TW202231152A - 抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202231152A
TW202231152A TW110144542A TW110144542A TW202231152A TW 202231152 A TW202231152 A TW 202231152A TW 110144542 A TW110144542 A TW 110144542A TW 110144542 A TW110144542 A TW 110144542A TW 202231152 A TW202231152 A TW 202231152A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resist pattern
substrate
aforementioned
inspection
color
Prior art date
Application number
TW110144542A
Other languages
English (en)
Inventor
武田明子
賀口陽介
粂壯和
Original Assignee
日商昭和電工材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商昭和電工材料股份有限公司 filed Critical 日商昭和電工材料股份有限公司
Publication of TW202231152A publication Critical patent/TW202231152A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8809—Adjustment for highlighting flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95638—Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

抗蝕圖案之檢查方法包括外觀檢查步驟，該外觀檢查步驟根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對該抗蝕圖案進行外觀檢查。抗蝕圖案之製造方法包括：抗蝕圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕圖案；及顯色步驟，在該抗蝕圖案形成步驟之後，使該抗蝕圖案顯色。基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對該抗蝕圖案進行外觀檢查；及評價步驟，根據該外觀檢查步驟中的該外觀檢查對該抗蝕圖案進行評價。印刷配線板之製造方法包括導體圖案形成步驟，該導體圖案形成步驟對上述基板篩選方法中的該抗蝕圖案的該評價滿足基準之該基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案。

Description

抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法
本公開有關一種抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法。
在製造印刷配線板時，首先在基板上層合感光層。接著，通過光罩對感光層的規定部分照射活性光線來固化曝光部。接著，在剝離去除支撐體之後，用顯影液去除感光層的未曝光部，藉此在基板上形成抗蝕圖案。接著，以所形成之抗蝕圖案為遮罩，對形成有抗蝕圖案之基板實施蝕刻處理或鍍覆處理，從而在基板上形成導體圖案，最後從基板剝離去除感光層的固化部分（抗蝕圖案）。
在這樣的印刷配線板的製造步驟中，若活性光線的曝光因附著於光罩或感光層之異物等而受阻，則有可能會在抗蝕圖案上產生缺陷，從而在導體圖案上發生斷線或短路等的不良情況。因此，以往藉由對導體圖案進行外觀檢查而檢查了導體圖案的斷線或短路等的不良情況。
[專利文獻1]日本特開2005-207802號公報
藉由在形成導體圖案之前對抗蝕圖案進行外觀檢查，能夠在製造印刷配線板時在更早的階段發現不良情況。又，藉由對抗蝕圖案形成的成品率進行評價，能夠有助於改善抗蝕圖案形成。以往，抗蝕圖案的外觀檢查係使用掃描型電子顯微鏡（以下，亦稱為“SEM”）進行（例如，參閱專利文獻1）。
然而，使用SEM之檢查係檢查1mm 2左右的極小範圍者。因此，使用SEM之印刷配線板整體的抗蝕圖案的檢查需要龐大的時間。而且，根據檢查人員及檢查時使用之SEM，檢查精度存在較大的偏差。
因此，本公開的目的為，提供一種能夠在短時間內高精度地評價抗蝕圖案之抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法。
本公開的抗蝕圖案之檢查方法包括外觀檢查步驟，該外觀檢查步驟根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對抗蝕圖案進行外觀檢查。
在該抗蝕圖案之檢查方法中，根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對抗蝕圖案進行外觀檢查，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地檢測抗蝕圖案的缺陷。
在外觀檢查步驟中，可以根據來自基板的反射光檢測抗蝕圖案的輪廓，並根據檢測出之輪廓對抗蝕圖案進行外觀檢查。在該抗蝕圖案之檢查方法中，利用根據來自基板的反射光檢測出之抗蝕圖案的輪廓作為抗蝕圖案的外觀檢查，藉此能夠適當地對抗蝕圖案進行外觀檢查。
在外觀檢查步驟中，可以將檢測出之輪廓與用於形成抗蝕圖案之圖案資料進行對比。在該抗蝕圖案之檢查方法中，將檢測出之輪廓與用於形成抗蝕圖案之圖案資料進行對比作為抗蝕圖案的外觀檢查，藉此能夠高精度地檢測抗蝕圖案的缺陷。
在外觀檢查步驟中，可以根據檢測出之輪廓測量抗蝕圖案的線寬。在該抗蝕圖案之檢查方法中，根據檢測出之輪廓測量抗蝕圖案的線寬作為抗蝕圖案的外觀檢查，藉此能夠對抗蝕圖案的形成狀態進行評價。
可以進一步包括：抗蝕圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕圖案；及顯色步驟，在抗蝕圖案形成步驟之後，使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之檢查方法中，藉由在基板上形成抗蝕圖案之後使抗蝕圖案顯色來降低透射率，因此來自抗蝕圖案的反射光與來自抗蝕圖案以外的區域的反射光之間的對比度增加。因此，能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行曝光，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案進行曝光而使抗蝕圖案顯色，藉此能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行加熱，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案進行加熱而使抗蝕圖案顯色，藉此能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以將抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之檢查方法中，將抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下而使抗蝕圖案顯色，藉此能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行染色，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案進行染色而使抗蝕圖案顯色，藉此能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在抗蝕圖案形成步驟中，可以形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案。在該抗蝕圖案之檢查方法中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案，藉此能夠藉由對抗蝕圖案進行曝光而使抗蝕圖案顯色。
