WO2024024484A1 - レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法 - Google Patents

レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法 Download PDF

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WO2024024484A1
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resist pattern
substrate
pattern
manufacturing
inspection
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哲也 加藤
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株式会社レゾナック
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    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for inspecting a resist pattern, a method for manufacturing a resist pattern, a method for selecting a substrate, and a method for manufacturing a semiconductor package substrate or a printed wiring board.
  • a photosensitive layer is laminated on the substrate.
  • predetermined portions of the photosensitive layer are irradiated with active light through a photomask to cure the exposed portions.
  • a resist pattern is formed on the substrate by removing the unexposed portion of the photosensitive layer with a developer.
  • the substrate on which the resist pattern has been formed is subjected to etching or plating to form a conductive pattern on the substrate, and finally the cured portion of the photosensitive layer (resist pattern) is removed from the substrate. Peel and remove.
  • the present disclosure aims to provide a method for inspecting a resist pattern, a method for manufacturing a resist pattern, a method for selecting a substrate, and a method for manufacturing a semiconductor package substrate or a printed wiring board, which can evaluate a resist pattern with high precision in a short time. purpose.
  • the resist pattern inspection method of the present disclosure includes an appearance inspection step of visually inspecting the resist pattern based on light emitted from a substrate on which the resist pattern is formed.
  • This resist pattern inspection method visually inspects the resist pattern based on light emitted from the substrate on which the resist pattern is formed, so it can detect defects in the resist pattern in a shorter time and with higher precision than the visual inspection using an SEM. can be detected.
  • the outline of the resist pattern is detected based on light emitted from the substrate, and the resist pattern is visually inspected based on the detected outline. good.
  • the outline of the resist pattern detected based on light emitted from the substrate is used as the visual inspection of the resist pattern, so that the resist pattern can be appropriately visually inspected.
  • the detected contour may be compared with pattern data for forming the resist pattern in the appearance inspection step.
  • defects in the resist pattern can be detected with high precision by comparing the detected contour with pattern data for forming the resist pattern as an external appearance inspection of the resist pattern.
  • the line width of the resist pattern may be measured based on the detected contour.
  • the formation state of the resist pattern can be evaluated by measuring the line width of the resist pattern based on the detected outline as an appearance inspection of the resist pattern.
  • the resist pattern forming step of forming a resist pattern on a substrate and attaching a luminescent material on the conductor surface of the substrate are performed.
  • the method may further include a step of attaching a luminescent material.
  • this resist pattern inspection method by attaching a luminescent material to the conductor surface of the substrate, the intensity of light emitted from the conductor surface of the substrate increases. The contrast between the light emission and the light emission from the region of the conductor surface of the substrate where the resist pattern is formed is increased. Therefore, the accuracy of detecting the outline of the resist pattern based on the light emitted from the substrate can be improved.
  • a resist pattern having a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less may be formed.
  • this resist pattern inspection method by forming a resist pattern with a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, the resist pattern is prevented from becoming too thick, and the resist pattern on the conductor surface of the substrate is not formed. It is possible to increase the contrast between the light emitted from the region and the light emitted from the region on the conductor surface of the substrate where the resist pattern is formed. Therefore, the accuracy of detecting the outline of the resist pattern based on the light emitted from the substrate can be improved.
  • the method for manufacturing a resist pattern according to the present disclosure includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern on a substrate, and a luminescent material attachment step of depositing a luminescent material on the conductor surface of the substrate.
  • this resist pattern manufacturing method by attaching a luminescent material onto the conductor surface of the substrate, the intensity of light emitted from the conductor surface of the substrate increases.
  • the contrast between the light emission and the light emission from the region of the conductor surface of the substrate where the resist pattern is formed is increased. Therefore, for example, when detecting the outline of a resist pattern based on light emitted from a substrate on which a resist pattern is formed, detection accuracy can be improved.
  • a resist pattern having a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less may be formed.
  • this resist pattern manufacturing method by forming a resist pattern with a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, the resist pattern is prevented from becoming too thick, and the resist pattern on the conductor surface of the substrate is not formed. It is possible to increase the contrast between the light emitted from the region and the light emitted from the region on the conductor surface of the substrate where the resist pattern is formed. Therefore, for example, the accuracy of detecting the outline of a resist pattern based on the light emitted from the substrate can be improved.
  • the substrate selection method includes a visual inspection step in which the resist pattern is visually inspected based on light emitted from the substrate on which the resist pattern is formed, and a resist pattern is evaluated based on the visual inspection in the visual inspection step. and an evaluation step.
  • the resist pattern is evaluated by visual inspection of the resist pattern based on the light emitted from the substrate, so the substrates can be sorted in a shorter time and with high precision compared to visual inspection using SEM.
  • the resist pattern in the substrate selection method described in [9], in the evaluation step, may be evaluated based on the number or shape of defects in the resist pattern.
  • the substrate in this substrate selection method, can be appropriately evaluated by evaluating the resist pattern based on the number or shape of defects in the resist pattern.
  • a luminescent material may be attached to the conductor surface of the substrate to be visually inspected in the visual inspection step.
  • a luminescent material is attached to the conductor surface of the board to be visually inspected in the visual inspection process, so light is emitted from the area where the resist pattern is not formed on the conductor surface of the board and The contrast between the light emitted from the region where the resist pattern is formed is increased. Therefore, the appearance inspection of the resist pattern can be performed with high precision.
  • the method for manufacturing a semiconductor package substrate or printed wiring board according to the present disclosure includes etching a substrate whose resist pattern evaluation satisfies the criteria in the substrate selection method described in any one of [9] to [11].
  • a conductor pattern forming step is provided in which a conductor pattern is formed by processing or plating.
  • conductive patterns are formed by etching or plating the substrates that meet the evaluation criteria of the resist pattern in the above-mentioned substrate selection method. The occurrence of defects can be suppressed.
  • a resist pattern can be evaluated with high accuracy in a short time.
  • FIG. 1(a) is a schematic perspective view for explaining the photosensitive layer forming step in the resist pattern forming step
  • FIG. 1(b) is a schematic perspective view for explaining the exposure step in the resist pattern forming step
  • 1(c) is a schematic perspective view for explaining the developing step in the resist pattern forming step.
  • FIGS. 2A, 2B, and 2C are schematic perspective views for explaining the formation of a conductor pattern based on a defective resist pattern.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining the appearance inspection process.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining light emission from the substrate.
  • a or B may include either A or B, or both.
  • a resist pattern inspection method includes an appearance inspection step of visually inspecting a resist pattern based on light emitted from a substrate on which a resist pattern is formed.
  • the resist pattern inspection method may include a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the substrate before the appearance inspection step.
  • the resist pattern inspection method may include a luminescent material deposition step of depositing a luminescent material on the conductor surface of the substrate.
  • the resist pattern inspection method may include other steps.
  • the term "process” is used not only to refer to an independent process, but also to include a process in which the intended effect of the process is achieved even if the process cannot be clearly distinguished from other processes.
  • the resist pattern can be said to be a pattern of a photocured product of a photosensitive resin composition, or a relief pattern.
  • the resist pattern forming process includes a photosensitive layer forming process in which a photosensitive layer is laminated on a substrate (see FIG. 1(a)), and a photocuring area in which a predetermined portion of the photosensitive layer is irradiated with actinic rays. (see FIG. 1(b)), and a developing step (see FIG. 1(c)) to remove a region other than a predetermined portion of the photosensitive layer from the substrate.
  • the resist pattern forming step may include other steps as necessary.
  • a photosensitive layer 2 and a support 3 are formed on a substrate 1.
  • the substrate 1 includes, for example, an insulating layer 1a and a conductor layer 1b formed on the insulating layer 1a.
  • the photosensitive layer 2 is formed on the conductor layer 1b of the substrate 1.
  • the conductor layer 1b is, for example, electroless copper plating.
  • the photosensitive layer 2 is a layer formed using a photosensitive resin composition whose properties change (for example, photocures) when irradiated with light.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 contains, for example, a binder polymer, a photopolymerizable compound, and a photopolymerization initiator.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 may contain a photosensitizer, a polymerization inhibitor, or other components as necessary.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive layer 2 includes, for example, dyes such as malachite green, Victoria pure blue, brilliant green, and methyl violet, tribromophenyl sulfone, leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, and diethyl.
  • Photocoloring agents such as aniline and o-chloroaniline, thermal coloration inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, adhesion agents, leveling agents, peeling accelerators , antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents, and other additives.
  • a polymer film (support film) having heat resistance and solvent resistance such as polyester such as polyethylene terephthalate (PET), polyolefin such as polypropylene, and polyethylene, may be used.
  • the photosensitive element includes, for example, a support, a photosensitive layer, and a protective layer in this order. After removing the protective layer, the photosensitive layer of the photosensitive element is pressed onto the substrate 1 while being heated, thereby forming the photosensitive layer 2 and the support 3 on the substrate 1. As a result, a laminate 4 including the substrate 1, the photosensitive layer 2, the support 3, and the support film (not shown) in this order is obtained. Note that an intermediate layer or the like may be arranged between the support 3 and the photosensitive layer 2.
