JPH03153255A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH03153255A JPH03153255A JP1292633A JP29263389A JPH03153255A JP H03153255 A JPH03153255 A JP H03153255A JP 1292633 A JP1292633 A JP 1292633A JP 29263389 A JP29263389 A JP 29263389A JP H03153255 A JPH03153255 A JP H03153255A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置製造のフォト工程で用いられる、
ペリクルを装着したフォトマスクに関する。
ペリクルを装着したフォトマスクに関する。
半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーと称す、）を使用することが一
般的であるが、近年、素子の微細化が進み、集積度が増
すにつれて、フォトマスク上の異物の転写が問題となっ
てきている。ステッパーに用いるフォトマスクを、一般
的にレチクルと呼ぶが、ステッパーは、このレチクル上
のパターンを、５分の１、または、１０分の１に縮小し
て投影する。しかし、最近は投影レンズやレジストの解
像性能向上により、レチクル上にミクロンオーダーの異
物があっても、十分に転写するようになってきた。そし
て、転写された異物はパターン欠陥となり、半導体素子
の機能を劣化させ１歩留りを低下させる。 そこで、最近、異物の転写を防止する方法として、ペリ
クルが使用されている。第２図は、ペリクルを装着した
従来のレチクルを示す図であるが、ペリクル２３は、ニ
トロセルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ
合金などの金属からなるペリクル枠２２を介して、レチ
クル２１からある一定の距離をおいて、レチクル２１上
のパターン部を保護するように覆って固定される。前記
ペリクル２３上には、空気中の異物が、ペリクルのない
時と同様に付着するが、投影露光時の焦点位置は、レチ
クル２１面上にあるため、ペリクル２３上の異物に対し
ては焦点ズレとなり、約５０ミクロン以下の大きさの異
物は転写しない仕組みとなっている。このように、ペリ
クルを使用することによって、異物転写に起因するパタ
ーン欠陥は著しく減少した。 ところで、前述のように、ペリクルを使用することによ
り、異物の転写が低減されたものの、依然、ペリクル２
３上、及び、レチクル２１上の異物検査は必須である。 そこで、これら異物の一般的な検査方法を示す図が第３
図である。Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム３５は、水平方向
に対して、ある一定の角度を保って斜め方向から、ペリ
クル３２に、または、前記ペリクル３２を通して、レチ
クル３１上に入射し、各々の面上を走査する。そして、
ペリクル３２上の異物３３、または、レチクル３１上の
異物３４に対して、走査されたレーザービームが当たる
と、散乱光を発するため、それを、検出器３６によって
検出することにより。 前記異物の大きさ、位置を判定する方式である。 ところが、従来のペリクル枠は、アルミ合金などの金属
からなるために、その表面は高反射面である。従って、
第２図に示すように、ペリクル２３を通して、レチクル
２１上に入射したレーザービーム２４が、前記レチクル
２１上のクロム面で反射し、それが更に、ペリクル枠２
２の内壁で反射される。そして、その反射光が、検出器
に検出されることにより、誤検出が生じ、異物検査の障
害となってきた。そこで、従来は、ペリクル枠の全面、
または側面に１反射防止膜を塗布し反射を防止していた
。
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーと称す、）を使用することが一
般的であるが、近年、素子の微細化が進み、集積度が増
すにつれて、フォトマスク上の異物の転写が問題となっ
てきている。ステッパーに用いるフォトマスクを、一般
的にレチクルと呼ぶが、ステッパーは、このレチクル上
のパターンを、５分の１、または、１０分の１に縮小し
て投影する。しかし、最近は投影レンズやレジストの解
像性能向上により、レチクル上にミクロンオーダーの異
物があっても、十分に転写するようになってきた。そし
て、転写された異物はパターン欠陥となり、半導体素子
の機能を劣化させ１歩留りを低下させる。 そこで、最近、異物の転写を防止する方法として、ペリ
クルが使用されている。第２図は、ペリクルを装着した
従来のレチクルを示す図であるが、ペリクル２３は、ニ
トロセルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ
