JPS60167327A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60167327A JPS60167327A JP59021618A JP2161884A JPS60167327A JP S60167327 A JPS60167327 A JP S60167327A JP 59021618 A JP59021618 A JP 59021618A JP 2161884 A JP2161884 A JP 2161884A JP S60167327 A JPS60167327 A JP S60167327A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子のパターンを露光する際に使用する
ホトマスクの外観検査方法に関するものである。
ホトマスクの外観検査方法に関するものである。
半導体装置の製造には、半導体基板（ウェハ）表面に塗
布したホトレジストをホトマスクを用いて選択的に感光
する工程が必要である。一般にホトマスクは透明なガラ
ス板の一主面にクロム等の遮光性の膜を所望のパターン
に形成してなる。ホトレジストの感光はこのホトマスク
とウェハとをアライメントして露光することによシ行な
われ、１枚のホトマスクは数十枚、数百枚のウェハに対
する感光処理に使用される。
布したホトレジストをホトマスクを用いて選択的に感光
する工程が必要である。一般にホトマスクは透明なガラ
ス板の一主面にクロム等の遮光性の膜を所望のパターン
に形成してなる。ホトレジストの感光はこのホトマスク
とウェハとをアライメントして露光することによシ行な
われ、１枚のホトマスクは数十枚、数百枚のウェハに対
する感光処理に使用される。
したがってこのようなホトマスクの外観検査にミスがあ
って異物や傷を見逃した場合、このホトマスクを使用し
て露光すると、ウェハ上のホトレジストが必要とするパ
ターンと異なるパターンとなシ、大量の不良が発生する
原因となる。
って異物や傷を見逃した場合、このホトマスクを使用し
て露光すると、ウェハ上のホトレジストが必要とするパ
ターンと異なるパターンとなシ、大量の不良が発生する
原因となる。
当初、ホトマスクの外観検査は顕微鏡を用いた目視で行
なっていたが、検査員が長時間注意力を持続できず、欠
陥の見落しが多かった。そこで、近年では自動的にホト
マスクの外観を検査する装置が出現し、これを用いて検
査するのが一般的である。前述したようにホトマスクは
光透過部と遮光部とから構成されているため、自動ホト
マスク外観検査装置では通常明るく均一な照度の得られ
る透過照明法が採用されている。
なっていたが、検査員が長時間注意力を持続できず、欠
陥の見落しが多かった。そこで、近年では自動的にホト
マスクの外観を検査する装置が出現し、これを用いて検
査するのが一般的である。前述したようにホトマスクは
光透過部と遮光部とから構成されているため、自動ホト
マスク外観検査装置では通常明るく均一な照度の得られ
る透過照明法が採用されている。
第１図に、従来用いられているこの種の装置の構成例を
示す。図において、光源１は光学系２の解像力に密接な
関係を有し、一般に波長５５ Ｑ ｎｍの緑色光やＨｅ
−Ｎｅレーザ等の可視光が用いられている。光源１から
発した光は、検査されるホトマスク３の光透過部を通シ
、光学系２によ多焦点を合せられた後、例えばＣＣＤリ
ニアイメージセンサ等の光電変換器４によって電気信号
に変換され、欠陥認識回路５で処理され検査される。例
えばホトマスク３の光透過部に異物があって光がさえぎ
られた場合、あるいは遮光部に傷があって光が漏れてい
る場合、検出される電気信号が予め記憶されている正し
い電気信号と違ってくるため、不良と判断される。
示す。図において、光源１は光学系２の解像力に密接な
関係を有し、一般に波長５５ Ｑ ｎｍの緑色光やＨｅ
−Ｎｅレーザ等の可視光が用いられている。光源１から
発した光は、検査されるホトマスク３の光透過部を通シ
、光学系２によ多焦点を合せられた後、例えばＣＣＤリ
ニアイメージセンサ等の光電変換器４によって電気信号
に変換され、欠陥認識回路５で処理され検査される。例
えばホトマスク３の光透過部に異物があって光がさえぎ
られた場合、あるいは遮光部に傷があって光が漏れてい
る場合、検出される電気信号が予め記憶されている正し
い電気信号と違ってくるため、不良と判断される。
しかしながら、ホトマスクの光透過部に透明な異物、例
えば薄い人間の皮膚や当該ホトマスク自体を作成する際
に用いたレジストの残渣などがあった場合には、光源１
から発せられた光はこれを透過してしまい、不良とは判
定されない。
えば薄い人間の皮膚や当該ホトマスク自体を作成する際
に用いたレジストの残渣などがあった場合には、光源１
から発せられた光はこれを透過してしまい、不良とは判
定されない。
ところが、このようなホトマスクを用いてウェハ表面に
塗布したホトレジストを露光すると、その際の光源は波
長４ Ｑ Ｑ ｎｍ前後の紫外線であるため、上記異物
を透過できず、必要とするパターンとは異なるパターン
が形成されて不良となる。
塗布したホトレジストを露光すると、その際の光源は波
長４ Ｑ Ｑ ｎｍ前後の紫外線であるため、上記異物
を透過できず、必要とするパターンとは異なるパターン
