JPH02167452A - 異物検出方法及びその装置 - Google Patents
異物検出方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH02167452A JPH02167452A JP30460189A JP30460189A JPH02167452A JP H02167452 A JPH02167452 A JP H02167452A JP 30460189 A JP30460189 A JP 30460189A JP 30460189 A JP30460189 A JP 30460189A JP H02167452 A JPH02167452 A JP H02167452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- polarized
- reflected light
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板面上に存在する微小異物を検出する異物
検出方法及びその装置に関するものである。
検出方法及びその装置に関するものである。
従来の異物検査装置は第１図に示すように構成されてい
た。即ち、ウエノ・１上に存在する異物２に対し２方向
斜め上方よりＳ偏光レーザ発振器６．４よジ出射された
Ｓ偏光レーザ光５，６が照射され、異物２からはＳ＋Ｐ
偏光レーザ光７が反射される。
た。即ち、ウエノ・１上に存在する異物２に対し２方向
斜め上方よりＳ偏光レーザ発振器６．４よジ出射された
Ｓ偏光レーザ光５，６が照射され、異物２からはＳ＋Ｐ
偏光レーザ光７が反射される。
このＳ＋Ｐ偏光レーザ光７を対物レンズ８で集光した後
、Ｓ偏光カットフィルタ９でＳ偏光レーザのみを遮断し
、Ｐ偏光レーザ光１０のみが視野限定用の絞り１１を介
して光電変換素子１２が検出される。
、Ｓ偏光カットフィルタ９でＳ偏光レーザのみを遮断し
、Ｐ偏光レーザ光１０のみが視野限定用の絞り１１を介
して光電変換素子１２が検出される。
回路パターン段差よりはＳ偏光レーザ光として反射され
る。従って、上記光電変換系１１の出力でもって異物の
存在を知ることが出来る。
る。従って、上記光電変換系１１の出力でもって異物の
存在を知ることが出来る。
しかしながらこの従来の異物検査装置では、ウェハ１を
回転させなから一軸方向に移行していかなければならず
、非常に異物検出速度がおそいという欠点があった。
回転させなから一軸方向に移行していかなければならず
、非常に異物検出速度がおそいという欠点があった。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、基板面存
在する異物を簡単な構成でもって高速に、しかも回路パ
ターンからの反射光を遮光して正確に検出できるように
した異物検出方法及びその装置を提供するにある。
在する異物を簡単な構成でもって高速に、しかも回路パ
ターンからの反射光を遮光して正確に検出できるように
した異物検出方法及びその装置を提供するにある。
即ち本発明は、上記目的を達成するために、基板に対し
て７．５°〜３７．５°程度傾斜した方向からレーザ光
照射手段で照射・偏光させたレーザ光を、回転または振
動するガルバノミラ−１多面鏡、プリズム等の走査手段
で照射方向に対して交叉角がほぼ９０度（９０°±１０
°）になる方向に直線状に走査して基板上に照射し、基
板上の異物から反射したレザ光をほぼ上記走査方向でも
って基板表面に対してＺ５°〜３７．５°程度傾斜した
方向から、基板上の回路パターンからの反射光を検光子
及びピンホール又はスリット状の絞すの遮光手段により
遮光して光電変換素子で検出するようにしたことを特徴
とする異物検査方法及びその装置である。
て７．５°〜３７．５°程度傾斜した方向からレーザ光
照射手段で照射・偏光させたレーザ光を、回転または振
動するガルバノミラ−１多面鏡、プリズム等の走査手段
で照射方向に対して交叉角がほぼ９０度（９０°±１０
°）になる方向に直線状に走査して基板上に照射し、基