合金などの金属からなるペリクル枠２２を介して、レチ
クル２１からある一定の距離をおいて、レチクル２１上
のパターン部を保護するように覆って固定される。前記
ペリクル２３上には、空気中の異物が、ペリクルのない
時と同様に付着するが、投影露光時の焦点位置は、レチ
クル２１面上にあるため、ペリクル２３上の異物に対し
ては焦点ズレとなり、約５０ミクロン以下の大きさの異
物は転写しない仕組みとなっている。このように、ペリ
クルを使用することによって、異物転写に起因するパタ
ーン欠陥は著しく減少した。 ところで、前述のように、ペリクルを使用することによ
り、異物の転写が低減されたものの、依然、ペリクル２
３上、及び、レチクル２１上の異物検査は必須である。 そこで、これら異物の一般的な検査方法を示す図が第３
図である。Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム３５は、水平方向
に対して、ある一定の角度を保って斜め方向から、ペリ
クル３２に、または、前記ペリクル３２を通して、レチ
クル３１上に入射し、各々の面上を走査する。そして、
ペリクル３２上の異物３３、または、レチクル３１上の
異物３４に対して、走査されたレーザービームが当たる
と、散乱光を発するため、それを、検出器３６によって
検出することにより。 前記異物の大きさ、位置を判定する方式である。 ところが、従来のペリクル枠は、アルミ合金などの金属
からなるために、その表面は高反射面である。従って、
第２図に示すように、ペリクル２３を通して、レチクル
２１上に入射したレーザービーム２４が、前記レチクル
２１上のクロム面で反射し、それが更に、ペリクル枠２
２の内壁で反射される。そして、その反射光が、検出器
に検出されることにより、誤検出が生じ、異物検査の障
害となってきた。そこで、従来は、ペリクル枠の全面、
または側面に１反射防止膜を塗布し反射を防止していた
。
しかし、前述の従来技術では１反射防止効果が十分では
なく、誤検出を十分に防止するためには、ペリクル枠の
内壁から数ミリまでの領域を検査することができず、前
記領域内にある異物を検出できなかった。従って、これ
ら異物が、検査後のレチクル搬送中、または、露光中に
レチクルの中心へ向かって移動し、それが転写されるこ
とに起因するパターン欠陥も、しばしば発生した。この
ように、従来技術では、異物検査時の、ペリクル枠内壁
の反射の影響による誤検出を十分に低減できず、そのた
めペリクル枠近傍の領域が検査不能となり、この領域に
存在する異物に起因するパターン欠陥を防ぐことができ
ないという問題を有していた。 そこで、本発明はこのような問題を解決するものであり
、その目的とするところは異物検査時のペリクル枠内壁
の反射の影響による誤検出を十分に低減し、ペリクル枠
近傍の領域の異物検査を可能にし、この領域に存在する
異物に起因するパターン欠陥を防止することにある。 〔課題を解決するための手段］ （１）本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着したフ
ォトマスクにおいて、前記フォトマスクへ、ペリクルを
装着するためのペリクル枠が前記ペリクル面、またはフ
ォトマスク面上の異物検査に用いる異物検出光に対して
透明であることを特徴とする。 （２）本発明の半導体装置製造の製造方法は、前記第１
項記載のフォトマスクを用いることを特徴とする。 〔実 施 例Ｊ 第１図は、ペリクルを装着した本発明のレチクルを示す
図であるが、従来と同様に、ペリクル１３は、ニトロセ
ルロースに代表される透明薄膜からなり、ペリクル枠１
２を介して、レチクル１１からある一定の距離をおいて
、レチクル１１上のパターン部を保護するように覆って
固定される。 ここで、ペリクル枠１２は、透明な石英ガラスからなり
、異物検査時のＨｅ−Ｎｅレーザー光は。 容易に透過するものである。このように、ペリクル枠１
２が透明であるために、第１図のように異物検査時のＨ
ｅ−Ｎｅレーザービーム１４が、しチクル１１上のクロ
ム面上で反射され、ペリクル枠１２の内壁に達しても、
はとんど反射されずに透過してしまう、従って、異物検
査時の、ペリクル枠内壁の反射の影響による誤検出は著
しく低減され、また、ペリクル枠近傍の領域の異物検査
が可能となった。これによって、半導体装置製造のフォ
ト工程において、前記領域に存在する異物に起因して生
じるパターン欠陥を十分に防止することができるように
なった。 以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外に。 ・ステッパーに用いられるレチクルに限らず、本発明を
ｌ＝１投影露光装置用のマスクに適用する。 ・ペリクル枠の材質として、透明な石英ガラスに限らず
、異物検出光に対して透明である合成樹脂等、他の材料
を用いる。 ・異物検出光として、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光に限らず、