  • the photosensitive layer 2 is exposed to actinic light through the support 3.
  • the exposed area irradiated with the actinic light is photocured, and a photocured area 2a (latent image) is formed.
  • a known exposure method can be applied, such as a method of irradiating actinic rays imagewise through a photomask 5 called artwork (mask exposure method), an LDI (Laser Direct Imaging) exposure method, or , a method of irradiating image-wise through a lens using actinic light onto which an image of a photomask is projected (projection exposure method), and the like.
  • the uncured portion 2b of the photosensitive layer 2 is removed from the substrate 1.
  • a resist pattern 6 consisting of a photocured portion 2a obtained by photocuring the photosensitive layer 2 is formed on the substrate 1.
  • a region 1c where the resist pattern 6 is not formed and a region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed are formed.
  • Region 1c is also a region not covered with resist pattern 6 on the surface of conductor layer 1b.
  • the region 1d is also a region covered by the resist pattern 6 on the surface of the conductor layer 1b.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 0.05 ⁇ m or more, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more. Further, the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 500 ⁇ m or less, 300 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 60 ⁇ m or less. The minimum value and maximum value of the thickness of these resist patterns 6 can be appropriately combined.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the thickness of the resist pattern 6 is the height relative to the substrate 1 in the direction perpendicular to the main surface of the substrate 1.
  • the resist pattern 6 formed on the substrate 1 has, for example, luminescent properties.
  • Light emission is also called luminescence (cold light), and refers to, for example, when a device is irradiated with excitation light such as inspection light, it absorbs the excitation light and emits light. Furthermore, light emission refers to light emitted in this manner.
  • the light emission includes fluorescence, phosphorescence, and the like. Fluorescence is light emission that stops immediately when the excitation light irradiation is stopped. Phosphorescence is light emission that continues even after the irradiation of light such as inspection light is stopped. Having luminescent property means having such a property of emitting light, that is, having a property of emitting light by absorbing the excitation light when irradiated with the excitation light. Note that the resist pattern 6 does not need to have luminescence.
  • a luminescent material is deposited on the conductor surface of the substrate 1 in order to increase the luminescence intensity of the substrate 1.
  • the conductor surface of the substrate 1 is, for example, the surface of the conductor layer 1b opposite to the insulating layer 1a, and the surface of the conductor layer 1b on the side on which the resist pattern 6 is formed. Therefore, in the luminescent material attachment step, the luminescent material is deposited on the surface of the conductor layer 1b of the substrate 1.
  • a luminescent material is a material that emits light when irradiated with excitation light. If the luminescent material is a fluorescent material, this emission will be fluorescence.
  • the luminescent material is a phosphorescent material
  • this emission will be phosphorescent.
  • a luminescent material fluorescent material or phosphorescent material
  • a luminescent dye fluorescent dye or phosphorescent dye
  • the luminescent dye for example, xanthene dyes, coumarin dyes, pyrazoline dyes, dipyrromethene dipromethene dyes, anthracene dyes, pyrene dyes, perylene dyes, lophine dyes (also referred to as lophines, lophine compounds, etc.), etc. may be used.
  • the luminescent material for example, a fluorescent stain containing a luminescent dye may be used.
  • the luminescent material attachment step can be performed, for example, at any timing before the resist pattern forming step, during the resist pattern forming step, or after the resist pattern forming step.
  • the substrate 1 can be immersed in a fluorescent dye solution as a luminescent material.
  • fluorescent staining solution include saturated solutions of xanthene dyes, coumarin dyes, pyrazoline dyes, dipyrromethene dipromethene dyes, anthracene dyes, pyrene dyes, perylene dyes, and lophine dyes, and mixed solutions thereof.
  • the above dyes contain, for example, imidazole, pyridine, oxazole, pyrazole, thiazole, triazine, triazole, benzotriazole, 5-carboxybenzotriazole, tetrazole, 5-aminotetrazole, thiol, thiophene, benzoxazolylthiophene as a substituent. You may do so.
  • substituents may be used alone or in combination of two or more. For example, a saturated aqueous solution of Rhodamine B (Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), which is a xanthene dye, is used.
  • the solvent examples include water, methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N,N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, and mixed solvents thereof.
  • the entire substrate 1 may be immersed in the fluorescent dyeing solution, or a portion of the substrate 1 may be immersed in the fluorescent dyeing solution so that the entire substrate 1 is immersed in the fluorescent dyeing solution.
  • a fluorescent dyeing liquid may be dropped onto the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed.
  • the fluorescent dyeing liquid may be dropped on the entire substrate 1, or the fluorescent dyeing liquid may be dropped on a part of the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed so that the fluorescent dyeing liquid is dropped on the entire substrate 1. Good too.
  • the luminescent material may be added to the developer and rinse solution for removing the uncured portion 2b of the photosensitive layer 2 from the substrate 1. After the fluorescent dye is deposited on the conductor surface of the substrate 1, the fluorescent dye liquid is removed from areas other than the conductor surface of the substrate 1.
  • the conductive surface of the substrate 1 may be sufficiently washed with water and then air blow-dried.
  • the conductor surface of the substrate 1 may be treated with a rust preventive agent before the substrate 1 is immersed in a fluorescent dye solution as a luminescent material. That is, a rust preventive agent adhesion step for adhering a rust preventive agent to the conductor surface of the substrate 1 may be performed before the light emitting material adhesion step.
  • rust preventives include imidazole, imidazole derivatives, pyridine, pyridine derivatives, oxazole, oxazole derivatives, pyrazole, pyrazole derivatives, thiazole, thiazole derivatives, triazine, triazine derivatives, triazole, triazole derivatives, benzotriazole, benzotriazole derivatives, 5-carboxybenzotriazole, 5-carboxybenzotriazole derivative, tetrazole, tetrazole derivative, 5-aminotetrazole, 5-aminotetrazole derivative, thiol, thiol derivative, thiophene, thiophene derivative, benzoxazolylthiophene, benzoxazoli
  • examples include ruthiophene derivatives.
  • the rust inhibitor may be diluted with a solvent.
  • rust preventives may be used alone or in combination of two or more.
  • the solvent include water, methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N,N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, and mixed solvents thereof.
  • the entire substrate 1 may be immersed in the rust preventive agent, or a portion of the substrate 1 may be immersed in the rust preventive agent such that the entire substrate 1 is immersed in the rust preventive agent.
  • a rust preventive agent may be dropped onto the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed.
  • the rust preventive agent may be dripped onto the entire substrate 1, or the rust preventive agent may be dripped onto a portion of the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed so that the rust preventive agent is dripped onto the entire substrate 1.
  • a rust preventive agent may be added to the developer and rinse solution for removing the uncured portion 2b of the photosensitive layer 2 from the substrate 1 in the developing step in the resist pattern forming step.
  • the rust preventive agent is removed from areas other than the substrate 1.
  • the conductor surface may be thoroughly washed with water and air blow dried.
  • the luminescent material and the rust preventive agent may be mixed, and the treatment of the conductor surface of the substrate 1 with the rust preventive agent and the treatment of the conductor surface of the substrate 1 with the luminescent material may be performed simultaneously. That is, the luminescent material attachment step and the rust preventive agent attachment step may be performed together. Either the conductor surface of the substrate 1 may be treated with a rust preventive agent or the conductor surface of the substrate 1 may be treated with a luminescent material.
  • ⁇ Appearance inspection process the appearance of the resist pattern 6 is inspected based on light emission (fluorescence or phosphorescence) from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed. That is, in the appearance inspection process, the appearance of the resist pattern 6 is inspected based on the light emitted from the substrate 1.
  • the resist pattern 6 is visually inspected in order to find defects before forming the conductor pattern.
  • the outline of the resist pattern 6 is detected based on light emitted from the substrate 1, and the appearance of the resist pattern 6 is inspected based on the detected outline.
  • inspection light as excitation light is emitted onto the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, and light emitted from the substrate 1 is received. That is, the light emitted from the substrate 1 is received.
  • the wavelength of the inspection light may be, for example, 390 nm or less, 380 nm or less, or 370 nm or less. Further, the wavelength of the inspection light may be, for example, 190 nm or more, 250 nm or more, or 300 nm or more. The minimum value and maximum value of these wavelengths can be combined as appropriate.
  • the wavelength of the inspection light may be 390 nm or less and 190 nm or more, 380 nm or more and 250 nm or more, or 370 nm or more and 300 nm or more.
  • the light sources for the inspection light include carbon arc lamps, mercury vapor arc lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, xenon lamps, gas lasers such as argon lasers, solid-state lasers such as YAG lasers, semiconductor lasers, LEDs, and other light sources. etc., and only the light having the wavelength of the above inspection light can be used by using an optical filter.
