JPS62134647A

JPS62134647A - 異物検査装置

Info

Publication number: JPS62134647A
Application number: JP60275203A
Authority: JP
Inventors: Yukio Uto; 幸雄宇都; Masataka Shiba; 正孝芝; Mitsuyoshi Koizumi; 小泉　光義; Kiyoshi Wakai; 若井　清
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1985-12-09
Filing date: 1985-12-09
Publication date: 1987-06-17
Anticipated expiration: 2009-01-19
Also published as: JPH065382B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野］本発明は、異物検査装置に係り、特に半導体集積回路の
露光工程で用いられるレチクルやマスクへの異物付着を
防止するペリクルへの異物の付着の有無と付着面の検出
に好適な異物検査装置に関する。

〔発明の背景〕

現在、半導体集積回路の露光工程では、縮小投影露光装
置や１：１反射形投影露光装置のごとき投影式の露光装
置が使用されているが、回路パターンの原版となるレチ
クルやマスクの表面に異物が付着すると、その像がウェ
ハに転写し、不良となる。そこで、露光前にレチクルや
マスクを検査し、異物が存在する場合には洗浄し、異物
を除去した後に露光を行って歩留りを保つ必要がある。

このような目的に用いられるレチクルやマスクの自動検
査装置としては、特開昭５７−８０５４６号。

特開昭５８−７９１４４号公報等に開示されている技術
がある。

微小異物のレチクルやマスクへの付着確率は、一般に異
物寸法の二乗に反比例するとされる。したがって、半導
体集積回路のパターン微細化に伴い、転写され、不良を
発生させる異物寸法も小さくなったため、共物の付着確
率も高くなっている。

その結果、レチクルやマスクの洗浄回数が増加し、露光
装置を有効に稼動させることが難しくなってきている。

ところで、特開昭５４−８００８２号公報に異物付着防
止膜が示されており、これを第８図に示す。

この第８図に示す異物付着防止膜は、金属の枠１にニト
ロセルローズ等で形成された透明薄膜であるペリクル２
を貼付して構成されている。レチクルやマスク（以下、
「基板」という）３に異物付着防止膜を装着すると、基
板３上への新たな異物付着を防止できる。また、ペリク
ル２の外側に付着した微小異物４は露光装置の投影光学
系の焦点深度外にあるため、ウェハ上に転写されにくい
。

なお、第８図中、５は基板上に形成された回路パターン
、６はペリクルの内側に付着した異物を示す。

前記基板３を十分に洗浄した後、清浄な異物付着防止膜
を装着すると、基本的には露光前の異物検査は不要とな
る。この清浄な異物付着防止膜の供給に関しては、異物
付着防止膜の機能から、従来ペリクル２に投光機で光を
照射して目視で観察できる程度（約５μｍφ）の異物に
ついて注意すれば十分であると考えられていた。しかし
、異物付着防止膜の使用実績の増加に伴い、ペリクル２
の内側に付着していて目視検査では発見されないような
微小異物６が偶発的にペリクル２から離れて基板３上に
落下し、投影光学系の焦点深度内に入り、ウェハ上に転
写され、不良を発生させるという事故も出現してきてい
る。

そこで、ペリクル２の内側を検査し、その内側に付着し
た微小異物６のみを検出し、これを除去する装置が必要
となってきている。この場合、異物付着防止膜の枠１に
貼付された極めて薄いペリクル２の特に内側の異物６の
みを検出する技術が要求される。しかし、従来の自動検
査技術では、異物の付着面を判定することが不可能であ
った。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、ペリク
ルへの異物の付着の有無と付着面とを検出し得る異物検
査装置を提供することにあり、本発明の他の目的は検出
感度をより一層向上させ得る異物検査装置を提供するこ
とにあり、本発明の他の目的は異物の付着面をより一層
明確に判定し得る異物検査装置を提供することにある。