別のレーザー光、または、レーザー光以外の光を用いて
異物検査を行なう。 などの場合についても、本実施例と同様な利点が得られ
る。 ［発明の効果１ 以上述べたように、本発明によれば。 （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記
フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠
が前記ペリクル面、またはフォトマスク面上の異物検査
に用いる異物検出光に対して透明である。 （２）半導体装置製造のフォト工程において、前記第１
項記載のフォトマスクを用いる。 ことにより、ペリクル面、または、フォトマスク面の異
物を検査する時の、ペリクル枠内壁の反射の影響による
誤検出を十分に低減し、ペリクル枠近傍の領域の異物検
査を可能にし、半導体装置製造のフォト工程において、
前記領域に存在する異物に起因して生じるパターン欠陥
を十分に防止できるという効果を有するものである。
なく、誤検出を十分に防止するためには、ペリクル枠の
内壁から数ミリまでの領域を検査することができず、前
記領域内にある異物を検出できなかった。従って、これ
ら異物が、検査後のレチクル搬送中、または、露光中に
レチクルの中心へ向かって移動し、それが転写されるこ
とに起因するパターン欠陥も、しばしば発生した。この
ように、従来技術では、異物検査時の、ペリクル枠内壁
の反射の影響による誤検出を十分に低減できず、そのた
めペリクル枠近傍の領域が検査不能となり、この領域に
存在する異物に起因するパターン欠陥を防ぐことができ
ないという問題を有していた。 そこで、本発明はこのような問題を解決するものであり
、その目的とするところは異物検査時のペリクル枠内壁
の反射の影響による誤検出を十分に低減し、ペリクル枠
近傍の領域の異物検査を可能にし、この領域に存在する
異物に起因するパターン欠陥を防止することにある。 〔課題を解決するための手段］ （１）本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着したフ
ォトマスクにおいて、前記フォトマスクへ、ペリクルを
装着するためのペリクル枠が前記ペリクル面、またはフ
ォトマスク面上の異物検査に用いる異物検出光に対して
透明であることを特徴とする。 （２）本発明の半導体装置製造の製造方法は、前記第１
項記載のフォトマスクを用いることを特徴とする。 〔実 施 例Ｊ 第１図は、ペリクルを装着した本発明のレチクルを示す
図であるが、従来と同様に、ペリクル１３は、ニトロセ
ルロースに代表される透明薄膜からなり、ペリクル枠１
２を介して、レチクル１１からある一定の距離をおいて
、レチクル１１上のパターン部を保護するように覆って
固定される。 ここで、ペリクル枠１２は、透明な石英ガラスからなり
、異物検査時のＨｅ−Ｎｅレーザー光は。 容易に透過するものである。このように、ペリクル枠１
２が透明であるために、第１図のように異物検査時のＨ
ｅ−Ｎｅレーザービーム１４が、しチクル１１上のクロ
ム面上で反射され、ペリクル枠１２の内壁に達しても、
はとんど反射されずに透過してしまう、従って、異物検
査時の、ペリクル枠内壁の反射の影響による誤検出は著
しく低減され、また、ペリクル枠近傍の領域の異物検査
が可能となった。これによって、半導体装置製造のフォ
ト工程において、前記領域に存在する異物に起因して生
じるパターン欠陥を十分に防止することができるように
なった。 以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外に。 ・ステッパーに用いられるレチクルに限らず、本発明を
ｌ＝１投影露光装置用のマスクに適用する。 ・ペリクル枠の材質として、透明な石英ガラスに限らず
、異物検出光に対して透明である合成樹脂等、他の材料
を用いる。 ・異物検出光として、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光に限らず、
別のレーザー光、または、レーザー光以外の光を用いて
異物検査を行なう。 などの場合についても、本実施例と同様な利点が得られ
る。 ［発明の効果１ 以上述べたように、本発明によれば。 （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記
フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠
が前記ペリクル面、またはフォトマスク面上の異物検査
に用いる異物検出光に対して透明である。 （２）半導体装置製造のフォト工程において、前記第１
項記載のフォトマスクを用いる。 ことにより、ペリクル面、または、フォトマスク面の異
物を検査する時の、ペリクル枠内壁の反射の影響による
誤検出を十分に低減し、ペリクル枠近傍の領域の異物検
査を可能にし、半導体装置製造のフォト工程において、
前記領域に存在する異物に起因して生じるパターン欠陥
