JPS6365904B2 - - Google Patents
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- JPS6365904B2 JPS6365904B2 JP57192462A JP19246282A JPS6365904B2 JP S6365904 B2 JPS6365904 B2 JP S6365904B2 JP 57192462 A JP57192462 A JP 57192462A JP 19246282 A JP19246282 A JP 19246282A JP S6365904 B2 JPS6365904 B2 JP S6365904B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N2015/0238—Single particle scatter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4792—Polarisation of scatter light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/105—Purely optical scan
- G01N2201/1053—System of scan mirrors for composite motion of beam
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の対象分野〕
本発明は、枠にペリクルを形成した異物付着防
止手段を基板に装着した状態で基板上に存在する
微小異物を検出する異物検出方法及びその装置に
関するものである。
止手段を基板に装着した状態で基板上に存在する
微小異物を検出する異物検出方法及びその装置に
関するものである。
従来の異物検出装置は第１図に示すように構成
されていた。即ち、ウエハ１上に存在する異物２
に対して２方向斜め上方よりＳ偏光レーザ発振器
３，４より出射されたＳ偏光レーザ光５，６が照
射され、異物２からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光７が反
射される。このＳ＋Ｐ偏光レーザ光７を対物レン
ズ８で集光した後、Ｓ偏光カツトフイルタ９でＳ
偏光レーザのみを遮断し、Ｐ偏光レーザ光１０の
みを視野限定用の絞り１１を介して光電変換素子
１２により検出する。回路パターン段差からはＳ
偏光レーザ光のみが反射される。従つて、上記光
電変換素子１２の出力により異物の存在を知るこ
とが出来る。
されていた。即ち、ウエハ１上に存在する異物２
に対して２方向斜め上方よりＳ偏光レーザ発振器
３，４より出射されたＳ偏光レーザ光５，６が照
射され、異物２からはＳ＋Ｐ偏光レーザ光７が反
射される。このＳ＋Ｐ偏光レーザ光７を対物レン
ズ８で集光した後、Ｓ偏光カツトフイルタ９でＳ
偏光レーザのみを遮断し、Ｐ偏光レーザ光１０の
みを視野限定用の絞り１１を介して光電変換素子
１２により検出する。回路パターン段差からはＳ
偏光レーザ光のみが反射される。従つて、上記光
電変換素子１２の出力により異物の存在を知るこ
とが出来る。
しかしながら、この従来の異物検査装置では、
ウエハ１を回転させながら一軸方向に移行してい
かなければならず、非常に異物検出速度がおそい
という欠点があつた。
ウエハ１を回転させながら一軸方向に移行してい
かなければならず、非常に異物検出速度がおそい
という欠点があつた。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし
て、枠にペリクルを形成した異物付着防止手段を
基板に装着した状態で、回路パターンを有する基
板表面に存在する異物を簡単な構成により高速
で、しかも正確に検出できるようにした異物検出
方法及びその装置を提供するにある。
て、枠にペリクルを形成した異物付着防止手段を
基板に装着した状態で、回路パターンを有する基
板表面に存在する異物を簡単な構成により高速
で、しかも正確に検出できるようにした異物検出
方法及びその装置を提供するにある。
即ち本発明は、上記目的を達成するために、枠
にペリクルを形成した異物付着防止手段を基板に
装着した状態で、レーザ光照射手段で上記ペリク
ルを通して基板表面に対して7.5゜〜37.5゜程度傾斜
した方向から基板上に照射偏光されたレーザ光を
回転または振動するガルバノミラー、多面鏡、プ
リズム等の走査手段で照射方向に対して交叉角が