在抗蝕圖案形成步驟中，可以形成1μm以上且100μm以下的厚度的抗蝕圖案。在該抗蝕圖案之檢查方法中，藉由形成1μm以上且100μm以下的厚度的抗蝕圖案，能夠抑制抗蝕圖案變得過厚，同時增加來自抗蝕圖案的反射光與來自抗蝕圖案以外的區域的反射光之間的對比度。因此，能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
本公開之抗蝕圖案之製造方法包括：抗蝕圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕圖案；及顯色步驟，在抗蝕圖案形成步驟之後，使抗蝕圖案顯色。
在該抗蝕圖案之製造方法中，在基板上形成抗蝕圖案之後使抗蝕圖案顯色，藉此來自抗蝕圖案的反射光與來自抗蝕圖案以外的區域的反射光之間的對比度增加。因此，例如，在根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光檢測抗蝕圖案的輪廓之情況下，能夠提高檢測精度。又，在測定抗蝕圖案的線寬的情況下，容易聚焦於抗蝕圖案的表面或抗蝕圖案的輪廓。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行曝光，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案進行曝光而使抗蝕圖案顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行加熱，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案進行加熱而使抗蝕圖案顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以將抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之製造方法中，將抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下而使抗蝕圖案顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在顯色步驟中，可以對抗蝕圖案進行染色，以使抗蝕圖案顯色。在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案染色而使抗蝕圖案顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
在抗蝕圖案形成步驟中，可以形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案。在該抗蝕圖案之製造方法中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案，藉此能夠藉由對抗蝕圖案進行曝光而使抗蝕圖案顯色。
在抗蝕圖案形成步驟中，可以形成1μm以上且100μm以下的厚度的抗蝕圖案。在該抗蝕圖案之製造方法中，藉由形成1μm以上且100μm以下的厚度的抗蝕圖案，能夠抑制抗蝕圖案變得過厚，同時增加來自抗蝕圖案的反射光與來自抗蝕圖案以外的區域的反射光之間的對比度。因此，例如能夠提高基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的輪廓的檢測精度。
本公開之基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對抗蝕圖案進行外觀檢查；及評價步驟，根據外觀檢查步驟中的外觀檢查對抗蝕圖案進行評價。
在該基板篩選方法中，藉由基於來自基板的反射光之抗蝕圖案的外觀檢查對抗蝕圖案進行評價，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地篩選基板。
在評價步驟中，可以根據抗蝕圖案的缺陷的數量或形狀對抗蝕圖案進行評價。在該基板篩選方法中，藉由根據抗蝕圖案的缺陷的數量或形狀對抗蝕圖案進行評價，能夠適當地評價基板。
本公開之印刷配線板之製造方法包括導體圖案形成步驟，該導體圖案形成步驟對上述基板篩選方法中的抗蝕圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案。
在該印刷配線板之製造方法中，對上述基板篩選方法中的抗蝕圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案，因此能夠抑制發生導體圖案的斷線或短路等的不良情況。 [發明效果]
依本公開，能夠在短時間內高精度地評價抗蝕圖案。
以下，參閱圖式對本公開的抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法的實施形態進行說明。再者，所有圖中，對相同或相當的部分標註相同符號。又，“A或B”包括A及B的任一者即可，亦可以將兩者均包括在內。
[抗蝕圖案之檢查方法] 實施形態之抗蝕圖案之檢查方法包括外觀檢查步驟，該外觀檢查步驟根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對抗蝕圖案進行外觀檢查。抗蝕圖案之檢查方法可以在外觀檢查步驟之前包括在基板上形成抗蝕圖案之抗蝕圖案形成步驟。又，抗蝕圖案之檢查方法亦可以包括其他步驟。在本說明書中，術語“步驟”不僅包括獨立的步驟，而且即使在無法與其他步驟明確地區分之情況下，只要可實現該步驟的所期望的作用，則亦包括在本術語中。抗蝕圖案亦稱為感光性樹脂組成物的光固化物圖案，亦稱為浮雕圖案。
＜抗蝕圖案形成步驟＞ 如圖1所示，抗蝕圖案形成步驟包括將感光層積層於基板上之感光層形成步驟（參閱圖1（a））、對感光層的規定部分照射活性光線來形成光固化部之曝光步驟（參閱圖1（b））及從基板上去除感光層的規定部分以外的區域之顯影步驟（參閱圖1（c））。抗蝕圖案形成步驟亦可以根據需要包括其他步驟。
（感光層形成步驟） 如圖1（a）所示，在感光層形成步驟中，在基板1上形成感光層2及支撐體3。基板1例如具備絕緣層1a和形成於絕緣層1a上之導體層1b。感光層2形成於基板1的導體層1b上。導體層1b例如為無電鍍銅。
感光層2為使用性質因照射光而改變（例如，光固化）之感光性樹脂組成物形成之層。形成感光層2之感光性樹脂組成物例如含有黏合劑聚合物、光聚合性化合物及光聚合起始劑。形成感光層2之感光性樹脂組成物亦可以根據需要含有光敏劑、聚合抑制劑或其他成分。形成感光層2之感光性樹脂組成物例如可以含有孔雀綠（malachite green）、維多利亞純藍（victoria pure blue）、亮綠（brilliant green）及甲基紫（methyl violet）等的染料、三溴苯基碸、隱色結晶紫（leuco crystal violet）、二苯胺、苄胺、三苯胺、二乙基苯胺及鄰氯苯胺等的光顯色劑、熱顯色抑制劑、對甲苯磺醯胺等的塑化劑、顏料、填充劑、消泡劑、阻燃劑、密接性賦予劑、調平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、顯像劑、熱交聯劑等的添加劑。
