WO2022157895A1 - レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法 Download PDF

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color
coloring
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明子 武田
陽介 賀口
壮和 粂
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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    • G01N2021/95638—Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's

Definitions

  • the present disclosure relates to a resist pattern inspection method, a resist pattern manufacturing method, a board sorting method, and a printed wiring board manufacturing method.
  • a photosensitive layer is laminated on the board.
  • actinic rays are applied to predetermined portions of the photosensitive layer through a photomask to cure the exposed portions.
  • the unexposed portion of the photosensitive layer is removed with a developer to form a resist pattern on the substrate.
  • the substrate on which the resist pattern is formed is etched or plated to form a conductive pattern on the substrate, and finally the cured portion of the photosensitive layer (resist pattern) is removed from the substrate. Peel off.
  • an object of the present disclosure is to provide a resist pattern inspection method, a resist pattern manufacturing method, a board sorting method, and a printed wiring board manufacturing method that can evaluate a resist pattern with high precision in a short time.
  • the resist pattern inspection method of the present disclosure includes a visual inspection step of visually inspecting the resist pattern based on reflected light from the substrate on which the resist pattern is formed.
  • the appearance of the resist pattern is inspected based on the light reflected from the substrate on which the resist pattern is formed. can be detected.
  • the contour of the resist pattern may be detected based on the reflected light from the substrate, and the resist pattern may be visually inspected based on the detected contour.
  • the appearance of the resist pattern can be appropriately inspected by utilizing the outline of the resist pattern detected based on the reflected light from the substrate.
  • the detected contour may be compared with pattern data for forming a resist pattern.
  • defects in the resist pattern can be detected with high accuracy by comparing the detected outline with pattern data for forming the resist pattern as the appearance inspection of the resist pattern.
  • the line width of the resist pattern may be measured based on the detected contour.
  • the resist pattern formation state can be evaluated by measuring the line width of the resist pattern based on the detected contour as the appearance inspection of the resist pattern.
  • a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the substrate, and a coloring step of coloring the resist pattern after the resist pattern forming step may be further provided.
  • the resist pattern is formed on the substrate and then colored to reduce the transmittance. increase the contrast between Therefore, it is possible to improve the detection accuracy of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate.
  • the resist pattern may be exposed to color in order to develop the color of the resist pattern.
  • this resist pattern inspection method by exposing the resist pattern to color the resist pattern, it is possible to improve the detection accuracy of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate.
  • the resist pattern may be heated in order to develop the color of the resist pattern.
  • this resist pattern inspection method by heating the resist pattern to develop a color, the accuracy of detection of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate can be improved.
  • the temperature of the resist pattern may be set to 35° C. or more and 150° C. or less in order to color the resist pattern.
  • the temperature of the resist pattern is set to 35° C. or higher and 150° C. or lower to cause the resist pattern to develop a color, thereby increasing the detection accuracy of the outline of the resist pattern based on the light reflected from the substrate.
  • the resist pattern may be dyed in order to color the resist pattern.
  • this resist pattern inspection method by dyeing the resist pattern to develop a color, it is possible to improve the detection accuracy of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate.
  • a resist pattern containing a photocoloring agent that reacts with light to develop color may be formed.
  • a resist pattern containing a photocoloring agent that reacts with light to develop color is formed, and the resist pattern can be colored by exposing the resist pattern.
  • a resist pattern having a thickness of 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less may be formed.
  • this resist pattern inspection method by forming a resist pattern with a thickness of 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, the resist pattern is prevented from becoming too thick, and light reflected from the resist pattern and areas other than the resist pattern are prevented. The contrast between reflected light can be increased. Therefore, it is possible to improve the detection accuracy of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate.
  • a resist pattern manufacturing method includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern on a substrate, and a coloring step of coloring the resist pattern after the resist pattern forming step.
  • the resist pattern is formed on the substrate and then colored, thereby increasing the contrast between the reflected light from the resist pattern and the reflected light from areas other than the resist pattern. Therefore, for example, when detecting the contour of the resist pattern based on the reflected light from the substrate on which the resist pattern is formed, the detection accuracy can be improved. Also, when measuring the line width of the resist pattern, it becomes easier to focus on the surface of the resist pattern or the outline of the resist pattern.
  • the resist pattern may be exposed to color in order to develop the color of the resist pattern.
  • this resist pattern manufacturing method by exposing the resist pattern to color the resist pattern, for example, the accuracy of detection of the outline of the resist pattern based on the light reflected from the substrate can be improved.
  • the resist pattern may be heated in order to develop the color of the resist pattern.
  • the accuracy of detecting the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate can be improved.
  • the temperature of the resist pattern may be set to 35° C. or more and 150° C. or less in order to color the resist pattern.
  • the temperature of the resist pattern is set to 35° C. or more and 150° C. or less to develop a color in the resist pattern, so that, for example, the accuracy of detection of the outline of the resist pattern based on the light reflected from the substrate can be improved. can.
  • the resist pattern may be dyed in order to color the resist pattern.
  • the resist pattern is dyed to develop a color, so that the accuracy of detection of the outline of the resist pattern based on the reflected light from the substrate can be improved.
  • a resist pattern containing a photocoloring agent that reacts with light to develop color may be formed.
  • the resist pattern by forming a resist pattern containing a photocoloring agent that develops color by reacting with light, the resist pattern can be colored by exposing the resist pattern.
  • a resist pattern having a thickness of 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less may be formed.
  • the resist pattern is prevented from becoming too thick, and light reflected from the resist pattern and areas other than the resist pattern are prevented.
  • the contrast between reflected light can be increased. Therefore, for example, it is possible to improve the detection accuracy of the contour of the resist pattern based on the reflected light from the substrate.
  • a substrate selection method includes a visual inspection process of visually inspecting a resist pattern based on reflected light from a substrate on which a resist pattern is formed, and an evaluation process of evaluating the resist pattern based on the visual inspection in the visual inspection process. And prepare.
  • the resist pattern is evaluated by visual inspection of the resist pattern based on the light reflected from the board, so the board can be sorted with high precision in a short time compared to visual inspection using an SEM.
  • the resist pattern may be evaluated based on the number or shape of defects in the resist pattern.
  • the substrate can be properly evaluated by evaluating the resist pattern based on the number or shape of defects in the resist pattern.
  • the printed wiring board manufacturing method includes a conductor pattern forming step of forming a conductor pattern by etching or plating a substrate whose resist pattern evaluation in the above-described substrate selection method satisfies the criteria.
  • a resist pattern can be evaluated with high precision in a short time.
  • FIG. 1(a) is a schematic perspective view for explaining a photosensitive layer forming step in the resist pattern forming step
  • FIG. 1(b) is a schematic perspective view for explaining an exposure step in the resist pattern forming step
  • FIG. 1(c) is a schematic perspective view for explaining the developing step in the resist pattern forming step
  • 2(a), 2(b) and 2(c) are schematic perspective views for explaining formation of a conductor pattern based on a defective resist pattern.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining the appearance inspection process.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining reflected light from the substrate.
  • FIG. 5 is a schematic diagram for explaining pattern data.
  • FIGS. 6A, 6B, and 6C are schematic perspective views for explaining the formation of conductor patterns.
  • a or B may include either one of A and B, or may include both.
  • a resist pattern inspection method includes a visual inspection step of visually inspecting a resist pattern based on reflected light from a substrate on which a resist pattern is formed.
  • the resist pattern inspection method may include a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the substrate before the appearance inspection step.
  • the resist pattern inspection method may include other steps.
  • the term "process” includes not only an independent process, but also when the intended action of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes. .
  • a resist pattern can be said to be a pattern of a photocured product of a photosensitive resin composition, or a relief pattern.
  • the resist pattern forming step includes a photosensitive layer forming step (see FIG. 1(a)) for laminating a photosensitive layer on a substrate, and a photocuring portion by irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer with actinic rays. and a developing step (see FIG. 1C) for removing regions other than the predetermined portion of the photosensitive layer from the substrate.
  • the resist pattern forming step may include other steps as required.
  • a photosensitive layer 2 and a support 3 are formed on a substrate 1 .
  • the substrate 1 includes, for example, an insulating layer 1a and a conductor layer 1b formed on the insulating layer 1a.
  • the photosensitive layer 2 is formed on the conductor layer 1 b of the substrate 1 .
  • the conductor layer 1b is, for example, electroless copper plating.
  • the photosensitive layer 2 is a layer formed using a photosensitive resin composition whose properties change (for example, photo-curing) when exposed to light.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 contains, for example, a binder polymer, a photopolymerizable compound, and a photopolymerization initiator.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 may contain a photosensitizer, a polymerization inhibitor, or other components, if necessary.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 includes, for example, dyes such as malachite green, victoria pure blue, brilliant green and methyl violet, tribromophenyl sulfone, leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethyl Photocoloring agents such as aniline and o-chloroaniline, thermal coloring inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, adhesion imparting agents, leveling agents, release accelerators , antioxidants, fragrances, imaging agents, and thermal cross-linking agents.
  • dyes such as malachite green, victoria pure blue, brilliant green and methyl violet
  • tribromophenyl sulfone leuco crystal violet
  • diphenylamine benzylamine
  • triphenylamine diethyl
  • Photocoloring agents such as aniline and o
  • a heat-resistant and solvent-resistant polymer film such as polyester such as polyethylene terephthalate (PET), polypropylene, or polyolefin such as polyethylene may be used.