ほぼ90度（90゜±10゜）になる方向に直線状に走査
し、反射光を検出する際ほぼ上記走査方向から基
板表面に対して7.5゜〜37.5゜程度傾斜させて上記
枠、ペリクル上の異物及び基板上の回路パターン
からの反射光をピンホールまたはスリツト、検光
子等の遮光手段で遮光して基板上の異物から反射
して上記ペリクルを通して得られる光を光電変換
手段で検出することを特徴とする異物検出方法で
ある。
にペリクルを形成した異物付着防止手段を基板に
装着した状態で、レーザ光照射手段で上記ペリク
ルを通して基板表面に対して7.5゜〜37.5゜程度傾斜
した方向から基板上に照射偏光されたレーザ光を
回転または振動するガルバノミラー、多面鏡、プ
リズム等の走査手段で照射方向に対して交叉角が
ほぼ90度（90゜±10゜）になる方向に直線状に走査
し、反射光を検出する際ほぼ上記走査方向から基
板表面に対して7.5゜〜37.5゜程度傾斜させて上記
枠、ペリクル上の異物及び基板上の回路パターン
からの反射光をピンホールまたはスリツト、検光
子等の遮光手段で遮光して基板上の異物から反射
して上記ペリクルを通して得られる光を光電変換
手段で検出することを特徴とする異物検出方法で
ある。
縮小投影式自動マスクアライナ等の露光装置に
おいて、レチクルやフオトマスク等に形成された
回路パターンを、半導体ウエハ上にステツプアン
ドリピートして転写する際、レチクルパターンや
フオトマスク等に異物が存在するとその像（影）
が回路パターンと一諸にウエハ上に転写され、出
来上がつたウエハ上の単一露光部（チツプ）全て
が不良となることがある。そこで異物付着防止対
策として金属等で形成された枠にニトロセルロー
ズ等のペリクルを貼り付けた異物付着防止手段と
称するものを、レチクルやホトマスク等の基板を
洗浄した後装着した。ところで本発明の特徴はこ
のペリクルを基板に装着した後、この枠の影響を
受けることなく、基板表面上の微小異物を高速
で、しかも検出光学系を簡素化し、高信頼度で検
出できるようにしたことにある。また、本発明は
傾斜したレーザ光の照射を対称なる２方向から切
替えて行うと共に検出系も傾斜させて対称なる２
方向に設置したことにある。またペリクル枠から
の反射光、基板の回路パターンの端（段差）から
発生した反射光、ペリクル上の微小な異物からの
反射光等でもつて基板上の異物として誤検出する
のを防止するために検出系にピンホールやスリツ
ト状の遮光手段を設けたことを特徴とするもので
ある。
おいて、レチクルやフオトマスク等に形成された
回路パターンを、半導体ウエハ上にステツプアン
ドリピートして転写する際、レチクルパターンや
フオトマスク等に異物が存在するとその像（影）
が回路パターンと一諸にウエハ上に転写され、出
来上がつたウエハ上の単一露光部（チツプ）全て
が不良となることがある。そこで異物付着防止対
策として金属等で形成された枠にニトロセルロー
ズ等のペリクルを貼り付けた異物付着防止手段と
称するものを、レチクルやホトマスク等の基板を
洗浄した後装着した。ところで本発明の特徴はこ
のペリクルを基板に装着した後、この枠の影響を
受けることなく、基板表面上の微小異物を高速
で、しかも検出光学系を簡素化し、高信頼度で検
出できるようにしたことにある。また、本発明は
傾斜したレーザ光の照射を対称なる２方向から切
替えて行うと共に検出系も傾斜させて対称なる２
方向に設置したことにある。またペリクル枠から
の反射光、基板の回路パターンの端（段差）から
発生した反射光、ペリクル上の微小な異物からの
反射光等でもつて基板上の異物として誤検出する
のを防止するために検出系にピンホールやスリツ
ト状の遮光手段を設けたことを特徴とするもので
ある。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第２図は本発明に係るペリクル膜
体をフオトマスクやレチクル等の基板に装着した
場合の基板上の異物を検出する装置の一実施例を
示す図である。即ちレーザ発振器２７から出たレ
ーザ光３０は偏光素子２９によつてある特定方向
の直線偏光波（水平波）となり、回転または揺動
するモータ３４に連結されたガルバノミラー２８
で全反射し、レンズ３１を経てミラー３２に達す
る。その後ミラー３５ａ，３６ａあるいは３５
ｂ，３６ｂを経て基板２１の表面上に斜方向より
傾斜角αで入射する。ガルバノミラー２８は回転
速度を一定に振動し、レンズ３１はガルバノミラ
ー２８の回転角に比例して基板２１の表面上のレ
ーザスポツト８０を直線的に走査することができ
るｆ・θレンズである。