作為支撐體3，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二酯（PET）等的聚酯、聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴等的具有耐熱性及耐溶劑性之聚合物膜（支撐膜）。
作為在基板1上形成感光層2及支撐體3之方法，例如存在使用感光性元件（未圖示）之方法。感光性元件例如依次具備支撐體、感光層及保護層。又，在去除保護層之後，一邊對感光性元件的感光層進行加熱，一邊壓接於基板1，藉此在基板1上形成感光層2及支撐體3。藉此，獲得依次具備基板1、感光層2、支撐體3及支撐膜（未圖示）之積層體4。再者，亦可以在支撐體3與感光層2之間配置中間層等。
（曝光步驟） 如圖1（b）所示，在曝光步驟中，利用活性光線經由支撐體3對感光層2進行曝光。藉此，被照射活性光線之曝光部光固化，從而形成光固化部2a（潜像）。作為曝光方法，可以適用公知的曝光方式，例如可舉出稱為原圖之經由光罩5圖像狀照射活性光線之方法（遮罩曝光方式）、LDI（Laser Direct Imaging，雷射直接成像）曝光方式、或使用投影了光罩的像之活性光線經由透鏡進行圖像狀照射之方法（投影曝光方式）等。
（顯影步驟） 如圖1（c）所示，在顯影步驟中，從基板1上去除感光層2的未固化部2b。藉由顯影步驟，由將感光層2光固化而成之光固化部2a構成之抗蝕圖案6形成於基板1上。
形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度例如可以設為1μm以上、3μm以上或5μm以上。又，形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度例如可以設為100μm以下、60μm以下或40μm以下。該等抗蝕圖案6的厚度的最小值和最大值可以適當組合。例如，形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度可以設為1μm以上且100μm以下、3μm以上且60μm以下或5μm以上且40μm以下。抗蝕圖案6的厚度為與基板1的主表面垂直的方向上的相對於基板1的高度。
＜外觀檢查步驟＞ 在外觀檢查步驟中，根據來自形成有抗蝕圖案6之基板1的反射光對抗蝕圖案6進行外觀檢查。
在上述曝光步驟中，若活性光線的曝光因附著於光罩5、支撐體3或感光層2之異物7（參閱圖1）等而受阻，則有可能會在抗蝕圖案6上產生缺陷8。更詳細而言，如圖2（a）、圖2（b）及圖2（c）所示，在製造印刷配線板時，藉由對形成有抗蝕圖案6之基板1進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案9。因此，若抗蝕圖案6上存在缺陷8，則有可能會在藉由蝕刻處理或鍍覆處理形成之導體圖案9上發生斷線或短路等的不良情況。又，在曝光步驟中，根據活性光線的曝光狀態，抗蝕圖案6的線寬有可能會變粗或變細。
因此，在外觀檢查步驟中，對抗蝕圖案6進行外觀檢查，以在形成導體圖案之前發現不良情況。在外觀檢查步驟中，例如，根據來自基板1的反射光檢測抗蝕圖案6的輪廓，並根據檢測出之輪廓對抗蝕圖案6進行外觀檢查。
如圖3所示，首先，對形成有抗蝕圖案6之基板1射出檢查光，並接收來自基板1的反射光。檢查光的波長例如可以設為380nm以上、430nm以上或600nm以上。又，檢查光的波長例如可以設為830nm以下、780nm以下或700nm以下。該等波長的最小值和最大值可以適當組合。例如，檢查光的波長可以設為380nm以上且830nm以下、430nm以上且780nm以下或600nm以上且700nm以下。再者，檢查光可以使用白色光，該白色光使用雷射激發光源等。在外觀檢查步驟中接收反射光之基板1的受光區域例如可以設為1cm 2以上且2500cm 2以下、5cm 2以上且1200cm 2以下、25cm 2以上且600cm 2以下。檢查光的照射方法例如可以使用正反射光及漫反射光中的任一者，亦可以組合使用正反射光及漫反射光。
接著，如圖4所示，根據來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度，確定抗蝕圖案6的輪廓10。例如，在反射光的受光圖像中，檢測明度或色度等的對比度變大之邊界。其後，將該檢測出之邊界確定為抗蝕圖案6的輪廓10。基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測例如使用AOI Ultra Fusion 600（Orbotech Ltd.製、商品名）等的光學自動外觀檢查裝置（以下，亦稱為“AOI”）。
作為抗蝕圖案6的外觀檢查，例如可舉出檢查抗蝕圖案6有無缺陷8之檢查、檢查抗蝕圖案6的缺陷8的形狀、位置、大小等（以下，亦稱為“形狀等”）之檢查、檢查抗蝕圖案6的形狀之檢查、或測量抗蝕圖案6的線寬之檢查。
在檢查抗蝕圖案6有無缺陷8之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將根據來自基板1的反射光檢測出之抗蝕圖案6的輪廓10與在抗蝕圖案形成步驟中用於形成抗蝕圖案6之圖案資料11進行對比。作為圖案資料11，例如使用抗蝕圖案6的CAD資料。其後，檢測與圖案資料11不同的檢測出之輪廓10的部位10a作為抗蝕圖案6的缺陷8。其後，計算檢測出之缺陷8的數量。
在檢查抗蝕圖案6的缺陷8的形狀等之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將根據來自基板1的反射光檢測出之抗蝕圖案6的輪廓10與在抗蝕圖案形成步驟中用於形成抗蝕圖案6之圖案資料11進行對比。其後，檢測與圖案資料11不同的檢測出之輪廓10的部位10a作為抗蝕圖案6的缺陷8。其後，根據檢測出之缺陷8的輪廓，檢查檢測出之缺陷8的形狀等。
在檢查抗蝕圖案6的形狀之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將根據來自基板1的反射光檢測出之抗蝕圖案6的輪廓10與在抗蝕圖案形成步驟中用於形成抗蝕圖案6之圖案資料11進行對比。其後，檢查抗蝕圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度。
在測量抗蝕圖案6的線寬之檢查中，例如，藉由測量根據來自基板1的反射光檢測出之抗蝕圖案6的輪廓10的間隔，測量抗蝕圖案6的線寬。
＜顯色步驟＞ 實施形態之抗蝕圖案之檢查方法可以根據需要包括顯色步驟，該顯色步驟使形成於基板1上之抗蝕圖案6顯色。這裡，顯色不僅表示從無色透明的狀態顯現出顏色之情況，而且還表示顏色從已顯現出顏色之狀態變濃之情況。顏色變濃例如係指透光率變低。顯色步驟例如可以在抗蝕圖案形成步驟之後且檢查步驟及外觀檢查步驟之前進行。作為顯色步驟，例如進行曝光處理、加熱處理、曝光加熱處理及染色處理中的至少一個處理。
（曝光處理） 在曝光處理中，對抗蝕圖案6進行曝光，以使抗蝕圖案6顯色。例如，在抗蝕圖案形成步驟中，先形成含有光顯色劑之抗蝕圖案6。光顯色劑為藉由曝光顯色之（與光反應而顯色之）顯色劑。光顯色劑例如可以為藉由曝光及升溫顯色之顯色劑，亦可以為藉由升溫促進顯色之顯色劑。含有光顯色劑之抗蝕圖案6例如藉由使感光層2含有光顯色劑來形成。作為這樣的光顯色劑，例如使用三溴苯基碸、隱色結晶紫、二苯胺、苄胺、三苯胺、二乙基苯胺及鄰氯苯胺等。其後，在曝光處理中，利用活性光線對形成有抗蝕圖案6之基板1進行曝光。藉此，抗蝕圖案6所含之光顯色劑顯色。在曝光處理中，例如將抗蝕圖案6曝光成，在外觀檢查步驟中向基板1射出之檢查光的、曝光處理後的抗蝕圖案6的透射率與曝光處理前的抗蝕圖案6的透射率的比例成為98%以下、96%以下或90%以下。
