JPH11271959A - フォトマスク並びにその良否判定方法及び装置 - Google Patents
フォトマスク並びにその良否判定方法及び装置Info
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- JPH11271959A JPH11271959A JP7542998A JP7542998A JPH11271959A JP H11271959 A JPH11271959 A JP H11271959A JP 7542998 A JP7542998 A JP 7542998A JP 7542998 A JP7542998 A JP 7542998A JP H11271959 A JPH11271959 A JP H11271959A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクの良否を、安価で簡単な構成に
よって実現する方法及び装置を提供する。 【解決手段】 マスクブランク上にマスクパターンを描
画する際、検出マークをマスクパターンの一部として形
成し、得られるフォトマスクの検査工程において、フォ
トマスク保持台に設けた貫通孔と該検知マークとの合芯
度すなわち重なりの度合を光学的に確認することによっ
てフォトマスクの良否を判定する。
よって実現する方法及び装置を提供する。 【解決手段】 マスクブランク上にマスクパターンを描
画する際、検出マークをマスクパターンの一部として形
成し、得られるフォトマスクの検査工程において、フォ
トマスク保持台に設けた貫通孔と該検知マークとの合芯
度すなわち重なりの度合を光学的に確認することによっ
てフォトマスクの良否を判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用フォ
トマスクの良否判定方法及び装置に関する。
トマスクの良否判定方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程に用いられる
半導体ウェハへの回路パターン転写技術は、その転写に
高品質なフォトマスクを必要とする。かかる、フォトマ
スクの製作においては、クロム膜が被着されたガラス基
板上にレジストを塗布して得られたマスクブランクが使
用される。フォトマスクは、かかるマスクブランク上に
マスクパターンを描画することによって得られる。
半導体ウェハへの回路パターン転写技術は、その転写に
高品質なフォトマスクを必要とする。かかる、フォトマ
スクの製作においては、クロム膜が被着されたガラス基
板上にレジストを塗布して得られたマスクブランクが使
用される。フォトマスクは、かかるマスクブランク上に
マスクパターンを描画することによって得られる。
【０００３】ここで、半導体ウェハ上にマスクパターン
を転写する位置は、フォトマスクのマスクパターンと半
導体ウェハとの相対位置によって決定される。従って、
マスクパターンがマスクブランク上の正しい位置に描画
されることが必須となる。従って、フォトマスクの作製
のためのマスクパターン描画装置においては、マスクブ
ランクがマスクパターン描画位置に対して正しく位置決
めされなければならず、そのためにはマスクブランクが
これを保持するマスクブランク保持台上に正しく位置決
めされなければならない。ところが、実際の工程におい
ては必ずしもマスクブランクの位置決めが正しく行われ
ないことがあり、従って、マスクパターンがマスクブラ
ンク上に正しく形成されたかどうかの判定をする必要が
ある。そこで、マクスパターンのマスクブランク上での
位置確認のために、レーザ干渉計などを用いた座標測定
機が使用することが考えられる。しかしながら、かかる
座標測定機は一般に高価であり、マスクブランク上にマ
スクパターンが正しく形成されているや否やの良否判定
の為に高価な装置を必要とするという問題があった。
を転写する位置は、フォトマスクのマスクパターンと半
導体ウェハとの相対位置によって決定される。従って、
マスクパターンがマスクブランク上の正しい位置に描画
されることが必須となる。従って、フォトマスクの作製
のためのマスクパターン描画装置においては、マスクブ
ランクがマスクパターン描画位置に対して正しく位置決
めされなければならず、そのためにはマスクブランクが
これを保持するマスクブランク保持台上に正しく位置決
めされなければならない。ところが、実際の工程におい
ては必ずしもマスクブランクの位置決めが正しく行われ
ないことがあり、従って、マスクパターンがマスクブラ
ンク上に正しく形成されたかどうかの判定をする必要が
ある。そこで、マクスパターンのマスクブランク上での
位置確認のために、レーザ干渉計などを用いた座標測定
機が使用することが考えられる。しかしながら、かかる
座標測定機は一般に高価であり、マスクブランク上にマ
スクパターンが正しく形成されているや否やの良否判定
の為に高価な装置を必要とするという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、安
価にして確実な良否判定を可能にしたフォトマスク並び
に良否判定方法及び装置を提供することを目的とする。
価にして確実な良否判定を可能にしたフォトマスク並び
に良否判定方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】不透明膜からなるマスク