的に説明する。第２図は本発明に係るペリクル膜
体をフオトマスクやレチクル等の基板に装着した
場合の基板上の異物を検出する装置の一実施例を
示す図である。即ちレーザ発振器２７から出たレ
ーザ光３０は偏光素子２９によつてある特定方向
の直線偏光波（水平波）となり、回転または揺動
するモータ３４に連結されたガルバノミラー２８
で全反射し、レンズ３１を経てミラー３２に達す
る。その後ミラー３５ａ，３６ａあるいは３５
ｂ，３６ｂを経て基板２１の表面上に斜方向より
傾斜角αで入射する。ガルバノミラー２８は回転
速度を一定に振動し、レンズ３１はガルバノミラ
ー２８の回転角に比例して基板２１の表面上のレ
ーザスポツト８０を直線的に走査することができ
るｆ・θレンズである。
第４図に示す基板２１の表面上に存在する異物
２４からの反射光２５を検出するため、レーザ光
３０ａ，３０ｂと直角にしかも基板２１の水平面
に対し傾斜角βの斜上方にＳ偏光シヤツトフイル
タ等の検出子４１ａ，４１ｂ、集光レンズ４０
ａ，４０ｂ、スリツト状遮光装置３９ａ，３９
ｂ、光電変換素子３８ａ，３８ｂから成る検出装
置３７ａ，３７ｂをレチクルの基板２１ｙ方向中
心の対称位置にそれぞれ設置してある。検光子４
１ａ，４１ｂは異物２４からの反射光２５の特定
方向の直線偏光波を抽出するものである。抽出さ
れた検光子通過光は集光レンズ４０ａ，４０ｂに
よりスリツト状遮光装置３９ａ，３９ｂを経て光
電変換素子３８ａ，３８ｂ上に達する。高感度を
有する光電子倍増管等の光電変換素子３８ａ，３
８ｂは受光強度に比例した電気信号を発生する。
２４からの反射光２５を検出するため、レーザ光
３０ａ，３０ｂと直角にしかも基板２１の水平面
に対し傾斜角βの斜上方にＳ偏光シヤツトフイル
タ等の検出子４１ａ，４１ｂ、集光レンズ４０
ａ，４０ｂ、スリツト状遮光装置３９ａ，３９
ｂ、光電変換素子３８ａ，３８ｂから成る検出装
置３７ａ，３７ｂをレチクルの基板２１ｙ方向中
心の対称位置にそれぞれ設置してある。検光子４
１ａ，４１ｂは異物２４からの反射光２５の特定
方向の直線偏光波を抽出するものである。抽出さ
れた検光子通過光は集光レンズ４０ａ，４０ｂに
よりスリツト状遮光装置３９ａ，３９ｂを経て光
電変換素子３８ａ，３８ｂ上に達する。高感度を
有する光電子倍増管等の光電変換素子３８ａ，３
８ｂは受光強度に比例した電気信号を発生する。
第２図で１対の照明装置３５ａ，３６ａ、及び
３５ｂ，３６ｂと検出装置３７ａ，３７ｂを設け
たのは以下の理由による。
３５ｂ，３６ｂと検出装置３７ａ，３７ｂを設け
たのは以下の理由による。
第５図、第６図は、レーザ光３０の照射方向と
異物２４の反射光２５の検出方向を示す図であ
る。ペリクルの枠２２でレーザ光３０ａ，３０ｂ
や異物２４の反射光２５が遮断されるのを防止す
る手段として第５図の如く基板２１を半分に分け
て、常に検査領域の反対側からレーザ光３０ａ，
３０ｂを照射し、同時に異物２４の反射光２５も
異物２４の存在領域の反対側より検出するように
してある。すなわち、第６図の如く基板２１の検
査領域を４個に分割して示すならば、レーザ光３
０ａは領域ＡとＣを検査する場合に照射し、レー
ザ光３０ｂは領域Ｂ、Ｄを検査する場合に照射す
る。この場合レーザ光３０ａ，３０ｂの切換えは
ミラー３２（第２図）をモータ３３で90度回転さ
せることにより行う。検出装置３７ａはレーザス
ポツト８０が基板２１の面上のＡないしＢの領域
にある時作動させ、検出装置３７ｂはレーザスポ
ツト８０が基板２１の面上のＣないしＤの領域に
存在する時に作動させる。即ち、ガルバノミラー
２８の回転角に同期して光電子倍増管等の光電変
換素子３８ａまたは３８ｂの検出信号を電気回路
によつて導通、非導通（オン・オフ）させること
になる。また、基板２１の中心寄りに異物２４が
存在する場合と端に異物２４が存在する場合とで
は、異物からの反射光２５の検出感度が変化する
ため本装置では異物検出のための電気的な閾値
（スライスレベル）を基板２１面上のレーザスポ
ツト８０の位置に同期して変化するようにしてあ
る。
異物２４の反射光２５の検出方向を示す図であ
る。ペリクルの枠２２でレーザ光３０ａ，３０ｂ
や異物２４の反射光２５が遮断されるのを防止す
る手段として第５図の如く基板２１を半分に分け
て、常に検査領域の反対側からレーザ光３０ａ，
３０ｂを照射し、同時に異物２４の反射光２５も
異物２４の存在領域の反対側より検出するように
してある。すなわち、第６図の如く基板２１の検
査領域を４個に分割して示すならば、レーザ光３
０ａは領域ＡとＣを検査する場合に照射し、レー