活性光線的波長區域例如為抗蝕圖案6所含之光顯色劑能夠藉由照射活性光線而顯色之波長區域。照射活性光線之時間取決於活性光線的輸出及光顯色劑的種類等，例如，在光顯色劑為隱色結晶紫之情況下，照射活性光線之能量（曝光量）可以設為0.5J以上、1.0J以上或1.5J以上。同樣地，在光顯色劑為隱色結晶紫之情況下，可以設為5.0J以下、3.0J以下或2.5J以下。該等能量的最小值和最大值可以適當組合。例如，照射活性光線之能量可以設為0.5J以上且5.0J以下、1.0J以上且3.0J以下或1.5J以上且2.5J以下。
（加熱處理） 在加熱處理中，對抗蝕圖案6進行加熱，以使抗蝕圖案6顯色。例如，在抗蝕圖案形成步驟中，形成含有熱顯色劑之抗蝕圖案6。熱顯色劑為升溫有助於顯色之顯色劑。熱顯色劑例如可以為藉由升溫顯色之顯色劑，亦可以為藉由曝光顯色且藉由升溫促進顯色之顯色劑。含有熱顯色劑之抗蝕圖案6例如藉由使感光層2含有熱顯色劑來形成。作為這樣的熱顯色劑，例如可以使用與光顯色劑相同者。其後，在加熱處理中，對形成有抗蝕圖案6之基板1進行加熱。藉此，抗蝕圖案6所含之熱顯色劑顯色。在加熱處理中，例如將抗蝕圖案6加熱成，在外觀檢查步驟中向基板1射出之檢查光的、加熱處理後的抗蝕圖案6的透射率與加熱處理前的抗蝕圖案6的透射率的比例成為98%以下、96%以下或90%以下。
在加熱處理中，例如可以將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上、50℃以上或60℃以上。同樣地，可以將抗蝕圖案6的溫度設為150℃以下、120℃以下或100℃以下。該等溫度的最小值和最大值可以適當組合。例如，可以將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上且150℃以下、50℃以上且120℃以下或60℃以上且100℃以下。再者，在基板1的周圍的環境溫度處於該等溫度範圍內之情況下，可以不用另行準備其他熱源。抗蝕圖案6的溫度可以為抗蝕圖案6本身的溫度，亦可以為形成有抗蝕圖案6之基板1的溫度，亦可以為抗蝕圖案6附近的溫度。抗蝕圖案6附近的溫度例如為距抗蝕圖案6在50cm以內、30cm以內或10cm以內的位置的溫度。
（曝光加熱處理） 在曝光加熱處理中，對抗蝕圖案6進行曝光及加熱，以使抗蝕圖案6顯色。例如，在抗蝕圖案形成步驟中，先形成含有光熱顯色劑之抗蝕圖案6。光熱顯色劑為曝光及升溫有助於顯色之顯色劑。光熱顯色劑例如可以為藉由曝光顯色且藉由升溫促進顯色之顯色劑。含有光熱顯色劑之抗蝕圖案6例如藉由使感光層2含有光熱顯色劑來形成。作為這樣的光熱顯色劑，例如可以使用與光顯色劑相同者。其後，在曝光加熱處理中，利用活性光線對形成有抗蝕圖案6之基板1進行曝光，並且對其進行加熱。藉此，抗蝕圖案6所含之光熱顯色劑顯色。在曝光加熱處理中，例如將抗蝕圖案6曝光及加熱成，在外觀檢查步驟中向基板1射出之檢查光的、曝光加熱處理後的抗蝕圖案6的透射率與曝光加熱處理前的抗蝕圖案6的透射率的比例成為98%以下、96%以下或90%以下。
活性光線的波長區域例如為抗蝕圖案6所含之光熱顯色劑能夠藉由照射活性光線而顯色之波長區域。照射活性光線之時間取決於活性光線的輸出及光熱顯色劑的種類等，例如，在光熱顯色劑為隱色結晶紫之情況下，照射活性光線之能量（曝光量）可以設為0.5J以上、1.0J以上或1.5J以上。同樣地，在光熱顯色劑為隱色結晶紫之情況下，可以設為5.0J以下、3.0J以下或2.5J以下。該等能量的最小值和最大值可以適當組合。例如，照射活性光線之能量可以設為0.5J以上且5.0J以下、1.0J以上且3.0J以下或1.5J以上且2.5J以下。
在曝光加熱處理中，例如，作為用於使抗蝕圖案6顯色之加熱，可以將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上、50℃以上或60℃以上。同樣地，可以將抗蝕圖案6的溫度設為150℃以下、120℃以下或100℃以下。該等溫度的最小值和最大值可以適當組合。例如，可以將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上且150℃以下或50℃以上且120℃以下、60℃以上且100℃以下。再者，在基板1的周圍的環境溫度處於該等溫度範圍內之情況下，可以不用另行準備其他熱源。抗蝕圖案6的溫度可以為抗蝕圖案6本身的溫度，亦可以為形成有抗蝕圖案6之基板1的溫度，亦可以為抗蝕圖案6附近的溫度。抗蝕圖案6附近的溫度例如為距抗蝕圖案6在50cm以內、30cm以內或10cm以內的位置的溫度。
（染色處理） 在染色處理中，對抗蝕圖案6進行染色，以使抗蝕圖案6顯色。例如，將形成有抗蝕圖案6之基板1浸漬於染色液中。作為染色液，例如使用樹脂用染料SDN黑（Osaka Kasei Co.,Ltd製、商品名）。此時，可以將整個基板1浸漬於染色液中，亦可以以使整個抗蝕圖案6浸漬於染色液中之方式將基板1的一部分浸漬於染色液中。又，例如，亦可以對形成有抗蝕圖案6之基板1滴加染色液。此時，可以對整個基板1滴加染色液，亦可以以對整個抗蝕圖案6滴加染色液之方式對基板1的一部分滴加染色液。
[抗蝕圖案之製造方法] 實施形態之抗蝕圖案之製造方法包括：抗蝕圖案形成步驟，在基板1上形成抗蝕圖案6；及顯色步驟，在抗蝕圖案形成步驟之後，使抗蝕圖案6顯色。抗蝕圖案之製造方法的抗蝕圖案形成步驟例如可以與上述抗蝕圖案之檢查方法的抗蝕圖案形成步驟相同。又，抗蝕圖案之製造方法的顯色步驟例如可以與上述抗蝕圖案之檢查方法的顯色步驟相同。抗蝕圖案之製造方法可以含有其他步驟。
[基板篩選方法] 本實施形態之基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，根據來自形成有抗蝕圖案6之基板1的反射光對抗蝕圖案6進行外觀檢查；及評價步驟，根據外觀檢查步驟中的外觀檢查對抗蝕圖案6進行評價。基板篩選方法的外觀檢查步驟例如可以與上述抗蝕圖案之檢查方法的外觀檢查步驟相同。基板篩選方法可以含有其他步驟。
＜評價步驟＞ 在評價步驟中，以規定的基準對抗蝕圖案6進行評價。
例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕圖案6有無缺陷8之外觀檢查之情況下，在評價步驟中，根據抗蝕圖案6的缺陷8的數量對抗蝕圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕圖案6的缺陷8的數量少於規定的基準數，則評價為良，若抗蝕圖案6的缺陷8的數量多於規定的基準數，則評價為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕圖案6的缺陷8的形狀等之檢查之情況下，在評價步驟中，根據抗蝕圖案6的缺陷8的尺寸對抗蝕圖案6進行評價。例如，若抗蝕圖案6的缺陷8的形狀等在規定的允許範圍內，則評價為良，若抗蝕圖案6的缺陷8的形狀在規定的允許範圍外，則評價為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕圖案6的形狀之檢查之情況下，在評價步驟中，根據抗蝕圖案6的形狀對抗蝕圖案6進行評價。例如，若抗蝕圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度在規定的允許範圍內，則視為良，若抗蝕圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度在規定的允許範圍外，則視為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了測量抗蝕圖案6的線寬之外觀檢查之情況下，在評價步驟中，根據抗蝕圖案6的線寬對抗蝕圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕圖案6的線寬在規定的基準範圍內，則評價為良，若抗蝕圖案6的線寬在規定的基準範圍外，則評價為不良。