が形成されて不良となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、透明異物をも含めて半導体基板の露光時に支障
となる異物や傷をもらさず検出することが可能なホトマ
スクの横蓋方法を提供することにある。
目的は、透明異物をも含めて半導体基板の露光時に支障
となる異物や傷をもらさず検出することが可能なホトマ
スクの横蓋方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、検査用の
照射光として、半導体基板表面上のホトレジストを露光
するために用いる光と同一波長の光を用いるようにした
ものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
照射光として、半導体基板表面上のホトレジストを露光
するために用いる光と同一波長の光を用いるようにした
ものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
第２図は本発明の一実施例を示すホトマスクの外観検査
装置の構成図である。図において、光源６には、このホ
トマスク３を用いてウェハ表面に塗布したホトレジスト
を露光するときに使用する光源と同様のもの、例えば高
圧水銀ランプを用いている。この光源６から発せられた
波長４００ ｎｍ前後の紫外光は、被検査ホトマスク３
の光透過部を通り、紫外光を吸収しないように鏡を用い
て構成された光学系７によ多焦点を合せられた後、欠陥
検出器８によ＃）電気信号に変換される。この欠陥検出
器８としては、例えば上記紫外光をその波長の光を吸収
する螢光体に照射することによって可視光に変換するよ
うな構成とし、その可視光を従来と同様のＣＣＤリニア
イメージセンサ等からなる光電変換器４によって電気信
号に変換すればよい。得られた電気信号は、従来同様欠
陥認識回路５で処理し、欠陥を検出する。
装置の構成図である。図において、光源６には、このホ
トマスク３を用いてウェハ表面に塗布したホトレジスト
を露光するときに使用する光源と同様のもの、例えば高
圧水銀ランプを用いている。この光源６から発せられた
波長４００ ｎｍ前後の紫外光は、被検査ホトマスク３
の光透過部を通り、紫外光を吸収しないように鏡を用い
て構成された光学系７によ多焦点を合せられた後、欠陥
検出器８によ＃）電気信号に変換される。この欠陥検出
器８としては、例えば上記紫外光をその波長の光を吸収
する螢光体に照射することによって可視光に変換するよ
うな構成とし、その可視光を従来と同様のＣＣＤリニア
イメージセンサ等からなる光電変換器４によって電気信
号に変換すればよい。得られた電気信号は、従来同様欠
陥認識回路５で処理し、欠陥を検出する。
なお、欠陥検出器８の他の例として、ホトマスク３の光
透過部を透過した紫外光をＣＣＤＩＪＣＣＤリニアイメ
ージセンサ紫外線撮像管や紫外線イメージインテンシフ
ァイアに投影する構成を用い。
透過部を透過した紫外光をＣＣＤＩＪＣＣＤリニアイメ
ージセンサ紫外線撮像管や紫外線イメージインテンシフ
ァイアに投影する構成を用い。
れば、上述したようにいったん螢光体に照射して可視光
に変換するなどの迂回した方法を用いることなく直接電
気信号に変換することができる。
に変換するなどの迂回した方法を用いることなく直接電
気信号に変換することができる。
このように光源６に紫外光を発生する光源を用いた場合
、従来可視光を用いて検出していた異物や傷の他に１従
来では光が透過してしまうために検出できなかった透明
な異物も検出できる。のみならず、ホトマスク３を用い
てウェハ上のホトレジストを露光するときに使用する光
の波長で昇動。
、従来可視光を用いて検出していた異物や傷の他に１従
来では光が透過してしまうために検出できなかった透明
な異物も検出できる。のみならず、ホトマスク３を用い
てウェハ上のホトレジストを露光するときに使用する光
の波長で昇動。
検査を行なうために、ホトレジストカ゛イ光時に支障と
なる異物や・鵬はもらさず検出することが可能である。
なる異物や・鵬はもらさず検出することが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、検有用光の波長
をそのホトマスクを用いて半導体基板表面上のホトレジ
ストを露光する光と同波長としたことにより、従来可視
光を用いてわ土困嬉：だった人間の皮膚やホトマスク形
成時に残ったホトレジストの残渣等の透明異物の発見が
容易となるのみならず、検套条件が使用条件に合致する
だめ使用時に支障となる異物や傷は残さず検出すること
が可能となり、半導体製品の不良発生率を低下させ、歩
留シを向上させることができる。
をそのホトマスクを用いて半導体基板表面上のホトレジ
ストを露光する光と同波長としたことにより、従来可視
光を用いてわ土困嬉：だった人間の皮膚やホトマスク形
成時に残ったホトレジストの残渣等の透明異物の発見が
容易となるのみならず、検套条件が使用条件に合致する
だめ使用時に支障となる異物や傷は残さず検出すること
が可能となり、半導体製品の不良発生率を低下させ、歩
留シを向上させることができる。
第１図は従来のホトマスクの検査方法の一例を示す図、
第２図ム本発明の一実施例を示すホトマスク外観検査装