ザ光３０ｂは領域Ｂ、Ｄを検査する場合に照射す
る。この場合レーザ光３０ａ，３０ｂの切換えは
ミラー３２（第２図）をモータ３３で90度回転さ
せることにより行う。検出装置３７ａはレーザス
ポツト８０が基板２１の面上のＡないしＢの領域
にある時作動させ、検出装置３７ｂはレーザスポ
ツト８０が基板２１の面上のＣないしＤの領域に
存在する時に作動させる。即ち、ガルバノミラー
２８の回転角に同期して光電子倍増管等の光電変
換素子３８ａまたは３８ｂの検出信号を電気回路
によつて導通、非導通（オン・オフ）させること
になる。また、基板２１の中心寄りに異物２４が
存在する場合と端に異物２４が存在する場合とで
は、異物からの反射光２５の検出感度が変化する
ため本装置では異物検出のための電気的な閾値
（スライスレベル）を基板２１面上のレーザスポ
ツト８０の位置に同期して変化するようにしてあ
る。
第７図に検出回路の概略を示す。光電変換素子
３８ａまたは３８ｂのアナログ信号は電圧増幅器
４２ａ，４２ｂを経てマルチプレクサ４３に入力
する。マルチプレクサ４３は、ガルバノミラー駆
動装置４４から出る回転角に比例した第８図ａに
示す駆動信号５０に同期して、第８図ｂに示すゲ
ート信号５１を形成し、光電変換素子３８ａ、ま
たは３８ｂのいずれかの信号のみを通す。第８図
ｄに示すアナログ信号５２は、閾値回路（コンパ
レータ）４７により、ガルバノミラー駆動装置４
４から出る電気信号と同期して電圧を可変する閾
値発生回路４６で発生する第８図ｃに示す可変閾
値信号５３と比較され、第８図ｅに示す信号５４
が得られる。この場合、検出信号５２が閾値５３
を越えた場合にＡ／Ｄ変換器４９により検出信号
５２のピーク値を、ガルバノミラー駆動装置４４
から得られるｙ座標電気信号５０とテーブル駆動
装置４５のｘ座標検出センサから得られるｘ座標
電気信号とに基いて定まる基板２１上の（ｘ、
ｙ）座標位置に対応させて記憶装置４８に記憶す
るので、異物の（ｘ、ｙ）存在位置が把握でき、
顕微鏡等によつて異物検出後に異物の寸法・形状
の観察が可能である。
３８ａまたは３８ｂのアナログ信号は電圧増幅器
４２ａ，４２ｂを経てマルチプレクサ４３に入力
する。マルチプレクサ４３は、ガルバノミラー駆
動装置４４から出る回転角に比例した第８図ａに
示す駆動信号５０に同期して、第８図ｂに示すゲ
ート信号５１を形成し、光電変換素子３８ａ、ま
たは３８ｂのいずれかの信号のみを通す。第８図
ｄに示すアナログ信号５２は、閾値回路（コンパ
レータ）４７により、ガルバノミラー駆動装置４
４から出る電気信号と同期して電圧を可変する閾
値発生回路４６で発生する第８図ｃに示す可変閾
値信号５３と比較され、第８図ｅに示す信号５４
が得られる。この場合、検出信号５２が閾値５３
を越えた場合にＡ／Ｄ変換器４９により検出信号
５２のピーク値を、ガルバノミラー駆動装置４４
から得られるｙ座標電気信号５０とテーブル駆動
装置４５のｘ座標検出センサから得られるｘ座標
電気信号とに基いて定まる基板２１上の（ｘ、
ｙ）座標位置に対応させて記憶装置４８に記憶す
るので、異物の（ｘ、ｙ）存在位置が把握でき、
顕微鏡等によつて異物検出後に異物の寸法・形状
の観察が可能である。
以上述べた説明は基板２１の上表面異物検出装
置８５によるものであるが、基板２１の下表面の
異物を検出する際には、第９図の如く基板２１の
下表面異物検出装置９０を基板２１の下面に更に
１組設置することにより可能である。この場合、
装置の構成および電気回路の構成は全く同様なも
ので良い。
置８５によるものであるが、基板２１の下表面の
異物を検出する際には、第９図の如く基板２１の
下表面異物検出装置９０を基板２１の下面に更に
１組設置することにより可能である。この場合、
装置の構成および電気回路の構成は全く同様なも
ので良い。
１／10縮小投影式マスクアライナ用のレチクル
では、レチクル上面の異物10〜20μm以上、下面
パターン面上の異物２〜5μm以上を検出する必要
があるため、上・下面検出装置８５，９０の閾値
を上記異物検出レベルに設定する必要がある。
では、レチクル上面の異物10〜20μm以上、下面
パターン面上の異物２〜5μm以上を検出する必要
があるため、上・下面検出装置８５，９０の閾値
を上記異物検出レベルに設定する必要がある。
又、以上の説明はレチクル異物検査単体として
いるが、本装置をマスクアライナに装着すること
により、マスクアライナへのレチクル装着後の付
着異物をも、検査することが可能となる。
いるが、本装置をマスクアライナに装着すること