  • a photosensitive element comprises, for example, a support, a photosensitive layer, and a protective layer in this order. Then, after removing the protective layer, the photosensitive layer of the photosensitive element is pressed against the substrate 1 while being heated, whereby the photosensitive layer 2 and the support 3 are formed on the substrate 1 . As a result, a laminate 4 having the substrate 1, the photosensitive layer 2, the support 3, and the support film (not shown) in this order is obtained. An intermediate layer or the like may be arranged between the support 3 and the photosensitive layer 2 .
  • the photosensitive layer 2 is exposed to actinic rays through the support 3 .
  • the exposed portion irradiated with actinic rays is photocured to form a photocured portion 2a (latent image).
  • a known exposure method can be applied, for example, a method of irradiating actinic rays imagewise through a photomask 5 called artwork (mask exposure method), an LDI (Laser Direct Imaging) exposure method, or , a method of irradiating imagewise through a lens using actinic rays on which an image of a photomask is projected (projection exposure method), and the like.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 1 ⁇ m or more, 3 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more. Also, the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 100 ⁇ m or less, 60 ⁇ m or less, or 40 ⁇ m or less. These minimum and maximum thicknesses of the resist pattern 6 can be combined as appropriate. For example, the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less. The thickness of resist pattern 6 is the height with respect to substrate 1 in the direction perpendicular to the main surface of substrate 1 .
  • ⁇ Appearance inspection process> In the visual inspection process, the resist pattern 6 is visually inspected based on reflected light from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed.
  • defects 8 may occur in the resist pattern 6.
  • FIGS. 2(a), 2(b), and 2(c) in manufacturing a printed wiring board, a substrate 1 having a resist pattern 6 formed thereon is etched or plated. By doing so, the conductor pattern 9 is formed. Therefore, if there is a defect 8 in the resist pattern 6, defects such as disconnection or short circuit may occur in the conductor pattern 9 formed by etching or plating.
  • the line width of the resist pattern 6 may become thicker or thinner depending on the exposure state of actinic rays.
  • the resist pattern 6 is visually inspected in order to find defects before forming the conductor pattern.
  • the contour of the resist pattern 6 is detected based on the reflected light from the substrate 1, and the resist pattern 6 is visually inspected based on the detected contour.
  • the wavelength of the inspection light may be, for example, 380 nm or longer, 430 nm or longer, or 600 nm or longer. Also, the wavelength of the inspection light may be, for example, 830 nm or less, 780 nm or less, or 700 nm or less. These minimum and maximum wavelengths can be combined as appropriate. For example, the wavelength of the inspection light may be 380 nm or more and 830 nm or less, 430 nm or more and 780 nm or less, or 600 nm or more and 700 nm or less.
  • White light using a laser excitation light source or the like may be used as the inspection light.
  • the light receiving area of the substrate 1 that receives the reflected light in the visual inspection process may be, for example, 1 cm 2 or more and 2500 cm 2 or less, 5 cm 2 or more and 1200 cm 2 or less, or 25 cm 2 or more and 600 cm 2 or less.
  • the irradiation method of the inspection light for example, either regular reflection light or diffuse reflection light may be used, or a combination of regular reflection light and diffuse reflection light may be used.
  • the outline 10 of the resist pattern 6 is identified based on the contrast between the reflected light from the resist pattern 6 and the reflected light from the area other than the resist pattern 6. For example, in the received light image of the reflected light, a boundary where contrast such as brightness or chromaticity increases is detected. Then, this detected boundary is specified as the contour 10 of the resist pattern 6 .
  • an automatic optical visual inspection device hereinafter also referred to as "AOI" such as AOI Ultra Fusion 600 (manufactured by Japan Orbotech Co., Ltd., trade name) ) is used.
  • the appearance inspection of the resist pattern 6 includes, for example, an inspection to check whether there is a defect 8 in the resist pattern 6, an inspection to check the shape, position, size, etc. (hereinafter also referred to as "shape, etc.") of the defect 8 in the resist pattern 6, An inspection for checking the shape of the resist pattern 6 or an inspection for measuring the line width of the resist pattern 6 can be mentioned.
  • the pattern data 11 for forming the pattern 6 are compared.
  • the pattern data 11 for example, CAD data of the resist pattern 6 is used.
  • a portion 10 a where the detected contour 10 differs from the pattern data 11 is detected as a defect 8 of the resist pattern 6 .
  • the number of detected defects 8 is calculated.
  • the line width of the resist pattern 6 is measured by measuring the interval between the contours 10 of the resist pattern 6 detected based on the reflected light from the substrate 1.
  • the resist pattern inspection method may include a coloring step of coloring the resist pattern 6 formed on the substrate 1, if necessary.
  • a coloring step of coloring the resist pattern 6 formed on the substrate 1, if necessary.
  • to develop a color means not only the case where a color is developed from a colorless and transparent state, but also the case where a color that has already been developed becomes darker.
  • a darker color means, for example, a lower light transmittance.
  • the coloring process is performed, for example, after the resist pattern forming process and before the inspection process and the appearance inspection process.
  • As the color development step for example, at least one of exposure treatment, heat treatment, exposure heat treatment, and dyeing treatment is performed.
  • the resist pattern 6 is exposed in order to color the resist pattern 6 .
  • a resist pattern 6 containing a photocoloring agent is formed.
  • the photocolor former is a color former that develops color upon exposure (reacts with light to develop color).
  • the photocolor former may be, for example, a color former that develops color upon exposure and temperature rise, or may be a color former whose color development is accelerated by temperature rise.
  • the resist pattern 6 containing the photocoloring agent is formed, for example, by impregnating the photosensitive layer 2 with the photocoloring agent.
  • photocoloring agents examples include tribromophenylsulfone, leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline and o-chloroaniline.
  • the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed is exposed to actinic rays.
  • the photocoloring agent contained in the resist pattern 6 develops color.
  • the ratio of the transmittance of the resist pattern 6 after the exposure process to the transmittance of the resist pattern 6 before the exposure process of the inspection light emitted to the substrate 1 in the visual inspection process is 98% or less, 96%.
  • the resist pattern 6 is exposed so as to be less than or less than 90%.
  • the wavelength range of actinic rays is, for example, the wavelength range in which the photocoloring agent contained in the resist pattern 6 can develop colors by irradiation with actinic rays.
  • the time of irradiation with actinic rays depends on the output of actinic rays and the type of photocoloring agent. It may be 0.5J or more, 1.0J or more, or 1.5J or more. Similarly, when the photochromic agent is leuco crystal violet, it may be 5.0 J or less, 3.0 J or less, or 2.5 J or less. These minimum and maximum energy amounts can be combined as appropriate. For example, the energy amount for irradiation with actinic rays may be 0.5 J or more and 5.0 J or less, 1.0 J or more and 3.0 J or less, or 1.5 J or more and 2.5 J or less.
  • the resist pattern 6 is heated in order to color the resist pattern 6 .
  • a resist pattern 6 containing a thermal coloring agent is formed.
  • a thermal color former is a color former in which temperature elevation contributes to color development.
  • the thermal color former may be, for example, a color former that develops color upon temperature elevation, or a color former that develops color upon exposure and accelerates color development upon temperature elevation.
  • the resist pattern 6 containing the thermal coloring agent is formed, for example, by impregnating the photosensitive layer 2 with the coloring agent.
  • a heat coloring agent for example, the same one as the photo coloring agent can be used.
  • the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed is heated.
  • the thermal coloring agent contained in the resist pattern 6 develops color.
  • the ratio of the transmittance of the resist pattern 6 after the heat treatment to the transmittance of the resist pattern 6 before the heat treatment of the inspection light emitted to the substrate 1 in the visual inspection process is 98% or less, or 96%.
  • the resist pattern 6 is heated so as to be less than or equal to 90% or less.
  • the temperature of the resist pattern 6 may be set to 35°C or higher, 50°C or higher, or 60°C or higher. Similarly, the temperature of the resist pattern 6 may be 150° C. or lower, 120° C. or lower, or 100° C. or lower. These minimum and maximum temperatures can be combined as appropriate. For example, the temperature of the resist pattern 6 may be 35° C. or higher and 150° C. or lower, 50° C. or higher and 120° C. or lower, or 60° C. or higher and 100° C. or lower. If the ambient temperature around the substrate 1 falls within these temperature ranges, it is not necessary to prepare a separate heat source.
  • the temperature of the resist pattern 6 may be the temperature of the resist pattern 6 itself, the temperature of the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, or the temperature in the vicinity of the resist pattern 6 .
  • the temperature near the resist pattern 6 is, for example, the temperature at a position within 50 cm, 30 cm, or 10 cm from the resist pattern 6 .
  • a resist pattern 6 containing a photothermal coloring agent is formed.
  • a photothermal color former is a color former in which exposure and temperature elevation contribute to color development.
  • the photothermal coloring agent may be, for example, a coloring agent that develops color upon exposure and accelerates color development upon heating.
  • the resist pattern 6 containing the photothermal coloring agent is formed, for example, by impregnating the photosensitive layer 2 with the photothermal coloring agent. As such a photothermal coloring agent, for example, the same photo coloring agent can be used.
  • the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed is exposed to actinic rays and heated.