  • the wavelength range in which luminescence is sensed can be changed arbitrarily, and may be, for example, visible light from 400 nm to 800 nm.
  • the wavelength range for light emission sensing may be blue light of 400 nm to 500 nm, green light of 500 nm to 600 nm, or red light of 600 nm to 800 nm, and one wavelength range can be used alone or two or more wavelength ranges can be used in combination.
  • the light-receiving area of the substrate 1 that receives light emission in the visual inspection process may be, for example, 1 cm 2 or more and 2500 cm 2 or less, 5 cm 2 or more and 1200 cm 2 or less, or 25 cm 2 or more and 600 cm 2 or less.
  • the outline 10 of the resist pattern 6 is specified based on the contrast between the light emission and the light emission. For example, in a received light image of emitted light, a boundary where contrast such as brightness or chromaticity increases is detected. Then, this detected boundary is specified as the outline 10 of the resist pattern 6.
  • an automatic optical visual inspection device such as AOI Orbotech Ultra Dimension 800 (manufactured by Nippon Orbotech Co., Ltd., trade name) is used, for example.
  • the appearance inspection of the resist pattern 6 includes, for example, an inspection to check the presence or absence of a defect 8 in the resist pattern 6, an inspection to check the shape, position, size, etc. (hereinafter also referred to as "shape etc.") of the defect 8 in the resist pattern 6, Examples include an inspection that examines the shape of the resist pattern 6 or an inspection that measures the line width of the resist pattern 6.
  • the outline 10 of the resist pattern 6 detected based on the light emission from the substrate 1 and the resist 6 will be compared with pattern data 11 for forming pattern data 11.
  • pattern data 11 for example, CAD data of the resist pattern 6 is used.
  • a portion 10a where the detected contour 10 differs from the pattern data 11 is detected as a defect 8 in the resist pattern 6.
  • the number of detected defects 8 is calculated.
  • the outline 10 of the resist pattern 6 detected based on the light emitted from the substrate 1 and the The pattern data 11 for forming pattern 6 will be compared. Then, a portion 10a where the detected contour 10 differs from the pattern data 11 is detected as a defect 8 in the resist pattern 6. Then, based on the outline of the detected defect 8, the shape etc. of the detected defect 8 is investigated.
  • the contour 10 of the resist pattern 6 detected based on the light emitted from the substrate 1 and the shape of the resist pattern 6 formed in the resist pattern forming process are used.
  • the line width of the resist pattern 6 is measured by measuring the interval between the contours 10 of the resist pattern 6 detected based on light emission from the substrate 1.
  • the resist pattern manufacturing method includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern 6 on the substrate 1, and a luminescent material attachment step of depositing a luminescent material on the conductor surface of the substrate 1.
  • the resist pattern forming step of the resist pattern manufacturing method may be the same as the resist pattern forming step of the resist pattern inspection method described above.
  • the luminescent material attaching step in the resist pattern manufacturing method may be, for example, the same as the luminescent material attaching step in the resist pattern inspection method described above.
  • the resist pattern manufacturing method may include other steps.
  • the substrate selection method includes an appearance inspection step of visually inspecting the resist pattern 6 based on light emitted from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, and a visual inspection step of visually inspecting the resist pattern 6 based on the appearance inspection in the appearance inspection step. and an evaluation step for evaluating.
  • the appearance inspection step of the substrate selection method may be, for example, similar to the appearance inspection step of the resist pattern inspection method described above.
  • a light-emitting material may be attached to the conductor surface of the substrate to be visually inspected in the visual inspection step of the substrate sorting method.
  • the substrate sorting method may include other steps.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on predetermined criteria.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the number of defects 8 in the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, in the evaluation process, if the number of defects 8 in the resist pattern 6 is less than a predetermined reference number, it is evaluated as good, and if the number of defects 8 in the resist pattern 6 exceeds a predetermined reference number, it is evaluated as bad.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the size of the defect 8 in the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, in the evaluation process, if the shape of the defect 8 in the resist pattern 6 is within a predetermined tolerance range, it is evaluated as good, and if the shape of the defect 8 in the resist pattern 6 is outside the predetermined tolerance range, it is evaluated as poor. .
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the shape of the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, in the evaluation step, if the degree of difference in shape of resist pattern 6 with respect to pattern data 11 is within a predetermined tolerance range, it is considered acceptable; If it is, it is considered defective.
  • the resist pattern 6 is evaluated based on the line width of the resist pattern 6 in the evaluation process. For example, in the evaluation process, if the line width of the resist pattern 6 is within a predetermined reference range, it is evaluated as good, and if the line width of the resist pattern 6 is outside the predetermined reference range, it is evaluated as poor.
  • the method for manufacturing a semiconductor package substrate or printed wiring board according to the present embodiment includes a conductor pattern forming step in which a conductor pattern is formed by etching or plating a substrate whose resist pattern evaluation in the above-described substrate selection method satisfies the criteria. Equipped with. That is, in the conductor pattern forming process, a conductor pattern is not formed by etching or plating on a substrate whose resist pattern evaluation in the substrate selection method does not meet the criteria.
  • the method for manufacturing a semiconductor package substrate or a printed wiring board according to the present embodiment may include other steps such as a resist pattern removal step as necessary.
  • the method for manufacturing a semiconductor package substrate or a printed wiring board is a method for manufacturing a semiconductor package substrate or a printed wiring board, and is a method for manufacturing a semiconductor package substrate or a method for manufacturing a printed wiring board.
  • a semiconductor package substrate or a printed wiring board is manufactured by the manufacturing method.
  • the conductor layer of the substrate that is not covered with the resist is etched away using a resist pattern formed on the substrate including the conductor layer as a mask. After the etching process, the resist is removed by removing the resist pattern 6 to form a conductor pattern.
  • the plating process using a resist pattern 6 formed on the substrate 1 having the conductor layer 1b as a mask, copper or Plating solder, etc.
  • the resist is removed by removing the resist pattern 6, and as shown in FIG. 6(c), the conductor layer 1b covered with this resist is etched. , a conductor pattern 9 is formed.
  • the plating method may be electrolytic plating or electroless plating, and among these, electrolytic plating may be used.
  • the resist pattern 6 is visually inspected based on the light emitted from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed. Therefore, defects 8 in resist pattern 6 can be detected with high precision in a short time.
  • the outline 10 of the resist pattern 6 detected based on the light emission from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed is used to inspect the appearance of the resist pattern 6. 6 can be appropriately visually inspected.
  • defects 8 of the resist pattern 6 are detected with high precision by comparing the detected outline 10 and pattern data 11 for forming the resist pattern 6 as an external appearance inspection of the resist pattern 6. can be detected.
  • the formation state of the resist pattern 6 can be evaluated by measuring the line width of the resist pattern 6 based on the detected outline 10 as an appearance inspection of the resist pattern 6.
  • this resist pattern inspection method by attaching a luminescent material onto the conductor surface of the substrate 1, the intensity of light emitted from the conductor surface of the substrate increases, so that the resist pattern 6 on the conductor surface of the substrate 1 is formed.
  • the contrast between the light emitted from the region 1c which is not covered and the light emitted from the region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed becomes large. Therefore, the accuracy of detecting the outline 10 of the resist pattern 6 based on the light emitted from the substrate 1 can be improved.
  • the light emitted from the resist pattern 6 tends to become darker as the resist pattern 6 becomes thinner. Therefore, as the resist pattern 6 becomes thinner, the light emitted from the region 1c on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is not formed and the light emission from the region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed becomes different. The contrast between becomes greater. Therefore, from the viewpoint of increasing the contrast between the light emission from the region 1c on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is not formed and the light emission from the region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 500 ⁇ m or less, 300 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 60 ⁇ m or less. Further, the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be, for example, 0.05 ⁇ m or more, 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or 5 ⁇ m or more. The minimum value and maximum value of the thickness of these resist patterns 6 can be appropriately combined.
  • the thickness of the resist pattern 6 formed on the substrate 1 may be 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the resist pattern 6 is thick. between the light emission from the region 1c on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is not formed and the light emission from the region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed, while suppressing excessive The contrast can be increased. Therefore, the accuracy of detecting the outline 10 of the resist pattern 6 based on the light emitted from the substrate 1 can be improved.
  • the resist pattern manufacturing method by attaching a luminescent material onto the conductor surface of the substrate 1, light emission from the region 1c on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is not formed and The contrast between the light emitted from the region 1d on the conductor surface where the resist pattern 6 is formed becomes large. Therefore, for example, when detecting the outline 10 of the resist pattern 6 based on the light emitted from the substrate 1 on which the resist pattern 6 is formed, detection accuracy can be improved. Further, when measuring the line width of the resist pattern 6, etc., it becomes easier to focus on the surface of the resist pattern 6 or the outline of the resist pattern 6.