板上の異物から反射したレザ光をほぼ上記走査方向でも
って基板表面に対してＺ５°〜３７．５°程度傾斜した
方向から、基板上の回路パターンからの反射光を検光子
及びピンホール又はスリット状の絞すの遮光手段により
遮光して光電変換素子で検出するようにしたことを特徴
とする異物検査方法及びその装置である。
特に本発明は斜方偏光照明及び斜方検出において、検出
系に検光子及びピンホールやスリット状の絞すの遮光手
段を設けることにより基板の回路パターンの端（段差）
からの反射光を完全に遮光し、微小異物をも検出できる
ようにしたことにある。
系に検光子及びピンホールやスリット状の絞すの遮光手
段を設けることにより基板の回路パターンの端（段差）
からの反射光を完全に遮光し、微小異物をも検出できる
ようにしたことにある。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。第２図は本発明に係るペリクル膜体をフォトマス
クやレチクル等の基板に装着した場合の基板上の異物を
検出する装置の一実施例を示す図である。即ち、異物付
着防止対策として金属等で形成された枠にニトロセルロ
ーズ等のペリクル薄膜を貼り付けたペリクル膜体と称す
るものを、レチクルやホトマスク等の基板を洗浄した後
、装着することが考えられた。そしてレーザ発振器２７
から出たレーザ光３０は偏光素子２９によっである特定
方向の直線偏光波（水平波）（例えばＳ偏光）となシ、
回転または揺動するモータ３４に連結されたガルバノミ
ラ−２８で全反射し、レンズ６１を経て□シー３２に達
する。その後ミラー３５ａ、 ３６ａあるいは３５ｂ、
３６ｂを経て基板２１の表面上に斜方向よう傾斜角α
で入射する。ガルバノミラ−２８は回転速度を一定に振
動し、レンズ３１はガルバノミラ−２８の回転角に比例
して基板２１の表面上のレーザスポット３４を直線的に
走査することができるｆ・θレンズである。
する。第２図は本発明に係るペリクル膜体をフォトマス
クやレチクル等の基板に装着した場合の基板上の異物を
検出する装置の一実施例を示す図である。即ち、異物付
着防止対策として金属等で形成された枠にニトロセルロ
ーズ等のペリクル薄膜を貼り付けたペリクル膜体と称す
るものを、レチクルやホトマスク等の基板を洗浄した後
、装着することが考えられた。そしてレーザ発振器２７
から出たレーザ光３０は偏光素子２９によっである特定
方向の直線偏光波（水平波）（例えばＳ偏光）となシ、
回転または揺動するモータ３４に連結されたガルバノミ
ラ−２８で全反射し、レンズ６１を経て□シー３２に達
する。その後ミラー３５ａ、 ３６ａあるいは３５ｂ、
３６ｂを経て基板２１の表面上に斜方向よう傾斜角α
で入射する。ガルバノミラ−２８は回転速度を一定に振
動し、レンズ３１はガルバノミラ−２８の回転角に比例
して基板２１の表面上のレーザスポット３４を直線的に
走査することができるｆ・θレンズである。
第４図に示す基板１の表面上に存在する異物２４からの
反射光２５を検出するため、レーザ光５０ａ、 ５０ｂ
と直角にしかも基板２１の水平面に対し傾斜角βの斜上
方にＳ偏光シャットフィルタ等の検出子４１ａ。
反射光２５を検出するため、レーザ光５０ａ、 ５０ｂ
と直角にしかも基板２１の水平面に対し傾斜角βの斜上
方にＳ偏光シャットフィルタ等の検出子４１ａ。
４１ｂ、集光レンズ４０ａ、 ４０ｂ 、スリット状遮
光装置３９ａ、 ３９ｂ、光電変換素子５８ａ、 ３８
ｂがら成る検出装置５７ａ、 ５７ｂをレチクルの基板
２１ ｙ方向中心の対称位置にそれぞれ設置しである
。検光子４１ａ、４１ｂは異物２４からの反射光２５の
特定方向の直線偏光波を抽出するものである。抽出され
た検光子通過光は集光レンズ４０ａ、 ４ｏｂによりス
リット状遮光装置３９ａ、 ３９ｂを経て光電変換素子
３８ａ、 ３８ｂ上に達する。
光装置３９ａ、 ３９ｂ、光電変換素子５８ａ、 ３８
ｂがら成る検出装置５７ａ、 ５７ｂをレチクルの基板
２１ ｙ方向中心の対称位置にそれぞれ設置しである
。検光子４１ａ、４１ｂは異物２４からの反射光２５の
特定方向の直線偏光波を抽出するものである。抽出され
