TW202422045A - 抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法 - Google Patents
抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202422045A TW202422045A TW112125934A TW112125934A TW202422045A TW 202422045 A TW202422045 A TW 202422045A TW 112125934 A TW112125934 A TW 112125934A TW 112125934 A TW112125934 A TW 112125934A TW 202422045 A TW202422045 A TW 202422045A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- resist pattern
- etching agent
- aforementioned
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 249
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 121
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 25
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- -1 defoamers Substances 0.000 description 9
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 6
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 5
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-5-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(=O)O)C=CC2=NNN=C21 GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 4
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- LLJKRUUAVWXDEI-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CSC(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)=C1 LLJKRUUAVWXDEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N dipyrrin Chemical compound C=1C=CNC=1C=C1C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- WFCLYEAZTHWNEH-UHFFFAOYSA-N ethylthiocyanate Chemical compound CCSC#N WFCLYEAZTHWNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYHVQEYOFIYNJP-UHFFFAOYSA-N methyl thiocyanate Chemical compound CSC#N VYHVQEYOFIYNJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tribromo-4-(2,3,4-tribromophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(Br)C(Br)=C1Br SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 2-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1Cl AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015511 Liquidambar orientalis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004870 Styrax Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229960001506 brilliant green Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N diethylaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1 GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- RUAIJHHRCIHFEV-UHFFFAOYSA-N methyl 4-amino-5-chlorothiophene-2-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC(N)=C(Cl)S1 RUAIJHHRCIHFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROVRRJSRRSGUOL-UHFFFAOYSA-N victoria blue bo Chemical compound [Cl-].C12=CC=CC=C2C(NCC)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(CC)CC)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 ROVRRJSRRSGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
抗蝕劑圖案之檢查方法包括依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對前述抗蝕劑圖案進行外觀檢查之外觀檢查步驟。抗蝕劑圖案之製造方法包括：抗蝕劑圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕劑圖案；及發光材料附著步驟，使發光材料附著於前述基板的導體表面。基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對前述抗蝕劑圖案進行外觀檢查；及評價步驟，依據前述外觀檢查步驟中的前述外觀檢查對前述抗蝕劑圖案進行評價。半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法包括對上述基板篩選方法中的前述抗蝕劑圖案的前述評價滿足基準之前述基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案之導體圖案形成步驟。