  • the photothermal coloring agent contained in the resist pattern 6 develops color.
  • the ratio of the transmittance of the resist pattern 6 after the exposure heat treatment to the transmittance of the resist pattern 6 before the exposure heat treatment of the inspection light emitted to the substrate 1 in the visual inspection process is 98% or less. , 96% or less, or 90% or less, the resist pattern 6 is exposed and heated.
  • the wavelength range of the actinic ray is, for example, the wavelength range in which the photothermal coloring agent contained in the resist pattern 6 can develop color by irradiation with the actinic ray.
  • the time for irradiating actinic rays depends on the output of actinic rays and the type of photothermal coloring agent. It may be 0.5J or more, 1.0J or more, or 1.5J or more. Similarly, when the photothermochromic agent is leuco crystal violet, it may be 5.0 J or less, 3.0 J or less, or 2.5 J or less. These minimum and maximum energy amounts can be combined as appropriate. For example, the energy amount for irradiation with actinic rays may be 0.5 J or more and 5.0 J or less, 1.0 J or more and 3.0 J or less, or 1.5 J or more and 2.5 J or less.
  • the temperature of the resist pattern 6 may be set to 35° C. or higher, 50° C. or higher, or 60° C. or higher as heating for coloring the resist pattern 6 .
  • the temperature of the resist pattern 6 may be 150° C. or lower, 120° C. or lower, or 100° C. or lower. These minimum and maximum temperatures can be combined as appropriate.
  • the temperature of the resist pattern 6 may be 35° C. or higher and 150° C. or lower, or 50° C. or higher and 120° C. or lower, or 60° C. or higher and 100° C. or lower. If the ambient temperature around the substrate 1 falls within these temperature ranges, it is not necessary to prepare a separate heat source.
  • the temperature of the resist pattern 6 may be the temperature of the resist pattern 6 itself, the temperature of the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, or the temperature in the vicinity of the resist pattern 6 .
  • the temperature near the resist pattern 6 is, for example, the temperature at a position within 50 cm, 30 cm, or 10 cm from the resist pattern 6 .
  • the resist pattern 6 is dyed in order to color the resist pattern 6 .
  • the substrate 1 with the resist pattern 6 formed thereon is immersed in a dyeing solution.
  • the dyeing liquid for example, SDN black, a dye for resin (manufactured by Osaka Kasei Co., Ltd., trade name) is used.
  • the entire substrate 1 may be immersed in the dyeing liquid, or a portion of the substrate 1 may be immersed in the dyeing liquid so that the entire resist pattern 6 is immersed in the dyeing liquid.
  • the dyeing liquid may be dropped onto the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed.
  • the staining liquid may be dropped on the entire substrate 1 or may be dropped on a part of the substrate 1 so that the staining liquid is dropped on the entire resist pattern 6 .
  • the resist pattern manufacturing method includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern 6 on a substrate 1 and a coloring step of coloring the resist pattern 6 after the resist pattern forming step.
  • the resist pattern forming step of the resist pattern manufacturing method may be, for example, similar to the resist pattern forming step of the resist pattern inspection method described above.
  • the coloring process of the resist pattern manufacturing method may be the same as the coloring process of the resist pattern inspection method described above, for example.
  • the resist pattern manufacturing method may include other steps.
  • the substrate sorting method includes a visual inspection step of visually inspecting the resist pattern 6 based on reflected light from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, and a resist pattern 6 based on the visual inspection in the visual inspection step. and an evaluation step of evaluating the
  • the visual inspection process of the substrate sorting method may be the same as the visual inspection process of the resist pattern inspection method described above, for example.
  • the substrate sorting method may include other steps.
  • the resist pattern 6 is evaluated according to a predetermined standard.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the number of defects 8 in the resist pattern 6 . For example, in the evaluation step, if the number of defects 8 in the resist pattern 6 is less than a predetermined reference number, it is evaluated as good, and if the number of defects 8 in the resist pattern 6 exceeds the predetermined reference number, it is evaluated as defective.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the size of the defect 8 of the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, if the shape of the defect 8 of the resist pattern 6 is within a predetermined allowable range, it is evaluated as good, and if the shape of the defect 8 of the resist pattern 6 is outside the predetermined allowable range, it is evaluated as defective.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the shape of the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, if the degree of difference in the shape of the resist pattern 6 with respect to the pattern data 11 is within a predetermined allowable range, it is determined to be good, and if the degree of difference in shape of the resist pattern 6 with respect to the pattern data 11 is outside the predetermined allowable range, it is determined to be defective. .
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the line width of the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, in the evaluation process, if the line width of the resist pattern 6 is within a predetermined reference range, it is evaluated as good, and if the line width of the resist pattern 6 is outside the predetermined reference range, it is evaluated as defective.
  • the method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment includes a conductor pattern forming step of forming a conductor pattern by etching or plating a substrate whose resist pattern evaluation in the substrate selection method described above satisfies the criteria.
  • the conductor pattern is not formed by etching or plating on a substrate whose resist pattern evaluation in the substrate selection method does not meet the criteria.
  • the method for manufacturing a printed wiring board according to this embodiment may include other processes such as a resist pattern removing process, if necessary.
  • a resist pattern formed on a substrate provided with a conductor layer is used as a mask to etch away the conductor layer of the substrate that is not covered with the resist.
  • the resist is removed by removing the resist pattern 6 to form a conductor pattern.
  • a resist pattern 6 formed on a substrate 1 having a conductor layer 1b is used as a mask to deposit copper or copper on the conductor layer 1b of the substrate 1 that is not covered with resist. Plating solder, etc.
  • the resist is removed by removing the resist pattern 6, and as shown in FIG. 6C, the conductor layer 1b covered with the resist is etched. , forming the conductor pattern 9 .
  • the method of plating treatment may be electrolytic plating treatment or electroless plating treatment, and among them, electrolytic plating treatment may be used.
  • the resist pattern 6 is visually inspected based on the reflected light from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed.
  • the defect 8 of the resist pattern 6 can be detected in a short time with high accuracy.
  • the resist pattern 6 is properly inspected by utilizing the outline 10 of the resist pattern 6 detected based on the reflected light from the substrate 1 as the appearance inspection of the resist pattern 6. can do.
  • a defect 8 of the resist pattern 6 is detected with high precision by comparing the detected contour 10 with the pattern data 11 for forming the resist pattern 6. can be detected.
  • the formation state of the resist pattern 6 can be evaluated by measuring the line width of the resist pattern 6 based on the detected contour 10 as a visual inspection of the resist pattern 6.
  • the transmittance is lowered.
  • the contrast between the light reflected from the area is increased. Therefore, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • this resist pattern inspection method by exposing the resist pattern 6 to color the resist pattern 6, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the temperature of the resist pattern 6 is set to 35° C. to 150° C., 50° C. to 120° C., or 60° C. to 100° C. to cause the resist pattern 6 to develop a color.
  • the detection accuracy of the contour 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the reflective light can be improved.
  • this resist pattern inspection method by dyeing the resist pattern 6 to develop a color, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the resist pattern 6 by forming the resist pattern 6 containing a photocoloring agent that reacts with light to develop color, the resist pattern 6 can be colored by exposing the resist pattern 6 to light. .
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 is, for example, 1 ⁇ m or more. , 3 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more. Also, the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 100 ⁇ m or less, 60 ⁇ m or less, or 40 ⁇ m or less.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the resist pattern 6 is prevented from becoming too thick.
  • the contrast between the reflected light from the pattern 6 and the reflected light from the area other than the resist pattern 6 can be increased. Therefore, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the resist pattern 6 is formed on the substrate 1 and then the resist pattern 6 is colored so that the reflected light from the resist pattern 6 and the reflected light from the area other than the resist pattern 6 are increases the contrast between Therefore, for example, when the contour 10 of the resist pattern 6 is detected based on the reflected light from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, detection accuracy can be improved. Further, when measuring the line width of the resist pattern 6, it becomes easier to focus on the surface of the resist pattern 6 or the outline of the resist pattern 6. FIG.
  • this resist pattern manufacturing method by exposing the resist pattern 6 to color the resist pattern 6, for example, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved. can.
  • this resist pattern manufacturing method by heating the resist pattern 6 to develop a color, for example, the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved. can.
  • the temperature of the resist pattern 6 is set to 35° C. to 150° C., 50° C. to 120° C., or 60° C. to 100° C. to color the resist pattern 6, for example.
  • the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the resist pattern 6 is dyed to develop a color, so that the detection accuracy of the outline 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved. can.
  • the resist pattern 6 by forming the resist pattern 6 containing a photocoloring agent that develops color by reacting with light, the resist pattern 6 can be colored by exposing the resist pattern 6 to light. .
  • the resist pattern 6 is formed with a thickness of 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, 3 ⁇ m to 60 ⁇ m, or 5 ⁇ m to 40 ⁇ m, thereby preventing the resist pattern 6 from becoming too thick. , the contrast between the reflected light from the resist pattern 6 and the reflected light from the area other than the resist pattern 6 can be increased. Therefore, for example, the detection accuracy of the contour 10 of the resist pattern 6 based on the reflected light from the substrate 1 can be improved.
  • the substrate sorting method since the resist pattern 6 is evaluated by the appearance inspection of the resist pattern 6 based on the light reflected from the substrate 1, the substrate can be inspected in a short time and with high accuracy compared to the appearance inspection using the SEM. 1 can be selected.