た検光子通過光は集光レンズ４０ａ、 ４ｏｂによりス
リット状遮光装置３９ａ、 ３９ｂを経て光電変換素子
３８ａ、 ３８ｂ上に達する。
高感度を有する光電子倍増管等の光電変換素子３８は受
光強度に比例した電気信号を発生する。
光強度に比例した電気信号を発生する。
第２ 図Ｙ： １ 対ｔＤ照明装ｆＪｊｔ ３５ａ、
３６ａ 及び３５ｂ、 ３６ｂと検出装置５７ａ、 ３
７ｂを設げたのは以下の理由による。
３６ａ 及び３５ｂ、 ３６ｂと検出装置５７ａ、 ３
７ｂを設げたのは以下の理由による。
第５図、第６図は、レーザ光１ｏの照射方向と異物２４
の反射光２５の検出方向を示す図である。ペリクル膜体
の枠２２でレーザ光５０ａ、 ３０ｂや異物２４の反射
光２５が遮断されるのを防止する手段として第５図の如
く基板２１を半分に分けて、常に検査領域の反対側から
レーザ光３０ａ、 ５０ｂを照射し、同時に異物２４の
反射光２５も異物２４の在存領域の反対側より検出する
ようにしである。すなわち、第６図の如く基板２１の検
査領域を４個に分割して示すならば、レーザ光３０ａは
領域ＡとＣを検査する場合に照射し、レーザ光３０ｂは
領域Ｂ、Ｄを検査する場合に照射する。この場合レーザ
光３０ａ、 ６０ｂの切換えはミラー３２（第２図）を
モータ３３で９０回転させることによう行う。検出装置
３７ａはレーザスポット３４が基板２１の面上の人ない
しＢの領域にある時作動させ、検出装置３７ｂはレーザ
スポット３４が基板２１の面上のＣないしＤの領域に存
在する時に作動させる。即ち、ガルバノミラ−２８の回
転角に同期して光電子倍増管等の光電変換素子３８ａま
たは３８ｂの検出信号を電気回路によって導通、非導通
（オン・オフ）させることになる。また、基板２１の中
心寄りに異物２４が存在する場合と端に異物２４が存在
する場合とでは、異物からの反射光２５の検出感度が変
化するため本装置では異物検出のための電気的な閾値（
スライスレベル）を基板２１面上のレザスポット６４の
位置に同期して変化するようにしである。
の反射光２５の検出方向を示す図である。ペリクル膜体
の枠２２でレーザ光５０ａ、 ３０ｂや異物２４の反射
光２５が遮断されるのを防止する手段として第５図の如
く基板２１を半分に分けて、常に検査領域の反対側から
レーザ光３０ａ、 ５０ｂを照射し、同時に異物２４の
反射光２５も異物２４の在存領域の反対側より検出する
ようにしである。すなわち、第６図の如く基板２１の検
査領域を４個に分割して示すならば、レーザ光３０ａは
領域ＡとＣを検査する場合に照射し、レーザ光３０ｂは
領域Ｂ、Ｄを検査する場合に照射する。この場合レーザ
光３０ａ、 ６０ｂの切換えはミラー３２（第２図）を
モータ３３で９０回転させることによう行う。検出装置
３７ａはレーザスポット３４が基板２１の面上の人ない
しＢの領域にある時作動させ、検出装置３７ｂはレーザ
スポット３４が基板２１の面上のＣないしＤの領域に存
在する時に作動させる。即ち、ガルバノミラ−２８の回
転角に同期して光電子倍増管等の光電変換素子３８ａま
たは３８ｂの検出信号を電気回路によって導通、非導通
（オン・オフ）させることになる。また、基板２１の中
心寄りに異物２４が存在する場合と端に異物２４が存在
する場合とでは、異物からの反射光２５の検出感度が変
化するため本装置では異物検出のための電気的な閾値（
スライスレベル）を基板２１面上のレザスポット６４の
位置に同期して変化するようにしである。
第７図に検出回路の概略を示す。光電変換素子３８ａま
たは３８ｂのアナログ信号は電圧増幅器４２ａ。
たは３８ｂのアナログ信号は電圧増幅器４２ａ。
４２ｂヲ経てマルチプレクサ４３に入力する。マルチプ
レクサ４３は、ガルバノミラ−駆動装置４４から出る回
転角に比例した第８図ｆａｌに示す駆動信号５０に同期
して、第８図（ｂｌに示すゲート信号５１を形威し、光
電変換素子３８ａ１または５８ｂのいずれかの信号のみ
を通す。第８図（ｄ）に示すアナログ信号５２は、閾値
回路（コンパレータ）４７によう、ガルバノミラ−駆動
装置４４から出る電気信号と同期して電圧を可変する閾