Description
本揭示有關一種抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法。
當製造半導體封裝基板或印刷配線板時，首先，在基板上層合感光層。接著，通過光罩對感光層的規定部分照射活性光線來固化曝光部。接著，在剝離去除支撐體之後，用顯影液去除感光層的未曝光部，藉此在基板上形成抗蝕劑圖案。接著，以所形成之抗蝕劑圖案為遮罩，對形成有抗蝕劑圖案之基板實施蝕刻處理或鍍敷處理，從而在基板上形成導體圖案，最後從基板剝離去除感光層的固化部分（抗蝕劑圖案）。
在這樣的半導體封裝基板或印刷配線板的製造步驟中，若活性光線的曝光因附著於光罩或感光層之異物等而受阻，則有可能會在抗蝕劑圖案上產生缺陷，從而在導體圖案上發生斷線或短路等的不良情況。因此，以往藉由對導體圖案進行外觀檢查而檢查了導體圖案的斷線或短路等的不良情況。
[專利文獻1]日本特開2005-207802號公報
藉由在形成導體圖案之前對抗蝕劑圖案進行外觀檢查，能夠在半導體封裝基板或印刷配線板的製造中的更早的階段發現不良情況。又，藉由對抗蝕劑圖案形成的成品率進行評價，能夠有助於改善抗蝕劑圖案形成。以往，抗蝕劑圖案的外觀檢查係使用掃描型電子顯微鏡（以下，亦稱為“SEM”）進行（例如，參閱專利文獻1）。
然而，使用SEM之檢查係檢查1mm
2左右的極小範圍者。因此，使用SEM之半導體封裝基板或印刷配線板整體的抗蝕劑圖案的檢查需要龐大的時間。而且，依據檢查人員及檢查時使用之SEM，檢查精度存在較大的偏差。
因此，本揭示的目的為，提供一種能夠在短時間內高精度地評價抗蝕劑圖案之抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法。
[1]本揭示之抗蝕劑圖案之檢查方法包括外觀檢查步驟，依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對抗蝕劑圖案進行外觀檢查。
在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對抗蝕劑圖案進行外觀檢查，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地檢測抗蝕劑圖案的缺陷。
[2]在[1]所述之抗蝕劑圖案之檢查方法中的外觀檢查步驟中，亦可以依據來自基板的發光檢測抗蝕劑圖案的輪廓，並依據檢測出之輪廓對抗蝕劑圖案進行外觀檢查。在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，利用依據來自基板的發光檢測出之抗蝕劑圖案的輪廓作為抗蝕劑圖案的外觀檢查，藉此能夠適當地對抗蝕劑圖案進行外觀檢查。
[3]在[2]所述之抗蝕劑圖案之檢查方法中的外觀檢查步驟中，可以將檢測出之輪廓與用於形成抗蝕劑圖案的圖案資料進行對比。在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，將檢測出之輪廓與用於形成抗蝕劑圖案之圖案資料進行對比作為抗蝕劑圖案的外觀檢查，藉此能夠高精度地檢測抗蝕劑圖案的缺陷。
[4]在[2]所述之抗蝕劑圖案之檢查方法中的外觀檢查步驟中，可以依據檢測出之輪廓測量抗蝕劑圖案的線寬。在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，依據檢測出之輪廓測量抗蝕劑圖案的線寬作為抗蝕劑圖案的外觀檢查，藉此能夠對抗蝕劑圖案的形成狀態進行評價。
[5]在[1]至[4]中任一項所述之抗蝕劑圖案之檢查方法中，可以進一步包括：抗蝕劑圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕劑圖案；及發光材料附著步驟，使發光材料附著於基板的導體表面上。在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，使發光材料附著於基板的導體表面上，藉此來自基板的導體表面的發光強度增強，因此來自基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域的發光與來自基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域的發光之間的對比度變大。因此，能夠提高基於來自基板的發光之抗蝕劑圖案的輪廓的檢測精度。
[6]在[5]所述之抗蝕劑圖案之檢查方法中的抗蝕劑圖案形成步驟中，可以形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蝕劑圖案。在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蝕劑圖案，藉此能夠抑制抗蝕劑圖案變得過厚，同時增加來自基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域的發光與來自基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域的發光之間的對比度。因此，能夠提高基於來自基板的發光之抗蝕劑圖案的輪廓的檢測精度。
[7]本揭示的抗蝕劑圖案之製造方法包括：抗蝕劑圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕劑圖案；及發光材料附著步驟，使發光材料附著於基板的導體表面上。
在該抗蝕劑圖案之製造方法中，使發光材料附著於基板的導體表面上，藉此來自基板的導體表面的發光強度增強，因此來自基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域的發光與來自基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域的發光之間的對比度變大。因此，例如，在依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光檢測抗蝕劑圖案的輪廓之情況下，能夠提高檢測精度。又，在進行抗蝕劑圖案的線寬的測定之情況下，容易聚焦於抗蝕劑圖案的表面或抗蝕劑圖案的輪廓。
[8]在[7]所述之抗蝕劑圖案之製造方法中的抗蝕劑圖案形成步驟中，可以形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案之製造方法中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的抗蝕劑圖案，藉此能夠抑制抗蝕劑圖案變得過厚，同時增加來自基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域的發光與來自基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域的發光之間的對比度。因此，例如能夠提高基於來自基板的發光之抗蝕劑圖案的輪廓的檢測精度。
[9]本揭示之基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對抗蝕劑圖案進行外觀檢查；及評價步驟，依據外觀檢查步驟中的外觀檢查對抗蝕劑圖案進行評價。