〔発明の）既要〕

本発明は、第２図に示す光の特性を利用しているところ
に特徴を有する。

つまり、第２図は物体に光を照射した時の入射角θと反
射率Ｒとの関係をＳ偏光１０およびＰ偏光１１について
示したもので、入射角θが大きい、すなわち物体に対し
て浅い入射角度で光を照射すると、θが６０〜８０度近
傍ではＳ偏光とＰ偏光とで反射率から求められる透過率
の比は２倍程度の差が生しる。さらにθが９０度に近付
くと、反射率が１００％に近くなり、光透過が皆無に近
くなる。本発明は、この特性を利用して異物の付着の有
無の検出と同時に付着面の判定を行うものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の特徴を示すグラフ、第３図（イ）〜（ニ）は本発明
の原理説明図、第４図はペリクルの枠の影古を避けるた
めのレーザ光の照射を示す平面図、第５図は第１図に示
す実施例の主検出系の断面図、第６図はレーザ光スポッ
トの走査を示す平面図である。

これらの図に示す実施例では、金属製の枠１と、これに
貼付されたペリクル２とを有する異物付着防止膜の、前
記ペリクル２の内側に検査用の偏光レーザ光を照射する
ようになっている。

そして、この実施例の異物検査装置は、ペリクル２に検
査用の偏光レーザ光を照射する主光学系と、異物付着防
止膜の外側で異物からの散乱光を検出する主検出系５９
と、ペリクル２の透過光量を検出し、ペリクル２の透過
率の個体差により補正を行うための補正光学系と、前記
主検出系と補正光学系からの情報からペリクル２への異
物の付着の有無と付着面とを判定する処理系とを備えて
構成されている。

前記主光学系では、第１図に示すように、レーザ発振器
３０からレーザ光が発振され、そのレーザ光はボ、ケル
ズセル等の旋光素子３１により偏光レーザ光２０とされ
、その偏光レーザ光２０は光路３２に従いビームエキス
パンダ３３、ガルバノミラ−３４、フォーカシングレン
ズ３５を経て、ミラー３６を第１図に実線で示す位置に
セットした時はミラー３７ａ。

３８ａを通って光路４０ａに従い、ペリクル２上にレー
ザ光スポット４１を照射し、前記ミラー３６を第１図に
仮想線で示す位置にセットした時はミラー３９゜３７ｂ
、　３８ｂを通り、光路４０ｂに従い、前記ペリクル２
をレーザ光スポット４１で照射するようになっている。

そして、ガルバノミラ−３４とフォーカシングレンズ３
５により、レーザ光スポット４１を第１図に矢印４２で
示すごとく、ペリクル２上をＹ方向に走査させ、異物付
着防止膜を搭載したステージ４８をモータ４７によりＸ
方向に移動させ、ペリクル２の全面を検査可能としてい
る。前記ミラー３６は、ステージ４８の移動に合わせて
偏光レーザ光２０の光路を切り替え、第４図に示すよう
に、光路４０ａでペリクル２の一半部Ａを検査可能とし
、光路４０ｂでペリクル２の他半部Ｂを検査可能として
いる。

さらに、主光学系は第１図、第５図に示すように、ペリ
クル２に対して偏光レーザ光２０を浅い入射角度αで照
射するようになっており、その入射角度αは異物付着防
止膜の枠１に偏光レーザ光２０が遮られない範囲で好ま
しくは１０〜２０度に設定されている。

前記主検出系５９は、第１図、第５図に示すように、異
物６からの散乱光５３を異物付着防止膜の外側に設けら
れた円筒レンズ４３、ミラー４４を介して光ファイバ４
５で集光し、光センサ４６に豆き、同一の異物に対して
Ｐ偏光レーザ光を照射した時の散乱光強度とＳ偏光レー
ザ光を照射した時の散乱光強度とを検出し、その検出結
果を処理系に送り込むようになっている。

前記補正光学系は、主検出系による検査に先立ってミラ
ー４９，５０．５１を介して、ペリクル２に対して垂直
にレーザ光を照射し、光センサ５２により透通光量を険
出し、その検出結果を処理系に送り込むようになってい
る。

前記処理系（図示せず）は、前記補正光学系の光センサ
５２から透過光量を取り込み、検査すべきペリクル２の
透過率の個体差を求め、前記主検出系５９の光センサ４
６からＰ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レー
ザ光照射での散乱光強度とを取り込み、両散乱光強度を
ペリクル２の透過率の個体差により補正した後、両散乱
光強度を比較し、この値から前記ペリクル２への異物の
付着の有無と付着面とを判定するように構成されている
。

