JPH01185434A - Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法Info
- Publication number
- JPH01185434A JPH01185434A JP63009482A JP948288A JPH01185434A JP H01185434 A JPH01185434 A JP H01185434A JP 63009482 A JP63009482 A JP 63009482A JP 948288 A JP948288 A JP 948288A JP H01185434 A JPH01185434 A JP H01185434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- foreign matter
- pattern
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4702—Global scatter; Total scatter, excluding reflections
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/473—Compensating for unwanted scatter, e.g. reliefs, marks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/104—Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光用マスク（ホトマスク）のマスク上異
物検査方法、特に半導体などの露光に使用するＸ線露光
用マスク上の極微小異物の検出に使用するマスク上異物
検査方法に関するものである。
物検査方法、特に半導体などの露光に使用するＸ線露光
用マスク上の極微小異物の検出に使用するマスク上異物
検査方法に関するものである。
半導体ではマスク上のパターンをウェハに繰返して露出
するので、マスク上に異物があると、露光されたパター
ンはすべて不良になる。
するので、マスク上に異物があると、露光されたパター
ンはすべて不良になる。
この問題を解決する一つの方法として、従来の技術では
、小泉他、評価システム「最新半導体工場自動化システ
ム総合技術集成」別刷、３４２ｐ。
、小泉他、評価システム「最新半導体工場自動化システ
ム総合技術集成」別刷、３４２ｐ。
サイエンスフォーラム刊（昭和５９年７月２５日発行）
に開示されている如く、マスク上にペリクルと呼ばれる
透明薄膜を設けて、マスク上のパターンに直接異物が付
着するのを防止している。
に開示されている如く、マスク上にペリクルと呼ばれる
透明薄膜を設けて、マスク上のパターンに直接異物が付
着するのを防止している。
また、他の方法として、異物を検出するために、特開昭
５９−１８６３２４号公報に開示されている如く、光透
過性の板状基体の一方から光ビームを照射し、その板状
物体に付着した異物から生じる散乱光を検出して、異物
の有無を検査する方法があり、これによってマスク上の
パターンの影響を受けずに異物だけを検査することを可
能にしている。
５９−１８６３２４号公報に開示されている如く、光透
過性の板状基体の一方から光ビームを照射し、その板状
物体に付着した異物から生じる散乱光を検出して、異物
の有無を検査する方法があり、これによってマスク上の
パターンの影響を受けずに異物だけを検査することを可
能にしている。
前述のペリクルを用いる方法は、異物の付着を減少させ
ることはできるが、異物の付着を皆無とすることはでき
ないので、ペリクル上の異物の検査が必要となるが、ペ
リクルがマスクのパターン面に接近して設けられている
場合には、下のパターンが邪魔になって、ペリクル上の
異物の検出はできない。
ることはできるが、異物の付着を皆無とすることはでき
ないので、ペリクル上の異物の検査が必要となるが、ペ
リクルがマスクのパターン面に接近して設けられている
場合には、下のパターンが邪魔になって、ペリクル上の
異物の検出はできない。
また、特開昭５９−１８６３２４号公報に開示されてい
る方法の検出可能な最小異物は２μｍでこれ以下の異物
の検出はできない。
る方法の検出可能な最小異物は２μｍでこれ以下の異物
の検出はできない。
しかし、今後の超々ＬＳＩの露光に使用されるＸ線マス
クの場合には、マスクとウェハとの間隔を３０μｍ以下
にしなければならないため、ペリクルの使用は困難であ
り、また露光の際、欠陥の原因となる異物寸法は０．１
５ μｍ程度であるため、特開昭５９−１８６３２４号