在該基板篩選方法中，藉由基於來自基板的發光之抗蝕劑圖案的外觀檢查對抗蝕劑圖案進行評價，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地篩選基板。
[10]在[9]所述之基板篩選方法中的評價步驟中，可以依據抗蝕劑圖案的缺陷的數量或形狀對抗蝕劑圖案進行評價。在該基板篩選方法中，藉由依據抗蝕劑圖案的缺陷的數量或形狀對抗蝕劑圖案進行評價，能夠適當地評價基板。
[11]在[9]或[10]所述之基板篩選方法中的外觀檢查步驟中進行外觀檢查之基板的導體表面上可以附著有發光材料。在該基板篩選方法中的外觀檢查步驟中進行外觀檢查之基板的導體表面上附著有發光材料，因此來自基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域的發光與來自基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域的發光之間的對比度變大。因此，能夠高精度地進行抗蝕劑圖案的外觀檢查。
[12]本揭示之半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法包括對[9]至[11]中任一項所述之基板篩選方法中的抗蝕劑圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案之導體圖案形成步驟。
在該半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法中，對上述基板篩選方法中的抗蝕劑圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案，因此能夠抑制發生導體圖案的斷線或短路等的不良情況。
[發明效果]
依本揭示，能夠在短時間內高精度地評價抗蝕劑圖案。
以下，參閱圖式對本揭示的抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法的實施形態進行說明。再者，在所有圖中，對相同或相當的部分標註相同符號。又，“A或B”包括A及B的任一者即可，亦可以將兩者均包括在內。
[抗蝕劑圖案之檢查方法]
實施形態之抗蝕劑圖案之檢查方法包括依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對抗蝕劑圖案進行外觀檢查之外觀檢查步驟。抗蝕劑圖案之檢查方法可以在外觀檢查步驟之前包括在基板上形成抗蝕劑圖案之抗蝕劑圖案形成步驟。又，抗蝕劑圖案之檢查方法可以包括使發光材附著於基板的導體表面上之發光材料附著步驟。又，抗蝕劑圖案之檢查方法亦可以包括其他步驟。在本說明書中，術語“步驟”不僅包括獨立的步驟，而且即使在無法與其他步驟明確地區分之情況下，只要可以實現該步驟的所期望的作用，則亦包括在本術語中。抗蝕劑圖案亦稱為感光性樹脂組成物的光固化物圖案，亦稱為浮雕圖案。
＜抗蝕劑圖案形成步驟＞
如圖1所示，抗蝕劑圖案形成步驟包括將感光層積層於基板上之感光層形成步驟（參閱圖1（a））、對感光層的規定部分照射活性光線來形成光固化部之曝光步驟（參閱圖1（b））及從基板上去除感光層的規定部分以外的區域之顯影步驟（參閱圖1（c））。抗蝕劑圖案形成步驟亦可以依據需要包括其他步驟。
（感光層形成步驟）
如圖1（a）所示，在感光層形成步驟中，在基板1上形成感光層2及支撐體3。基板1例如具備絕緣層1a和形成於絕緣層1a上之導體層1b。感光層2形成於基板1的導體層1b上。導體層1b例如為無電鍍銅。
感光層2為使用性質因照射光而改變（例如，光固化）之感光性樹脂組成物形成之層。形成感光層2之感光性樹脂組成物例如含有黏結劑聚合物、光聚合性化合物及光聚合起始劑。形成感光層2之感光性樹脂組成物亦可以依據需要含有光敏劑、聚合抑制劑或其他成分。形成感光層2之感光性樹脂組成物例如可以含有孔雀綠（malachite green）、維多利亞純藍（victoria pure blue）、亮綠（brilliant green）及甲基紫（methyl violet）等的染料、三溴苯基碸、隱色結晶紫（leuco crystal violet）、二苯胺、苄胺、三苯胺、二乙基苯胺及鄰氯苯胺等的光顯色劑、熱顯色抑制劑、對甲苯磺醯胺等的塑化劑、顏料、填充劑、消泡劑、阻燃劑、密接性賦予劑、調平劑、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、顯像劑、熱交聯劑等的添加劑。
作為支撐體3，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二酯（PET）等的聚酯、聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴等的具有耐熱性及耐溶劑性之聚合物膜（支撐膜）。
作為在基板1上形成感光層2及支撐體3之方法，例如存在使用感光性元件（未圖示）之方法。感光性元件例如依序具備支撐體、感光層及保護層。又，在去除保護層之後，對感光性元件的感光層進行加熱，並且壓接於基板1，藉此在基板1上形成感光層2及支撐體3。藉此，獲得依序具備基板1、感光層2、支撐體3及支撐膜（未圖示）之積層體4。再者，亦可以在支撐體3與感光層2之間配置中間層等。
（曝光步驟）
如圖1（b）所示，在曝光步驟中，利用活性光線經由支撐體3對感光層2進行曝光。藉此，被照射活性光線之曝光部光固化，從而形成光固化部2a（潛像）。作為曝光方法，可以適用公知的曝光方式，例如可以舉出隔著稱為原圖之光罩5圖像狀照射活性光線之方法（遮罩曝光方式）、LDI（Laser Direct Imaging，雷射直接成像）曝光方式、或使用投影了光罩的像之活性光線經由透鏡進行圖像狀照射之方法（投影曝光方式）等。
（顯影步驟）
如圖1（c）所示，在顯影步驟中，從基板1上去除感光層2的未固化部2b。藉由顯影步驟，由將感光層2光固化而成之光固化部2a構成之抗蝕劑圖案6形成於基板1上。又，在基板1的導體層1b的表面形成有未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c及形成有基板1的導體表面的抗蝕劑圖案6之區域1d。區域1c亦為導體層1b的表面的未被抗蝕劑圖案6覆蓋之區域。區域1d亦為導體層1b的表面的被抗蝕劑圖案6覆蓋之區域。
形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度例如可以設為0.05μm以上、0.1μm以上、1μm以上或5μm以上。又，形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度例如可以設為500μm以下、300μm以下、100μm以下或60μm以下。該等抗蝕劑圖案6的厚度的最小值和最大值可以適當組合。例如，形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度可以設為0.05μm以上且500μm以下、0.1μm以上且300μm以下、1μm以上且100μm以下或5μm以上且60μm以下。抗蝕劑圖案6的厚度為與基板1的主面垂直的方向上的相對於基板1的高度。