次に、前記実施例の異物検査装置による、異物付着防止
膜のペリクル２への異物の付着とその付着面の検査につ
いて説明する。

第３図は、偏光方向により光の透過率が異なることを用
いた前記実施例の原理を示したものである。

この実施例で被検体としての異物付着防止膜は、金属製
の枠ｌが存在することから、この枠１に遮られずに異物
からの散乱光５３を十分に集め検出するため、散乱光５
３の検出は異物付着防止膜の外側で行う。

いま、レーザ光２１〜２４をペリクル２に対してα（α
嬌１０〜２０度）の入射角度に傾けて照射する。

第３図（イ）７　（ロ）のように、ペリクル２の内側に
異物６が存在する場合、Ｓ偏光レーザ光２１゜Ｐ偏光レ
ーザ光２２を照射しても、レーザ光はペリクル２を透過
しないで、異物６に到達するため、異物６に照射される
光エネルギーは等しい。散乱光５３は、ペリクル２の外
側に位置（図では真下）するため、ペリクル２を高い透
過率（θ＝０度）で透過した散乱光強度は、レーザ光の
偏光方向によらず大きい。

一方、ペリクル２の外側に異物４が存在する場合、第３
図（ハ）のようにＳ偏光レーザ光２３を照射すると、ペ
リクル２での反射率が高いため、異物４に照射される光
エネルギーは極めて小さく、散乱光強度も小さい。

また、第３図（ニ）のようにＰ偏光レーザ光２４を照射
すると、ペリクル２でのレーザ光の透過率は第３図（ハ
）に比べて２倍程度大きいため、散乱光強度も第３図（
ハ）に比べて２倍程度大きくなる。

かかる事象から、次のことが分かる。

＋ｌ）Ｓ、Ｐいずれの偏光レーザ光を照射しても、ペリ
クル２の内側の異物６の方が散乱光強度が大きく、感度
が高い。

（２）Ｐ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レー
ザ光照射での散乱光強度の比をとった時、ペリクル２の
内側の異物６では比の値がほぼ１になるのに対し、ペリ
クル２の外側の異物４では比の値が２に近くなり、この
値より異物の付着面の判定ができる。

ところで、ペリクル２の品種によってレーザ光の透過率
が異なる。また、前記第３図（イ）。

（ロ）に示すように、ペリクル２の内側の異物６からの
散乱光は、ペリクル２に対してほぼ垂直に透過する。

そこで、ペリクル２の異物の検査に先立ち、補正光学系
により第１図の光路３２からミラー４９，５０゜５１を
介してレーザ光を導き、このレーザ光をペリクル２に垂
直に照射し、光センサ５２で透過光量を検出し、これを
処理系に送り込む。

前記処理系では、光センサ５２からの透過光量に基づい
て検査すべきペリクル２の透過率の個体差を求め、主検
出系５９で検出される異物からの散乱光強度に基づいて
異物の付着面の判定を行う時の闇値の補正に備える。

ついで、第１図に示す主光学系のビームエキスパンタ３
３、ガルバノミラ−３４、フォーカシングレンズ３５に
検査用の偏光レーザ光２０を導き、第４図に示すペリク
ル２の一半部Ａを検査する時はミラー３７ａ、３８ａ　
、光路４０ａを経てレーザ光スポット４１を照射し、ペ
リクル２の他生部Ｂを検査する時はミラー３６を第１図
に仮想線で示す位置に移動させ、ミラー３９．３７ｂ、
　３８ｂ、光路４０ｂを経てレーザ光スポット４１を照
射する。

さらに、主光学系によりペリクル２のＹ方向の走査を行
い、ステージ４８によりペリクル２のＸ方向の走査を行
うため、第６図に示すように、検査領域５４を移動させ
る。ガルバノミラ−３４の振れ角と、ステージ４Ｂの移
動量とにより検査領域５４のＸＹ座標が求まる。そこで
、Ｙ方向−周期の間にステージ４８の送り量Ｆを検査領
域５４のＸ方向の大きさＤに対してＤ＞Ｆなる関係にセ
ントする。

そして、第１図に示す旋光素子３１により、例えば第６
図に示すように、検査領域５４がＹ方向のプラス方向５
５に向かう時にＳ偏光に、マイナス方向５６に向かう時
にＰ偏光にそれぞれレーザ光２０の偏光方向を変化させ
る。