パターンを担うガラス基板からなるフォトマスクの良否
を判定する方法及び装置であって、フォトマスクのマス
クパターンと所定の位置関係にある検出マークを、マス
クブランク上でのマスクパターンの描画の際、描画パタ
ーンに含ませる。そうして得られたフォトマスクを載置
するフォトマスク保持台の上記検出マークに対応する位
置に貫通孔を設け、該貫通孔に光を照射して該貫通孔を
通過しかつ該フォトマスクを経た光を受光して得られる
電気信号に基づいて該フォトマスクの良否を判定する。
パターンを担うガラス基板からなるフォトマスクの良否
を判定する方法及び装置であって、フォトマスクのマス
クパターンと所定の位置関係にある検出マークを、マス
クブランク上でのマスクパターンの描画の際、描画パタ
ーンに含ませる。そうして得られたフォトマスクを載置
するフォトマスク保持台の上記検出マークに対応する位
置に貫通孔を設け、該貫通孔に光を照射して該貫通孔を
通過しかつ該フォトマスクを経た光を受光して得られる
電気信号に基づいて該フォトマスクの良否を判定する。
【０００６】
【作用】本発明によるフォトマスク並びにフォトマスク
の良否判定方法及び装置によれば、フォトマスク保持台
の貫通孔及びフォトマスクの検出マークを経由した光の
光量を示す電気信号に基づいて検出マークとこれに対応
する貫通孔の相対的位置関係、すなわち重なりの度合を
確認することによってフォトマスクの良否を判定するこ
とができる。
の良否判定方法及び装置によれば、フォトマスク保持台
の貫通孔及びフォトマスクの検出マークを経由した光の
光量を示す電気信号に基づいて検出マークとこれに対応
する貫通孔の相対的位置関係、すなわち重なりの度合を
確認することによってフォトマスクの良否を判定するこ
とができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ詳細に説明する。図１においては、マス
クパターン描画装置のマスクブランクホルダ１上にマス
クブランク２が載置されている状態を示している。マス
クブランク２は、例えば、ガラス基板上にクロムをスパ
ッタリングして不透明膜を形成し、更にその上にスピン
コートによってレジストを塗布し、続けてレジスト中の
余分な溶剤を取り除くためのプリベークを行うことによ
って形成される。マスクブランク２は、マスクブランク
ホルダ１上のこの場合は４本の固定ピン３に当接させる
ことによって所定の位置に位置決めされ、図示しないパ
ターン描画機構によってマスクパターンを描画する行程
が実施される。この描画工程において少なくとも１つ好
ましくは２つの検出マーク４が回路パターン５と共に描
画される。すなわち、検出マーク４は、例えば１mm程度
の直径の円形であってマスクブランク２の電子ビームに
よる露光工程において、回路パターン領域の外側におい
て描画することによって形成され得る。この露光工程の
後に、現像及びエッチング工程を経て、回路パターンと
検出マークを担うフォトマスクが得られるのである。
面を参照しつつ詳細に説明する。図１においては、マス
クパターン描画装置のマスクブランクホルダ１上にマス
クブランク２が載置されている状態を示している。マス
クブランク２は、例えば、ガラス基板上にクロムをスパ
ッタリングして不透明膜を形成し、更にその上にスピン
コートによってレジストを塗布し、続けてレジスト中の
余分な溶剤を取り除くためのプリベークを行うことによ
って形成される。マスクブランク２は、マスクブランク
ホルダ１上のこの場合は４本の固定ピン３に当接させる
ことによって所定の位置に位置決めされ、図示しないパ
ターン描画機構によってマスクパターンを描画する行程
が実施される。この描画工程において少なくとも１つ好
ましくは２つの検出マーク４が回路パターン５と共に描
画される。すなわち、検出マーク４は、例えば１mm程度
の直径の円形であってマスクブランク２の電子ビームに
よる露光工程において、回路パターン領域の外側におい
て描画することによって形成され得る。この露光工程の
後に、現像及びエッチング工程を経て、回路パターンと
検出マークを担うフォトマスクが得られるのである。
【０００８】図２においては、エッチング工程を経て得
られたフォトマスクの欠陥検査装置において本発明によ
るフォトマスクの良否判定をなす装置の要部を示してい
る。この欠陥検査装置においては、フォトマスク１０を
フォトマスク保持台１１に載置し、フォトマスク保持台
１１の開口11ａを介して図の下方から走査光ビームを照
射するなどして回路パターンの良否を検査するのであ
る。
られたフォトマスクの欠陥検査装置において本発明によ
るフォトマスクの良否判定をなす装置の要部を示してい
る。この欠陥検査装置においては、フォトマスク１０を
フォトマスク保持台１１に載置し、フォトマスク保持台
１１の開口11ａを介して図の下方から走査光ビームを照
射するなどして回路パターンの良否を検査するのであ
る。
【０００９】図２から明らかなように、フォトマスク１
０がフォトマスク保持台１１の適切な位置に配置された
状態において、検出マーク４の中心軸に合うような位置
に検出マーク４の数に等しい数の貫通孔１２がフォトマ
スク保持台１１に形成されている。貫通孔１２の内径
は、検出マーク4の直径とほぼ等しいかあるいは僅かに