値発生回路４６で発生する第８図（Ｃ１に示す可変閾値
信号５６と比較され、第８図ｔｅ）に示す信号５４が得
られる。この場合、検出信号５２が閾値５３を越えた場
合にんΦ変換器４９によシ検出信号５２のピーク値がｘ
ｙ座標記憶装置４８に記憶されると同時に、ガルバノミ
ラ−駆動装置４４の電気信号５０とテーブル駆動装置４
５からのＸ座標検出センサの電気信号を基板２１の（ｘ
、ｙ）座標位置に変換して記憶するので異物の（Ｘ、ｙ
）存在位置が把握でき、置微鏡等によって異物検出後に
異物の寸法・形状の観察が可能である。
レクサ４３は、ガルバノミラ−駆動装置４４から出る回
転角に比例した第８図ｆａｌに示す駆動信号５０に同期
して、第８図（ｂｌに示すゲート信号５１を形威し、光
電変換素子３８ａ１または５８ｂのいずれかの信号のみ
を通す。第８図（ｄ）に示すアナログ信号５２は、閾値
回路（コンパレータ）４７によう、ガルバノミラ−駆動
装置４４から出る電気信号と同期して電圧を可変する閾
値発生回路４６で発生する第８図（Ｃ１に示す可変閾値
信号５６と比較され、第８図ｔｅ）に示す信号５４が得
られる。この場合、検出信号５２が閾値５３を越えた場
合にんΦ変換器４９によシ検出信号５２のピーク値がｘ
ｙ座標記憶装置４８に記憶されると同時に、ガルバノミ
ラ−駆動装置４４の電気信号５０とテーブル駆動装置４
５からのＸ座標検出センサの電気信号を基板２１の（ｘ
、ｙ）座標位置に変換して記憶するので異物の（Ｘ、ｙ
）存在位置が把握でき、置微鏡等によって異物検出後に
異物の寸法・形状の観察が可能である。
以上述べた説明は基板２１の上表面異物検出装置５０に
よるものであるが、基板２１の下表面の異物を検出する
際には、第９図の如く基板２１の上表面異物検出装置５
１を基板２１の下面に更に１組設置することによシ可能
である。この場合、装置の構成および電気回路の構成は
全く同様なもので良い。
よるものであるが、基板２１の下表面の異物を検出する
際には、第９図の如く基板２１の上表面異物検出装置５
１を基板２１の下面に更に１組設置することによシ可能
である。この場合、装置の構成および電気回路の構成は
全く同様なもので良い。
１／１０縮小投影式マスクアライナ用のレチクルでは、
レチクル上面の異物１０〜２０μｍ以上、下面パターン
面上の異物２〜５μｍ以上を検出する必要があるため、
上・下面検出装置５０．５１の閾値を上記異物検出レベ
ルに設定する必要がある。
レチクル上面の異物１０〜２０μｍ以上、下面パターン
面上の異物２〜５μｍ以上を検出する必要があるため、
上・下面検出装置５０．５１の閾値を上記異物検出レベ
ルに設定する必要がある。
又、以上の説明はレチクル異物検査単体としているが、
本装置をマスクアライナに装着することによう、マスク
アライナへのレチクル装着後の付殖異物をも、検査する
ことが可能となる。
本装置をマスクアライナに装着することによう、マスク
アライナへのレチクル装着後の付殖異物をも、検査する
ことが可能となる。
以上説明したように本発明では、基板面上に装着された
１０７■口のペリクル膜体の枠２２（厚さ２−１高さ４
−１又は６．５ｔｍ ）の影響をさげるために第１０図
に示す如く、ペリクル膜体の粋の影響を受けずに、基板
面上を照明できる位置（α−２２，５°±１５°）に照
明装置（２７，２９）を設け、これと直角（９０度±１
０度）に基板の斜上方（β−２２，５°±１５°）に検
出装置３７を設げて、基板２１上の異物を検出すること
にある。しかし本発明では照明光を基板２１に対し斜方
向よシ照射するため、第４図に示す如くペリクル膜体の
枠２２の上面からの反射光２６ａ、レチクルパターン面
２１ａからの反射光２６ｂ、ペリクル膜２３上の異物５
８からの反射光２６ｃを基板２１面上の異物として誤検
出してしまう。ここで異物２１ａは基板２１より離れて
いるので、投影露光で焦点ボケとなう、検査は不要とな
る。
１０７■口のペリクル膜体の枠２２（厚さ２−１高さ４
−１又は６．５ｔｍ ）の影響をさげるために第１０図
に示す如く、ペリクル膜体の粋の影響を受けずに、基板