公報に開示されている方法も適用することができない。
クの場合には、マスクとウェハとの間隔を３０μｍ以下
にしなければならないため、ペリクルの使用は困難であ
り、また露光の際、欠陥の原因となる異物寸法は０．１
５ μｍ程度であるため、特開昭５９−１８６３２４号
公報に開示されている方法も適用することができない。
本発明の目的は上述の如くペリクルの使用が困難である
Ｘ線露光用マスク上の極微小異物の検出、特に、表面に
被着させた膜上に凹凸がある場合の異物の検出を可能と
する方法を提供することにある。
Ｘ線露光用マスク上の極微小異物の検出、特に、表面に
被着させた膜上に凹凸がある場合の異物の検出を可能と
する方法を提供することにある。
前述の課題を解決するためにとられた発明の主なるもの
の一つの構成は、Ｘ線を用いて半導体等にパターンを露
光するためのＸ線露光用マスクのマスク上異物検査方法
において、前記Ｘ線露光用マスクの前記パターン上に該
パターンの露光に用いるＸ線の波長領域以外の特定の波
長領域の光を殆んど吸収する膜厚を最小膜厚とする有機
膜を塗布してあり、該有機膜に前記特定領域の波長のＰ
偏光を入射角をブリュースター角として照射し散乱光の
有無を検出して異物の検出を行なうことを特徴とし、他
の一つの構成は前記Ｘ線露光用マスクの前記パターンの
基材が前記パターンの露光に用いるＸ線の波長領域以外
の特定の波長領域の光を殆んど吸収する膜厚を最小膜厚
とする第１の有機膜を主要構成材料とし、前記パターン
上に該第１の有機膜と同様の第２の有機膜が塗布してあ
り、前記基材側には前記特定領域の波長の光を入射角を
垂直として照射し、前記パターン側には前記特定領域の
波長のＰ偏光を入射角をブリュースター角として照射し
、散乱光の有無を検出して異物の検出を行なうことを特
徴とするものである。
の一つの構成は、Ｘ線を用いて半導体等にパターンを露
光するためのＸ線露光用マスクのマスク上異物検査方法
において、前記Ｘ線露光用マスクの前記パターン上に該
パターンの露光に用いるＸ線の波長領域以外の特定の波
長領域の光を殆んど吸収する膜厚を最小膜厚とする有機
膜を塗布してあり、該有機膜に前記特定領域の波長のＰ
偏光を入射角をブリュースター角として照射し散乱光の
有無を検出して異物の検出を行なうことを特徴とし、他
の一つの構成は前記Ｘ線露光用マスクの前記パターンの
基材が前記パターンの露光に用いるＸ線の波長領域以外
の特定の波長領域の光を殆んど吸収する膜厚を最小膜厚
とする第１の有機膜を主要構成材料とし、前記パターン
上に該第１の有機膜と同様の第２の有機膜が塗布してあ
り、前記基材側には前記特定領域の波長の光を入射角を
垂直として照射し、前記パターン側には前記特定領域の
波長のＰ偏光を入射角をブリュースター角として照射し
、散乱光の有無を検出して異物の検出を行なうことを特
徴とするものである。
本発明では、パターン付マスク上に特定の領域の波長の
光を吸収する有機膜を塗布し、特定波長の光を照射し有
機膜表面からの散乱光を検出するので、照射した特定の
領域の波長の光は、有機膜により吸収され、マスク上の
パターンには到達しない。従って、マスク上のパターン
による散乱光を生じない。
光を吸収する有機膜を塗布し、特定波長の光を照射し有
機膜表面からの散乱光を検出するので、照射した特定の
領域の波長の光は、有機膜により吸収され、マスク上の
パターンには到達しない。従って、マスク上のパターン
による散乱光を生じない。
一方有機膜上に異物があると、照射光は異物により強く
散乱されるため、有機膜表面からの散乱光を常時検出す
れば、異物検出が可能となる。
散乱されるため、有機膜表面からの散乱光を常時検出す
れば、異物検出が可能となる。
しかし、有機膜表面に凹凸がある場合には、異物故乱光
と共に凹凸での正反射光が検出される。
と共に凹凸での正反射光が検出される。
第３図はこのような場合の露光状態の説明図で、素
１はＸ線マスク、２は照光器、３は検出器、４は照明光
を示しており、Ｘ線マスク１は支持材１ａ。
を示しており、Ｘ線マスク１は支持材１ａ。
基材１ｂ（第１層）、ｌｃ（第２層）パターン１ｄ、有
機膜１ｅよりなっており、５は異物、６及び７はそれぞ
れ異物５及び有機膜１ｅからの散乱光を示している。そ
して、照明光４が入射した場合、異物５と有機膜１ｅか
ら散乱光６及び７を発生するので、異物と凹凸の弁別が
できず誤検出を招く。
機膜１ｅよりなっており、５は異物、６及び７はそれぞ
れ異物５及び有機膜１ｅからの散乱光を示している。そ
して、照明光４が入射した場合、異物５と有機膜１ｅか
ら散乱光６及び７を発生するので、異物と凹凸の弁別が