大きいのが好ましい。また、貫通孔１２の中心軸の延長
線上に、発光素子１３及び受光素子１４がそれぞれの貫
通孔１２に対応してかつフォトマスク保持台１１を挟ん
で設けられている。発光素子１３からフォトマスク１０
を介して貫通孔１２に向けて照射された光は、フォトマ
スク保持台１１の裏面側の貫通孔１２の開口部に近接し
て設けられた受光素子１４によって受光され、電気信号
に変換されて例えばＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭからなる
制御回路１５に送信される。制御回路１５は、例えば、
発光素子１３，１３を駆動する駆動パルスと同期したタ
イミングにて受光素子１４，１４の出力電圧をサンプリ
ングするなどして、得られたサンプル値を加算して得ら
れる加算信号レベルを所定閾値と比較する。そして、こ
の加算信号レベルが当該所定閾値を越えている限りフォ
トマスク１０上の回路パターンは、正しくフォトマスク
上に形成されており、フォトマスク１０は良品であると
判定する。一方、該加算信号レベルが該所定閾値を下回
っていると、フォトマスク１０は不良品であると判定す
るのである。
０がフォトマスク保持台１１の適切な位置に配置された
状態において、検出マーク４の中心軸に合うような位置
に検出マーク４の数に等しい数の貫通孔１２がフォトマ
スク保持台１１に形成されている。貫通孔１２の内径
は、検出マーク4の直径とほぼ等しいかあるいは僅かに
大きいのが好ましい。また、貫通孔１２の中心軸の延長
線上に、発光素子１３及び受光素子１４がそれぞれの貫
通孔１２に対応してかつフォトマスク保持台１１を挟ん
で設けられている。発光素子１３からフォトマスク１０
を介して貫通孔１２に向けて照射された光は、フォトマ
スク保持台１１の裏面側の貫通孔１２の開口部に近接し
て設けられた受光素子１４によって受光され、電気信号
に変換されて例えばＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭからなる
制御回路１５に送信される。制御回路１５は、例えば、
発光素子１３，１３を駆動する駆動パルスと同期したタ
イミングにて受光素子１４，１４の出力電圧をサンプリ
ングするなどして、得られたサンプル値を加算して得ら
れる加算信号レベルを所定閾値と比較する。そして、こ
の加算信号レベルが当該所定閾値を越えている限りフォ
トマスク１０上の回路パターンは、正しくフォトマスク
上に形成されており、フォトマスク１０は良品であると
判定する。一方、該加算信号レベルが該所定閾値を下回
っていると、フォトマスク１０は不良品であると判定す
るのである。
【００１０】ここで、検出マーク４がクロム膜に形成さ
れた開口であるとすれば、貫通孔１２と検出マーク４と
が十分に重ならない場合、すなわちフォトマスク１０上
の回路パターンがフォトマスク１０上に適切に配置され
ていない場合には、発光素子１３からの光は、検出マー
ク４以外の領域に被着されたクロム膜の存在によって、
貫通孔１２を十分な光量が通過しない。
れた開口であるとすれば、貫通孔１２と検出マーク４と
が十分に重ならない場合、すなわちフォトマスク１０上
の回路パターンがフォトマスク１０上に適切に配置され
ていない場合には、発光素子１３からの光は、検出マー
ク４以外の領域に被着されたクロム膜の存在によって、
貫通孔１２を十分な光量が通過しない。
【００１１】制御回路１５は、受光素子１４からの出力
信号レベルが十分大きくない場合、フォトマスク１０が
不良であることをオペレータに例えば警告ブザー（図示
せず）によって警告する。以上説明したように、発光素
子１３及び受光素子１４からなる非常に簡単な構成を付
加することによって、安価で且つ短時間にフォトマスク
１０の良否判定が確実に出来るのである。
信号レベルが十分大きくない場合、フォトマスク１０が
不良であることをオペレータに例えば警告ブザー（図示
せず）によって警告する。以上説明したように、発光素
子１３及び受光素子１４からなる非常に簡単な構成を付
加することによって、安価で且つ短時間にフォトマスク
１０の良否判定が確実に出来るのである。
【００１２】なお、図２においては、検出マーク４、貫
通孔１２、発光素子１３及び受光素子１４からなる系を
２組示しているが、この系は１組、または３組以上であ
ってもよい。しかしながら、発光素子の発光強度の低
下、または受光素子に不良が生じた場合等、及び構成の
簡略化を考慮して、２組であることが好ましい。
通孔１２、発光素子１３及び受光素子１４からなる系を
２組示しているが、この系は１組、または３組以上であ
ってもよい。しかしながら、発光素子の発光強度の低
下、または受光素子に不良が生じた場合等、及び構成の
簡略化を考慮して、２組であることが好ましい。
【００１３】図３は、別の実施例を示しており、この実
施例においても、フォトマスク１０を保持するフォトマ
スク保持台１１にフォトマスク１０が適切な位置に配置
された場合における検出マーク４の中心軸に合致する中
心軸を有する貫通孔１２が形成されている。また、発光
素子１３及び受光素子１４は、フォトマスク保持台１１
の裏面側の貫通孔１２の開口部近傍で互いに近接して設
けられている。発光素子１３から照射された光は、フォ
トマスク保持台１１の貫通孔１２を通過し、フォトマス
ク１０のガラス基板面に到達する。ここで、貫通孔１０