形成於基板1上之抗蝕劑圖案6例如具有發光性。發光亦稱為冷光（LUMINESCENCE）等，例如係指，當照射檢查光等激發光時，吸收激發光等而發出光。又，發光係指，以該種方式發光之光。作為發光，具有螢光或磷光等。螢光係若停止照射激發光，則發光立即停止之發光。磷光係即使停止照射檢查光等光，亦繼續發光之發光。具有發光性係指，具有該等發光的性質，亦即，具有當照射激發光時，吸收激發光等而發光之性質。再者，抗蝕劑圖案6可以不具有發光性。
＜發光材料附著步驟＞
在發光材料附著步驟中，為了增加基板1的發光強度，使發光材料附著於基板1的導體表面上。關於基板1的導體表面，例如，導體層1b的絕緣層1a為相反側的表面，形成有導體層1b的抗蝕劑圖案6之側的表面。因此，在發光材料附著步驟中，使發光材料附著於基板1的導體層1b表面上。發光材料為當照射激發光時發光之材料。當發光材料為螢光材料時，該發光成為螢光。當發光材料為磷光材料時，該發光成為磷光。作為發光材料（螢光材料或磷光材料），例如，可以使用當照射激發光時發光之發光色素（螢光色素或磷光色素）。作為發光色素，例如，可以使用口山口星色素、香豆素色素、吡唑啉色素、二吡咯亞甲基二普羅亞甲基色素、蒽色素、芘色素、苝色素、咯吩（lophine）色素（亦稱為咯吩、咯吩化合物等）等。又，作為發光材料，例如，可以使用包含發光色素之螢光染色液。發光材料附著步驟例如能夠在抗蝕劑圖案形成步驟之前，在抗蝕劑圖案形成步驟的中途，或抗蝕劑圖案形成步驟之後之任一時刻進行。
在發光材料附著步驟中，例如能夠浸漬於以基板1為發光材料的螢光染色液中。作為螢光染色液，例如，可以舉出口山口星色素、香豆素色素、吡唑啉色素、二吡咯亞甲基二普羅亞甲基色素、蒽色素、芘色素、苝色素、咯吩色素的飽和溶液及該等的混合溶。上述色素例如亦可以含有咪唑、吡啶、㗁唑、吡唑、噻唑、三嗪、三唑、苯并三唑、5-羧基苯并三唑、四唑、5-胺基四唑、硫醇、噻吩、苯并㗁唑基噻吩作為取代基。該等取代基可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。例如，可以使用作為口山口星色素的Rhodamine B（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation）的飽和水溶液。作為溶劑，例如，可以舉出水、甲醇、乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、丙二醇單甲醚及該等的混合溶劑。此時，可以將整個基板1浸漬於螢光染色液中，亦可以以使整個基板1浸漬於螢光染色液中之方式將基板1的一部分浸漬於螢光染色液中。又，例如，亦可以對形成有抗蝕劑圖案6之基板1滴加螢光染色液。此時，可以對整個基板1滴加螢光染色液，亦可以以對整個基板1滴加螢光染色液的方式對形成有抗蝕劑圖案6之基板1的一部分滴加螢光染色液。又，例如，在抗蝕劑圖案形成步驟中的顯影步驟中，可以在用於將感光層2的未固化部2b從基板1上去除的顯影液及沖洗液中添加發光材料。在螢光色素附著於基板1的導體表面上之後，從基板1的導體表面以外的區域去除螢光色素液。作為螢光染色液的去除方法，例如，可以在螢光色素附著於基板1的導體表面上之後，充分進行水洗，並且進行送風乾燥。
浸漬於以基板1為發光材料的螢光染色液之前，亦可以利用防銹劑處理基板1的導體表面。亦即，亦可以在發光材料附著步驟之前，進行使防銹劑附著於基板1的導體表面之防銹劑附著步驟。作為防銹劑，例如，可以舉出咪唑、咪唑衍生物、吡啶、吡啶衍生物、㗁唑、㗁唑衍生物、吡唑、吡唑衍生物、噻唑、噻唑衍生物、三嗪、三嗪衍生物、三唑、三唑衍生物、苯并三唑、苯并三唑衍生物、5-羧基苯并三唑、5-羧基苯并三唑衍生物、四唑、四唑衍生物、5-胺基四唑、5-胺基四唑衍生物、硫醇、硫醇衍生物、噻吩、噻吩衍生物、苯并㗁唑基噻吩及苯并㗁唑基噻吩衍生物。防銹劑可以利用溶劑稀釋。該等防銹劑可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。作為溶劑，例如，可以舉出水、甲醇、乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、丙二醇單甲醚及該等的混合溶劑。此時，可以將整個基板1浸漬於防銹劑中，亦可以以使整個基板1浸漬於防銹劑中之方式將基板1的一部分浸漬於防銹劑中。又，例如，亦可以對形成有抗蝕劑圖案6之基板1滴加防銹劑。此時，可以對整個基板1滴加防銹劑，亦可以以對整個基板1滴加防銹劑之方式對形成有抗蝕劑圖案6之基板1的一部分滴加防銹劑。又，例如，在抗蝕劑圖案形成步驟中的顯影步驟中，可以在用於將感光層2的未固化部2b從基板1上去除的顯影液及沖洗液中添加防銹劑。在防銹劑附著於基板1的導體表面上之後，從基板1以外的區域去除防銹劑。作為防銹劑的去除方法，例如，可以在防銹劑附著於基板1的導體表面上之後，充分進行水洗，並且進行送風乾燥。
可以將發光材料與防銹劑進行混合，同時實施基於防銹劑之基板1的導體表面的處理及基於發光材料之基板1的導體表面的處理。亦即，亦可以一起進行發光材料附著步驟與防銹劑附著步驟。亦可以僅實施基於防銹劑之基板1的導體表面的處理或基於發光材料之基板1的導體表面的處理中之任一種。
＜外觀檢查步驟＞
在外觀檢查步驟中，依據來自形成有抗蝕劑圖案6之基板1的發光（螢光或磷光）對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查。亦即，在外觀檢查步驟中，依據基板1發出之光對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查。
在上述曝光步驟中，若活性光線的曝光因附著於光罩5、支撐體3或感光層2之異物7（參閱圖1）等而受阻，則有可能會在抗蝕劑圖案6上產生缺陷8。更詳細而言，如圖2（a）、圖2（b）及圖2（c）所示，在製造半導體封裝基板或印刷配線板時，藉由對形成有抗蝕劑圖案6之基板1進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案9。因此，若抗蝕劑圖案6上存在缺陷8，則有可能會在藉由蝕刻處理或鍍敷處理形成之導體圖案9上發生斷線或短路等的不良情況。又，在曝光步驟中，依據活性光線的曝光狀態，抗蝕劑圖案6的線寬有可能會變粗或變細。
因此，在外觀檢查步驟中，對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查，以在形成導體圖案之前發現不良情況。在外觀檢查步驟中，例如，依據來自基板1的發光檢測抗蝕劑圖案6的輪廓，並依據檢測出之輪廓對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查。
如圖3所示，首先，對形成有抗蝕劑圖案6之基板1射出作為激發光的檢查光，並接收來自基板1的發光。亦即，接收基板1發出之光。檢查光的波長例如可以設為390nm以下、380nm以下或370nm以下。又，檢查光的波長例如可以設為190nm以上、250nm以上或300nm以上。該等波長的最小值和最大值可以適當組合。例如，檢查光的波長可以設為390nm以下且190nm以上、380nm以下且250nm以上或370nm以下且300nm以上。再者，在檢查光的光源中，可以使用碳弧燈、水銀蒸氣弧光燈、高壓水銀灯、超高壓水銀灯、氙燈、氬雷射等氣體雷射、YAG雷射等固體雷射、半導體雷射、LED等的起光源等，能夠藉由濾光器僅使用上述檢查光的波長的光。感測發光之波長的區域係能夠任意變更，例如，可以為400nm～800nm的可見光。關於發光感知的波長區域，可以設為400nm～500nm的藍色光、500nm～600nm的綠色光或600nm～800nm的紅色光，波長能夠單獨使用1區域或組合使用2區域以上。在外觀檢查步驟中接收發光之基板1的受光區域例如可以設為1cm
