検査するフォトマスクのパターンの複雑さに応じて適
宜定め八ば↓い。
第１図（ａ）は設計データに対応したパターン乞示す平
面図、同図（ｂ）はフォトマスク上の種々の欠陥の存在
する被検パターンｒ示す平面図、第２図は本発明の一実
施例に係わるマスク欠陥検−ｉ、装置の概略構成？示す
ブロック図、第３図は上記実施例装置の要部構成ｒ示す
ブロッ図である。 １・・・試料台、２・・・フォトマスク、３・・・計算
機、４・・・Ｘステージ制御回路、５・・・Ｘステージ
制御回路、６・・・Ｘレーザ干渉計、７・・・Ｘレーザ
干渉計、８・・・電源回路、９・・・光源、１ｏ・・・
信号検出部、１ノ・・・設計データ発生回路、１２・・
・欠陥判定装置、１３・・・キーボード付プリンタ、１
４・・・磁気テープ装置、Ｊ５・・・磁気ディスク装置
、２ノ・・・検出データバッファ、２２・・・設計デー
タバッファ、２３・・・第１比較データ変換回路、２Ｉ
・・・第２比較データ変換回路、２５・・・差分信号発
生回路（欠陥検出部）、２６・・・欠陥判定回路（欠陥
判定部）、２７・・・欠陥判定バッファ（許容欠陥設定
部）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第２図
面図、同図（ｂ）はフォトマスク上の種々の欠陥の存在
する被検パターンｒ示す平面図、第２図は本発明の一実
施例に係わるマスク欠陥検−ｉ、装置の概略構成？示す
ブロック図、第３図は上記実施例装置の要部構成ｒ示す
ブロッ図である。 １・・・試料台、２・・・フォトマスク、３・・・計算
機、４・・・Ｘステージ制御回路、５・・・Ｘステージ
制御回路、６・・・Ｘレーザ干渉計、７・・・Ｘレーザ
干渉計、８・・・電源回路、９・・・光源、１ｏ・・・
信号検出部、１ノ・・・設計データ発生回路、１２・・
・欠陥判定装置、１３・・・キーボード付プリンタ、１
４・・・磁気テープ装置、Ｊ５・・・磁気ディスク装置
、２ノ・・・検出データバッファ、２２・・・設計デー
タバッファ、２３・・・第１比較データ変換回路、２Ｉ
・・・第２比較データ変換回路、２５・・・差分信号発
生回路（欠陥検出部）、２６・・・欠陥判定回路（欠陥
判定部）、２７・・・欠陥判定バッファ（許容欠陥設定
部）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第２図
Claims (1)
- 半導体集積回路装置の製作に用いるフォトマスクに光葡
照射する光照射部と、上記光の照射お工びフォトマスク
上での光照射位置の移動により得られる上記フォトマス
クに形成された被検査パターンに対応する走査信号？検
出する信号検出部と、この信号検出部に↓り検出された
走査信号と前記被検査パターンを形成する際の設計デー
タを基に得られる走査信号との差分？求め前記被検査パ
ターンの欠陥寸法を検出する欠陥検出部と、前記被検査
パターンに許容される欠陥の最大寸法が設定され、かつ
前記設計データに応じて上記最大寸法が可変せられる許
容欠陥設定部と、この許容欠陥設定部に設定された許容
欠陥寸法と前記欠陥検出部にエリ得られた検出欠陥寸法
と？比較照合して欠陥の有無およびパターンの正否？判
定する欠陥判定部と會具備してなることケ特徴とするマ
スク欠陥検査装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107164A JPS58223328A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | マスク欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107164A JPS58223328A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | マスク欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223328A true JPS58223328A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14452103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107164A Pending JPS58223328A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | マスク欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223328A (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| US5995219A (en) * | 1997-03-05 | 1999-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern defect inspection apparatus |
| US7257247B2 (en) | 2002-02-21 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | Mask defect analysis system |
| US7940385B2 (en) * | 2007-07-23 | 2011-05-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection apparatus and its method |
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| JPS5694248A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-30 | Fujitsu Ltd | Detector for foreign matter on surface |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP57107164A patent/JPS58223328A/ja active Pending
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