の中心軸上に検出マーク４が位置している場合、すなわ
ち回路パターンが適切にフォトマスク上に配置されてい
る場合、検出マーク４の位置においてはガラス基板上に
クロム膜が被着されていないため、発光素子１３から発
せられた光は、フォトマスク１０の上面へと透過してし
まう。しかしながら、貫通孔１２の中心軸上に検出マー
ク４の中心軸が位置していない場合、すなわちフォトマ
スク上に回路パターンが適切に配置されていない場合に
は、前述したように検出マーク４の位置以外においては
ガラス基板上にクロム膜が被着されているため、発光素
子１３から照射された光はそのクロム膜面において反射
され、その反射光は受光素子１４へと導かれる。この反
射光の検出によって、ＩＣマスクパターンがフォトマス
ク上の適切な位置に配置されていないことを判断するこ
とができる。
施例においても、フォトマスク１０を保持するフォトマ
スク保持台１１にフォトマスク１０が適切な位置に配置
された場合における検出マーク４の中心軸に合致する中
心軸を有する貫通孔１２が形成されている。また、発光
素子１３及び受光素子１４は、フォトマスク保持台１１
の裏面側の貫通孔１２の開口部近傍で互いに近接して設
けられている。発光素子１３から照射された光は、フォ
トマスク保持台１１の貫通孔１２を通過し、フォトマス
ク１０のガラス基板面に到達する。ここで、貫通孔１０
の中心軸上に検出マーク４が位置している場合、すなわ
ち回路パターンが適切にフォトマスク上に配置されてい
る場合、検出マーク４の位置においてはガラス基板上に
クロム膜が被着されていないため、発光素子１３から発
せられた光は、フォトマスク１０の上面へと透過してし
まう。しかしながら、貫通孔１２の中心軸上に検出マー
ク４の中心軸が位置していない場合、すなわちフォトマ
スク上に回路パターンが適切に配置されていない場合に
は、前述したように検出マーク４の位置以外においては
ガラス基板上にクロム膜が被着されているため、発光素
子１３から照射された光はそのクロム膜面において反射
され、その反射光は受光素子１４へと導かれる。この反
射光の検出によって、ＩＣマスクパターンがフォトマス
ク上の適切な位置に配置されていないことを判断するこ
とができる。
【００１４】この実施例においては、検出マーク４がク
ロム膜中の開口であるときは受光素子１４，１４からの
出力電圧のレベルが所定閾値より小さい場合にフォトマ
スクが良品であると判断する。逆に、検出マーク４がク
ロム膜の島状部であるときは、検出マーク４からの反射
光が十分であって受光出力レベルが所定閾値より大であ
るとき、フォトマスクを良品であると判定する。
ロム膜中の開口であるときは受光素子１４，１４からの
出力電圧のレベルが所定閾値より小さい場合にフォトマ
スクが良品であると判断する。逆に、検出マーク４がク
ロム膜の島状部であるときは、検出マーク４からの反射
光が十分であって受光出力レベルが所定閾値より大であ
るとき、フォトマスクを良品であると判定する。
【００１５】また、この実施例の場合、発光素子及び受
光素子をフォトマスク保持台１１の一方の側だけに配置
したので、光学系のコンパクト化を図ることが出来る。
以上に説明した実施の形態において、発光素子及び受光
素子に限らず、他の発光手段及び受光手段を使用できる
ことはいうまでもない。また、検出マークの形成位置は
図面に説明された配置に限らず、複数の検出マークを所
望の位置に形成でき、それぞれの検出マークに対応させ
て、上記貫通孔、発光手段及び受光手段を設けることが
できる。発光手段及び受光手段の配置もまた、互いに置
き換え可能である。
光素子をフォトマスク保持台１１の一方の側だけに配置
したので、光学系のコンパクト化を図ることが出来る。
以上に説明した実施の形態において、発光素子及び受光
素子に限らず、他の発光手段及び受光手段を使用できる
ことはいうまでもない。また、検出マークの形成位置は
図面に説明された配置に限らず、複数の検出マークを所
望の位置に形成でき、それぞれの検出マークに対応させ
て、上記貫通孔、発光手段及び受光手段を設けることが
できる。発光手段及び受光手段の配置もまた、互いに置
き換え可能である。
【００１６】更にまた、以上に説明した実施の形態にお
いて、マスクブランク上の検出マークをその部分におい
て光が透過するように形成するとしたが、マスクパター
ン領域外においてクロム膜を島状に形成して光を透過し
ない検出マークを形成するとしてもよい。以上説明した
本発明に係るフォトマスク良否判定方法及び装置は、マ
スク欠陥検査装置のみならず、マスク欠陥修正装置ある
いはマスクパターン寸法測定装置にも応用可能である
し、従来装置とは別個に設けることも可能である。
いて、マスクブランク上の検出マークをその部分におい
て光が透過するように形成するとしたが、マスクパター
ン領域外においてクロム膜を島状に形成して光を透過し
ない検出マークを形成するとしてもよい。以上説明した
本発明に係るフォトマスク良否判定方法及び装置は、マ
スク欠陥検査装置のみならず、マスク欠陥修正装置ある
いはマスクパターン寸法測定装置にも応用可能である
し、従来装置とは別個に設けることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるフォ
トマスク並びにその良否判定方法及び装置によれば、マ