ついで、Ｐ偏光レーザ光照射時と、Ｓ偏光レーザ光照射
時との各々で検出される異物の位置と散乱光強度とを処
理系に記憶させておく。

続いて、実際に検査すべくペリクル２に光学系からＰ偏
光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを照射し、異物からの散
乱光強度を第１図、第５図に示す主検出系５９の円筒レ
ンズ４３、ミラー４４、光ファイバ４５を通じて光セン
サ４６により検出し、光センサ４６から処理系に送り込
む。

前記処理系では、主検出系５９の光センサ４６からＰ偏
光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レーザ光照射で
の散乱光強度とを取り込み、両散乱光強度を補正光学系
から取り込んだ透過光計より予め求めておいたペリクル
２の透過率の個体差により補正する。ついで、両散乱光
強度を比較し、比の値を求める。そして、この処理系で
は前記Ｐ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レー
ザ光照射での散乱光強度の比の値が１の時はペリクル２
の内側に異物が付着していると判定し、比の値が２の時
はべりクル２の外側に異物が付着していると判定する。

したがって、この第１図〜第６図に示す実施例によれば
、ペリクル２への異物の付着と付着面とを高い検出感度
で検査することができる。

次に、第７図は本発明の他の実施例を示す縦断面図であ
る。

この図に示す異物検査装置は、主光学系と、主検出系５
９の他に、補助光学系と、補助検出系６２とが設けられ
、これに伴い処理系の機能を異にしている。

前記主光学系は、第１図に示す旋光素子３１の代りに偏
光板５８が設けられている他は前記第１図〜第６図に示
す実施例と同様である。

前記主検出系５９も、前記第１図〜第６図に示す実施例
と同様である。

前記補助光学系は、異物付着防止膜の外側からペリクル
２に対して主光学系とは異なる波長のレーザ光６０を、
前記主光学系よりさらに浅い入射角度βで照射するよう
になっている。前記レーザ光６０の入射角度βは、主光
学系の偏光レーザ光２０ａ。

２０ｂの入射角度αが例えば１０〜２０度の時は好まし
くは１〜５度に設定される。

前記グイナミソクミラ−６１は、主検出系５９の円筒レ
ンズ４３の下位に配置され、主光学系から照射されかつ
異物で散乱された散乱光と、補助光学系から照射されか
つ異物で散乱された散乱光とを波長分離し、各々主検出
系５９と、補助検出系６２とに導（ようになっている。

前記補助検出系６２は、異物から散乱光が発生した時は
光ファイハロ３で集光し、光センサ６４で検出し、その
検出結果を処理系に送り込むようになっている。

前記処理系は、主検出系５９の光センサ４６と補助検出
系６２の光センサ６４から散乱光の検出結果を取り込み
、主検出系５９でのみ散乱光を検出したか、主検出系５
９と補助検出系６２の両方で散乱光を検出したかを判断
し、これに基づいてペリクル２への異物の付着の有無と
付着面とを判定するように構成されている。

そして、この第７図に示す実施例では主光学系から異物
付着防止膜の枠ｌに遮られない入射角度α（α−１０〜
２０度）でペリクル２に対して偏光レーザ光２０ａ　、
　２０ｂを照射する。

前記ペリクル２の内側に異物が付着していると、その異
物６からは大きな散乱光が発生する。一方、ペリクル２
の外側に異物が付着していると、何１０％かのレーザ光
がペリクル２を透過して異物に照射されるため、やはり
散乱光が発生する。これらの散乱光は、グイナミンクミ
ラー６１により波長分離され、主検出系５９により検出
され、この主検出系５９の光センサ４６を通じて処理系
に送り込まれる。

また、異物付着防止膜の外側よりペリクル２に補助光学
系から非常に浅い入射角度β（β−１〜５度）でレーザ
光６０を照射すると、ペリクル２を透過するレーザ光６
０の透過率が低いため、ペリクル２の外側に付着した異
物のみから散乱光が発生する。この散乱光は、グイナミ
ソクミラ−６１により波長分離され、補助検出系６２で
検出され、この補助検出系６２の光センサ６４を通じて
処理系に送り込まれる。

前記処理系では、主検出系５９でのみ散乱光が検出され
たか、主検出系５９と補助検出系６２の両方で散乱光が
検出されたかを判断する。そして、主検出系５９でのみ
散乱光が検出された時はペリクル２の内側に異物が付着
していると判定し、主検出系５９と補助検出系６２の両
方で散乱光が検出された時はべりクル２の外側に異物が
付着していると判定する。