  • the substrate 1 can be evaluated appropriately by evaluating the substrate 1 based on the number or shape of defects in the resist pattern 6 .
  • the substrate 1 that satisfies the evaluation criteria for the resist pattern 6 in the substrate selection method described above is etched or plated to form the conductor pattern 9. It is possible to suppress the occurrence of defects such as disconnection or short circuit.
  • Photosensitive Element and Substrate In Examples 1 to 12 and Comparative Example 1, the photosensitive element and substrate shown in Table 1 and below were used. The last two digits of the product name of the photosensitive element indicate the film thickness (unit: ⁇ m) of the photosensitive layer.
  • F-1 RY-5115 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name)
  • F-2 RY-5125 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name, photosensitive layer composition is the same as (F-1))
  • F-3 FL-7225 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name)
  • F-4 ME-3606SG (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name)
  • F-5 A photosensitive element (base material) produced by increasing the amount of MKG (malachite green) of RY-5115 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name) to 10 times.
  • S-1 Cu sputtered PET film (manufactured by Geomatec, plate thickness: 125 ⁇ m, Ra ⁇ 50 nm)
  • S-2 GL-102 (manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc., trade name, Ra: about 100 nm)
  • S-3 MCL-E67 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name, Ra: about 300 nm)
  • Examples 1 to 5, 7 and 8 to 11 S-1, which had been stored under moisture-proof conditions, was used as a substrate having a copper layer as a conductive layer.
  • a substrate having a copper layer as a conductive layer was pickled and washed with water, dried with an air stream, and then heated to 80°C.
  • the photosensitive element was laminated on the surface of the copper layer of the substrate. While peeling off the protective layer of the photosensitive element, lamination is carried out using a heat roll at 110° C. with a pressure of 0.4 MPa and 1 A roll speed of .0 m/min was used. In this way, laminates of Examples 1 to 12 and Comparative Example 1 were obtained in which the substrate, the photosensitive layer and the support were laminated in this order. The obtained laminate was used as a test piece for the tests described below.
  • a substrate after development processing exposed using a photomask for resolution evaluation is referred to as a patterned substrate for resolution evaluation, and a substrate after development processing exposed using a photomask for pattern inspection is referred to as a patterned inspection substrate.
  • Example 8 A direct exposure device (manufactured by Nippon Orbotech Co., Ltd., trade name “Nuvogo Fine 8”) was used to expose the photosensitive layer with a predetermined amount of energy. After the exposure, development processing was performed in the same procedure as in Examples 1 to 7, 9 to 10 and Comparative Example 1 to prepare a patterned substrate for evaluation of resolution and a patterned substrate for inspection.
  • Example 1 Using a resin dye SDN black (manufactured by Osaka Kasei Co., Ltd., trade name), 300 ml of a solution diluted 20 times with water was prepared (liquid temperature: 25 ° C.), and placed in a stainless steel vat with an outer diameter of 20 ⁇ 25 ⁇ 5 cm. fulfilled. The substrate after development was immersed in the solution and dyed for 3 hours while moving the substrate lightly. After a predetermined time, it was taken out, washed with water, and air-blown dried.
  • SDN black manufactured by Osaka Kasei Co., Ltd., trade name
  • Example 2 Using a parallel exposure machine (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., trade name "EXM-1201", mixed rays of 365 nm and 405 nm), the entire substrate after development was exposed for about 2.0 J. The temperature in the vicinity of the substrate surface during exposure was 31°C.
  • Example 3 Using a large UV irradiation device (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., trade name "QRM-2317-F-00"), the substrate after development is flowed on the conveyor at a conveyor speed where the exposure amount per time is about 0.5 J. was exposed to light.
  • the exposure process was performed once and the exposure amount was set to 0.5J.
  • the temperature in the vicinity of the substrate surface during exposure in Example 3 was 35°C.
  • Examples 4 and 6-8 the exposure process was performed twice, and the total exposure amount was 1J.
  • the temperature in the vicinity of the substrate surface during exposure in Examples 4 and 6-8 was 50.degree.
  • Examples 5 and 9 the exposure process was performed three times, and the total exposure amount was 1.5J.
  • the temperature in the vicinity of the substrate surface during exposure in Example 5 was 35°C.
  • the temperature near the substrate surface during exposure in Examples 5 and 9 was 62°C.
  • a photosensitive element F-1 was laminated (stacked) on the surface of a slide glass (manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd., product name: "White slide glass cut-off No. 1 S1126"). While peeling the protective layer, the photosensitive layer of the photosensitive element is in contact with the surface of the slide glass, and the lamination is carried out using heat rolls at 110°C at a pressure of 0.2 MPa and a roll speed of 1.0 m/min. I went with After laminating the photosensitive layer on the slide glass, exposure processing and coloring processing were carried out under the same conditions as in the pattern substrate production, and the support was peeled off to produce a sample for transmittance measurement.
  • the absorbance of the photosensitive layer was measured using a U-3310 spectrophotometer (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd., measurement conditions: wavelength range: 330 to 700 nm, scan speed: 300 nm/min, scan interval: 0.50 nm). Baseline measurements were made using untreated glass slides for reference and sample. From the obtained measurement spectrum, the absorbance at the wavelength (635 nm) of the inspection light was recorded, and the transmittance of the inspection light was calculated.
  • the pattern detection rate is the probability that the inspection apparatus can identify the outline of the resist pattern and recognize the pattern when the appearance inspection is performed.
  • the inspection apparatus sets an appropriate gray level (threshold value for brightness/darkness binarization) according to each of Examples 1 to 12, and when this setting is completed, it is OK. If an error occurred without completion, it was judged as NG.
  • A is given when the result is OK every time
  • B is given when the probability of being NG is low even though the result is not OK every time, and the probability of NG is high.