  • the resist pattern 6 is formed by forming a resist pattern 6 having a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less. While suppressing that the resist pattern 6 becomes too thick, the light emission from the region 1c on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is not formed and the light emission from the region 1d on the conductor surface of the substrate 1 where the resist pattern 6 is formed. The contrast between can be increased. Therefore, for example, the accuracy of detecting the outline 10 of the resist pattern 6 based on the light emitted from the substrate 1 can be improved.
  • the resist pattern 6 is evaluated by the visual inspection of the resist pattern 6 based on the light emitted from the substrate 1. Therefore, compared to the visual inspection using an SEM, the substrate selection method can be performed in a short time and with high precision. can be sorted.
  • the substrate 1 can be appropriately evaluated by evaluating the substrate 1 based on the number or shape of defects in the resist pattern 6.
  • the conductive pattern 9 is formed by etching or plating the substrate 1 whose evaluation of the resist pattern 6 in the substrate selection method described above satisfies the criteria. , the occurrence of defects such as disconnection or short-circuiting of the conductor pattern 9 can be suppressed.
  • Photosensitive Element and Substrate In Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the photosensitive element and substrate shown in Table 1 and below were used. The last two digits of the trade name of the photosensitive element indicate the thickness of the photosensitive layer (unit: ⁇ m).
  • Manufactured photosensitive element F-3 RY-5125 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., product name, photosensitive layer composition is the same as (F-2)) with MKG (malachite green) removed and photopolymerized.
  • Photosensitive element F-4 manufactured using 0.5 times the amount of initiator and 0.3 times the amount of sensitizer: FL-7225 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name) (Base material)
  • S-1 Cu sputtered PET film (manufactured by Geomatec Co., Ltd., plate thickness: 125 ⁇ m, Ra ⁇ 50 nm)
  • S-2 GL-102 (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., trade name, Ra: approximately 100 nm)
  • S-3 MCL-E67 (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., product name, Ra: approximately 300 nm)
  • Examples 1, 3 to 4, and Comparative Example 1 S-1, which had been stored under moisture-proof conditions, was used as a substrate having a copper layer as a conductive layer.
  • a substrate having a copper layer as a conductive layer was pickled and washed with water, dried with an air stream, and then heated to 80°C. Thereafter, the substrates S-1, S-2, and S-3 were immersed in a saturated aqueous solution of 1H-benzotriazole-5-carboxylic acid (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 60 minutes at 23°C, and then washed with water.
  • 1H-benzotriazole-5-carboxylic acid Flujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 After drying with air flow, the copper surfaces of substrates S-1, S-2, and S-3 were further immersed in a saturated aqueous solution of Rhodamine B (Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at 23°C for 10 minutes. A fluorescent dye was attached to the. After washing with water and drying with a stream of air, the substrate was heated to 80°C. Thereafter, in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the photosensitive element was laminated on the surface of the copper layer of the substrate. The laminate was laminated using a heat roll at 110° C. with a pressure of 0.4 MPa and 1° C. while peeling off the protective layer of the photosensitive element so that the photosensitive layer of the photosensitive element was in contact with the surface of the copper layer of the substrate. The roll speed was 0.0 m/min. In this way, laminates of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were obtained in which the substrate, photosensitive layer, and support were laminated in this order. The obtained laminate was used as
  • the support After exposure, the support is peeled off to expose the photosensitive layer, and a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30°C is sprayed for a time twice as long as the shortest development time (the shortest time for removing the unexposed areas). A portion was removed (development processing).
  • a developed substrate exposed using a resolution evaluation photomask is referred to as a resolution evaluation pattern substrate, and a developed developed substrate exposed using a pattern inspection photomask is referred to as an inspection pattern substrate.
  • the resolution was evaluated based on the value of /space width.
  • the exposure amount is set such that the line width of the resist pattern is 30.0 ⁇ m. The above predetermined amount of energy was used.
  • a direct drawing exposure device manufactured by Nippon Orbotech Co., Ltd., product name: "Nuvogo Fine"
  • the visual inspection time was evaluated, and for Examples 1 to 5, the pattern detection rate of defects in the resist pattern was also evaluated as inspection accuracy.
  • the pattern detection rate (inspection accuracy) refers to the probability that the inspection device was able to identify the outline of the resist pattern and recognize the pattern when performing the visual inspection.
  • the inspection device before performing the visual inspection, use the inspection device to set the appropriate gray level (threshold value for light and dark binary conversion) according to each of Examples 1 to 5, and once this setting is completed, it is OK. If the process is not completed and an error occurs, it is judged as NG.
  • A is the case where it is OK every time
  • B is a case where it is not OK every time but the probability of NG is low
  • the probability of NG is high.
  • the case was designated as C.
  • less than 10 minutes/ cm2 was graded A
  • 10 minutes/cm2 or more and less than 5000 minutes/ 100cm2 was graded B
  • 5000 minutes/100cm2 or more was graded C.
  • the pattern detection rate was high. From this result, it was confirmed that the outline of the resist pattern can be easily detected and the inspection accuracy is high in the visual inspection of the resist pattern performed based on the fluorescence from the substrate on which the resist pattern is formed.