置−の構成図である。 ３・−φ・ホトマスク、４・・・・光電変換器、５・・
・・欠陥認識回路、６・・・・光源、７・・・・光学系
、８・・・・欠陥検出器。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
第２図ム本発明の一実施例を示すホトマスク外観検査装
置−の構成図である。 ３・−φ・ホトマスク、４・・・・光電変換器、５・・
・・欠陥認識回路、６・・・・光源、７・・・・光学系
、８・・・・欠陥検出器。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
Claims (1)
- 透光性基板主面に遮光部を所望のパターンに設けてなる
ホトマスクの主面に光を照射することによりａ該ホトマ
スクに存在する異物や傷を訴定するホトマスクの検査方
法において、上記光として、描該ホトマスクを介して半
導体基板表面上のホトレジストを選択的に露光するため
の光と同一の波長の光を用いることを特徴とするホトマ
スクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021618A JPS60167327A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021618A JPS60167327A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167327A true JPS60167327A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12060032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021618A Pending JPS60167327A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167327A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165641A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | ウェーハ外観検査装置 |
| JPH0792657A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | レチクル検査装置及びレチクル検査方法 |
| EP1530091A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-11 | ASML Netherlands B.V. | Radiation detector |
| JPWO2006013865A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2008-05-01 | 日立金属株式会社 | 非可逆回路素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651604A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Pattern checking method |
| JPS58152243A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Ltd | レチクル異物検出装置 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021618A patent/JPS60167327A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651604A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Pattern checking method |
| JPS58152243A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Ltd | レチクル異物検出装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165641A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | ウェーハ外観検査装置 |
| JPH0792657A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | レチクル検査装置及びレチクル検査方法 |
| EP1530091A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-11 | ASML Netherlands B.V. | Radiation detector |
| JPWO2006013865A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2008-05-01 | 日立金属株式会社 | 非可逆回路素子 |
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