  • C is the case.
  • A is less than 10 minutes/cm 2
  • B is 10 minutes/cm 2 or more and less than 5000 minutes/100 cm 2
  • C is 5000 minutes/100 cm 2 or more.
  • the pattern detection rate was higher than in Examples 11-12. From this result, in the appearance inspection of the resist pattern performed based on the reflected light from the substrate on which the resist pattern is formed, by coloring the resist pattern, the outline of the resist pattern can be easily detected, and the inspection accuracy can be improved. was confirmed.

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Abstract

レジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。レジストパターンの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン形成工程の後に、前記レジストパターンを発色させる発色工程と、を備える。基板選別方法は、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程と、前記外観検査工程における前記外観検査に基づいて前記レジストパターンを評価する評価工程と、を備える。プリント配線板の製造方法は、上記の基板選別方法における前記レジストパターンの前記評価が基準を満たす前記基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。

Description

レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法
　本開示は、レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法に関する。
　プリント配線板を製造する場合は、まず、基板上に感光層をラミネートする。次に、フォトマスクを通して感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を硬化させる。次に、支持体を剥離除去した後、感光層の未露光部を現像液で除去することにより、基板上にレジストパターンを形成する。次に、形成したレジストパターンをマスクとし、レジストパターンを形成した基板にエッチング処理又はめっき処理を施して基板上に導体パターンを形成し、最終的に感光層の硬化部分（レジストパターン）を基板から剥離除去する。
　このようなプリント配線板の製造工程において、フォトマスク又は感光層に付着した異物等により活性光線の露光障害が生じると、レジストパターンに欠陥が生じ、導体パターンに断線又はショート等の不良が生じ得る。そこで、従来は、導体パターンを外観検査することにより、導体パターンの断線又はショート等の不良を検査していた。
特開２００５－２０７８０２号公報
　ところで、導体パターンを形成する前にレジストパターンを外観検査することで、プリント配線板の製造におけるより早い段階で不良を発見することができる。また、レジストパターン形成の歩留まりを評価することで、レジストパターン形成の改善につなげることができる。レジストパターンの外観検査は、従来、走査型電子顕微鏡（以下「ＳＥＭ」ともいう）を用いて行われていた（例えば、特許文献１参照）。
　しかしながら、ＳＥＭによる検査は、１ｍｍ２程度の極小範囲を検査するものである。このため、ＳＥＭを用いたプリント配線板全体のレジストパターンの検査は、膨大な時間を要する。しかも、検査者及び検査に用いるＳＥＭによって検査精度に大きなばらつきがある。
　そこで、本開示は、短時間で高精度にレジストパターンを評価できるレジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示のレジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。
　このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンを外観検査するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度にレジストパターンの欠陥を検出することができる。
　外観検査工程では、基板からの反射光に基づいてレジストパターンの輪郭を検出し、検出した輪郭に基づいてレジストパターンを外観検査してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、基板からの反射光に基づいて検出されるレジストパターンの輪郭を利用することで、レジストパターンを適切に外観検査することができる。
　外観検査工程では、検出した輪郭とレジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、検出した輪郭とレジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比することで、レジストパターンの欠陥を高精度に検出することができる。
　外観検査工程では、検出した輪郭に基づいてレジストパターンの線幅を計測してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、検出した輪郭に基づいてレジストパターンの線幅を計測することで、レジストパターンの形成状態を評価することができる。
　基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン形成工程の後に、レジストパターンを発色させる発色工程と、を更に備えてもよい。このレジストパターンの検査方法では、基板上にレジストパターンを形成した後にレジストパターンを発色させることで、透過率が低下するため、レジストパターンからの反射光とレジストパターン以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる。このため、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを露光してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンを露光してレジストパターンを発色させることで、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを加熱してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンを加熱してレジストパターンを発色させることで、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にしてもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にしてレジストパターンを発色させることで、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを染色してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンを染色してレジストパターンを発色させることで、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　レジストパターン形成工程では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの検査方法では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターンを形成することで、レジストパターンを露光することでレジストパターンを発色させることができる。
　レジストパターン形成工程では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの検査方法では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成することで、レジストパターンが厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、レジストパターンからの反射光とレジストパターン以外の領域からの反射光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　本開示に係るレジストパターンの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン形成工程の後に、レジストパターンを発色させる発色工程と、を備える。
　このレジストパターンの製造方法では、基板上にレジストパターンを形成した後にレジストパターンを発色させることで、レジストパターンからの反射光とレジストパターン以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる。このため、例えば、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンの輪郭を検出する場合に、検出精度を高めることができる。また、レジストパターンの線幅を測定する場合に、レジストパターンの表面又はレジストパターンの輪郭にピントを合わせ易くなる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを露光してもよい。このレジストパターンの製造方法では、レジストパターンを露光してレジストパターンを発色させることで、例えば、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを加熱してもよい。このレジストパターンの製造方法では、レジストパターンを加熱してレジストパターンを発色させることで、例えば、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にしてもよい。このレジストパターンの製造方法では、レジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にしてレジストパターンを発色させることで、例えば、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　発色工程では、レジストパターンを発色させるためにレジストパターンを染色してもよい。このレジストパターンの製造方法では、レジストパターンを染色してレジストパターンを発色させることで、例えば、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　レジストパターン形成工程では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの製造方法では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターンを形成することで、レジストパターンを露光することによりレジストパターンを発色させることができる。
　レジストパターン形成工程では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの製造方法では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成することで、レジストパターンが厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、レジストパターンからの反射光とレジストパターン以外の領域からの反射光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、例えば、基板からの反射光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　本開示に係る基板選別方法は、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程と、外観検査工程における外観検査に基づいてレジストパターンを評価する評価工程と、を備える。
　この基板選別方法では、基板からの反射光に基づくレジストパターンの外観検査によりレジストパターンを評価するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度に基板を選別することができる。
　評価工程では、レジストパターンの欠陥の数又は形状によりレジストパターンを評価してもよい。この基板選別方法では、レジストパターンの欠陥の数又は形状によりレジストパターンを評価することで、基板を適切に評価することができる。
　本開示に係るプリント配線板の製造方法は、上述した基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。
　このプリント配線板の製造方法では、上述した基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成するため、導体パターンの断線又はショート等の不良の発生を抑制することができる。
　本開示によれば、短時間で高精度にレジストパターンを評価できる。
図１（ａ）は、レジストパターン形成工程における感光層形成工程を説明するための模式斜視図であり、図１（ｂ）は、レジストパターン形成工程における露光工程を説明するための模式斜視図であり、図１（ｃ）は、レジストパターン形成工程における現像工程を説明するための模式斜視図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、欠陥のあるレジストパターンに基づいた導体パターンの形成を説明するための模式斜視図である。 図３は、外観検査工程を説明するための模式斜視図である。 図４は、基板からの反射光を説明するための模式図である。 図５は、パターンデータを説明するための模式図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、導体パターンの形成を説明するための模式斜視図である。
　以下、図面を参照して、本開示のレジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。なお、全図中、同一又は相当部分には同一符号を付すこととする。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
［レジストパターンの検査方法］
　実施形態に係るレジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。レジストパターンの検査方法は、外観検査工程の前に、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程を含んでもよい。また、レジストパターンの検査方法は、他の工程を含んでもよい。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。レジストパターンとは、感光性樹脂組成物の光硬化物パターンともいえ、レリーフパターンともいえる。