2以上且2500cm
2以下、5cm
2以上且1200cm
2以下、25cm
2以上且600cm
2以下。
接著，如圖3及圖4所示，依據來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度，確定抗蝕劑圖案6的輪廓10。例如，在發光的受光圖像中，檢測明度或色度等的對比度變大之邊界。其後，將該檢測出之邊界確定為抗蝕劑圖案6的輪廓10。在基於來自基板1的發光之抗蝕劑圖案6的輪廓10的檢測中，例如可以使用AOI Orbotech Ultra Dimension 800（Orbotech Ltd.製、產品名稱）等的光學自動外觀檢查裝置。
作為抗蝕劑圖案6的外觀檢查，例如可以舉出檢查抗蝕劑圖案6有無缺陷8之檢查、檢查抗蝕劑圖案6的缺陷8的形狀、位置、大小等（以下，亦稱為“形狀等”）之檢查、檢查抗蝕劑圖案6的形狀之檢查、或測量抗蝕劑圖案6的線寬之檢查。
在檢查抗蝕劑圖案6有無缺陷8之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將依據來自基板1的發光檢測出之抗蝕劑圖案6的輪廓10與在抗蝕劑圖案形成步驟中用於形成抗蝕劑圖案6之圖案資料11進行對比。作為圖案資料11，例如使用抗蝕劑圖案6的CAD資料。其後，檢測與圖案資料11不同的檢測出之輪廓10的部位10a作為抗蝕劑圖案6的缺陷8。其後，計算檢測出之缺陷8的數量。
在檢查抗蝕劑圖案6的缺陷8的形狀等之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將依據來自基板1的發光檢測出之抗蝕劑圖案6的輪廓10與在抗蝕劑圖案形成步驟中用於形成抗蝕劑圖案6之圖案資料11進行對比。其後，檢測與圖案資料11不同的檢測出之輪廓10的部位10a作為抗蝕劑圖案6的缺陷8。其後，依據檢測出之缺陷8的輪廓，檢查檢測出之缺陷8的形狀等。
在檢查抗蝕劑圖案6的形狀之檢查中，例如，如圖4及圖5所示，將依據來自基板1的發光檢測出之抗蝕劑圖案6的輪廓10與在抗蝕劑圖案形成步驟中用於形成抗蝕劑圖案6之圖案資料11進行對比。其後，檢查抗蝕劑圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度。
在測量抗蝕劑圖案6的線寬之檢查中，例如，藉由測量依據來自基板1的發光檢測出之抗蝕劑圖案6的輪廓10的間隔，測量抗蝕劑圖案6的線寬。
[抗蝕劑圖案之製造方法]
實施形態之抗蝕劑圖案之製造方法包括：抗蝕劑圖案形成步驟，在基板1上形成抗蝕劑圖案6；及發光材料附著步驟，使發光材料附著於基板1的導體表面上。抗蝕劑圖案之製造方法的抗蝕劑圖案形成步驟例如可以與上述抗蝕劑圖案之檢查方法的抗蝕劑圖案形成步驟相同。又，抗蝕劑圖案之製造方法的發光材料附著步驟例如可以與上述抗蝕劑圖案之檢查方法的發光材料附著步驟相同。抗蝕劑圖案之製造方法可以包括其他步驟。
[基板篩選方法]
本實施形態之基板篩選方法包括：外觀檢查步驟，依據來自形成有抗蝕劑圖案6之基板1的發光對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查；及評價步驟，依據外觀檢查步驟中的外觀檢查對抗蝕劑圖案6進行評價。基板篩選方法的外觀檢查步驟例如可以與上述抗蝕劑圖案之檢查方法的外觀檢查步驟相同。在基板篩選方法的外觀檢查步驟中進行外觀檢查之基板的導體表面上，例如可以附著有發光材料。基板篩選方法可以包括其他步驟。
＜評價步驟＞
在評價步驟中，以規定的基準對抗蝕劑圖案6進行評價。
例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕劑圖案6有無缺陷8之外觀檢查之情況下，在評價步驟中，依據抗蝕劑圖案6的缺陷8的數量對抗蝕劑圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕劑圖案6的缺陷8的數量少於規定的基準數，則評價為良，若抗蝕劑圖案6的缺陷8的數量多於規定的基準數，則評價為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕劑圖案6的缺陷8的形狀等之檢查之情況下，在評價步驟中，依據抗蝕劑圖案6的缺陷8的尺寸對抗蝕劑圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕劑圖案6的缺陷8的形狀等在規定的允許範圍內，則評價為良，若抗蝕劑圖案6的缺陷8的形狀在規定的允許範圍外，則評價為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了檢查抗蝕劑圖案6的形狀之檢查之情況下，在評價步驟中，依據抗蝕劑圖案6的形狀對抗蝕劑圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕劑圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度在規定的允許範圍內，則視為良，若抗蝕劑圖案6的形狀與圖案資料11的不同程度在規定的允許範圍外，則視為不良。
又，例如，在外觀檢查步驟中進行了測量抗蝕劑圖案6的線寬之外觀檢查之情況下，在評價步驟中，依據抗蝕劑圖案6的線寬對抗蝕劑圖案6進行評價。例如，在評價步驟中，若抗蝕劑圖案6的線寬在規定的基準範圍內，則評價為良，若抗蝕劑圖案6的線寬在規定的基準範圍外，則評價為不良。
[半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法]
本實施形態之半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法包括對上述基板篩選方法中的抗蝕劑圖案的評價滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案之導體圖案形成步驟。亦即，在導體圖案形成步驟中，不會對基板篩選方法中的抗蝕劑圖案的評價不滿足基準之基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案。本實施形態之半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法亦可以依據需要包括抗蝕劑圖案去除步驟等其他步驟。再者，半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法為製造半導體封裝基板或印刷配線板之方法，且為半導體封裝基板之製造方法或印刷配線板之製造方法。依據該製造方法，可以製造半導體封裝基板或印刷配線板。
在蝕刻處理中，以形成於具備導體層之基板上之抗蝕劑圖案為遮罩，蝕刻去除未被抗蝕劑覆蓋之基板的導體層。在蝕刻處理之後，藉由去除抗蝕劑圖案6而去除抗蝕劑以形成導體圖案。
如圖6（a）所示，在鍍敷處理中，以形成於具備導體層1b之基板1上之抗蝕劑圖案6為遮罩，在未被抗蝕劑覆蓋之基板1的導體層1b上鍍敷銅或銲料等。在鍍敷處理之後，如圖6（b）所示，藉由去除抗蝕劑圖案6而去除抗蝕劑，如圖6（c）所示，對被該抗蝕劑覆蓋之導體層1b進行蝕刻，形成導體圖案9。作為鍍敷處理的方法，可以為電鍍處理，亦可以為無電鍍處理，但其中可以為電鍍處理。