により、マスクアライナへのレチクル装着後の付
着異物をも、検査することが可能となる。
以上説明したように本発明では、基板面上に装
着された107mmのペリクルの枠２２（厚さ２mm、
高さ４mm、又は6.3mm）の影響をさけるために、
第１０図に示す如くペリクルの枠の影響を受けず
に、基板面上を照明できる位置（α＝22.5゜±15゜）
に照明装置２７，２９を設け、これと直角（90度
±10度）に基板の斜上方（β＝22.5゜±15゜）に検
出装置３７を設けて、基板２１上の異物を検出す
ることにある。しかし本発明では照明光を基板２
１に対し斜方向より照射するため、第４図に示す
如くペリクル膜体の枠２２の上面からの反射光２
６ａ、レチクルパターン面２１ａからの反射光２
６ｂ、ペリクル膜２３上の異物５８からの反射光
２６ｃを基板２１面上の異物として誤検出してし
まう。ここで異物５８が基板２１より離れている
ので、投影露光する際焦点ボケとなり、検査は不
要である。
着された107mmのペリクルの枠２２（厚さ２mm、
高さ４mm、又は6.3mm）の影響をさけるために、
第１０図に示す如くペリクルの枠の影響を受けず
に、基板面上を照明できる位置（α＝22.5゜±15゜）
に照明装置２７，２９を設け、これと直角（90度
±10度）に基板の斜上方（β＝22.5゜±15゜）に検
出装置３７を設けて、基板２１上の異物を検出す
ることにある。しかし本発明では照明光を基板２
１に対し斜方向より照射するため、第４図に示す
如くペリクル膜体の枠２２の上面からの反射光２
６ａ、レチクルパターン面２１ａからの反射光２
６ｂ、ペリクル膜２３上の異物５８からの反射光
２６ｃを基板２１面上の異物として誤検出してし
まう。ここで異物５８が基板２１より離れている
ので、投影露光する際焦点ボケとなり、検査は不
要である。
そこで本発明は、第１０図に示すピンホール状
遮光装置５７および第１１図に示すスリツト状遮
光装置３９を検出装置に付加したことによつて誤
検出への対処を行つた。第１０図に示すピンホー
ル状遮光装置５７を付加した検出装置を用いて基
板面上の異物を検出する場合は基板２１をｘおよ
びｙ方向に移動または回転しながら一方向に移動
するテーブル（図示せず）上に載置して２次元的
に走査する必要がある。また、第１１図に示すス
リツト状遮光装置３９を付加した検出装置を用い
て基板２１の面上の異物２４を検出する場合は、
照明光を走査手段（ガルバノミラー２８とｆ・θ
レンズ３１等から構成される。）で一方向（ｙ方
向）に走査して基板２１をｘ方向テーブル（図示
せず）に載置して照明光の走査と直交する方向
（ｘ方向）に移動することにより基板全面上の異
物検出が可能である。以上述べた第１０及び第１
１図に示すピンホール、スリツト状遮光装置を本
発明に採用したことにより、第１２図に示すよう
なペリクルの枠２２などの反射光の影響を受けず
に、基板面上の異物検出が高感度に行える。又、
照明光に偏光を用い、検出装置に検光子４１を付
加することにより、従来技術に述べている如く異
物と回路パターンの段差部との間の散乱反射光の
偏光角度特性の違いを利用して更に微小異物の感
度向上をはかることができる。
遮光装置５７および第１１図に示すスリツト状遮
光装置３９を検出装置に付加したことによつて誤
検出への対処を行つた。第１０図に示すピンホー
ル状遮光装置５７を付加した検出装置を用いて基
板面上の異物を検出する場合は基板２１をｘおよ
びｙ方向に移動または回転しながら一方向に移動
するテーブル（図示せず）上に載置して２次元的
に走査する必要がある。また、第１１図に示すス
リツト状遮光装置３９を付加した検出装置を用い
て基板２１の面上の異物２４を検出する場合は、
照明光を走査手段（ガルバノミラー２８とｆ・θ
レンズ３１等から構成される。）で一方向（ｙ方
向）に走査して基板２１をｘ方向テーブル（図示
せず）に載置して照明光の走査と直交する方向
（ｘ方向）に移動することにより基板全面上の異
物検出が可能である。以上述べた第１０及び第１
１図に示すピンホール、スリツト状遮光装置を本
発明に採用したことにより、第１２図に示すよう
なペリクルの枠２２などの反射光の影響を受けず
に、基板面上の異物検出が高感度に行える。又、
照明光に偏光を用い、検出装置に検光子４１を付
加することにより、従来技術に述べている如く異
物と回路パターンの段差部との間の散乱反射光の
偏光角度特性の違いを利用して更に微小異物の感
度向上をはかることができる。
以上説明したように、本発明によれば、枠にペ
リクルを形成した異物付着防止手段を基板に装着