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Abstract

レジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。レジストパターンの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記基板の導体表面に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を備える。基板選別方法は、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程と、前記外観検査工程における前記外観検査に基づいて前記レジストパターンを評価する評価工程と、を備える。半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法は、上記の基板選別方法における前記レジストパターンの前記評価が基準を満たす前記基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。

Description

レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法
　本開示は、レジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法に関する。
　半導体パッケージ基板又はプリント配線板を製造する場合は、まず、基板上に感光層をラミネートする。次に、フォトマスクを通して感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を硬化させる。次に、支持体を剥離除去した後、感光層の未露光部を現像液で除去することにより、基板上にレジストパターンを形成する。次に、形成したレジストパターンをマスクとし、レジストパターンを形成した基板にエッチング処理又はめっき処理を施して基板上に導体パターンを形成し、最終的に感光層の硬化部分（レジストパターン）を基板から剥離除去する。
　このような、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造工程において、フォトマスク又は感光層に付着した異物等により活性光線の露光障害が生じると、レジストパターンに欠陥が生じ、導体パターンに断線又はショート等の不良が生じ得る。そこで、従来は、導体パターンを外観検査することにより、導体パターンの断線又はショート等の不良を検査していた。
特開２００５－２０７８０２号公報
　ところで、導体パターンを形成する前にレジストパターンを外観検査することで、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造におけるより早い段階で不良を発見することができる。また、レジストパターン形成の歩留まりを評価することで、レジストパターン形成の改善につなげることができる。レジストパターンの外観検査は、従来、走査型電子顕微鏡（以下「ＳＥＭ」ともいう）を用いて行われていた（例えば、特許文献１参照）。
　しかしながら、ＳＥＭによる検査は、１ｍｍ２程度の極小範囲を検査するものである。このため、ＳＥＭを用いた、半導体パッケージ基板又はプリント配線板全体のレジストパターンの検査は、膨大な時間を要する。しかも、検査者及び検査に用いるＳＥＭによって検査精度に大きなばらつきがある。
　そこで、本開示は、短時間で高精度にレジストパターンを評価できるレジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
　［１］　本開示のレジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。
　このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいてレジストパターンを外観検査するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度にレジストパターンの欠陥を検出することができる。
　［２］　［１］に記載のレジストパターンの検査方法において、外観検査工程では、基板からの発光に基づいてレジストパターンの輪郭を検出し、検出した輪郭に基づいてレジストパターンを外観検査してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、基板からの発光に基づいて検出されるレジストパターンの輪郭を利用することで、レジストパターンを適切に外観検査することができる。
　［３］　［２］に記載のレジストパターンの検査方法において、外観検査工程では、検出した輪郭とレジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、検出した輪郭とレジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比することで、レジストパターンの欠陥を高精度に検出することができる。
　［４］　［２］に記載のレジストパターンの検査方法において、外観検査工程では、検出した輪郭に基づいてレジストパターンの線幅を計測してもよい。このレジストパターンの検査方法では、レジストパターンの外観検査として、検出した輪郭に基づいてレジストパターンの線幅を計測することで、レジストパターンの形成状態を評価することができる。
　［５］　［１］～［４］の何れか一つに記載のレジストパターンの検査方法において、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、基板の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を更に備えてもよい。このレジストパターンの検査方法では、基板の導体表面上に発光材料を付着させることで、基板の導体表面からの発光強度が増大するため、基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域からの発光と基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域からの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、基板からの発光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　［６］　［５］に記載のレジストパターンの検査方法において、レジストパターン形成工程では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの検査方法では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成することで、レジストパターンが厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域からの発光と基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域からの発光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、基板からの発光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　［７］　本開示に係るレジストパターンの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、基板の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を備える。
　このレジストパターンの製造方法では、基板の導体表面上に発光材料を付着させることで、基板の導体表面からの発光強度が増大するため、基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域からの発光と基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域からの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、例えば、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいてレジストパターンの輪郭を検出する場合に、検出精度を高めることができる。また、レジストパターンの線幅の測定等を行う場合に、レジストパターンの表面又はレジストパターンの輪郭にピントを合わせ易くなる。
　［８］　［７］に記載のレジストパターンの製造方法において、レジストパターン形成工程では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成してもよい。このレジストパターンの製造方法では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さのレジストパターンを形成することで、レジストパターンが厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域からの発光と基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域からの発光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、例えば、基板からの発光に基づいたレジストパターンの輪郭の検出精度を高めることができる。
　［９］　本開示に係る基板選別方法は、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程と、外観検査工程における外観検査に基づいてレジストパターンを評価する評価工程と、を備える。
　この基板選別方法では、基板からの発光に基づくレジストパターンの外観検査によりレジストパターンを評価するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度に基板を選別することができる。
　［１０］　［９］に記載の基板選別方法において、評価工程では、レジストパターンの欠陥の数又は形状によりレジストパターンを評価してもよい。この基板選別方法では、レジストパターンの欠陥の数又は形状によりレジストパターンを評価することで、基板を適切に評価することができる。
　［１１］　［９］又は［１０］に記載の基板選別方法において、外観検査工程において外観検査する基板の導体表面上には、発光材料が付着されていてもよい。この基板選別方法では、外観検査工程において外観検査する基板の導体表面上に発光材料が付着されているため、基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域からの発光と基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域からの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、レジストパターンの外観検査を高精度に行うことができる。
　［１２］　本開示に係る、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法は、［９］～［１１］の何れか一つに記載の基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。
　この半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法では、上述した基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成するため、導体パターンの断線又はショート等の不良の発生を抑制することができる。
　本開示によれば、短時間で高精度にレジストパターンを評価できる。
図１（ａ）は、レジストパターン形成工程における感光層形成工程を説明するための模式斜視図であり、図１（ｂ）は、レジストパターン形成工程における露光工程を説明するための模式斜視図であり、図１（ｃ）は、レジストパターン形成工程における現像工程を説明するための模式斜視図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、欠陥のあるレジストパターンに基づいた導体パターンの形成を説明するための模式斜視図である。 図３は、外観検査工程を説明するための模式斜視図である。 図４は、基板からの発光を説明するための模式図である。 図５は、パターンデータを説明するための模式図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、導体パターンの形成を説明するための模式斜視図である。
　以下、図面を参照して、本開示のレジストパターンの検査方法、レジストパターンの製造方法、基板選別方法、及び、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。なお、全図中、同一又は相当部分には同一符号を付すこととする。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
［レジストパターンの検査方法］
　実施形態に係るレジストパターンの検査方法は、レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいてレジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える。レジストパターンの検査方法は、外観検査工程の前に、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程を含んでもよい。また、レジストパターンの検査方法は、基板の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程を含んでもよい。また、レジストパターンの検査方法は、他の工程を含んでもよい。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。レジストパターンとは、感光性樹脂組成物の光硬化物パターンともいえ、レリーフパターンともいえる。
＜レジストパターン形成工程＞