できず誤検出を招く。
そこで１本発明では、有機膜表面に凹凸がある場合はＰ
偏光ブリュースター角度で照射する方法を用いている。
偏光ブリュースター角度で照射する方法を用いている。
従って、有機膜表面での正反射光成分は零にすることが
でき、異物散乱光のみを検出することが可能となる。基
材側は有機膜表面に凹凸がないので、垂直落射照明で異
物の検出が可能である。
でき、異物散乱光のみを検出することが可能となる。基
材側は有機膜表面に凹凸がないので、垂直落射照明で異
物の検出が可能である。
以下、実施例について説明する。
第１図は、一実施例の実施状態の説明図、第２図は一実
施例の実施に使用されるＸａ露光用マスクのマスク上異
物検査袋口の説明図であり、ブリュースター角照明と落
射照明とを同時に行なう場合が示しである。これらの図
で、第３図と同一部分には同一符号が付しである。８は
ブリュースター角照明部、９は落射照明部を示している
。
施例の実施に使用されるＸａ露光用マスクのマスク上異
物検査袋口の説明図であり、ブリュースター角照明と落
射照明とを同時に行なう場合が示しである。これらの図
で、第３図と同一部分には同一符号が付しである。８は
ブリュースター角照明部、９は落射照明部を示している
。
Ｘ線マスク１は、例えばＳｉからなる支持材１ａに支持
されている、ＢＮよりなる基材１ｂ（第１層）と、例え
ばＰ Ｉ Ｑ （Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ １ｓｏ−ｉｎｄ
ｒｏｑ糺ｚｏｌｉｎｅｄｉｏｎｅ）よりなる基材１ｃ（
第２層）との複合体上に形成されている。例えばＡｕよ
りなるパターン１ｄを、例えばＰＩＱよりなる有機膜１
ｅで被覆して構成され、−軸ステージ１０上のホルダ部
１１上に固定される。
されている、ＢＮよりなる基材１ｂ（第１層）と、例え
ばＰ Ｉ Ｑ （Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ １ｓｏ−ｉｎｄ
ｒｏｑ糺ｚｏｌｉｎｅｄｉｏｎｅ）よりなる基材１ｃ（
第２層）との複合体上に形成されている。例えばＡｕよ
りなるパターン１ｄを、例えばＰＩＱよりなる有機膜１
ｅで被覆して構成され、−軸ステージ１０上のホルダ部
１１上に固定される。
なお、有機膜として用いるＰＩＱには、膜厚５μｍ以下
、０．５ μｍ以上のものが用いられる。
、０．５ μｍ以上のものが用いられる。
ブリュースター照明部８は、波長３８０ｎｍ以下の光を
発生するレーザ発振器１２．ビームエクスパンダ１３．
集光レンズ１４を有し、ガルバミラー１５によって一軸
ステージ１０の移動方向１６と垂直方向に偏向走査され
る光（ブリュースター角照明光）１７をＸ線マスク１に
ブリュースター角で入射させるためのブリュースター角
照明用ミラー１８とＸ線マスク１の有機膜ｌｃ上の異物
５で散乱した光１９を集光する集光器３ｏと、集光器２
０で集光した光を検出する検出器３を有している。
発生するレーザ発振器１２．ビームエクスパンダ１３．
集光レンズ１４を有し、ガルバミラー１５によって一軸
ステージ１０の移動方向１６と垂直方向に偏向走査され
る光（ブリュースター角照明光）１７をＸ線マスク１に
ブリュースター角で入射させるためのブリュースター角
照明用ミラー１８とＸ線マスク１の有機膜ｌｃ上の異物
５で散乱した光１９を集光する集光器３ｏと、集光器２
０で集光した光を検出する検出器３を有している。
落射照明部９は、第２図では図示を省略しであるが、ブ
リュースター角照明部８と同様にして発生し一軸ステー
ジ１０の移動方向１６と垂直方向に偏向走査される光（
照明光）２１をＸ線マスク１に直角方向から入射させる
ようになっており、Ｘ線マスク１上の異物２２で散乱し
た光２３を集光する集光器２４と、集光器２４で集光し
た光を検出する検出器２５を有している。
リュースター角照明部８と同様にして発生し一軸ステー
ジ１０の移動方向１６と垂直方向に偏向走査される光（
照明光）２１をＸ線マスク１に直角方向から入射させる
ようになっており、Ｘ線マスク１上の異物２２で散乱し
た光２３を集光する集光器２４と、集光器２４で集光し
た光を検出する検出器２５を有している。
このマスク上異物検査方法を用いてＸ線露光用マスクを
検査するには、ＰＩＱが塗布されているＸ線マスク１を
一軸ステージ１ｏ上のホルダ部１１にパターン１ｄ側を
上にして載置し、パターン１ｄ側はブリュースター角照
明部８において、基材側は落射照明部９において一軸ス
テージ１０の移動と連動して走査すると、パターン側の
有機膜１ｅ上、基材１ｂ（第１層）上にそれぞれ異物５
．２２が在存する場合には、異物５及び２０で散乱した