如上所述，在本實施形態之抗蝕劑圖案之檢查方法中，依據來自形成有抗蝕劑圖案6之基板1的發光對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查，因此與使用SEM之外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地檢測抗蝕劑圖案6的缺陷8。
又，在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，利用依據來自形成有抗蝕劑圖案6之基板1的發光檢測出之抗蝕劑圖案6的輪廓10作為抗蝕劑圖案6的外觀檢查，藉此能夠適當地對抗蝕劑圖案6進行外觀檢查。
又，在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，將檢測出之輪廓10與用於形成抗蝕劑圖案6之圖案資料11進行對比作為抗蝕劑圖案6的外觀檢查，藉此能夠高精度地檢測抗蝕劑圖案6的缺陷8。
又，在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，依據檢測出之輪廓10測量抗蝕劑圖案6的線寬作為抗蝕劑圖案6的外觀檢查，藉此能夠對抗蝕劑圖案6的形成狀態進行評價。
又，在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，使發光材料附著於基板1的導體表面上，藉此來自基板的導體表面的發光強度增強，因此來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度變大。因此，能夠提高基於來自基板1的發光之抗蝕劑圖案6的輪廓10的檢測精度。
抗蝕劑圖案6變得越薄，來自抗蝕劑圖案6的發光越容易變暗。因此，抗蝕劑圖案6變得越薄，來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度變得越大。因此，從來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度變大之觀點出發，形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度例如可以設為500μm以下、300μm以下、100μm以下或60μm以下。又，形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度例如可以設為0.05μm以上、0.1μm以上、1μm以上或5μm以上。該等抗蝕劑圖案6的厚度的最小值和最大值可以適當組合。例如，形成於基板1上之抗蝕劑圖案6的厚度可以設為0.05μm以上且500μm以下、0.1μm以上且300μm以下、1μm以上且100μm以下或5μm以上且60μm以下。
在該抗蝕劑圖案之檢查方法中，形成0.05μm以上且500μm以下、0.1μm以上且300μm以下、1μm以上且100μm以下、或5μm以上且60μm以下的厚度的抗蝕劑圖案6，藉此能夠抑制抗蝕劑圖案6變得過厚，同時增加來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度。因此，能夠提高基於來自基板1的發光之抗蝕劑圖案6的輪廓10的檢測精度。
在本實施形態之抗蝕劑圖案之製造方法中，使發光材料附著於基板1的導體表面上，藉此來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度變大。因此，例如，在依據來自形成有抗蝕劑圖案6之基板的1發光檢測抗蝕劑圖案6的輪廓10之情況下，能夠提高檢測精度。又，在進行抗蝕劑圖案6的線寬的測定之情況下，容易聚焦於抗蝕劑圖案6的表面或抗蝕劑圖案6的輪廓。
又，在該抗蝕劑圖案之製造方法中，形成0.05μm以上且500μm以下、0.1μm以上且300μm以下、1μm以上且100μm以下、或5μm以上且60μm以下的厚度的抗蝕劑圖案6，藉此能夠抑制抗蝕劑圖案6變得過厚，同時增加來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案6之區域1d的發光之間的對比度。因此，例如能夠提高基於來自基板1的發光之抗蝕劑圖案6的輪廓10的檢測精度。
在本實施形態之基板篩選方法中，藉由基於來自基板1的發光之抗蝕劑圖案6的外觀檢查對抗蝕劑圖案6進行評價，因此與使用SEM的外觀檢查相比，能夠在短時間內高精度地篩選基板1。
又，在該基板篩選方法中，依據抗蝕劑圖案6的缺陷的數量或形狀對基板1進行評價，藉此能夠適當地評價基板1。
又，在該基板篩選方法中的外觀檢查步驟中進行外觀檢查之基板1的導體表面上附著有發光材料，因此來自基板1的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案6之區域1c的發光與來自基板1的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域1d的發光之間的對比度變大。因此，能夠高精度地進行抗蝕劑圖案6的外觀檢查。
在本實施形態之半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法中，對上述基板篩選方法中的抗蝕劑圖案6的評價滿足基準之基板1進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案9，因此能夠抑制發生導體圖案9的斷線或短路等的不良情況。
本發明並不限定於上述實施形態，可以在不脫離本發明的主旨之情況下適當進行變更。
[實施例]
接著，對本揭示的實施例進行說明。但是，本揭示並不限定於以下實施例。
1．感光性元件及基材
在實施例1～5及比較例1中，使用了表1及以下所示的感光性元件及基材。再者，感光性元件的產品名稱的數字的後兩位表示感光層的膜厚（單位：μm）。
（感光性元件）
F-1：將ME-3606SG（Showa Denko Materials co., Ltd.製、產品名稱）的光聚合起始劑設為0.5倍量及將增感劑設為0.3倍量而製造出之感光性元件
F-2：除去RY-5115（Showa Denko Materials co., Ltd.製、產品名稱）的MKG（孔雀綠），且將光聚合起始劑設為0.5倍量及將增感劑設為0.3倍量而製造出之感光性元件
F-3：除去RY-5125（Showa Denko Materials co., Ltd.製、產品名稱、感光層組成與（F-2）相同）的MKG（孔雀綠），且將光聚合起始劑設為0.5倍量及將增感劑設為0.3倍量而製造出之感光性元件
F-4：FL-7225（Showa Denko Materials co., Ltd.製、產品名稱）
（基材）
S-1：Cu濺射PET膜（GEOMATEC Co., Ltd.製、板厚：125μm、Ra＜50nm）
S-2：GL-102（Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.製、產品名稱、Ra：約100nm）
S-3：MCL-E67（Showa Denko Materials co., Ltd.製、產品名稱、Ra：約300nm）