した状態で、ペリクル上の異物、ペリクル枠、及
び基板上に形成された回路パターンの影響を受け
ずに基板面上の異物からの反射光強度を有効に検
出して１〜2μmの大きさの微小異物の検出を、一
方向に送る間に高速で、しかも簡単な構成により
行なうことができるという効果を奏する。また傾
斜角α，βは小さい程、偏光角度変化が有効に検
出出来るので、検出感度が向上するが、ペリクル
の枠等の影響からα，β共に角度22.5±15度が最
適である。
リクルを形成した異物付着防止手段を基板に装着
した状態で、ペリクル上の異物、ペリクル枠、及
び基板上に形成された回路パターンの影響を受け
ずに基板面上の異物からの反射光強度を有効に検
出して１〜2μmの大きさの微小異物の検出を、一
方向に送る間に高速で、しかも簡単な構成により
行なうことができるという効果を奏する。また傾
斜角α，βは小さい程、偏光角度変化が有効に検
出出来るので、検出感度が向上するが、ペリクル
の枠等の影響からα，β共に角度22.5±15度が最
適である。
更に検出装置３７ａ，３７ｂの光軸（スリツト
の中心）を第６図のイ，ロの点（レチクル移動時
には線x1x2）に向けると、検出感度の均一性を向
上させることができる。
の中心）を第６図のイ，ロの点（レチクル移動時
には線x1x2）に向けると、検出感度の均一性を向
上させることができる。
第１図は従来技術を説明するための図、第２図
は本発明の一実施例を示す構成図、第３図は本発
明の基本構成を示す図、第４図はペリクル枠の影
響を示す図、第５図は照明光と検査領域の関係お
よび異物検出方向と検査領域の関係を示す図、第
６図は基板上の検査領域の関係を示す図、第７図
は本発明の電気回路を示す図、第８図は第７図に
示す回路で得られる信号波形を示す図、第９図は
基板の上、下面を検査する装置の構成を示す図、
第１０図Ａは第３図に示す検出装置にピンホール
の遮光装置を備え付けた場合を示した図、第１０
図Ｂは第１０図ＡのA10矢視拡大図、第１１図Ａ
は検出装置にスリツト遮光装置を備え付けた場合
を示した図、第１１図Ｂは第１１図ＡのA11矢視
拡大図、第１２図Ａ，Ｂは本発明の特徴を示す図
である。 ２１……基板、２２……ペリクル体の枠、２３
……ペリクル、２４……異物、２７……レーザ発
振器、２９……偏光素子、３１……ｆ・θレン
ズ、３８，３８ａ，３８ｂ……光電変換素子、３
９，３９ａ，３９ｂ……スリツト状遮光装置、４
０，４０ａ，４０ｂ……集光レンズ、４１，４１
ａ，４１ｂ……検光装置、４２ａ，４２ｂ……電
圧増幅器、４３……マルチプレクサ、４４……ガ
ルバノミラー駆動装置、４５……テーブル駆動装
置、４８……記憶装置、８５，９０……異物検出
装置、５７……ピンホール状遮光装置。
は本発明の一実施例を示す構成図、第３図は本発
明の基本構成を示す図、第４図はペリクル枠の影
響を示す図、第５図は照明光と検査領域の関係お
よび異物検出方向と検査領域の関係を示す図、第
６図は基板上の検査領域の関係を示す図、第７図
は本発明の電気回路を示す図、第８図は第７図に
示す回路で得られる信号波形を示す図、第９図は
基板の上、下面を検査する装置の構成を示す図、
第１０図Ａは第３図に示す検出装置にピンホール
の遮光装置を備え付けた場合を示した図、第１０
図Ｂは第１０図ＡのA10矢視拡大図、第１１図Ａ
は検出装置にスリツト遮光装置を備え付けた場合
を示した図、第１１図Ｂは第１１図ＡのA11矢視
拡大図、第１２図Ａ，Ｂは本発明の特徴を示す図
である。 ２１……基板、２２……ペリクル体の枠、２３
……ペリクル、２４……異物、２７……レーザ発
振器、２９……偏光素子、３１……ｆ・θレン
ズ、３８，３８ａ，３８ｂ……光電変換素子、３
９，３９ａ，３９ｂ……スリツト状遮光装置、４
０，４０ａ，４０ｂ……集光レンズ、４１，４１
ａ，４１ｂ……検光装置、４２ａ，４２ｂ……電
圧増幅器、４３……マルチプレクサ、４４……ガ
ルバノミラー駆動装置、４５……テーブル駆動装
置、４８……記憶装置、８５，９０……異物検出
装置、５７……ピンホール状遮光装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 枠にペリクルを形成した異物付着防止手段を
基板に装着した状態で、レーザ光照射手段で上記
ペリクルを通して基板表面に対して傾斜した方向
から基板上に照射偏光されたレーザ光を走査手段
で照射方向に対して交叉角がほぼ90度になる方向
に直線状に走査し、反射光を検出する際ほぼ上記
走査方向から基板表面に対して傾斜させて上記