光１９及び２３は、それぞれ集光器２０及び２４により
集光され、それぞれ、検出器３及び２１で検出すること
ができる。
検査するには、ＰＩＱが塗布されているＸ線マスク１を
一軸ステージ１ｏ上のホルダ部１１にパターン１ｄ側を
上にして載置し、パターン１ｄ側はブリュースター角照
明部８において、基材側は落射照明部９において一軸ス
テージ１０の移動と連動して走査すると、パターン側の
有機膜１ｅ上、基材１ｂ（第１層）上にそれぞれ異物５
．２２が在存する場合には、異物５及び２０で散乱した
光１９及び２３は、それぞれ集光器２０及び２４により
集光され、それぞれ、検出器３及び２１で検出すること
ができる。
この際、ブリュースター角照明光１７及び照明光２１に
は波長３８０ｎｍ以下の光が用いられる。
は波長３８０ｎｍ以下の光が用いられる。
ＰＩＱの分光透過率は、横軸及び縦軸をそれぞれ波長（
ｎ ｍ）及び透過率（％）で示した第４図から明らかな
如く、３８０ｎｍ以下の光では透過率が極めて小さくな
る性質を有している。一方、Ｘ線のように更に短かい波
長（１〜２０ｎｍ）のものに対しては、ＰＩＱの透過率
は１００％に近い値を有している。
ｎ ｍ）及び透過率（％）で示した第４図から明らかな
如く、３８０ｎｍ以下の光では透過率が極めて小さくな
る性質を有している。一方、Ｘ線のように更に短かい波
長（１〜２０ｎｍ）のものに対しては、ＰＩＱの透過率
は１００％に近い値を有している。
従って、Ｘ線マスク１の上に第１図に示す如く、有機膜
１ｅとして、ＰＩＱを塗布しておけば、空中の異物５は
、このＰＩＱ膜の上に付着する。そして、異物検査に当
っては、波長３８０ｎｍ以下の光を照射すると、ＰＩＱ
膜に当った光はＰＩＱ膜に吸収されて散乱光を生じない
が、ＰＩＱ膜上の異物２２に当った光は散乱光２３を生
ずるので、散乱光２３を散乱光検出器２５で検出するだ
けで異物の検出が可能となる。
１ｅとして、ＰＩＱを塗布しておけば、空中の異物５は
、このＰＩＱ膜の上に付着する。そして、異物検査に当
っては、波長３８０ｎｍ以下の光を照射すると、ＰＩＱ
膜に当った光はＰＩＱ膜に吸収されて散乱光を生じない
が、ＰＩＱ膜上の異物２２に当った光は散乱光２３を生
ずるので、散乱光２３を散乱光検出器２５で検出するだ
けで異物の検出が可能となる。
すなわち、基材１ｂ（第１層）側は、基材１ｂ＋ １
ｃの厚さが十分に厚いため基材１ ｂ＋１ ｃの表面に
凹凸はない。従って、基材側は落射照明部９を用いて異
物検出を行なえば良い。
ｃの厚さが十分に厚いため基材１ ｂ＋１ ｃの表面に
凹凸はない。従って、基材側は落射照明部９を用いて異
物検出を行なえば良い。
一方、パターンｌｄ側はパターン１ｄの段差により有機
膜１０表面に凹凸が生じており、前述（第３図参照）の
如く、異物散乱光６９表面凹凸散乱光７共に検出器３に
到達するため、凹凸と異物との区別が不可能となるが、
この実施例においては、Ｐ偏光ブリュースター角度での
照明検出を行なうので、表面凹凸による正反射光を殆ん
ど零にすることができ、異物の散乱光のみを検出するこ
とが可能となる。すなわち、ブリュースター角照明光１
７で照明されたＰＩＱ表面は、表面反射が零となり、異
物５より発生した散乱光１９のみが、集光器２０を介し
て検出器３によって検出される。
膜１０表面に凹凸が生じており、前述（第３図参照）の
如く、異物散乱光６９表面凹凸散乱光７共に検出器３に
到達するため、凹凸と異物との区別が不可能となるが、
この実施例においては、Ｐ偏光ブリュースター角度での
照明検出を行なうので、表面凹凸による正反射光を殆ん
ど零にすることができ、異物の散乱光のみを検出するこ
とが可能となる。すなわち、ブリュースター角照明光１
７で照明されたＰＩＱ表面は、表面反射が零となり、異
物５より発生した散乱光１９のみが、集光器２０を介し
て検出器３によって検出される。
次に、第５図及び第６図を用いて原理を説明す八′
る。２６及び２７はそれぞれ屈折率噸及び−′なる媒質
、２８．２９及び３０はそれぞれ強度ＥｐのＰ偏光入射
光、強度Ｒｐの反射光、屈折光、ｉＬ及び１２はそれぞ
れ入射角番及び屈折角部を示しており、第６図は横軸、
縦軸にそれぞれ入射ｐ 屈折率の違う物質に偏光をもった光が入射する場合、反
射光３ｏの強度Ｒｐは入射角１１に依存し、ＥｐとＲｐ
の比はフレネルの式より、但しｎ （ｎ ’ となる。
、２８．２９及び３０はそれぞれ強度ＥｐのＰ偏光入射
光、強度Ｒｐの反射光、屈折光、ｉＬ及び１２はそれぞ
れ入射角番及び屈折角部を示しており、第６図は横軸、
縦軸にそれぞれ入射ｐ 屈折率の違う物質に偏光をもった光が入射する場合、反
射光３ｏの強度Ｒｐは入射角１１に依存し、ＥｐとＲｐ