を十分に防止できるという効果を有するものである。
第１図は１本発明の一実施例である、ペリクルを装着し
たフォトマスク（レチクル）と、異物検査時の異物検出
光の光路を示す図である。 第２図は、従来のペリクルを装着したフォトマスク（レ
チクル）と、異物検査時の異物検出光の光路を示す図で
ある。 第３図は、ペリクルを装着したフォトマスク（レチクル
）のペリクル面、または、フォトマスク面上の異物を検
査する際の、一般的な異物検出方式を示す図である。 ２ ３ ４ ５ ６ ペリクル ペリクル面上の異物 レチクル面上の異物 Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム 検出器 以上
たフォトマスク（レチクル）と、異物検査時の異物検出
光の光路を示す図である。 第２図は、従来のペリクルを装着したフォトマスク（レ
チクル）と、異物検査時の異物検出光の光路を示す図で
ある。 第３図は、ペリクルを装着したフォトマスク（レチクル
）のペリクル面、または、フォトマスク面上の異物を検
査する際の、一般的な異物検出方式を示す図である。 ２ ３ ４ ５ ６ ペリクル ペリクル面上の異物 レチクル面上の異物 Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム 検出器 以上
Claims (2)
- （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記
フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠
が前記ペリクル面、またはフォトマスク面上の異物検査
に用いる異物検出光に対して透明であることを特徴とす
るフォトマスク。 - （２）半導体装置製造のフォト工程において、請求項１
記載のフォトマスクを用いることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292633A JPH03153255A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292633A JPH03153255A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153255A true JPH03153255A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17784318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1292633A Pending JPH03153255A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153255A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07248615A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 防塵膜 |
| JPH08160597A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Watanabe Shoko:Kk | ペリクル及びレチクル |
| JP2004004998A (ja) * | 1994-10-07 | 2004-01-08 | Watanabe Shoko:Kk | レチクル |
| JP2007219138A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nikon Corp | マスク及び露光装置 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1292633A patent/JPH03153255A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07248615A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 防塵膜 |
| JPH08160597A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Watanabe Shoko:Kk | ペリクル及びレチクル |
| JP2004004998A (ja) * | 1994-10-07 | 2004-01-08 | Watanabe Shoko:Kk | レチクル |
| JP2007219138A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nikon Corp | マスク及び露光装置 |
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