枠、ペリクル上の異物及び基板上の回路パターン
からの反射光を遮光手段で遮光して基板上の異物
から反射して上記ペリクルを通して得られる光を
光電変換手段で検出することを特徴とする異物検
出方法。 ２ 照明光源と該照明光源からの光を偏光光に変
換する偏光素子と該偏光素子によつて偏光された
偏光光を、枠にペリクルを形成した異物付着防止
手段を装着した基板面上に上記ペリクルを通して
照射すべく上記基板面に対して傾斜させた第１の
光軸を有する照明光学系と上記偏光光を上記第１
の光軸に対して交叉角がほぼ90度なる方向に走査
する走査光学系とを有する照明装置と、上記基板
上の異物からの反射光を上記ペリクルを通して検
出すべく上記第１の光軸と基板面上において交叉
角としてほぼ90度で上記基板面に対して傾斜させ
た第２の光軸を有する検出光学系と該検出光学系
により検出される反射光の内、上記枠、ペリクル
上の異物及び基板上の回路パターンからの反射光
を遮光する遮光素子と該遮光素子を通過して得ら
れる上記基板上の異物からの反射光を受光して信
号に変換する光電変換装置とを有する検出装置と
を設けたことを特徴とする異物検出装置。 ３ 上記第１及び第２の光軸共に基板面に対する
傾斜角度を22.5±15度としたことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の異物検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192462A JPS5982727A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 異物検出方法及びその装置 |
| US06/548,516 US4669875A (en) | 1982-11-04 | 1983-11-03 | Foreign particle detecting method and apparatus |
| US07/360,971 USRE33991E (en) | 1982-11-04 | 1989-06-02 | Foreign particle detecting method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192462A JPS5982727A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 異物検出方法及びその装置 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135484A Division JPS64453A (en) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Foreign matter detector |
| JP63-135483A Division JPH01452A (ja) | 1988-06-03 | 両面異物検出装置 | |
| JP1304601A Division JPH0715441B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 異物検出方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982727A JPS5982727A (ja) | 1984-05-12 |
| JPS6365904B2 true JPS6365904B2 (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=16291695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192462A Granted JPS5982727A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 異物検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982727A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100932A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS61260632A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