[印刷配線板之製造方法] 本實施形態之印刷配線板之製造方法包括導體圖案形成步驟，該導體圖案形成步驟對上述基板篩選方法中的抗蝕圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案。亦即，在導體圖案形成步驟中，不會對基板篩選方法中的抗蝕圖案的評價不滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案。本實施形態之印刷配線板之製造方法可以根據需要包括抗蝕圖案去除步驟等的其他步驟。
在蝕刻處理中，以形成於具備導體層之基板上之抗蝕圖案為遮罩，蝕刻去除未被抗蝕劑覆蓋之基板的導體層。在蝕刻處理之後，藉由去除抗蝕圖案6而去除抗蝕劑以形成導體圖案。
如圖6（a）所示，在鍍覆處理中，以形成於具備導體層1b之基板1上之抗蝕圖案6為遮罩，在未被抗蝕劑覆蓋之基板1的導體層1b上鍍覆銅或銲料等。在鍍覆處理之後，如圖6（b）所示，藉由去除抗蝕圖案6而去除抗蝕劑，如圖6（c）所示，對被該抗蝕劑覆蓋之導體層1b進行蝕刻，形成導體圖案9。作為鍍覆處理的方法，可以為電鍍處理，亦可以為無電鍍覆處理，但其中可以為電鍍處理。
如上所述，在本實施形態之抗蝕圖案之檢查方法中，根據來自形成有抗蝕圖案6之基板1的反射光對抗蝕圖案6進行外觀檢查，因此與使用SEM之外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地檢測抗蝕圖案6的缺陷8。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，利用根據來自基板1的反射光檢測出之抗蝕圖案6的輪廓10作為抗蝕圖案6的外觀檢查，藉此能夠適當地對抗蝕圖案6進行外觀檢查。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，將檢測出之輪廓10與用於形成抗蝕圖案6之圖案資料11進行對比作為抗蝕圖案6的外觀檢查，藉此能夠高精度地檢測抗蝕圖案6的缺陷8。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，根據檢測出之輪廓10測量抗蝕圖案6的線寬作為抗蝕圖案6的外觀檢查，藉此能夠對抗蝕圖案6的形成狀態進行評價。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，藉由在基板1上形成抗蝕圖案6之後使抗蝕圖案6顯色來降低透射率，因此來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度增加。因此，能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案6進行曝光而使抗蝕圖案6顯色，藉此能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案6進行加熱而使抗蝕圖案6顯色，藉此能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上且150℃以下、50℃以上且120℃以下或60℃以上且100℃以下而使抗蝕圖案6顯色，藉此能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，對抗蝕圖案6進行染色而使抗蝕圖案6顯色，藉此能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之檢查方法中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案6，藉此能夠藉由對抗蝕圖案6進行曝光而使抗蝕圖案6顯色。
抗蝕圖案6變得越厚，來自抗蝕圖案6的反射光越衰減，從而變得越暗。亦即，抗蝕圖案6變得越厚，來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度越增加。因此，從來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度增加之觀點出發，形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度例如可以設為1μm以上、3μm以上或5μm以上。又，形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度例如可以設為100μm以下、60μm以下或40μm以下。該等感光層2的厚度的最小值和最大值可以適當組合。例如，形成於基板1上之抗蝕圖案6的厚度可以設為1μm以上且100μm以下、3μm以上且60μm以下或5μm以上且40μm以下。
在該抗蝕圖案之檢查方法中，形成1μm以上且100μm以下、3μm以上且60μm以下或5μm以上且40μm以下的厚度的抗蝕圖案6，藉此能夠抑制抗蝕圖案6變得過厚，同時增加來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度。因此，能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
在本實施形態之抗蝕圖案之製造方法中，在基板1上形成抗蝕圖案6之後使抗蝕圖案6顯色，藉此來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度增加。因此，例如，在根據來自形成有抗蝕圖案6之基板1的反射光檢測抗蝕圖案6的輪廓10之情況下，能夠提高檢測精度。又，在測定抗蝕圖案6的線寬的情況下，容易聚焦於抗蝕圖案6的表面或抗蝕圖案6的輪廓。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案6進行曝光而使抗蝕圖案6顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案6進行加熱而使抗蝕圖案6顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，將抗蝕圖案6的溫度設為35℃以上且150℃以下、50℃以上且120℃以下或60℃以上且100℃以下而使抗蝕圖案6顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，對抗蝕圖案6進行染色而使抗蝕圖案6顯色，藉此例如能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之抗蝕圖案6，藉此能夠藉由對抗蝕圖案6進行曝光而使抗蝕圖案6顯色。
又，在該抗蝕圖案之製造方法中，形成1μm以上且100μm以下、3μm以上且60μm以下或5μm以上且40μm以下的厚度的抗蝕圖案6，藉此能夠抑制抗蝕圖案6變得過厚，同時增加來自抗蝕圖案6的反射光與來自抗蝕圖案6以外的區域的反射光之間的對比度。因此，例如能夠提高基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的輪廓10的檢測精度。