　図１に示すように、レジストパターン形成工程は、感光層を基板上に積層する感光層形成工程（図１（ａ）参照）と、感光層の所定部分に活性光線を照射して光硬化部を形成する露光工程（図１（ｂ）参照）と、感光層の所定部分以外の領域を基板上から除去する現像工程（図１（ｃ）参照）と、を有する。レジストパターン形成工程は、必要に応じて、他の工程を含んでもよい。
（感光層形成工程）
　図１（ａ）に示すように、感光層形成工程では、基板１上に感光層２及び支持体３を形成する。基板１は、例えば、絶縁層１ａと、絶縁層１ａ上に形成された導体層１ｂと、を備えている。感光層２は、基板１の導体層１ｂ上に形成される。導体層１ｂは、例えば、無電解銅めっきである。
　感光層２は、光照射されることによって性質が変わる（例えば、光硬化する）感光性樹脂組成物を用いて形成される層である。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、例えば、バインダーポリマー、光重合性化合物、及び光重合開始剤を含有している。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、必要に応じて、光増感剤、重合禁止剤、又はその他の成分を含有してもよい。感光層２を形成する感光性樹脂組成物は、例えば、マラカイトグリーン、ビクトリアピュアブルー、ブリリアントグリーン及びメチルバイオレット等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット、ジフェニルアミン、ベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン及びｏ－クロロアニリン等の光発色剤、熱発色防止剤、ｐ－トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤などの添加剤を含有してもよい。
　支持体３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンなどの耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルム（支持フィルム）を用いてもよい。
　基板１上に感光層２及び支持体３を形成する方法としては、例えば、感光性エレメント（不図示）を用いる方法がある。感光性エレメントは、例えば、支持体と、感光層と、保護層と、をこの順で備える。そして、保護層を除去した後、感光性エレメントの感光層を加熱しながら基板１に圧着することにより、基板１上に感光層２及び支持体３が形成される。これにより、基板１と感光層２と支持体３と支持フィルム（不図示）とをこの順に備える積層体４が得られる。なお、支持体３と感光層２との間に中間層等を配置してもよい。
（露光工程）
　図１（ｂ）に示すように、露光工程では、支持体３を介して感光層２を活性光線によって露光する。これにより、活性光線が照射された露光部が光硬化して、光硬化部２ａ（潜像）が形成される。露光方法としては、公知の露光方式を適用でき、例えば、アートワークと呼ばれるフォトマスク５を介して活性光線を画像状に照射する方法（マスク露光方式）、ＬＤＩ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｒｅｃｔ　Ｉｍａｇｉｎｇ）露光方式、又は、フォトマスクの像を投影させた活性光線を用いレンズを介して画像状に照射する方法（投影露光方式）等が挙げられる。
（現像工程）
　図１（ｃ）に示すように、現像工程では、感光層２の未硬化部２ｂを基板１上から除去する。現像工程により、感光層２が光硬化した光硬化部２ａからなるレジストパターン６が基板１上に形成される。また、基板１の導体層１ｂの表面には、レジストパターン６が形成されていない領域１ｃと、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄと、が形成される。領域１ｃは、導体層１ｂの表面の、レジストパターン６に覆われていない領域でもある。領域１ｄは、導体層１ｂの表面の、レジストパターン６に覆われている領域でもある。
　基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上としてもよい。また、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、５００μｍ以下、３００μｍ以下、１００μｍ以下、又は６０μｍ以下としてもよい。これらのレジストパターン６の厚さの最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、０．０５μｍ以上５００μｍ以下、０．１μｍ以上３００μｍ以下、１μｍ以上１００μｍ以下、又は５μｍ以上６０μｍ以下としてもよい。レジストパターン６の厚さは、基板１の主面に垂直な方向における基板１に対する高さである。
　基板１上に形成されるレジストパターン６は、例えば、発光性を有する。発光は、ルミネセンス（冷光）等とも呼ばれ、例えば、検査光等の励起光が照射されると、励起光を吸収する等して光を発することをいう。また、発光は、このように発せられた光をいう。発光としては、蛍光又は燐光等がある。蛍光は、励起光の照射を止めると直ちに発光が止まる発光である。燐光は、検査光等の光の照射を止めても発光が継続する発光である。発光性を有するとは、このような発光の性質を有すること、つまり、励起光が照射されると、励起光を吸収する等して発光する性質を有することをいう。なお、レジストパターン６は発光性を有しなくてもよい。
＜発光材料付着工程＞
　発光材料付着工程では、基板１の発光強度を増大させるために基板１の導体表面上に発光材料を付着させる。基板１の導体表面は、例えば、導体層１ｂの絶縁層１ａとは反対側の表面であり、導体層１ｂのレジストパターン６が形成される側の表面である。このため、発光材料付着工程は、基板１の導体層１ｂ表面上に発光材料を付着させる。発光材料は、励起光が照射されると発光する材料である。発光材料が蛍光材料である場合、この発光は蛍光となる。発光材料が燐光材料である場合、この発光は燐光となる。発光材料（蛍光材料又は燐光材料）としては、例えば、励起光が照射されると発光する発光色素（蛍光色素又は燐光色素）を用いてもよい。発光色素としては、例えば、キサンテン色素、クマリン色素、ピラゾリン色素、ジピロメテンジプロメテン色素、アントラセン色素、ピレン色素、ペリレン色素、ロフィン色素（ロフィン、ロフィン化合物等ともいう）等を用いてもよい。また、発光材料としては、例えば、発光色素を含む蛍光染色液を用いてもよい。発光材料付着工程は、例えば、レジストパターン形成工程の前、レジストパターン形成工程の途中、又はレジストパターン形成工程の後の任意のタイミングに行うことができる。
　発光材料付着工程では、例えば、基板１を発光材料としての蛍光染色液に浸すことができる。蛍光染色液としては、例えば、キサンテン色素、クマリン色素、ピラゾリン色素、ジピロメテンジプロメテン色素、アントラセン色素、ピレン色素、ペリレン色素、ロフィン色素の飽和溶液、及びこれらの混合溶が挙げられる。上記色素は、例えばイミダゾール、ピリジン、オキサゾール、ピラゾール、チアゾール、トリアジン、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、５－カルボキシベンゾトリアゾール、テトラゾール、５－アミノテトラゾール、チオール、チオフェン、ベンゾオキザゾリルチオフェンを置換基として含有していてもよい。これらの置換基は、１種単独で又は２種以上を組み合わせ用いてもよい。例えば、キサンテン色素であるローダミンＢ（富士フイルム和光純薬株式会社）の飽和水溶液が用いられる。溶剤としては、例えば、水、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。この場合、基板１全体を蛍光染色液に浸してもよく、基板１全体が蛍光染色液に浸されるように基板１の一部を蛍光染色液に浸してもよい。また、例えば、レジストパターン６が形成された基板１に蛍光染色液を滴下してもよい。この場合、基板１全体に蛍光染色液を滴下してもよく、基板１全体に蛍光染色液が滴下されるようにレジストパターン６が形成された基板１の一部に蛍光染色液を滴下してもよい。また、例えば、レジストパターン形成工程における現像工程において、感光層２の未硬化部２ｂを基板１上から除去するための現像液及びリンス液に発光材料を添加してもよい。基板１の導体表面上に蛍光色素が付着された後、基板１の導体表面以外の領域から蛍光色素液を除去する。蛍光染色液の除去方法としては、例えば、基板１の導体表面上に蛍光色素が付着された後に、十分に水洗し、エアブロー乾燥してもよい。
　基板１を発光材料としての蛍光染色液に浸す前に、防錆剤で基板１の導体表面を処理してもよい。つまり、発光材料付着工程の前に、防錆剤を基板１の導体表面に付着させる防錆剤付着工程を行ってもよい。防錆剤としては、例えば、イミダゾール、イミダゾール誘導体、ピリジン、ピリジン誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、ピラゾール、ピラゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、トリアジン、トリアジン誘導体、トリアゾール、トリアゾール誘導体、ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール誘導体、５－カルボキシベンゾトリアゾール、５－カルボキシベンゾトリアゾール誘導体、テトラゾール、テトラゾール誘導体、５－アミノテトラゾール、５－アミノテトラゾール誘導体、チオール、チオール誘導体、チオフェン、チオフェン誘導体、ベンゾオキザゾリルチオフェン、ベンゾオキザゾリルチオフェン誘導体が挙がられる。防錆剤は溶剤で希釈してもよい。これらの防錆剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせ用いてもよい。溶剤としては、例えば、水、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。この場合、基板１全体を防錆剤に浸してもよく、基板１全体が防錆剤に浸されるように基板１の一部を防錆剤に浸してもよい。また、例えば、レジストパターン６が形成された基板１に防錆剤を滴下してもよい。この場合、基板１全体に防錆剤を滴下してもよく、基板１全体に防錆剤が滴下されるようにレジストパターン６が形成された基板１の一部に防錆剤を滴下してもよい。また、例えば、レジストパターン形成工程における現像工程において、感光層２の未硬化部２ｂを基板１上から除去するための現像液及びリンス液に防錆剤を添加してもよい。基板１の導体表面上に防錆剤が付着された後、基板１以外の領域から防錆剤を除去する。防錆剤の除去方法としては、例えば、基板１の導体表面上に防錆剤が付着された後に、十分に水洗し、エアブロー乾燥してもよい。
　発光材料と防錆剤を混合して、防錆剤による基板１の導体表面の処理と発光材料による基板１の導体表面の処理とを同時に実施してもよい。つまり、発光材料付着工程と防錆剤付着工程とを一緒に行ってもよい。防錆剤による基板１の導体表面の処理又は発光材料による基板１の導体表面の処理のどちらかのみを実施してもよい。
＜外観検査工程＞
　外観検査工程では、レジストパターン６が形成された基板１からの発光（蛍光又は燐光）に基づいてレジストパターン６を外観検査する。つまり、外観検査工程では、基板１で発光された光に基づいてレジストパターン６を外観検査する。
　ところで、上述した露光工程において、フォトマスク５、支持体３、又は感光層２に付着した異物７（図１参照）等により活性光線の露光障害が生じると、レジストパターン６に欠陥８が生じる可能性がある。詳しく説明すると、図２（ａ）、図２（ｂ）、及び図２（ｃ）に示すように、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造においては、レジストパターン６が形成された基板１をエッチング処理又はめっき処理することで導体パターン９を形成する。このため、レジストパターン６に欠陥８があると、エッチング処理又はめっき処理により形成される導体パターン９に断線又はショート等の不良が生じ得る。また、露光工程において、活性光線の露光状態によっては、レジストパターン６の線幅が太くなったり細くなったりする可能性がある。
　そこで、外観検査工程では、導体パターンを形成する前に不良を発見するために、レジストパターン６を外観検査する。外観検査工程では、例えば、基板１からの発光に基づいてレジストパターン６の輪郭を検出し、検出した輪郭に基づいてレジストパターン６を外観検査する。
　図３に示すように、まず、レジストパターン６が形成された基板１に励起光としての検査光を出射し、基板１からの発光を受光する。つまり、基板１で発光された光を受光する。検査光の波長は、例えば、３９０ｎｍ以下、３８０ｎｍ以下、又は３７０ｎｍ以下としてもよい。また、検査光の波長は、例えば、１９０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以上、又は３００ｎｍ以上としてもよい。これらの波長の最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、検査光の波長は、３９０ｎｍ以下１９０ｎｍ以上、３８０ｎｍ以下２５０ｎｍ以上、又は３７０ｎｍ以下３００ｎｍ以上としてもよい。なお、検査光の光源には、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、アルゴンレーザー等のガスレーザー、ＹＡＧレーザー等の固体レーザー、半導体レーザー、ＬＥＤ等の起光源等を用いてもよく、光学フィルターにより上記検査光の波長の光のみを使用することができる。発光を感知する波長の領域は任意で変更可能であり、例えば、４００ｎｍ～８００ｎｍの可視光であってもよい。発光感知の波長領域は、４００ｎｍ～５００ｎｍの青色光、５００ｎｍ～６００ｎｍの緑色光、又は６００ｎｍ～８００ｎｍの赤色光としてもよく、波長は１領域を単独又は２領域以上を組み合わせて使用することができる。外観検査工程において発光を受光する基板１の受光領域は、例えば、１ｃｍ２以上２５００ｃｍ２以下、５ｃｍ２以上１２００ｃｍ２以下、２５ｃｍ２以上６００ｃｍ２以下としてもよい。