＜レジストパターン形成工程＞
　図１に示すように、レジストパターン形成工程は、感光層を基板上に積層する感光層形成工程（図１（ａ）参照）と、感光層の所定部分に活性光線を照射して光硬化部を形成する露光工程（図１（ｂ）参照）と、感光層の所定部分以外の領域を基板上から除去する現像工程（図１（ｃ）参照）と、を有する。レジストパターン形成工程は、必要に応じて、他の工程を含んでもよい。
（感光層形成工程）
　図１（ａ）に示すように、感光層形成工程では、基板１上に感光層２及び支持体３を形成する。基板１は、例えば、絶縁層１ａと、絶縁層１ａ上に形成された導体層１ｂと、を備えている。感光層２は、基板１の導体層１ｂ上に形成される。導体層１ｂは、例えば、無電解銅めっきである。
　感光層２は、光照射されることによって性質が変わる（例えば、光硬化する）感光性樹脂組成物を用いて形成される層である。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、例えば、バインダーポリマー、光重合性化合物、及び光重合開始剤を含有している。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、必要に応じて、光増感剤、重合禁止剤、又はその他の成分を含有してもよい。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、例えば、マラカイトグリーン、ビクトリアピュアブルー、ブリリアントグリーン及びメチルバイオレット等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット、ジフェニルアミン、ベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン及びｏ－クロロアニリン等の光発色剤、熱発色防止剤、ｐ－トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤などの添加剤を含有してもよい。
　支持体３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンなどの耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルム（支持フィルム）を用いてもよい。
　基板１上に感光層２及び支持体３を形成する方法としては、例えば、感光性エレメント（不図示）を用いる方法がある。感光性エレメントは、例えば、支持体と、感光層と、保護層と、をこの順で備える。そして、保護層を除去した後、感光性エレメントの感光層を加熱しながら基板１に圧着することにより、基板１上に感光層２及び支持体３が形成される。これにより、基板１と感光層２と支持体３と支持フィルム（不図示）とをこの順に備える積層体４が得られる。なお、支持体３と感光層２との間に中間層等を配置してもよい。
（露光工程）
　図１（ｂ）に示すように、露光工程では、支持体３を介して感光層２を活性光線によって露光する。これにより、活性光線が照射された露光部が光硬化して、光硬化部２ａ（潜像）が形成される。露光方法としては、公知の露光方式を適用でき、例えば、アートワークと呼ばれるフォトマスク５を介して活性光線を画像状に照射する方法（マスク露光方式）、ＬＤＩ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｒｅｃｔ　Ｉｍａｇｉｎｇ）露光方式、又は、フォトマスクの像を投影させた活性光線を用いレンズを介して画像状に照射する方法（投影露光方式）等が挙げられる。
（現像工程）
　図１（ｃ）に示すように、現像工程では、感光層２の未硬化部２ｂを基板１上から除去する。現像工程により、感光層２が光硬化した光硬化部２ａからなるレジストパターン６が基板１上に形成される。
　基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、１μｍ以上、３μｍ以上、又は５μｍ以上としてもよい。また、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、１００μｍ以下、６０μｍ以下、又は４０μｍ以下としてもよい。これらのレジストパターン６の厚さの最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下、３μｍ以上６０μｍ以下、又は５μｍ以上４０μｍ以下としてもよい。レジストパターン６の厚さは、基板１の主面に垂直な方向における基板１に対する高さである。
＜外観検査工程＞
　外観検査工程では、レジストパターン６が形成された基板１からの反射光に基づいてレジストパターン６を外観検査する。
　ところで、上述した露光工程において、フォトマスク５、支持体３、又は感光層２に付着した異物７（図１参照）等により活性光線の露光障害が生じると、レジストパターン６に欠陥８が生じる可能性がある。詳しく説明すると、図２（ａ）、図２（ｂ）、及び図２（ｃ）に示すように、プリント配線板の製造においては、レジストパターン６が形成された基板１をエッチング処理又はめっき処理することで導体パターン９を形成する。このため、レジストパターン６に欠陥８があると、エッチング処理又はめっき処理により形成される導体パターン９に断線又はショート等の不良が生じ得る。また、露光工程において、活性光線の露光状態によっては、レジストパターン６の線幅が太くなったり細くなったりする可能性がある。
　そこで、外観検査工程では、導体パターンを形成する前に不良を発見するために、レジストパターン６を外観検査する。外観検査工程では、例えば、基板１からの反射光に基づいてレジストパターン６の輪郭を検出し、検出した輪郭に基づいてレジストパターン６を外観検査する。
　図３に示すように、まず、レジストパターン６が形成された基板１に検査光を出射し、基板１からの反射光を受光する。検査光の波長は、例えば、３８０ｎｍ以上、４３０ｎｍ以上、又は６００ｎｍ以上としてもよい。また、検査光の波長は、例えば、８３０ｎｍ以下、７８０ｎｍ以下、又は７００ｎｍ以下としてもよい。これらの波長の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、検査光の波長は、３８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下、４３０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下、又は６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下としてもよい。なお、検査光には、レーザー励起光源等を用いた白色光を用いてもよい。外観検査工程において反射光を受光する基板１の受光領域は、例えば、１ｃｍ２以上２５００ｃｍ２以下、５ｃｍ２以上１２００ｃｍ２以下、２５ｃｍ２以上６００ｃｍ２以下としてもよい。検査光の照射方法は、例えば、正反射光及び拡散反射光の何れを用いてもよく、正反射光及び拡散反射光を組み合わせ用いてもよい。
　次に、図４に示すように、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストに基づいて、レジストパターン６の輪郭１０を特定する。例えば、反射光の受光画像において、明度又は色度等のコントラストが大きくなる境界を検出する。そして、この検出した境界を、レジストパターン６の輪郭１０として特定する。基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出には、例えば、ＡＯＩ　Ｕｌｔｒａ　Ｆｕｓｉｏｎ　６００（日本オルボテック株式会社製、商品名）等の光学自動外観検査装置（以下「ＡＯＩ」ともいう）が用いられる。
　レジストパターン６の外観検査としては、例えば、レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる検査、レジストパターン６の欠陥８の形状、位置、大きさ等（以下「形状等」ともいう）を調べる検査、レジストパターン６の形状を調べる検査、又はレジストパターン６の線幅を計測する検査が挙げられる。
　レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの反射光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。パターンデータ１１としては、例えば、レジストパターン６のＣＡＤデータが用いられる。そして、パターンデータ１１に対して、検出した輪郭１０が相違する箇所１０ａを、レジストパターン６の欠陥８として検出する。そして、検出した欠陥８の数を算出する
　レジストパターン６の欠陥８の形状等を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの反射光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。そして、パターンデータ１１に対して、検出した輪郭１０が相違する箇所１０ａを、レジストパターン６の欠陥８として検出する。そして、検出した欠陥８の輪郭に基づいて、検出した欠陥８の形状等を調べる。
　レジストパターン６の形状を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの反射光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。そして、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いを調べる。
　レジストパターン６の線幅を計測する検査では、例えば、基板１からの反射光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０の間隔を計測することで、レジストパターン６の線幅を計測する。
＜発色工程＞
　実施形態に係るレジストパターンの検査方法は、必要に応じて、基板１上に形成されたレジストパターン６を発色させる発色工程を備えてもよい。ここで、発色するとは、無色透明の状態から色が発現する場合だけではなく、既に色が発現された状態から色が濃くなる場合も意味する。色が濃くなるとは、例えば、光の透過度が低くなることをいう。発色工程は、例えば、レジストパターン形成工程の後、かつ、検査工程及び外観検査工程の前に行う。発色工程としては、例えば、露光処理、加熱処理、露光加熱処理、及び染色処理の少なくとも一つの処理を行う。
（露光処理）
　露光処理では、レジストパターン６を発色させるためにレジストパターン６を露光する。例えば、レジストパターン形成工程において、光発色剤が含まれたレジストパターン６を形成しておく。光発色剤は、露光することで発色する（光と反応して発色する）発色剤である。光発色剤は、例えば、露光及び昇温により発色する発色剤であってもよく、昇温により発色が促進される発色剤であってもよい。光発色剤が含まれたレジストパターン６は、例えば、感光層２に光発色剤を含ませておくことにより形成される。このような光発色剤としては、例えば、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット、ジフェニルアミン、ベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン及びｏ－クロロアニリン等が用いられる。そして、露光処理において、レジストパターン６が形成された基板１を活性光線によって露光する。これにより、レジストパターン６に含まれている光発色剤が発色する。露光処理では、例えば、外観検査工程で基板１に出射する検査光の、露光処理前のレジストパターン６の透過率に対する露光処理後のレジストパターン６の透過率の割合が、９８％以下、９６％以下、又は９０％以下となるように、レジストパターン６を露光する。
　活性光線の波長域は、例えば、活性光線の照射によりレジストパターン６に含まれている光発色剤が発色可能な波長域である。活性光線を照射する時間は、活性光線の出力及び光発色剤の種類等にもよるが、例えば、活性光線を照射するエネルギー量（露光量）は、光発色剤がロイコクリスタルバイオレットである場合、０．５Ｊ以上、１．０Ｊ以上、又は１．５Ｊ以上としてもよい。同様に、光発色剤がロイコクリスタルバイオレットである場合、５．０Ｊ以下、３．０Ｊ以下、又は２．５Ｊ以下としてもよい。これらのエネルギー量の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、活性光線を照射するエネルギー量は、０．５Ｊ以上５．０Ｊ以下、１．０Ｊ以上３．０Ｊ以下、又は１．５Ｊ以上２．５Ｊ以下としてもよい。
（加熱処理）
　加熱処理では、レジストパターン６を発色させるためにレジストパターン６を加熱する。例えば、レジストパターン形成工程において、熱発色剤が含まれたレジストパターン６を形成する。熱発色剤は、昇温が発色に寄与する発色剤である。熱発色剤は、例えば、昇温により発色される発色剤であってもよく、露光により発色して昇温により発色が促進される発色剤であってもよい。熱発色剤が含まれたレジストパターン６は、例えば、感光層２に発色剤を含ませておくことにより形成される。このような熱発色剤としては、例えば、光発色剤と同様のもの用いることができる。そして、加熱処理において、レジストパターン６が形成された基板１を加熱する。これにより、レジストパターン６に含まれている熱発色剤が発色する。加熱処理では、例えば、外観検査工程で基板１に出射する検査光の、加熱処理前のレジストパターン６の透過率に対する加熱処理後のレジストパターン６の透過率の割合が、９８％以下、９６％以下、又は９０％以下となるように、レジストパターン６を加熱する。
　加熱処理では、例えば、レジストパターン６の温度を、３５℃以上、５０℃以上、又は６０℃以上にしてもよい。同様に、レジストパターン６の温度を、１５０℃以下、１２０℃以下、又は１００℃以下にしてもよい。これらの温度の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、レジストパターン６の温度を、３５℃以上１５０℃以下、５０℃以上１２０℃以下、又は６０℃以上１００℃以下にしてもよい。なお、基板１の周囲の雰囲気温度がこれらの温度範囲になる場合は、別途熱源を用意しなくてもよい。レジストパターン６の温度は、レジストパターン６そのものの温度であってもよく、レジストパターン６が形成された基板１の温度であってもよく、レジストパターン６の近傍の温度であってもよい。レジストパターン６の近傍の温度は、例えば、レジストパターン６から５０ｃｍ以内、３０ｃｍ以内、又は１０ｃｍ以内の位置の温度である。
（露光加熱処理）
　露光加熱処理では、レジストパターン６を発色させるためにレジストパターン６を露光及び加熱する。例えば、レジストパターン形成工程において、光熱発色剤が含まれたレジストパターン６を形成しておく。光熱発色剤は、露光及び昇温が発色に寄与する発色剤である。光熱発色剤は、例えば、露光により発色して昇温により発色が促進される発色剤であってもよい。光熱発色剤が含まれたレジストパターン６は、例えば、感光層２に光熱発色剤を含ませておくことにより形成される。このような光熱発色剤としては、例えば、光発色剤と同様のものを用いることができる。そして、露光加熱処理において、レジストパターン６が形成された基板１を活性光線によって露光するとともに加熱する。これにより、レジストパターン６に含まれている光熱発色剤が発色する。露光加熱処理では、例えば、外観検査工程で基板１に出射する検査光の、露光加熱処理前のレジストパターン６の透過率に対する露光加熱処理後のレジストパターン６の透過率の割合が、９８％以下、９６％以下、又は９０％以下となるように、レジストパターン６を露光及び加熱する。