の比はフレネルの式より、但しｎ （ｎ ’ となる。
そこで、Ｐ偏光照明を行ない、有機膜としてＰＩＱを使
用した場合、ＰＩＱの屈折率は１．８゜空気の屈折率は
１であるから、ｎ＝１．ｎ’＝１．８ として、（１）
式を用いてＥｐとＲＰの比を計算すると第６図が得られ
る。この図がら１１＝６１″のときＥＰとＲｐの比は零
になる。また６１＠±５″の範囲内ではＥｐとＲｐの比
をＯ，Ｓ％以下に抑えることができる。
用した場合、ＰＩＱの屈折率は１．８゜空気の屈折率は
１であるから、ｎ＝１．ｎ’＝１．８ として、（１）
式を用いてＥｐとＲＰの比を計算すると第６図が得られ
る。この図がら１１＝６１″のときＥＰとＲｐの比は零
になる。また６１＠±５″の範囲内ではＥｐとＲｐの比
をＯ，Ｓ％以下に抑えることができる。
従って、ｎ’ ＝１．８ の屈折率を持つ有機膜を用い
た場合、Ｐ偏光照明の照射角度を６１°に設定すれば、
その有機膜の凹凸の影響を受けずに異物散乱光を検出す
ることができる。
た場合、Ｐ偏光照明の照射角度を６１°に設定すれば、
その有機膜の凹凸の影響を受けずに異物散乱光を検出す
ることができる。
この実施例の方法を用いることにより、マスク上のパタ
ーンの影響、及び表面有機膜の凹凸の形能となるのでＬ
Ｓ Ｉ製品歩留り向上に大きな効果がある。
ーンの影響、及び表面有機膜の凹凸の形能となるのでＬ
Ｓ Ｉ製品歩留り向上に大きな効果がある。
本発明のＸ線露光用のマスク上異物検査方法は、ペリク
ルの使用が困難であるＸ線露光用マスク上の極小異物の
検出、特に、表面に被着させた膜上に凹凸がある場合の
異物の検出を可能とする方法を提供するもので、産業上
の効果の大なるものである。
ルの使用が困難であるＸ線露光用マスク上の極小異物の
検出、特に、表面に被着させた膜上に凹凸がある場合の
異物の検出を可能とする方法を提供するもので、産業上
の効果の大なるものである。
第１図は本発明のＸ線露光用マスク上異物検査方法の一
実施例の実施状態の説明図、第２図は第１図の実施例の
実施に使用される装置の説明図、第３図は有機膜表面に
凹凸がある場合の露光状態の説明図、第４図は第１図の
Ｘ線露光用マスクで用いるＰＩＱの分光透過率を示す線
図、第５図は本発明のＸ線露光用マスク上異物検査方法
の原理の説明図、第６図は同じく線図である。 １・・・Ｘ線マスク、１ａ・・・支持材、ｌｂ、ｌｃ・
・・基材、１ｄ・・・パターン、１ｅ・・・有機膜、３
，２５・・・検出器、５，２２・・・異物、８・・・ブ
リュースター角照明部、９・・・落射照明部、１７・・
・ブリュースター第１図 第３図 率午日 表蚤
実施例の実施状態の説明図、第２図は第１図の実施例の
実施に使用される装置の説明図、第３図は有機膜表面に
凹凸がある場合の露光状態の説明図、第４図は第１図の
Ｘ線露光用マスクで用いるＰＩＱの分光透過率を示す線
図、第５図は本発明のＸ線露光用マスク上異物検査方法
の原理の説明図、第６図は同じく線図である。 １・・・Ｘ線マスク、１ａ・・・支持材、ｌｂ、ｌｃ・
・・基材、１ｄ・・・パターン、１ｅ・・・有機膜、３
，２５・・・検出器、５，２２・・・異物、８・・・ブ
リュースター角照明部、９・・・落射照明部、１７・・
・ブリュースター第１図 第３図 率午日 表蚤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線を用いて半導体等にパターンを露光するための
Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法において、前
記Ｘ線露光用マスクの前記パターン上に該パターンの露
光に用いるＸ線の波長領域以外の特定の波長領域の光を
殆んど吸収する膜厚を最小膜厚とする有機膜を塗布して
あり、該有機膜に前記特定領域の波長のＰ偏光を入射角
をブリュースター角として照射し散乱光の有無を検出し
て異物の検出を行なうことを特徴とするＸ線露光用マス
クのマスク上異物検査方法。 ２、前記有機膜が、膜厚５μｍ以下、０．５μｍ以上の
ＰＩＱで、前記特定の範囲の領域の光の波長が３８０μ
ｍ以下の波長である特許請求の範囲第１項記載のＸ線露
光用マスクのマスク上異物検査方法。 ３、Ｘ線を用いて半導体等にパターンを露光するための
Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法において、前
記Ｘ線露光用マスクの前記パターンの基材が前記パター
ンの露光に用いるＸ線の波長領域以外の特定の波長領域
の光を殆んど吸収する膜厚を最小膜厚とする第１の有機
膜を主要構成材料とし、前記パターン上に該第１の有機
膜と同様の第２の有機膜が塗布してあり、前記基材側に