　次に、図３及び図４に示すように、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストに基づいて、レジストパターン６の輪郭１０を特定する。例えば、発光の受光画像において、明度又は色度等のコントラストが大きくなる境界を検出する。そして、この検出した境界を、レジストパターン６の輪郭１０として特定する。基板１からの発光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出には、例えば、ＡＯＩ　Ｏｒｂｏｔｅｃｈ　Ｕｌｔｒａ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　８００（日本オルボテック株式会社製、商品名）等の光学自動外観検査装置が用いられる。
　レジストパターン６の外観検査としては、例えば、レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる検査、レジストパターン６の欠陥８の形状、位置、大きさ等（以下「形状等」ともいう）を調べる検査、レジストパターン６の形状を調べる検査、又はレジストパターン６の線幅を計測する検査が挙げられる。
　レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの発光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。パターンデータ１１としては、例えば、レジストパターン６のＣＡＤデータが用いられる。そして、パターンデータ１１に対して、検出した輪郭１０が相違する箇所１０ａを、レジストパターン６の欠陥８として検出する。そして、検出した欠陥８の数を算出する。
　レジストパターン６の欠陥８の形状等を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの発光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。そして、パターンデータ１１に対して、検出した輪郭１０が相違する箇所１０ａを、レジストパターン６の欠陥８として検出する。そして、検出した欠陥８の輪郭に基づいて、検出した欠陥８の形状等を調べる。
　レジストパターン６の形状を調べる検査では、例えば、図４及び図５に示すように、基板１からの発光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０と、レジストパターン形成工程においてレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１と、を対比する。そして、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いを調べる。
　レジストパターン６の線幅を計測する検査では、例えば、基板１からの発光に基づいて検出したレジストパターン６の輪郭１０の間隔を計測することで、レジストパターン６の線幅を計測する。
［レジストパターンの製造方法］
　実施形態に係るレジストパターンの製造方法は、基板１上にレジストパターン６を形成するレジストパターン形成工程と、基板１の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を備える。レジストパターンの製造方法のレジストパターン形成工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法のレジストパターン形成工程と同様としてもよい。また、レジストパターンの製造方法の発光材料付着工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法の発光材料付着工程と同様としてもよい。レジストパターンの製造方法は、他の工程を含んでもよい。
［基板選別方法］
　本実施形態に係る基板選別方法は、レジストパターン６が形成された基板１からの発光に基づいてレジストパターン６を外観検査する外観検査工程と、外観検査工程における外観検査に基づいてレジストパターン６を評価する評価工程と、を備える。基板選別方法の外観検査工程は、例えば、上述したレジストパターンの検査方法の外観検査工程と同様としてもよい。基板選別方法の外観検査工程において外観検査する基板の導体表面上には、例えば、発光材料が付着されていてもよい。基板選別方法は、他の工程を含んでもよい。
＜評価工程＞
　評価工程では、レジストパターン６を所定の基準で評価する。
　例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の欠陥８の有無を調べる外観検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８の数に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８の数が所定の基準数を下回れば良と評価し、レジストパターン６の欠陥８の数が所定の基準数を上回れば不良と評価する。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の欠陥８の形状等を調べる検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８のサイズに基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、レジストパターン６の欠陥８の形状等が所定の許容範囲内であれば良と評価し、レジストパターン６の欠陥８の形状が所定の許容範囲外であれば不良と評価する。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の形状を調べる検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の形状に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いが所定の許容範囲内であれば良とし、パターンデータ１１に対するレジストパターン６の形状の相違度合いが所定の許容範囲外であれば不良とする。
　また、例えば、外観検査工程において、レジストパターン６の線幅を計測する外観検査を行った場合、評価工程では、レジストパターン６の線幅に基づいてレジストパターン６を評価する。例えば、評価工程では、レジストパターン６の線幅が所定の基準範囲内にあれば良と評価し、レジストパターン６の線幅が所定の基準範囲外にあれば不良と評価する。
［半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法］
　本実施形態に係る、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法は、上述した基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たす基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える。つまり、導体パターン形成工程では、基板選別方法におけるレジストパターンの評価が基準を満たさない基板に対しては、エッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成しない。本実施形態に係る、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法は、必要に応じてレジストパターン除去工程等のその他の工程を含んでもよい。なお、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法は、半導体パッケージ基板又はプリント配線板を製造する方法であり、半導体パッケージ基板の製造方法又はプリント配線板の製造方法である。当該製造方法により、半導体パッケージ基板又はプリント配線板が製造される。
　エッチング処理では、導体層を備えた基板上に形成されたレジストパターンをマスクとして、レジストによって被覆されていない基板の導体層をエッチング除去する。エッチング処理の後、レジストパターン６の除去によりレジストを除去して導体パターンを形成する。
　図６（ａ）に示すように、めっき処理では、導体層１ｂを備えた基板１上に形成されたレジストパターン６をマスクとして、レジストによって被覆されていない基板１の導体層１ｂ上に銅又は半田等をめっきする。めっき処理の後、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン６の除去によりレジストを除去し、図６（ｃ）に示すように、このレジストによって被覆されていた導体層１ｂをエッチングして、導体パターン９を形成する。めっき処理の方法としては、電解めっき処理であっても、無電解めっき処理であってもよいが、中でも電解めっき処理であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態に係るレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６が形成された基板１からの発光に基づいてレジストパターン６を外観検査するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度にレジストパターン６の欠陥８を検出することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、レジストパターン６が形成された基板１からの発光に基づいて検出されるレジストパターン６の輪郭１０を利用することで、レジストパターン６を適切に外観検査することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、検出した輪郭１０とレジストパターン６を形成するためのパターンデータ１１とを対比することで、レジストパターン６の欠陥８を高精度に検出することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、レジストパターン６の外観検査として、検出した輪郭１０に基づいてレジストパターン６の線幅を計測することで、レジストパターン６の形成状態を評価することができる。
　また、このレジストパターンの検査方法では、基板１の導体表面上に発光材料を付着させることで、基板の導体表面からの発光強度が増大するため、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、基板１からの発光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　ところで、レジストパターン６からの発光は、レジストパターン６が薄くなるほど暗くなりやすい。このため、レジストパターン６が薄くなるほど、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストが大きくなる。そこで、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストが大きくなる観点から、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、５００μｍ以下、３００μｍ以下、１００μｍ以下、又は６０μｍ以下としてもよい。また、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上としてもよい。これらのレジストパターン６の厚さの最小値と最大値とは、適宜組み合わせることができる。例えば、基板１上に形成されるレジストパターン６の厚さは、０．０５μｍ以上５００μｍ以下、０．１μｍ以上３００μｍ以下、１μｍ以上１００μｍ以下、又は５μｍ以上６０μｍ以下としてもよい。
　このレジストパターンの検査方法では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下、０．１μｍ以上３００μｍ以下、１μｍ以上１００μｍ以下、又は５μｍ以上６０μｍ以下の厚さのレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６が厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、基板１からの発光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　本実施形態に係るレジストパターンの製造方法では、基板１の導体表面上に発光材料を付着させることで、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、例えば、レジストパターン６が形成された基板１からの発光に基づいてレジストパターン６の輪郭１０を検出する場合に、検出精度を高めることができる。また、レジストパターン６の線幅の測定等を行う場合に、レジストパターン６の表面又はレジストパターン６の輪郭にピントを合わせ易くなる。
　また、このレジストパターンの製造方法では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下、０．１μｍ以上３００μｍ以下、１μｍ以上１００μｍ以下、又は５μｍ以上６０μｍ以下の厚さのレジストパターン６を形成することで、レジストパターン６が厚くなり過ぎるのを抑制しつつ、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストを大きくすることができる。このため、例えば、基板１からの発光に基づいたレジストパターン６の輪郭１０の検出精度を高めることができる。
　本実施形態に係る基板選別方法では、基板１からの発光に基づくレジストパターン６の外観検査によりレジストパターン６を評価するため、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間で高精度に基板１を選別することができる。
　また、この基板選別方法では、レジストパターン６の欠陥の数又は形状により基板１を評価することで、基板１を適切に評価することができる。
　また、この基板選別方法では、外観検査工程において外観検査する基板１の導体表面上に発光材料が付着されているため、基板１の導体表面のレジストパターン６が形成されていない領域１ｃからの発光と基板１の導体表面のレジストパターンが形成されている領域１ｄからの発光との間のコントラストが大きくなる。このため、レジストパターン６の外観検査を高精度に行うことができる。
　本実施形態に係る、半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法では、上述した基板選別方法におけるレジストパターン６の評価が基準を満たす基板１をエッチング処理又はめっき処理して導体パターン９を形成するため、導体パターン９の断線又はショート等の不良の発生を抑制することができる。