　活性光線の波長域は、例えば、活性光線の照射によりレジストパターン６に含まれている光熱発色剤が発色可能な波長域である。活性光線を照射する時間は、活性光線の出力及び光熱発色剤の種類等にもよるが、例えば、活性光線を照射するエネルギー量（露光量）は、光熱発色剤がロイコクリスタルバイオレットである場合、０．５Ｊ以上、１．０Ｊ以上、又は１．５Ｊ以上としてもよい。同様に、光熱発色剤がロイコクリスタルバイオレットである場合、５．０Ｊ以下、３．０Ｊ以下、又は２．５Ｊ以下としてもよい。これらのエネルギー量の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、活性光線を照射するエネルギー量は、０．５Ｊ以上５．０Ｊ以下、１．０Ｊ以上３．０Ｊ以下、又は１．５Ｊ以上２．５Ｊ以下としてもよい。
　露光加熱処理では、例えば、レジストパターン６を発色させるための加熱として、レジストパターン６の温度を、３５℃以上、５０℃以上、又は６０℃以上にしてもよい。同様に、レジストパターン６の温度を、１５０℃以下、１２０℃以下、又は１００℃以下にしてもよい。これらの温度の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、レジストパターン６の温度を、３５℃以上１５０℃以下、又は５０℃以上１２０℃以下、６０℃以上１００℃以下にしてもよい。なお、基板１の周囲の雰囲気温度がこれらの温度範囲になる場合は、別途熱源を用意しなくてもよい。レジストパターン６の温度は、レジストパターン６そのものの温度であってもよく、レジストパターン６が形成された基板１の温度であってもよく、レジストパターン６の近傍の温度であってもよい。レジストパターン６の近傍の温度は、例えば、レジストパターン６から５０ｃｍ以内、３０ｃｍ以内、又は１０ｃｍ以内の位置の温度である。
（染色処理）
　染色処理では、レジストパターン６を発色させるためにレジストパターン６を染色する。例えば、レジストパターン６が形成された基板１を染色液に浸す。染色液としては、例えば、樹脂用染料ＳＤＮ黒（大阪化成株式会社製、商品名）が用いられる。この場合、基板１全体を染色液に浸してもよく、レジストパターン６全体が染色液に浸されるように基板１の一部を染色液に浸してもよい。また、例えば、レジストパターン６が形成された基板１に染色液を滴下してもよい。この場合、基板１全体に染色液を滴下してもよく、レジストパターン６全体に染色液が滴下されるように基板１の一部に染色液を滴下してもよい。
［レジストパターンの製造方法］
　実施形態に係るレジストパターンの製造方法は、基板１上にレジストパターン６を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン形成工程の後に、レジストパターン６を発色させる発色工程と、を備える。レジストパターンの製造方法のレジストパターン形成工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法のレジストパターン形成工程と同様としてもよい。また、レジストパターンの製造方法の発色工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法の発色工程と同様としてもよい。レジストパターンの製造方法は、他の工程を含んでもよい。
［基板選別方法］
　本実施形態に係る基板選別方法は、レジストパターン６が形成された基板１からの反射光に基づいてレジストパターン６を外観検査する外観検査工程と、外観検査工程における外観検査に基づいてレジストパターン６を評価する評価工程と、を備える。基板選別方法の外観検査工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法の外観検査工程と同様としてもよい。基板選別方法は、他の工程を含んでもよい。
＜評価工程＞
　評価工程では、レジストパターン６を所定の基準で評価する。
　例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる外観検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８の数に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８の数が所定の基準数を下回れば良と評価し、レジストパターン６の欠陥８の数が所定の基準数を上回れば不良と評価する。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の欠陥８の形状等を調べる検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８のサイズに基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、レジストパターン６の欠陥８の形状等が所定の許容範囲内であれば良と評価し、レジストパターン６の欠陥８の形状が所定の許容範囲外であれば不良と評価する。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の形状を調べる検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の形状に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いが所定の許容範囲内であれば良とし、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いが所定の許容範囲外であれば不良とする。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の線幅を計測する外観検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の線幅に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、レジストパターン６の線幅が所定の基準範囲内にあれば良と評価し、レジストパターン６の線幅が所定の基準範囲外にあれば不良と評価する。
［プリント配線板の製造方法］
　本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、上述した基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。つまり、導体パターン形成工程では、基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たさない基板に対しては、エッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成しない。本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、必要に応じてレジストパターン除去工程等のその他の工程を含んでもよい。
　エッチング処理では、導体層を備えた基板上に形成されたレジストパターンをマスクとして、レジストによって被覆されていない基板の導体層をエッチング除去する。エッチング処理の後、レジストパターン６の除去によりレジストを除去して導体パターンを形成する。
　図６（ａ）に示すように、めっき処理では、導体層１ｂを備えた基板１上に形成されたレジストパターン６をマスクとして、レジストによって被覆されていない基板１の導体層１ｂ上に銅又は半田等をめっきする。めっき処理の後、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン６の除去によりレジストを除去し、図６（ｃ）に示すように、このレジストによって被覆されていた導体層１ｂをエッチングして、導体パターン９を形成する。めっき処理の方法としては、電解めっき処理であっても、無電解めっき処理であってもよいが、中でも電解めっき処理であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態に係るレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６が形成された基板１からの反射光に基づいてレジストパターン６を外観検査するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度にレジストパターン６の欠陥８を検出することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、基板１からの反射光に基づいて検出されるレジストパターン６の輪郭１０を利用することで、レジストパターン６を適切に外観検査することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、検出した輪郭１０とレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１とを対比することで、レジストパターン６の欠陥８を高精度に検出することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、検出した輪郭１０に基づいてレジストパターン６の線幅を計測することで、レジストパターン６の形成状態を評価することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、基板１上にレジストパターン６を形成した後にレジストパターン６を発色させることで、透過率が低下するため、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる。このため、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６を露光してレジストパターン６を発色させることで、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６を加熱してレジストパターン６を発色させることで、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の温度を３５℃以上１５０℃以下、５０℃以上１２０℃以下、又は６０℃以上１００℃以下にしてレジストパターン６を発色させることで、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６を染色してレジストパターン６を発色させることで、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６を露光することでレジストパターン６を発色させることができる。
　ところで、レジストパターン６からの反射光は、レジストパターン６が厚くなるほど減衰して暗くなる。つまり、レジストパターン６が厚くなるほど、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる。そこで、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる観点から、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、１μｍ以上、３μｍ以上、又は５μｍ以上としてもよい。また、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、１００μｍ以下、６０μｍ以下、又は４０μｍ以下としてもよい。これらの感光層２の厚さの最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下、３μｍ以上６０μｍ以下、又は５μｍ以上４０μｍ以下としてもよい。
　このレジストパターンの検査方法では、１μｍ以上１００μｍ以下、３μｍ以上６０μｍ以下、又は５μｍ以上４０μｍ以下の厚さのレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６が厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　本実施形態に係るレジストパターンの製造方法では、基板１上にレジストパターン６を形成した後にレジストパターン６を発色させることで、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストが大きくなる。このため、例えば、レジストパターン６が形成された基板１からの反射光に基づいてレジストパターン６の輪郭１０を検出する場合に、検出精度を高めることができる。また、レジストパターン６の線幅を測定する場合に、レジストパターン６の表面又はレジストパターン６の輪郭にピントを合わせ易くなる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、レジストパターン６を露光してレジストパターン６を発色させることで、例えば、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、レジストパターン６を加熱してレジストパターン６を発色させることで、例えば、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、レジストパターン６の温度を３５℃以上１５０℃以下、５０℃以上１２０℃以下、又は６０℃以上１００℃以下にしてレジストパターン６を発色させることで、例えば、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、レジストパターン６を染色してレジストパターン６を発色させることで、例えば、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、光と反応して発色する光発色剤が含まれたレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６を露光することでレジストパターン６を発色させることができる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、１μｍ以上１００μｍ以下、３μｍ以上６０μｍ以下、又は５μｍ以上４０μｍ以下の厚さのレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６が厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、レジストパターン６からの反射光とレジストパターン６以外の領域からの反射光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、例えば、基板１からの反射光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　本実施形態に係る基板選別方法では、基板１からの反射光に基づくレジストパターン６の外観検査によりレジストパターン６を評価するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度に基板１を選別することができる。
　また、この基板選別方法では、レジストパターン６の欠陥の数又は形状により基板１を評価することで、基板１を適切に評価することができる。
　本実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、上述した基板選別方法におけるレジストパターン６の評価が基準を満たす基板１をエッチング処理又はめっき処理して導体パターン９を形成するため、導体パターン９の断線又はショート等の不良の発生を抑制することができる。