これにより、この第７図に示す実施例によれば異物の付
着面をより一層明確に判定することができる。

なお、この第７図に示す実施例において、第１図に示す
補正光学系と組み合わせて用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明の１番目の発明によれば、ペリクル
の一方の面側からＰ偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを
別々に前記ペリクルに対して浅い入射角度で照射する主
光学系と、前記ペリクルの他方の面で異物からの散乱光
を検出する主検出系と、この主検出系で検出されたＰ偏
光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レーザ光照射で
の散乱光強度とを比較し、前記ペリクルへの異物の付着
の有無と付着面とを判定する処理系とを備えて構成して
いるので、ペリクルへの異物の付着の有無と付着面とを
検出し得る効果があり、特に異物付着防止膜の検査装置
に適用した場合に、ペリクルの内側に付着した異物を高
感度に検出できるため、真に清浄な異物付着防止膜を供
給でき、この異物付着防止膜を基板に装着した後の異物
の落下環による不良発生を抑えることができ、半導体製
造の歩留りの大幅な向上を図り得る効果がある。

また、本発明の２番目の発明によれば、ペリクルの一方
の面側からＰ偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを別々に
前記ペリクルに対して浅い入射角度で照射する主光学系
と、前記ペリクルの他方の面で異物からの散乱光を検出
する主検出系と、前記ペリクルに対して垂直にレーザ光
を照射し、その透過光量を検出する補正光学系と、この
補正光学系から透過光量を取り込み、この透過光量から
ペリクルの透過率の個体差を求め、前記主検出系で検出
されたＰ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レー
ザ光照射での散乱光強度とを取り込み、再散乱光強度を
前記ペリクルの透過率の個体差により補正した後、再散
乱光強度を比較し、前記ペリクルへの異物の付着の有無
と付着面とを判定する処理系とを備えて構成しているの
で、検出感度をより一層向上し得る効果がある。

さらに、本発明の３番目の発明によれば、ペリクルの一
方の面側からレーザ光を前記ペリクルに対して浅い入射
角度で照射する主光学系と、前記ペリクルの他方の面で
異物からの散乱光を検出する主検出系と、前記主光学系
で照射されたレーザ光の検出側から、前記主光学系とは
異なる波長のレーザ光を、前記主光学系よりさらに浅い
入射角度で前記ペリクルに照射する補助光学系と、この
補助光学系から照射されたレーザ光の散乱光の有無を検
出する補助検出系と、前記主検出系と補助検出系から散
乱光の検出結果を取り込み、主検出系でのみ散乱光を検
出したか、主検出系と補助検出系の両方で散乱光を検出
したかを判断し、前記ペリクルへの異物の付着の有無と
付着面とを判定する処理系とを備えて構成しているので
、異物の付着面をより一層明確に判定し得る効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の特徴を示すグラフ、第３図（イ）〜（ニ）は本発明
の原理説明図、第４図はべりタルの枠の影響を避けるた
めのレーザ光の照射を示す平面図、第５図は第１図に示
す実施例の主検出系の断面図、第６図はレーザ光スポッ
トの走査を示す平面図、第７図は本発明の他の実施例を
示す縦断面図、第８図は半導体製造に使用される異物付
着防止膜とペリクルに対する異物の付着との関係を示す
縦断面図である。 ■・・・異物付着防止膜を構成している枠、２・・・同
ペリクル、４・・・ペリクルの外側に付着している異物
、６・・・ペリクルの内側に付着している異物、２０〜
２４・・・偏光レーザ光、３０・・・主光学系を構成し
ているレーザ発振器、３１・・・同旋光素子、３３・・
・同ビームエキスパンダ、３４・・・同ガルバノミラ−
３３５・・・フォーカシングレンズ、３６．３７ａ、３
７ｂ、３８ａ、３８ｂ、３９−同ミラー、４１・・・レ
ーザ光スポット、４３・・・主検出系を構成している円
筒レンズ、４４・・・同ミラー、４５・・・同光ファイ
バ、４６・・・同光センサ、４９，５０．５１・・・補
正光学系を構成しているミラー、５２・・・同光センサ
、５３・・・偏光レーザ光の散乱光、５日・・・偏光板
、５９・・・主検出系、６０・・・補助光学系から照射
されるレーザ光、６１・・・主光学系の偏光レーザ光の
異物からの散乱光と補助光学系のレーザ光の異物からの
散乱光とを波長分離するダイナミックミラー、６２・・
・補助検出系、６３・・・補助光学系を構成している光
ファイバ、６４・・・同光センサ。代理人　弁理士　　秋　本　　正　実第１図第２図ｏ　　　　。第４図第６図第７図第８図手続補正帯（自発）昭和６−１年６月ト３日特許庁長官　宇賀道部　殿　　　　　　　６１・７・−
３、事件の表示昭和６０年特許願第２７５２０３号、発明の名称異物検査装置補正をする者事件との関係　特許出願人住所（居所）　　東京都千代田区神田駿河台四丁目６番
地氏名（名称）　　　（５１０）株式会社日立製作所４
、代理人住所　東京都港区西新橋１丁目６番１４号　相馬西新橋
ビル（１）本願明細書第９頁７行、同頁第１４行および
第１５行、第１４頁第１０行、第２３頁第１０行および
第１１行「フォーカシングレンズ」を「ｆ′Ｏレンズ」
に補正する。（２）同上第１７頁第１３行、第１８頁第１９行、第１
９頁第７行、第２３頁第２０行「ダイナミックミラー」
を「ダイクロイックミラー」に補正する。（３）添付図面第４図を別紙のとおり補正する。以上補正図面第４図