在本實施形態之基板篩選方法中，藉由基於來自基板1的反射光之抗蝕圖案6的外觀檢查對抗蝕圖案6進行評價，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地篩選基板1。
又，在該基板篩選方法中，根據抗蝕圖案6的缺陷的數量或形狀對基板1進行評價，藉此能夠適當地評價基板1。
在本實施形態之印刷配線板之製造方法中，對上述基板篩選方法中的抗蝕圖案6的評價滿足基準之基板1進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案9，因此能夠抑制發生導體圖案9的斷線或短路等的不良情況。
本發明並不限定於上述實施形態，可以在不脫離本發明的主旨之情況下適當進行變更。 [實施例]
接著，對本公開的實施例進行說明。但是，本公開並不限定於以下實施例。
1．感光性元件及基材 在實施例1～12及比較例1中，使用了表1及以下所示的感光性元件及基材。再者，感光性元件的商品名的後兩位數字表示感光層的膜厚（單位：μm）。 （感光性元件） F-1：RY-5115（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名） F-2：RY-5125（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名、感光層組成與（F-1）相同） F-3：FL-7225（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名） F-4：ME-3606SG（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名） F-5：將RY-5115（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名）的MKG（孔雀綠）設為10倍量而製造出之感光性元件 （基材） S-1：Cu濺射PET膜（GEOMATEC Co., Ltd.製、板厚：125μm、Ra＜50nm） S-2：GL-102（Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.製、商品名、Ra：約100nm） S-3：MCL-E67（Showa Denko Materials co., Ltd.製、商品名、Ra：約300nm）
2．積層體的製作 在實施例1～5、7及8～11中，將在除溼條件下保管之S-1用作具有作為導電層的銅層之基板。在實施例6、8及比較例1中，對具有作為導電層的銅層之基板進行酸洗及水洗，並用氣流進行乾燥之後，將基板加溫至80℃。其後，在實施例1～12及比較例1中，將感光性元件層合（積層）於基板的銅層的表面。層合係如下進行：一邊剝離感光性元件的保護層，一邊使用110℃的熱輥以0.4MPa的壓接壓力、1.0m/分的輥速度使感光性元件的感光層與基板的銅層的表面接觸。如此，得到依次積層有基板、感光層及支撐體之實施例1～12及比較例1的積層體。所得之積層體用作以下所示的試驗的試驗片。
3．圖案基板的製作 [實施例1～7、9～12及比較例1] 使用玻璃鉻型光罩（解析度評價用或圖案檢查用），並使用以超高壓水銀燈（365nm）為光源之投影曝光裝置（Ushio Inc.製、商品名“UX-2240SM”）以規定的能量對感光層進行了曝光（曝光處理）。再者，解析度評價用光罩使用了具有線寬/間隔寬度為x/x（x：1～30、單位：μm）的配線圖案者，圖案檢查用光罩使用了具有線寬/間隔寬度為x/x（x：10、15、20、單位：μm）的配線圖案者（圖案區域：90mm×90mm）。
曝光後，剝離支撐體而使感光層暴露，以最短顯影時間（去除未曝光部分之最短時間）的2倍的時間噴射30℃的1質量%碳酸鈉水溶液，去除了未曝光部分（顯影處理）。將使用解析度評價用光罩曝光之顯影處理後的基板稱為解析度評價用圖案基板，將使用圖案檢查用光罩曝光之顯影處理後的基板稱為檢查用圖案基板。在解析度評價用圖案基板中，根據乾淨地去除了間隔部分（未曝光部分）且線部分（曝光部分）未產生扭曲、蜿蜒及缺陷地形成之抗蝕圖案中最小的線寬/間隔寬度的值對解析度進行了評價。
[實施例8] 使用以半導體雷射（375nm及405nm混合線、波長的比率可任意變更（375nm:405nm=0:100～100:0））為光源之直寫曝光裝置（Orbotech Ltd.製、商品名“Nuvogo Fine 8”）以規定的能量對感光層進行了曝光。曝光後，以與實施例1～7、9～10及比較例1相同的步驟進行顯影處理，製作出解析度評價用圖案基板及檢查用圖案基板。
4．著色處理 使用檢查用圖案基板進行了以下處理。
[實施例1] 使用樹脂用染料SDN黑（Osaka Kasei Co.,Ltd製、商品名）製作出用水稀釋成20倍之溶液300ml（液溫：25℃），填滿至外徑20×25×5cm的不銹鋼盤中。將顯影後的基板浸漬於溶液中，一邊適當輕輕挪動基板，一邊進行了3小時染色。規定時間後，撈起進行水洗，並吹乾。
[實施例2] 使用平行曝光機（ORC MANUFACTURING CO.,LTD.製、商品名“EXM-1201”、365nm及405nm混合線）對顯影後的整個基板進行了約2.0J的曝光。曝光時的基板表面附近的溫度為31℃。
[實施例3～9] 使用大型UV照射裝置（ORC MANUFACTURING CO.,LTD.製、商品名“QRM-2317-F-00”），以每次的曝光量約成為0.5J之傳送帶速度用傳送帶傳送顯影後的基板，並對其進行了曝光處理。在實施例3中，進行了1次曝光處理，並將曝光量設為0.5J。實施例3的曝光時的基板表面附近的溫度為35℃。在實施例4、6～8中，進行了2次曝光處理，並將合計的曝光量設為1J。實施例4、6～8的曝光時的基板表面附近的溫度為50℃。在實施例5、9中，進行了3次曝光處理，並將合計的曝光量設為1.5J。實施例5的曝光時的基板表面附近的溫度為35℃。實施例5、9的曝光時的基板表面附近的溫度為62℃。
5．透射率測定（著色處理後） 將F-1的感光性元件層合（積層）於載玻片（Matsunami Glass Ind.,Ltd.製、商品名“白色載玻片 切割No.1 S1126”）表面。層合係如下進行：一邊剝離保護層，一邊使用110℃的熱輥以0.2MPa的壓接壓力、1.0m/分的輥速度使感光性元件的感光層與載玻片表面接觸。將感光層積層於載玻片上之後，在與製作圖案基板時相同的條件下進行曝光處理及著色處理，剝離支撐體，製作出透射率測定用樣品。感光層的吸光度係使用U-3310形分光光度計（Hitachi High-Tech Science Corporation製、測定條件 波長範圍：330～700nm、掃描速度：300nm/分、掃描間隔：0.50nm）測定。基線測定係將未處理的載玻片用作參考及樣品而進行。根據所得之測定光譜記錄檢查光的波長（635nm）下的吸光度，並計算出檢查光的透射率。