　本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
　次に、本開示の実施例を説明する。但し、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
１．感光性エレメント及び基材
　実施例１～５及び比較例１では、表１及び以下に示す感光性エレメント及び基材を用いた。なお、感光性エレメントの商品名の数字の下二桁は感光層の膜厚（単位：μｍ）を示す。
（感光性エレメント）
Ｆ－１：ＭＥ－３６０６ＳＧ（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）の光重合開始剤を０．５倍量及び増感剤を０．３倍量にして製造した感光性エレメント
Ｆ－２：ＲＹ－５１１５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）のＭＫＧ（マラカイトグリーン）を抜いて、かつ、光重合開始剤を０．５倍量及び増感剤を０．３倍量にして製造した感光性エレメント
Ｆ－３：ＲＹ－５１２５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名、感光層組成は（Ｆ－２）と同一）のＭＫＧ（マラカイトグリーン）を抜いて、かつ、光重合開始剤を０．５倍量及び増感剤を０．３倍量にして製造した感光性エレメント
Ｆ－４：ＦＬ－７２２５（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名）
（基材）
Ｓ－１：ＣｕスパッタＰＥＴフィルム（ジオマテック株式会社製、板厚：１２５μｍ、Ｒａ＜５０ｎｍ）
Ｓ－２：ＧＬ－１０２（味の素ファインテクノ株式会社製、商品名、Ｒａ：約１００ｎｍ）
Ｓ－３：ＭＣＬ－Ｅ６７（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名、Ｒａ：約３００ｎｍ）
２．積層体の作製
　実施例１、３～４及び比較例１では、防湿条件下で保管していたＳ－１を、導電層としての銅層を有する基板として用いた。実施例２、５では、導電層としての銅層を有する基板を酸洗及び水洗して空気流で乾燥した後、基板を８０℃に加温した。その後、基材Ｓ－１、Ｓ－２、及びＳ－３を１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸（富士フイルム和光純薬株式会社）の飽和水溶液に２３℃にて６０分間浸漬させ、水洗して空気流で乾燥した後、さらにローダミンＢ（富士フイルム和光純薬株式会社）の飽和水溶液に２３℃にて１０分間浸漬させ、基材Ｓ－１、Ｓ－２、及びＳ－３の銅表面に蛍光色素を付着させた。水洗して空気流で乾燥した後、基板を８０℃に加温した。その後、実施例１～５及び比較例１では、感光性エレメントを基板の銅層の表面にラミネート（積層）した。ラミネートは、感光性エレメントの保護層を剥離しながら、感光性エレメントの感光層が基板の銅層の表面に接するようにして、１１０℃のヒートロールを用いて、０．４ＭＰａの圧着圧力、１．０ｍ／分のロール速度で行った。こうして、基板と感光層と支持体とがこの順で積層された、実施例１～５及び比較例１の積層体を得た。得られた積層体は以下に示す試験の試験片として用いた。
３．パターン基板の作製
［実施例１～４及び比較例１］
　ガラスクロムタイプのフォトマスク（解像性評価用またはパターン検査用）を用いて、超高圧水銀ランプ（３６５ｎｍ）を光源とする投影露光装置（ウシオ電機株式会社製、商品名「ＵＸ－２２４０ＳＭ」）を用いて、所定のエネルギー量で感光層を露光した（露光処理）。なお、解像性評価用フォトマスクには、ライン幅／スペース幅がｘ／ｘ（ｘ：１～３０、単位：μｍ）の配線パターンを有するものを用い、パターン検査用フォトマスクには、ライン幅／スペース幅がｘ／ｘ（ｘ：２０，３０，４０、単位：μｍ）の配線パターンを有するもの（パターンエリア：９０ｍｍ×９０ｍｍ）を用いた。
　露光後、支持体を剥離し、感光層を露出させ、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を最短現像時間（未露光部分が除去される最短時間）の２倍の時間でスプレーし、未露光部分を除去した（現像処理）。解像性評価用フォトマスクを用いて露光した現像処理後の基板を解像性評価用パターン基板といい、パターン検査用フォトマスクを用いて露光した現像処理後の基板を検査用パターン基板という。解像性評価用パターン基板において、スペース部分（未露光部分）がきれいに除去され、且つライン部分（露光部分）がヨレ、蛇行及び欠けを生じることなく形成されたレジストパターンのうち、最も小さいライン幅／スペース幅の値により、解像性を評価した。このとき、配線パターンのライン幅／スペース幅が３０μｍ／３０μｍとなる解像性評価用フォトマスクを用いてレジストパターンを形成した際に、レジストパターンの線幅が３０．０μｍとなる露光量を、上記の所定のエネルギー量とした。
［実施例５］
　半導体レーザー（３７５ｎｍ及び４０５ｎｍ混線、波長の比率は任意で変更可能（３７５ｎｍ：４０５ｎｍ＝０：１００～１００：０））を光源とする直描露光装置（日本オルボテック株式会社製、商品名「Ｎｕｖｏｇｏ　Ｆｉｎｅ　８」）を用いて、所定のエネルギー量で感光層を露光した。露光後、実施例１～４及び比較例１と同じ手順で現像処理を行って、解像性評価用パターン基板及び検査用パターン基板を作製した。
４．レジストパターンの外観検査
　実施例１～５では、レジストパターンの外観検査として、ＡＯＩ　Ｏｒｂｏｔｅｃｈ　Ｕｌｔｒａ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　８００（日本オルボテック株式会社製、商品名）を用いて、検査用パターン基板にＵＶ光を照射して基材Ｓ－１、Ｓ－２、及びＳ－３の銅表面を蛍光させることで、レジストパターンの欠陥を検出した。比較例１では、レジストパターンの外観検査として、ＳＵ－１５００（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名）のＳＥＭを用いて、レジストパターンの欠陥を観察した。このとき、加速電圧は１５ｋＶ、電流値は８０μＡとした。そして、実施例１～５及び比較例１について、外観検査の時間を評価し、実施例１～５については、検査精度として、レジストパターンの欠陥のパターン検出率についても評価した。パターン検出率（検査精度）とは、外観検査を行う際に、検査装置がレジストパターンの輪郭を識別してパターンを認識できた確率をいう。つまり、外観検査を行う前に、検査装置により、実施例１～５のそれぞれに応じた適正なグレイレベル（明暗二値化の閾値）設定を行い、この設定が完了すればＯＫ、この設定が完了せずにエラーが発生すればＮＧとした。そして、レジストパターンの欠陥のパターン検出率の評価では、毎回ＯＫとなった場合をＡ、毎回ＯＫとならなかったがＮＧとなった確率が低かった場合をＢとし、ＮＧとなった確率が高かった場合をＣとした。外観検査の時間の評価では、１０分／ｃｍ２未満をＡ、１０分／ｃｍ２以上５０００分／１００ｃｍ２未満をＢ、５０００分／１００ｃｍ２以上をＣとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
５．評価
　表１に示すように、実施例１～５では、比較例１に比べて、検査時間が顕著に短縮された。この結果から、レジストパターンが形成された基板からの蛍光に基づいてレジストパターンを外観検査することで、ＳＥＭを用いた外観検査に比べて、短時間でレジストパターンの欠陥を検出することができることが確認された。
　また、実施例１～５では、パターン検出率が高かった。この結果から、レジストパターンが形成された基板からの蛍光に基づいて行うレジストパターンの外観検査においては、レジストパターンの輪郭を検出し易く、検査精度が高いことが確認された。
　１…基板、１ａ…絶縁層、１ｂ…導体層、１ｃ…基板の導体表面のレジストパターンが形成されていない領域、１ｄ…基板の導体表面のレジストパターンが形成されている領域、２…感光層、２ａ…光硬化部、２ｂ…未硬化部、３…支持体、４…積層体、５…フォトマスク、６…レジストパターン、７…異物、８…欠陥、９…導体パターン、１０…輪郭、１１…パターンデータ。

Claims (12)

  1. 　レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程を備える、
    レジストパターンの検査方法。
  2. 　前記外観検査工程では、前記基板からの発光に基づいて前記レジストパターンの輪郭を検出し、検出した前記輪郭に基づいて前記レジストパターンを外観検査する、
    請求項１に記載のレジストパターンの検査方法。
  3. 　前記外観検査工程では、検出した前記輪郭と前記レジストパターンを形成するためのパターンデータとを対比する、
    請求項２に記載のレジストパターンの検査方法。
  4. 　前記外観検査工程では、検出した前記輪郭に基づいて前記レジストパターンの線幅を計測する、
    請求項２に記載のレジストパターンの検査方法。
  5. 　前記基板上に前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
    　前記基板の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を更に備える、
    請求項１～４の何れか一項に記載のレジストパターンの検査方法。
  6. 　前記レジストパターン形成工程では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さの前記レジストパターンを形成する、
    請求項５に記載のレジストパターンの検査方法。
  7. 　基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
    　前記基板の導体表面上に発光材料を付着させる発光材料付着工程と、を備える、
    レジストパターンの製造方法。
  8. 　前記レジストパターン形成工程では、０．０５μｍ以上５００μｍ以下の厚さの前記レジストパターンを形成する、
    請求項７に記載のレジストパターンの製造方法。
  9. 　レジストパターンが形成された基板からの発光に基づいて前記レジストパターンを外観検査する外観検査工程と、
    　前記外観検査工程における前記外観検査に基づいて前記レジストパターンを評価する評価工程と、を備える、
    基板選別方法。
  10. 　前記評価工程では、前記レジストパターンの欠陥の数により前記レジストパターンを評価する、
    請求項９に記載の基板選別方法。
  11. 　前記外観検査工程において外観検査する前記基板の導体表面上には、発光材料が付着されている、
    請求項９又は１０に記載の基板選別方法。
  12. 　請求項９～１１の何れか一項に記載の基板選別方法における前記レジストパターンの前記評価が基準を満たす前記基板をエッチング処理又はめっき処理して導体パターンを形成する導体パターン形成工程を備える、
    半導体パッケージ基板又はプリント配線板の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294491A (ja) * 1988-09-29 1990-04-05 Hitachi Chem Co Ltd 印刷配線板用銅張積層板
JPH04213372A (ja) * 1990-08-17 1992-08-04 Mitsubishi Rayon Co Ltd 画像形成用樹脂組成物および蛍光検出方式自動外観検査方法
JP2000193596A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Toshiba Corp 検査方法
JP2003243290A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Seiko Epson Corp レジストパターンの欠陥検査方法及びその欠陥検査装置
JP2004233054A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Furoobell:Kk 基板検査装置および方法
JP2012233790A (ja) * 2011-05-02 2012-11-29 Mitsubishi Electric Corp 光硬化性樹脂の検査装置および検査方法
JP2014009969A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 画像処理装置、画像処理方法、及び露光パターン検査装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294491A (ja) * 1988-09-29 1990-04-05 Hitachi Chem Co Ltd 印刷配線板用銅張積層板
JPH04213372A (ja) * 1990-08-17 1992-08-04 Mitsubishi Rayon Co Ltd 画像形成用樹脂組成物および蛍光検出方式自動外観検査方法
JP2000193596A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Toshiba Corp 検査方法
JP2003243290A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Seiko Epson Corp レジストパターンの欠陥検査方法及びその欠陥検査装置
JP2004233054A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Furoobell:Kk 基板検査装置および方法
JP2012233790A (ja) * 2011-05-02 2012-11-29 Mitsubishi Electric Corp 光硬化性樹脂の検査装置および検査方法
JP2014009969A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 画像処理装置、画像処理方法、及び露光パターン検査装置

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