2．積層體的製作
在實施例1、3～4及比較例1中，將在除濕條件下保管之S-1用作具有作為導電層的銅層之基板。在實施例2、5中，對具有作為導電層的銅層之基板進行酸洗及水洗，並且利用氣流進行乾燥之後，將基板加溫至80℃。之後，在23℃條件下將基材S-1、S-2及S-3在1H-苯并三唑-5-羧酸（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation）的飽和水溶液中浸漬60分鐘，進行水洗並且利用空氣流進行乾燥之後，進而在23℃條件下使其在Rhodamine B（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation）的飽和水溶液中浸漬10分鐘，使螢光色素附著於基材S-1、S-2及S-3的銅表面上。進行水洗並且利用空氣流進行乾燥之後，將基板加溫至80℃。其後，在實施例1～5及比較例1中，將感光性元件層合（積層）於基板的銅層的表面。層合係如下進行：剝離感光性元件的保護層，並且使用110℃的熱輥以0.4MPa的壓接壓力、1.0m/分的輥速度使感光性元件的感光層與基板的銅層的表面接觸。如此，得到依序積層有基板、感光層及支撐體之實施例1～5及比較例1的積層體。所得之積層體用作以下所示的試驗的試驗片。
3．圖案基板的製作
[實施例1～4及比較例1]
使用玻璃鉻型光罩（解析度評價用或圖案檢查用），並使用以超高壓水銀燈（365nm）為光源之投影曝光裝置（Ushio Inc.製、產品名稱“UX-2240SM”）以規定的能量對感光層進行了曝光（曝光處理）。再者，解析度評價用光罩使用了具有線寬/間隔寬度為x/x（x：1～30、單位：μm）的配線圖案者，圖案檢查用光罩使用了具有線寬/間隔寬度為x/x（x：20、30、40、單位：μm）的配線圖案者（圖案區域：90mm×90mm）。
曝光後，剝離支撐體而使感光層露出，以最短顯影時間（去除未曝光部分之最短時間）的2倍的時間噴射30℃的1質量%碳酸鈉水溶液，去除了未曝光部分（顯影處理）。將使用解析度評價用光罩曝光之顯影處理後的基板稱為解析度評價用圖案基板，將使用圖案檢查用光罩曝光之顯影處理後的基板稱為檢查用圖案基板。在解析度評價用圖案基板中，依據乾淨地去除了間隔部分（未曝光部分）且線部分（曝光部分）未產生扭曲、蜿蜒及缺陷地形成之抗蝕劑圖案中最小的線寬/間隔寬度的值對解析度進行了評價。此時，當使用配線圖案的線寬/間隔寬度成為30μm/30μm的解析度評價用光罩形成抗蝕劑圖案時，將抗蝕劑圖案的線寬成為30.0μm的曝光量設為上述的規定的能量。
[實施例5]
使用以半導體雷射（375nm及405nm混合線、波長的比率可任意變更（375nm:405nm=0:100～100:0））為光源之直寫曝光裝置（Orbotech Ltd.製、產品名稱“Nuvogo Fine 8”）以規定的能量對感光層進行了曝光。曝光後，以與實施例1～4及比較例1相同的步驟進行顯影處理，製作出解析度評價用圖案基板及檢查用圖案基板。
4．抗蝕劑圖案的外觀檢查
在實施例1～5中，使用作為抗蝕劑圖案的外觀檢查，AOI Orbotech Ultra Dimension 800（Orbotech Ltd.製、產品名稱），對檢查用圖案基板照射UV光使基材S-1、S-2及S-3的銅表面發螢光，藉此檢測了抗蝕劑圖案的缺陷。在比較例1中，作為抗蝕劑圖案的外觀檢查，使用SU-1500（Hitachi High-Tech Corporation製、產品名稱）的SEM觀察了抗蝕劑圖案的缺陷。此時，加速電壓設為15kV，電流值設為80μA。其後，對實施例1～5及比較例1評價了外觀檢查的時間，並對實施例1～5評價了抗蝕劑圖案的缺陷的圖案檢測率作為檢查精度。圖案檢測率（檢查精度）係指當進行外觀檢查時檢查裝置識別出抗蝕劑圖案的輪廓而能夠辨認圖案之概率。亦即，在進行外觀檢查之前，藉由檢查裝置進行與實施例1～5分別對應之適當的灰階值（明暗二值化的臨界值）設定，並設為，若完成該設定，則為OK，若未完成該設定而發生錯誤，則為NG。其後，在抗蝕劑圖案的缺陷的圖案檢測率的評價中，將每次皆OK的情況設為A，將並非每次皆OK但NG的概率低的情況設為B，將NG的概率高的情況設為C。在外觀檢查的時間的評價中，將小於10分/cm
2設為A，將10分/cm
2以上且小於5000分/100cm
2設為B，將5000分/100cm
2以上設為C。
[表1]
| 項目 | 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 比較例1 |
| 感光性元件 | F-1 | F-1 | F-2 | F-3 | F-4 | F-1 |
| 感光層膜厚（μm） | 6 | 6 | 15 | 25 | 25 | 6 |
| 基板的基材 | S-1 | S-2 | S-1 | S-1 | S-3 | S-1 |
| 基板的表面粗糙度Ra（nm） | ＜50 | 100 | ＜50 | ＜50 | 300 | ＜50 |
| 檢查時間 | A | A | A | A | A | C |
| 檢查精度 | A | A | A | A | A | - |
5．評價
如表1所示，在實施例1～5中，與比較例1相比，檢查時間顯著縮短。由該結果可知，藉由依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的螢光對抗蝕劑圖案進行外觀檢查，與使用SEM之外觀檢查相比，能夠在短時間內檢測抗蝕劑圖案的缺陷。
又，在實施例1～5中，圖案檢測率高。由該結果可知，在依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的螢光進行之抗蝕劑圖案的外觀檢查中，容易檢測抗蝕劑圖案的輪廓，從而檢查精度高。
1:基板
1a:絕緣層
1b:導體層
1c:基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域
1d:基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域
2:感光層
2a:光固化部
2b:未固化部
3:支撐體
4:積層體
5:光罩
6:抗蝕劑圖案
7:異物
8:缺陷
9:導體圖案
10:輪廓
11:圖案資料
圖1中，圖1（a）係用於說明抗蝕劑圖案形成步驟中的感光層形成步驟之模式側視圖，圖1（b）係用於說明抗蝕劑圖案形成步驟中的曝光步驟之模式側視圖，圖1（c）係用於說明抗蝕劑圖案形成步驟中的顯影步驟之模式側視圖。
圖2中，圖2（a）、圖2（b）及圖2（c）係用於說明基於存在缺陷之抗蝕劑圖案之導體圖案的形成之模式側視圖。
圖3係用於說明外觀檢查步驟之模式側視圖。
圖4係用於說明來自基板的發光之模式圖。
圖5係用於說明圖案資料之模式圖。
圖6中，圖6（a）、圖6（b）及圖6（c）係用於說明導體圖案的形成之模式側視圖。
1:基板
1a:絕緣層
1b:導體層
1c:基板的導體表面的未形成有抗蝕劑圖案之區域
1d:基板的導體表面的形成有抗蝕劑圖案之區域
6:抗蝕劑圖案
8:缺陷
Claims (12)
- 一種抗蝕劑圖案之檢查方法，其包括依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對前述抗蝕劑圖案進行外觀檢查之外觀檢查步驟。