スクブランク上に回路パターンの他に検出マークを描画
してフォトマスクを得、該検出マークと検査装置のフォ
トマスク保持台に設けた貫通孔との合芯度すなわち重な
りの度合を光学的に確認することによってフォトマスク
の良否を判定することとしたので安価にして簡単な構成
で且つ短時間にフォトマスクの良否判定が可能となる。
トマスク並びにその良否判定方法及び装置によれば、マ
スクブランク上に回路パターンの他に検出マークを描画
してフォトマスクを得、該検出マークと検査装置のフォ
トマスク保持台に設けた貫通孔との合芯度すなわち重な
りの度合を光学的に確認することによってフォトマスク
の良否を判定することとしたので安価にして簡単な構成
で且つ短時間にフォトマスクの良否判定が可能となる。
【図１】 本発明によるマスクブランク上に回路パター
ン及び検知マークを含むパターンを描画する装置の要部
を示す斜視図である。
ン及び検知マークを含むパターンを描画する装置の要部
を示す斜視図である。
【図２】 本発明の実施例であるフォトマスクの良否の
判定装置の要部を示す断面図である。
判定装置の要部を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施例であるフォトマスクの良否判
定装置の要部を示す断面図である。
定装置の要部を示す断面図である。
１ マスクブランクホルダ ２ マスクブランク ４ 検出マーク ８ 制御回路 １２ 貫通孔 １３ 発光素子 １４ 受光素子
Claims (11)
- 【請求項１】 不透明膜からなるマスクパターンを担う
ガラス基板からなるフォトマスクであって、 前記マスクパターンが回路パターン及び検出マークを含
むことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記マスクパターンが前記回路パターン
及び検出マークの双方を含む一枚の描画パターンによっ
て形成されることを特徴とする請求項１記載のフォトマ
スク。 - 【請求項３】 前記検出マークは、前記不透明膜の開口
部若しくは前記不透明膜の島状部からなることを特徴と
する請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 請求項１記載のフォトマスクの良否判定
方法であって、 前記フォトマスクを保持し得ると共に前記フォトマスク
を保持したときに前記検出マークに対応する位置に少な
くとも１つの貫通孔を有するフォトマスク保持台を用意
する第１ステップと、 前記フォトマスクを前記フォトマスク保持台上に保持す
る第２ステップと、 前記フォトマスク保持台の前記貫通孔に向けて光を照射
し、前記貫通孔を通過しかつ前記フォトマスクを経た光
を受光して得られる電気信号に基づいて前記フォトマス
クの良否判定をなす第３ステップと、からなることを特
徴とする方法。 - 【請求項５】 前記第３ステップにおける光照射及び受
光は前記フォトマスク保持台を挟んでなすことを特徴と
する請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記第３ステップにおける光照射及び受
光は前記フォトマスク保持台の一方の側においてのみな
されることを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 前記第３ステップにおける良否判定が、
前記電気信号のレベルの大小に基づいてなされることを
特徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項８】 前記検出マーク及び貫通孔は各々一対で
あって、前記第３ステップにおいて、前記電気信号は、
前記貫通孔を経た光を一対の受光素子にて受光して得ら
れる電気信号の和のレベルの大小に基づいて良否判定が
なされることを特徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項９】 請求項１記載のフォトマスクの良否判定
装置であって、 前記フォトマスクを保持し得、かつ所定位置に少なくと
も１つの貫通孔を有するフォトマスク保持台と、 前記フォトマスク保持台の貫通孔に向けて光を照射する
発光手段と、 前記貫通孔を通過しかつ前記フォトマスクを経た光を受
光してこれに応じた電気信号を生成する受光手段と、 前記電気信号に基づいて前記フォトマスクの良否判定を
なす判定手段と、からなることを特徴とする装置。 - 【請求項１０】 前記判定手段は、前記電気信号のレベ
ルの大小に基づいて良否判定をなすことを特徴とする請
求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 前記貫通孔は、一対であって、前記受
光手段は前記貫通孔を経た光を受光する一対の受光素子
からなり、 前記判定手段は、前記一対の受光素子から得られる一対
の電気信号の和のレベルに基づいて良否判定をなすこと
を特徴とする請求項９記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7542998A JPH11271959A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | フォトマスク並びにその良否判定方法及び装置 |