は前記特定領域の波長の光を入射角を垂直として照射し
、前記パターン側には前記特定領域の波長のＰ偏光を入
射角をブリュースター角として照射し、散乱光の有無を
検出して異物の検出を行なうことを特徴とするＸ線露光
用マスクのマスク上異物検査方法。 ４、前記有機膜が、膜厚が５μｍ以下、０．５μｍ以上
のＰＩＱで、前記特定の範囲の領域の光の波長が３８０
μｍ以下の波長である特許請求の範囲第３項記載のＸ線
露光用マスクのマスク上異物検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP948288A JPH06103272B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 |
| US07/298,574 US4965454A (en) | 1988-01-21 | 1989-01-18 | Method and apparatus for detecting foreign particle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP948288A JPH06103272B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185434A true JPH01185434A (ja) | 1989-07-25 |
| JPH06103272B2 JPH06103272B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=11721465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP948288A Expired - Lifetime JPH06103272B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103272B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006112871A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Sumco Corp | 半導体基板の検査方法及びその検査装置 |
| JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
| JP2014170044A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Lasertec Corp | マスク評価装置 |
| JP5686394B1 (ja) * | 2014-04-11 | 2015-03-18 | レーザーテック株式会社 | ペリクル検査装置 |
| JP2020515844A (ja) * | 2017-03-28 | 2020-05-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体、ウェハ、及びマスクブランクの表面上の粒子を検出する方法 |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP948288A patent/JPH06103272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006112871A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Sumco Corp | 半導体基板の検査方法及びその検査装置 |
| JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
| US8711346B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks |
| KR101422256B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2014-07-22 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 극자외선 마스크 블랭크들상의 결함들을 검출하기 위한 검사 시스템들 및 방법들 |
| JP2016145989A (ja) * | 2009-06-19 | 2016-08-12 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