- 如請求項1所述之抗蝕劑圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，依據來自前述基板的發光檢測前述抗蝕劑圖案的輪廓，並依據檢測出之前述輪廓對前述抗蝕劑圖案進行外觀檢查。
- 如請求項2所述之抗蝕劑圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，將檢測出之前述輪廓與用於形成前述抗蝕劑圖案之圖案資料進行對比。
- 如請求項2所述之抗蝕劑圖案之檢查方法，其中 在前述外觀檢查步驟中，依據檢測出之前述輪廓測量前述抗蝕劑圖案的線寬。
- 如請求項1至請求項4之任一項所述之抗蝕劑圖案之檢查方法，其進一步包括： 抗蝕劑圖案形成步驟，在前述基板上形成前述抗蝕劑圖案；及 發光材料附著步驟，使發光材料附著於前述基板的導體表面上。
- 如請求項5所述之抗蝕劑圖案之檢查方法，其中 在前述抗蝕劑圖案形成步驟中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的前述抗蝕劑圖案。
- 一種抗蝕劑圖案之製造方法，其包括： 抗蝕劑圖案形成步驟，在基板上形成抗蝕劑圖案；及 發光材料附著步驟，使發光材料附著於前述基板的導體表面上。
- 如請求項7所述之抗蝕劑圖案之製造方法，其中 在前述抗蝕劑圖案形成步驟中，形成0.05μm以上且500μm以下的厚度的前述抗蝕劑圖案。
- 一種基板篩選方法，其包括： 外觀檢查步驟，依據來自形成有抗蝕劑圖案之基板的發光對前述抗蝕劑圖案進行外觀檢查；及 評價步驟，依據前述外觀檢查步驟中的前述外觀檢查對前述抗蝕劑圖案進行評價。
- 如請求項9所述之基板篩選方法，其中 在前述評價步驟中，依據前述抗蝕劑圖案的缺陷的數量對前述抗蝕劑圖案進行評價。
- 如請求項9或請求項10所述之基板篩選方法，其中 使發光材料附著於在前述外觀檢查步驟中進行外觀檢查之前述基板的導體表面上。
- 一種半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法，其包括： 導體圖案形成步驟，對請求項9至請求項11之任一項所述之基板篩選方法中的前述抗蝕劑圖案的前述評價滿足基準之前述基板進行蝕刻處理或鍍敷處理，形成導體圖案。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022-119526 | 2022-07-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202422045A true TW202422045A (zh) | 2024-06-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102368239B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성 방법, 프린트 배선판의 제조 방법, 투영 노광용 감광성 수지 조성물 및 감광성 엘리먼트 | |
| JP6592911B2 (ja) | 感光性エレメント | |
| TW201710796A (zh) | 感光性元件、阻障層形成用樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法 | |
| KR20180027541A (ko) | 감광성 엘리먼트, 적층체, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법 | |
| WO2024024484A1 (ja) | レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法 | |
| TW202422045A (zh) | 抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法 | |
| TW202412134A (zh) | 抗蝕劑圖案之檢查方法、抗蝕劑圖案之製造方法、基板篩選方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法 | |
| JP4924230B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| JP2009098344A (ja) | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| TW201627758A (zh) | 感光性樹脂組成物、及使用其的感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法以及印刷電路板的製造方法 | |
| WO2022157895A1 (ja) | レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及びプリント配線板の製造方法 | |
| TWI507820B (zh) | 感光性樹脂組成物以及使用其之感光性元件、光阻圖型之製造方法、引線框架之製造方法、印刷電路板、及印刷電路板之製造方法 | |
| TWI801580B (zh) | 感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法 | |
| WO2023162934A1 (ja) | パターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、対象基板の選別方法、及び対象基板の製造方法 | |
| JP5694043B2 (ja) | 反応現像画像形成法及びそのための組成物 | |
| JP5323442B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| WO2023050062A1 (en) | Polymer, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for forming wiring pattern | |
| TW202421429A (zh) | 感光性元件、抗蝕劑圖案之形成方法、及印刷線路板之製造方法 | |
| WO2024116513A1 (ja) | 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法 | |
| TW201632994A (zh) | 感光性樹脂組成物、感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法及結構體的製造方法 | |
| KR20090045043A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
| TW202409108A (zh) | 感光性樹脂組成物、感光性元件、抗蝕劑圖案之形成方法及半導體封裝基板或印刷配線板之製造方法 | |
| TW202206944A (zh) | 感光性元件、光阻圖案之形成方法及印刷配線板之製造方法 | |
| JP2004347913A (ja) | レジスト検査方法 | |
| KR930008129B1 (ko) | 포토 레지스트 조성물 |