| US09/187,076 US6194101B1 (en) | 1998-03-24 | 1998-11-06 | Photomask, and process and apparatus for determining condition of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7542998A JPH11271959A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | フォトマスク並びにその良否判定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271959A true JPH11271959A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13575977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7542998A Abandoned JPH11271959A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | フォトマスク並びにその良否判定方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6194101B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11271959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013205515A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 原版設置装置及び複製機 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1190238A1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-03-27 | Applied Materials, Inc. | Method of and apparatus for inspection of articles by comparison with a master |
| KR100494146B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파티클검사장치의 다용도 홀더 및 그를 이용한 검사방법 |
| TWI256625B (en) * | 2004-07-21 | 2006-06-11 | Lite On It Corp | Optical control apparatus |
| US7835001B2 (en) * | 2006-05-24 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of aligning a substrate, mask to be aligned with the same, and flat panel display apparatus using the same |
| US7790340B2 (en) * | 2007-04-20 | 2010-09-07 | Photronics, Inc. | Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2321229A1 (fr) * | 1975-08-13 | 1977-03-11 | Cit Alcatel | Procede et appareillage pour controle automatique de graphisme |
| JP2985323B2 (ja) * | 1991-03-04 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
| JP3069417B2 (ja) * | 1991-11-21 | 2000-07-24 | シャープ株式会社 | 位相シフトマスクの検査方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP7542998A patent/JPH11271959A/ja not_active Abandoned
- 1998-11-06 US US09/187,076 patent/US6194101B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013205515A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 原版設置装置及び複製機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6194101B1 (en) | 2001-02-27 |
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|
| A762 | Written abandonment of application |
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