　本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
　次に、本開示の実施例を説明する。但し、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
１．感光性エレメント及び基材
　実施例１～１２及び比較例１では、表１及び以下に示す感光性エレメント及び基材を用いた。なお、感光性エレメントの商品名の下二桁は感光層の膜厚（単位：μｍ）を示す。
（感光性エレメント）
Ｆ－１：ＲＹ－５１１５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）
Ｆ－２：ＲＹ－５１２５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名、感光層組成は（Ｆ－１）と同一）
Ｆ－３：ＦＬ－７２２５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）
Ｆ－４：ＭＥ－３６０６ＳＧ（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）
Ｆ－５：ＲＹ－５１１５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）のＭＫＧ（マラカイトグリーン）を１０倍量にして製造した感光性エレメント
（基材）
Ｓ－１：ＣｕスパッタＰＥＴフィルム（ジオマテック株式会社製、板厚：１２５μｍ、Ｒａ＜５０ｎｍ）
Ｓ－２：ＧＬ－１０２（味の素ファインテクノ株式会社製、商品名、Ｒａ：約１００ｎｍ）
Ｓ－３：ＭＣＬ－Ｅ６７（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名、Ｒａ：約３００ｎｍ）
２．積層体の作製
　実施例１～５、７及び８～１１では、防湿条件下で保管していたＳ－１を、導電層としての銅層を有する基板として用いた。実施例６、８及び比較例１では、導電層としての銅層を有する基板を酸洗及び水洗して空気流で乾燥した後、基板を８０℃に加温した。その後、実施例１～１２及び比較例１では、感光性エレメントを基板の銅層の表面にラミネート（積層）した。ラミネートは、感光性エレメントの保護層を剥離しながら、感光性エレメントの感光層が基板の銅層の表面に接するようにして、１１０℃のヒートロールを用いて、０．４ＭＰａの圧着圧力、１．０ｍ／分のロール速度で行った。こうして、基板と感光層と支持体とがこの順で積層された、実施例１～１２及び比較例１の積層体を得た。得られた積層体は以下に示す試験の試験片として用いた。
３．パターン基板の作製
［実施例１～７、９～１２及び比較例１］
　ガラスクロムタイプのフォトマスク（解像性評価用またはパターン検査用）を用いて、超高圧水銀ランプ（３６５ｎｍ）を光源とする投影露光装置（ウシオ電機株式会社製、商品名「ＵＸ－２２４０ＳＭ」）を用いて、所定のエネルギー量で感光層を露光した（露光処理）。なお、解像性評価用フォトマスクには、ライン幅／スペース幅がｘ／ｘ（ｘ：１～３０、単位：μｍ）の配線パターンを有するものを用い、パターン検査用フォトマスクには、ライン幅／スペース幅がｘ／ｘ（ｘ：１０，１５，２０、単位：μｍ）の配線パターンを有するもの（パターンエリア：９０ｍｍ×９０ｍｍ）を用いた。
　露光後、支持体を剥離し、感光層を露出させ、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を最短現像時間（未露光部分が除去される最短時間）の２倍の時間でスプレーし、未露光部分を除去した（現像処理）。解像性評価用フォトマスクを用いて露光した現像処理後の基板を解像性評価用パターン基板といい、パターン検査用フォトマスクを用いて露光した現像処理後の基板を検査用パターン基板という。解像性評価用パターン基板において、スペース部分（未露光部分）がきれいに除去され、且つライン部分（露光部分）がヨレ、蛇行及び欠けを生じることなく形成されたレジストパターンのうち、最も小さいライン幅／スペース幅の値により、解像性を評価した。
［実施例８］
　半導体レーザー（３７５ｎｍ及び４０５ｎｍ混線、波長の比率は任意で変更可能（３７５ｎｍ：４０５ｎｍ＝０：１００～１００：０））を光源とする直描露光装置（日本オルボテック株式会社製、商品名「Ｎｕｖｏｇｏ　Ｆｉｎｅ　８」）を用いて、所定のエネルギー量で感光層を露光した。露光後、実施例１～７、９～１０及び比較例１と同じ手順で現像処理を行って、解像性評価用パターン基板及び検査用パターン基板を作製した。
４．着色処理
　検査用パターン基板を用いて、以下の処理を行った。
［実施例１］
　樹脂用染料ＳＤＮ黒（大阪化成株式会社製、商品名）を用いて、水で２０倍に薄めた溶液を３００ｍｌ作製し（液温：２５℃）、外径２０×２５×５ｃｍのステンレスバットに満たした。溶液中に現像後の基板を浸漬し、適宜軽く基板を動かしながら３時間染色した。所定時間後、引き上げて水洗し、エアブロー乾燥した。
［実施例２］
　平行露光機（オーク製作所製、商品名「ＥＸＭ－１２０１」、３６５ｎｍ及び４０５ｎｍ混線）を用いて、現像後の基板全体に約２．０Ｊ露光した。露光時の基板表面近傍の温度は、３１℃であった。
［実施例３～９］
　大型ＵＶ照射装置（オーク製作所社製、商品名「ＱＲＭ－２３１７－Ｆ－００」）を用いて、１回当たりの露光量が約０．５Ｊとなるコンベア速度で、現像後基板をコンベアに流して露光処理した。実施例３では、露光処理を１回行い、露光量を０．５Ｊとした。実施例３の露光時の基板表面近傍の温度は、３５℃であった。実施例４、６－８では、露光処理を２回行い、合計の露光量を１Ｊとした。実施例４、６－８の露光時の基板表面近傍の温度は、５０℃であった。実施例５、９では、露光処理を３回行い、合計の露光量を１．５Ｊとした。実施例５の露光時の基板表面近傍の温度は、３５℃であった。実施例５、９の露光時の基板表面近傍の温度は、６２℃であった。
５．透過率測定（着色処理後）
　スライドガラス（松浪硝子工業株式会社製、商品名「白スライドグラス　切放Ｎｏ．１　Ｓ１１２６」）表面に、Ｆ－１の感光性エレメントをラミネート（積層）した。ラミネートは、保護層を剥離しながら、感光性エレメントの感光層がスライドガラス表面に接するようにして、１１０℃のヒートロールを用いて、０．２ＭＰａの圧着圧力、１．０ｍ／分のロール速度で行った。スライドガラス上に感光層を積層した後、パターン基板作製時と同等の条件で露光処理及び着色処理を行い、支持体を剥離し、透過率測定用のサンプルを作製した。感光層の吸光度は、Ｕ－３３１０形分光光度計（株式会社日立ハイテクサイエンス製、測定条件　波長範囲：３３０～７００ｎｍ、スキャンスピード：３００ｎｍ／分、スキャン間隔：０．５０ｎｍ）を用いて測定した。ベースライン測定は、リファレンス及びサンプルに未処理のスライドガラスを用いて行った。得られた測定スペクトルから、検査光の波長（６３５ｎｍ）における吸光度を記録し、検査光の透過率を算出した。
６．レジストパターンの外観検査
　実施例１～１２では、レジストパターンの外観検査として、ＡＯＩ　Ｕｌｔｒａ　Ｆｕｓｉｏｎ　６００（日本オルボテック株式会社製、商品名）を用いて、レジストパターンの欠陥を検出した。パネル極性はＮｅｇａｔｉｖｅに設定し、ライト強度は正反射光：１２０、拡散反射光：６０、使用ライトは赤色のみとした。比較例１では、レジストパターンの外観検査として、ＳＵ－１５００（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名）のＳＥＭを用いて、レジストパターンの欠陥を観察した。このとき、加速電圧は１５ｋＶ、電流値は１０μＡとした。そして、実施例１～１２及び比較例１について、外観検査の時間を評価し、実施例１～１２については、レジストパターンの欠陥のパターン検出率についても評価した。パターン検出率とは、外観検査を行う際に、検査装置がレジストパターンの輪郭を識別してパターンを認識できた確率をいう。つまり、外観検査を行う前に、検査装置により、実施例１～１２のそれぞれに応じた適正なグレイレベル（明暗二値化の閾値）設定を行い、この設定が完了すればＯＫ、この設定が完了せずにエラーが発生すればＮＧとした。そして、レジストパターンの欠陥のパターン検出率の評価では、毎回ＯＫとなった場合をＡ、毎回ＯＫとならなかったがＮＧとなった確率が低かった場合をＢとし、ＮＧとなった確率が高かった場合をＣとした。外観検査の時間の評価では、１０分／ｃｍ２未満をＡ、１０分／ｃｍ２以上５０００分／１００ｃｍ２未満をＢ、５０００分／１００ｃｍ２以上をＣとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
７．評価
　表１に示すように、実施例１～１２では、比較例１に比べて、検査時間が顕著に短縮された。この結果から、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいてレジストパターンを外観検査することで、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間でレジストパターンの欠陥を検出することができることが確認された。
　また、実施例１～１０では、実施例１１～１２に比べて、パターン検出率が高かった。この結果から、レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいて行うレジストパターンの外観検査においては、レジストパターンを発色させることで、レジストパターンの輪郭を検出し易くなり、検査精度が高くなることが確認された。
　１…基板、１ａ…絶縁層、１ｂ…導体層、２…感光層、２ａ…光硬化部、２ｂ…未硬化部、３…支持体、４…積層体、５…フォトマスク、６…レジストパターン、７…異物、８…欠陥、９…導体パターン、１０…輪郭、１１…パターンデータ。
 

Claims (21)

  1. 　レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える、
    レジストパターンの検査方法。
  2. 　前記外観検査工程では、基板からの反射光に基づいて前記レジストパターンの輪郭を検出し、検出した前記輪郭に基づいて前記レジストパターンを外観検査する、
    請求項１に記載のレジストパターンの検査方法。
  3. 　前記外観検査工程では、検出した前記輪郭と前記レジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比する、
    請求項２に記載のレジストパターンの検査方法。
  4. 　前記外観検査工程では、検出した前記輪郭に基づいて前記レジストパターンの線幅を計測する、
    請求項２に記載のレジストパターンの検査方法。
  5. 　前記基板上に前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
    　前記レジストパターン形成工程の後に、前記レジストパターンを発色させる発色工程と、を更に備える、
    請求項１～４の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  6. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを露光する、
    請求項５に記載のレジストパターンの検査方法。
  7. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを加熱する、
    請求項５又は６に記載のレジストパターンの検査方法。
  8. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にする、
    請求項５～７の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  9. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを染色する、
    請求項５～８の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  10. 　前記レジストパターン形成工程では、光と反応して発色する光発色剤が含まれた前記レジストパターンを形成する、
    請求項５～９の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  11. 　前記レジストパターン形成工程では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さの前記レジストパターンを形成する、
    請求項５～１０の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  12. 　基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
    　前記レジストパターン形成工程の後に、前記レジストパターンを発色させる発色工程と、を備える、
    レジストパターンの製造方法。
  13. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを露光する、
    請求項１２に記載のレジストパターンの製造方法。
  14. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを加熱する、
    請求項１２又は１３に記載のレジストパターンの製造方法。
  15. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンの温度を３５℃以上１５０℃以下にする、
    請求項１２～１４の何れか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
  16. 　前記発色工程では、前記レジストパターンを発色させるために前記レジストパターンを染色する、
    請求項１２～１５の何れか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
  17. 　前記レジストパターン形成工程では、光と反応して発色する光発色剤が含まれた前記レジストパターンを形成する、
    請求項１２～１６の何れか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
  18. 　前記レジストパターン形成工程では、１μｍ以上１００μｍ以下の厚さの前記レジストパターンを形成する、
    請求項１２～１７の何れか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
  19. 　レジストパターンが形成された基板からの反射光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程と、
    　前記外観検査工程における前記外観検査に基づいて前記レジストパターンを評価する評価工程と、を備える、
    基板選別方法。
  20. 　前記評価工程では、前記レジストパターンの欠陥の数又は形状により前記レジストパターンを評価する、
    請求項１９に記載の基板選別方法。
  21. 　請求項１９又は２０に記載の基板選別方法における前記レジストパターンの前記評価が基準を満たす前記基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える、
    プリント配線板の製造方法。
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