| JPH0621877B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態測定装置 |
| JPS62261044A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
| JPS6333834A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
| JPH07119700B2 (ja) * | 1986-11-07 | 1995-12-20 | 株式会社ニコン | 異物検出装置 |
| JPH0711492B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 異物検査装置 |
| JP2677981B2 (ja) * | 1996-01-26 | 1997-11-17 | 株式会社日立製作所 | 露光装置 |
| JP2677982B2 (ja) * | 1996-01-26 | 1997-11-17 | 株式会社日立製作所 | 露光方法 |
| JPH11295439A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Ishida Co Ltd | 異物検出機および異物検出システム |
| JP5063173B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置 |
| JP5506243B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2014-05-28 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129582A (en) * | 1976-04-23 | 1977-10-31 | Hitachi Ltd | Flaw detector |
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS55149829A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Hitachi Ltd | Detector for foreign matter in wafer |
| JPS5686340A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-14 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matter |
| JPS5780546A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Detecting device for foreign substance |
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57192462A patent/JPS5982727A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129582A (en) * | 1976-04-23 | 1977-10-31 | Hitachi Ltd | Flaw detector |
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS55149829A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Hitachi Ltd | Detector for foreign matter in wafer |
| JPS5686340A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-14 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matter |
| JPS5780546A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Detecting device for foreign substance |
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5982727A (ja) | 1984-05-12 |
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