| JP2014170044A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Lasertec Corp | マスク評価装置 |
| JP5686394B1 (ja) * | 2014-04-11 | 2015-03-18 | レーザーテック株式会社 | ペリクル検査装置 |
| JP2020515844A (ja) * | 2017-03-28 | 2020-05-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体、ウェハ、及びマスクブランクの表面上の粒子を検出する方法 |
| US11555783B2 (en) | 2017-03-28 | 2023-01-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for detecting particles on the surface of an object, wafer, and mask blank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103272B2 (ja) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6184976B1 (en) | Apparatus and method for measuring an aerial image using transmitted light and reflected light | |
| JPH0583901B2 (ja) | ||
| JP3183046B2 (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| KR940020481A (ko) | 결함용 레티클 검사장치 및 방법(method of and apparatus for inspecting reticle for defects) | |
| JP5872452B2 (ja) | フーリエフィルタリングおよびイメージ比較を用いるマスク検査システム及び方法、並びにリソグラフィシステム | |
| JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
| JP3259331B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH075115A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| KR102649117B1 (ko) | 기판의 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 | |
| JPH01185434A (ja) | Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 | |
| JPS6345541A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JP3102493B2 (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
| JPH0746079B2 (ja) | 異物検出方法及び装置 | |
| JP4521548B2 (ja) | 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| KR20090072808A (ko) | 포토마스크의 검사 장치 및 이를 이용한 검사 방법 | |
| JPH04344447A (ja) | 透明ガラス基板の欠陥検出装置 | |
| JPH07311157A (ja) | フォトマスク検査方法及びその装置 | |
| JPH07128250A (ja) | 半導体装置製造用フォトマスクの異物検査装置 | |
| JPS63289814A (ja) | Ｘ線露光用マスクのマスク上異物検査方法 | |
| JP4883817B2 (ja) | 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法 | |
| KR950001979A (ko) | 결합 레티클 검사장치 및 방법 | |
| JPH06180293A (ja) | 異物検査装置 | |
| KR200229420Y1 (ko) | 반도체장치의레티클검사장치 | |
| JPS59117117A (ja) | ペリクル保護膜用フレ−ム |