6．抗蝕圖案的外觀檢查 在實施例1～12中，作為抗蝕圖案的外觀檢查，使用AOI Ultra Fusion 600（Orbotech Ltd.製、商品名）檢測了抗蝕圖案的缺陷。面板極性設定為負（Negative），光強度設為正反射光：120、漫反射光：60，使用的光僅設為紅色。在比較例1中，作為抗蝕圖案的外觀檢查，使用SU-1500（Hitachi High-Tech Corporation製、商品名）的SEM觀察了抗蝕圖案的缺陷。此時，加速電壓設為15kV，電流值設為10μA。其後，對實施例1～12及比較例1評價了外觀檢查的時間，並對實施例1～12評價了抗蝕圖案的缺陷的圖案檢測率。圖案檢測率係指進行外觀檢查時檢查裝置識別出抗蝕圖案的輪廓而成功辨認圖案之概率。亦即，在進行外觀檢查之前，藉由檢查裝置進行與實施例1～12分別對應之適當的灰階值（明暗二值化的臨界值）設定，並設為，若完成該設定，則為OK，若未完成該設定而發生錯誤，則為NG。其後，在抗蝕圖案的缺陷的圖案檢測率的評價中，將每次皆OK的情況設為A，將並非每次皆OK但NG的概率低的情況設為B，將NG的概率高的情況設為C。在外觀檢查的時間的評價中，將小於10分/cm 2設為A，將10分/cm 2以上且小於5000分/100cm 2設為B，將5000分/100cm 2以上設為C。
【表1】
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 比較例1
感光性元件 F-1 F-1 F-1 F-1 F-1 F-1 F-2 F-3 F-4 F-5 F-1 F-1 F-1
感光層組成 1 1 1 1 1 1 1 2 3 4 1 1 1
感光層膜厚（μm） 15 15 15 15 15 15 25 25 6 15 15 15 15
基板的基材 S-1 S-1 S-1 S-1 S-1 S-2 S-1 S-3 S-1 S-1 S-1 S-3 S-1
基材的表面粗糙度Ra（nm） ＜50 ＜50 ＜50 ＜50 ＜50 100 ＜50 300 ＜50 ＜50 ＜50 300 ＜50
顯色方法 染色 曝光 曝光加熱 曝光加熱 曝光加熱 曝光加熱 曝光加熱 曝光加熱 曝光加熱 增加染料 無 無 無
曝光量（J） - 2 0.5 1 1.5 1 1 1 1.5 - - - -
溫度（℃） 25 31 35 50   50 50 50   25 25 25 -
635nm透射率（%） 10.9 75.0 - - 66.4 - - - - - 78.2 - -
檢查時間 A A A A A A A A A A A A C
圖案檢測率 A A A A A A A A A A B B -
7．評價 如表1所示，在實施例1～12中，與比較例1相比，檢查時間顯著縮短。由該結果可知，藉由根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對抗蝕圖案進行外觀檢查，與使用SEM之外觀檢查相比，能夠在短時間內檢測抗蝕圖案的缺陷。
又，在實施例1～10中，與實施例11～12相比，圖案檢測率高。由該結果可知，在根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光進行之抗蝕圖案的外觀檢查中，藉由使抗蝕圖案顯色，容易檢測抗蝕圖案的輪廓，從而檢查精度提高。
1:基板 1a:絕緣層 1b:導體層 2:感光層 2a:光固化部 2b:未固化部 3:支撐體 4:積層體 5:光罩 6:抗蝕圖案 7:異物 8:缺陷 9:導體圖案 10:輪廓 11:圖案資料
圖1中，圖1（a）係用於說明抗蝕圖案形成步驟中的感光層形成步驟之模式側視圖，圖1（b）係用於說明抗蝕圖案形成步驟中的曝光步驟之模式側視圖，圖1（c）係用於說明抗蝕圖案形成步驟中的顯影步驟之模式側視圖。 圖2中，圖2（a）、圖2（b）及圖2（c）係用於說明基於存在缺陷之抗蝕圖案之導體圖案的形成之模式側視圖。 圖3係用於說明外觀檢查步驟之模式側視圖。 圖4係用於說明來自基板的反射光之模式圖。 圖5係用於說明圖案資料之模式圖。 圖6中，圖6（a）、圖6（b）及圖6（c）係用於說明導體圖案的形成之模式側視圖。
1:基板
1a:絕緣層
1b:導體層
6:抗蝕圖案
8:缺陷

Claims (21)

  1. 一種抗蝕圖案之檢查方法，其包括外觀檢查步驟， 前述外觀檢查步驟根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對前述抗蝕圖案進行外觀檢查。
  2. 如請求項1所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，根據來自基板的反射光檢測前述抗蝕圖案的輪廓，並根據檢測出之前述輪廓對前述抗蝕圖案進行外觀檢查。
  3. 如請求項2所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，將檢測出之前述輪廓與用於形成前述抗蝕圖案之圖案資料進行對比。
  4. 如請求項2所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，根據檢測出之前述輪廓測量前述抗蝕圖案的線寬。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之抗蝕圖案之檢查方法，其進一步包括： 抗蝕圖案形成步驟，在前述基板上形成前述抗蝕圖案；及 顯色步驟，在前述抗蝕圖案形成步驟之後，使前述抗蝕圖案顯色。
  6. 如請求項5所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行曝光，以使前述抗蝕圖案顯色。
  7. 如請求項5或請求項6所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行加熱，以使前述抗蝕圖案顯色。
  8. 如請求項5至請求項7之任一項所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述顯色步驟中，將前述抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下，以使前述抗蝕圖案顯色。
  9. 如請求項5至請求項8之任一項所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行染色，以使前述抗蝕圖案顯色。
  10. 如請求項5至請求項9之任一項所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述抗蝕圖案形成步驟中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之前述抗蝕圖案。
  11. 如請求項5至請求項10之任一項所述之抗蝕圖案之檢查方法，其中 在前述抗蝕圖案形成步驟中，形成1μm以上且100μm以下的厚度的前述抗蝕圖案。
  12. 一種抗蝕圖案之製造方法，其包括： 抗蝕圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕圖案；及 顯色步驟，在前述抗蝕圖案形成步驟之後，使前述抗蝕圖案顯色。
  13. 如請求項12所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行曝光，以使前述抗蝕圖案顯色。
  14. 如請求項12或請求項13所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行加熱，以使前述抗蝕圖案顯色。
  15. 如請求項12至請求項14之任一項所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述顯色步驟中，將前述抗蝕圖案的溫度設為35℃以上且150℃以下，以使前述抗蝕圖案顯色。
  16. 如請求項12至請求項15之任一項所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述顯色步驟中，對前述抗蝕圖案進行染色，以使前述抗蝕圖案顯色。
  17. 如請求項12至請求項16之任一項所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述抗蝕圖案形成步驟中，形成含有與光反應而顯色之光顯色劑之前述抗蝕圖案。