Claims

【特許請求の範囲】１、ペリクルの一方の面側からＰ偏光レーザ光とＳ偏光
レーザ光とを別々に前記ペリクルに対して浅い入射角度
で照射する主光学系と、前記ペリクルの他方の面で異物
からの散乱光を検出する主検出系と、この主検出系から
Ｐ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レーザ光照
射での散乱光強度とを取り込み、両散乱光強度を比較し
、前記ペリクルへの異物の付着の有無と付着面とを判定
する処理系とを備えていることを特徴とする異物検査装
置。２、特許請求の範囲第１項において、前記ペリクルに対
して主光学系からレーザ光を１０〜２０度の入射角度で
照射するように構成したことを特徴とする異物検査装置
。３、ペリクルの一方の面側からＰ偏光レーザ光とＳ偏光
レーザ光とを別々に前記ペリクルに対して浅い入射角度
で照射する主光学系と、前記ペリクルの他方の面で異物
からの散乱光を検出する主検出系と、前記ペリクルに対
して垂直にレーザ光を照射し、その透過光量を検出する
補正光学系と、この補正光学系から透過光量を取り込み
、この透過光量からペリクルの透過率の個体差を求め、
前記主検出系で検出されたＰ偏光レーザ光照射での散乱
光強度とＳ偏光レーザ光照射での散乱光強度とを取り込
み、両散乱光強度を前記ペリクルの透過率の個体差によ
り補正した後、両散乱光強度を比較し、前記ペリクルへ
の異物の付着の有無と付着面とを判定する処理系とを備
えていることを特徴とする異物検査装置。４、特許請求の範囲第３項において、前記ペリクルに対
して主光学系からレーザ光を１０〜２０度の入射角度で
照射するように構成したことを特徴とする異物検査装置
。５、ペリクルの一方の面側からレーザ光を前記ペリクル
に対して浅い入射角度で照射する主光学系と、前記ペリ
クルの他方の面で異物からの散乱光を検出する主光学系
と、前記主光学系で照射されたレーザ光の検出側から、
前記主光学系とは異なる波長のレーザ光を、前記主光学
系よりさらに浅い入射角度で前記ペリクルに照射する補
助光学系と、この補助光学系から照射されたレーザ光の
散乱光の有無を検出する補助検出系と、前記主検出系と
補助検出系から散乱光の検出結果を取り込み、主検出系
でのみ散乱光を検出したか、主検出系と補助検出系の両
方で散乱光を検出したかを判断し、前記ペリクルへの異
物の付着の有無と付着面とを判定する処理系とを備えて
いることを特徴とする異物検査装置。６、特許請求の範囲第５項において、前記ペリクルに対
して主光学系からはレーザ光を１０〜２０度の入射角度
で照射し、補助光学系からはレーザ光を１〜５度の入射
角度で照射することを特徴とする異物検査装置。