  18. 如請求項12至請求項17之任一項所述之抗蝕圖案之製造方法，其中 在前述抗蝕圖案形成步驟中，形成1μm以上且100μm以下的厚度的前述抗蝕圖案。
  19. 一種基板篩選方法，其包括： 外觀檢查步驟，根據來自形成有抗蝕圖案之基板的反射光對前述抗蝕圖案進行外觀檢查；及 評價步驟，根據前述外觀檢查步驟中的前述外觀檢查對前述抗蝕圖案進行評價。
  20. 如請求項19所述之基板篩選方法，其中 在前述評價步驟中，根據前述抗蝕圖案的缺陷的數量或形狀對前述抗蝕圖案進行評價。
  21. 一種印刷配線板之製造方法，其包括導體圖案形成步驟， 所述導體圖案形成步驟對請求項19或請求項20所述之基板篩選方法中的前述抗蝕圖案的前述評價滿足基準之前述基板進行蝕刻處理或鍍覆處理，來形成導體圖案。
TW110144542A 2021-01-21 2021-11-30 抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法 TW202231152A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/002093 WO2022157895A1 (ja) 2021-01-21 2021-01-21 レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法
WOPCT/JP2021/002093 2021-01-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202231152A true TW202231152A (zh) 2022-08-01

Family

ID=82548572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110144542A TW202231152A (zh) 2021-01-21 2021-11-30 抗蝕圖案之檢查方法、抗蝕圖案之製造方法、基板篩選方法及印刷配線板之製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2022157895A1 (zh)
KR (1) KR20230132495A (zh)
CN (1) CN116745604A (zh)
TW (1) TW202231152A (zh)
WO (1) WO2022157895A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04152343A (ja) * 1990-10-17 1992-05-26 Hitachi Chem Co Ltd プリント配線板の製造方法
JP3375732B2 (ja) * 1994-06-07 2003-02-10 株式会社日立製作所 薄膜配線の形成方法
JPH09257640A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Toppan Printing Co Ltd パターン欠陥検査方法及びそれを用いた金属薄板パターンエッチング製品の製造方法
JPH10170715A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Canon Inc 樹脂ブラックマトリクスの製造方法、該方法によって製造された樹脂ブラックマトリクス、該ブラックマトリクスを有する液晶用カラーフィルター及び該カラーフィルターを用いた液晶パネル
JP2005207802A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Toshiba Corp レジストパターン検査方法及びその検査装置
JP2006086154A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd マクロ検査方法
US11092893B2 (en) * 2018-12-10 2021-08-17 Kla Corporation Inspection sensitivity improvements for optical and electron beam inspection

Also Published As

Publication number Publication date
CN116745604A (zh) 2023-09-12
JPWO2022157895A1 (zh) 2022-07-28
KR20230132495A (ko) 2023-09-15
WO2022157895A1 (ja) 2022-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100706731B1 (ko) 위상 시프트 마스크
US5763123A (en) Method for producing thin-film substrate
JPH0341976B2 (zh)
WO2022157895A1 (ja) レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法
US5123743A (en) Lithography mask inspection
JP2011171373A (ja) 配線回路基板の検査方法および製造方法
WO2024024483A1 (ja) レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法
WO2024024484A1 (ja) レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法
WO2023162934A1 (ja) パターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、対象基板の選別方法、及び対象基板の製造方法
JPH01272945A (ja) 表面欠陥の検査方法
CN113702290A (zh) 一种电路板阻焊图案自动光学检查及修正的方法及设备
US3823016A (en) Photomask repair process
TWI557822B (zh) 檢測光罩的方法
CN113176267A (zh) 一种光罩强光检测工艺
Zait et al. CD variations correction by local transmission control of photomasks done with a novel laser-based process
US3843362A (en) Latent image mask repair
CN118130504A (zh) 一种pcb板印刷质量检测方法
US4765743A (en) Method of inspecting a master member
KR930008129B1 (ko) 포토 레지스트 조성물
JPH10208640A (ja) シャドウマスクの検査方法
CN113588679A (zh) 检查褪膜不净的方法
JPS5754322A (en) Inspecting method for photomask
JPH04248448A (ja) 多層配線基板の検査方法
US8810785B2 (en) Mask inspecting method
KR100649003B1 (ko) 마스크 검사방법