面上を照明できる位置（α−２２，５°±１５°）に照
明装置（２７，２９）を設け、これと直角（９０度±１
０度）に基板の斜上方（β−２２，５°±１５°）に検
出装置３７を設げて、基板２１上の異物を検出すること
にある。しかし本発明では照明光を基板２１に対し斜方
向よシ照射するため、第４図に示す如くペリクル膜体の
枠２２の上面からの反射光２６ａ、レチクルパターン面
２１ａからの反射光２６ｂ、ペリクル膜２３上の異物５
８からの反射光２６ｃを基板２１面上の異物として誤検
出してしまう。ここで異物２１ａは基板２１より離れて
いるので、投影露光で焦点ボケとなう、検査は不要とな
る。
そこで本発明は、第１０図に示すピンホール状遮光装置
５７および第１１図に示すスリット状遮光装置３９を検
出装置に付加したことによって誤検出への対拠を行った
。第１０図に示すピンホール状遮光装置５７を付加した
検出装置を用いて基板面上の異物を検出する場合は基板
２１をＸおよびｙ方向に移動または回転しながら一方向
に移動するテーブル（図示せず）上に載置して２次元的
に走査する必要がある。また、第１０図に示すスリット
状遮光装置を付加した検出装置を用いて基板面上の異物
を検出する場合は、照明光を走査手段（ガルバノミラ−
２８とｆ・θレンズ３１等から構成される。）で−方向
（ｙ方向）に走査して基板２１をＸ方向チーフル（図示
せず）に載置して照明光の走査と直交する方向（Ｘ方向
）に移動することにより基板全面上の異物検出が可能で
ある。以上述べた第１０及び第１１図に示すピンホール
、スリット状遮光装置を本発明に採用したことによう、
第１２図に示すようなペリクル膜体の枠２２などの反射
光の影響を受けずに、基板面上の異物検出が高感度に行
える。又、照明光に偏光（例えばＳ偏光）を用い、検出
装置に検光子（例えばＳ偏光シャットフィルタ）４を付
加することによシ、異物への照射光と散乱反射光の偏光
角度変化を検出することにより、更なる感度向上（微小
異物検出）が可能となる。
５７および第１１図に示すスリット状遮光装置３９を検
出装置に付加したことによって誤検出への対拠を行った
。第１０図に示すピンホール状遮光装置５７を付加した
検出装置を用いて基板面上の異物を検出する場合は基板
２１をＸおよびｙ方向に移動または回転しながら一方向
に移動するテーブル（図示せず）上に載置して２次元的
に走査する必要がある。また、第１０図に示すスリット
状遮光装置を付加した検出装置を用いて基板面上の異物
を検出する場合は、照明光を走査手段（ガルバノミラ−
２８とｆ・θレンズ３１等から構成される。）で−方向
（ｙ方向）に走査して基板２１をＸ方向チーフル（図示
せず）に載置して照明光の走査と直交する方向（Ｘ方向
）に移動することにより基板全面上の異物検出が可能で
ある。以上述べた第１０及び第１１図に示すピンホール
、スリット状遮光装置を本発明に採用したことによう、
第１２図に示すようなペリクル膜体の枠２２などの反射
光の影響を受けずに、基板面上の異物検出が高感度に行
える。又、照明光に偏光（例えばＳ偏光）を用い、検出
装置に検光子（例えばＳ偏光シャットフィルタ）４を付
加することによシ、異物への照射光と散乱反射光の偏光
角度変化を検出することにより、更なる感度向上（微小
異物検出）が可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、斜方偏光照明及
び斜方検出する際、基板上に形成された回路パターンの
影響を受けずに基板上の異物からの反射光強度を有効に
検出して１〜２μｍの大きさの微小異物を高速でもって
簡単な構成により検出できる効果を奏する。また傾斜角
α、βは小さい程、偏光角度変化が有効に検出出来るの
で、検出感度が向上するがペリクル膜体の枠の影響、ミ
ラー ３５ａ、 ３５ｂの位置を外側にすると装置が大
きくなる等の理由からα、β共に角度２２．５±１５度
が最適である。
び斜方検出する際、基板上に形成された回路パターンの
影響を受けずに基板上の異物からの反射光強度を有効に
検出して１〜２μｍの大きさの微小異物を高速でもって
簡単な構成により検出できる効果を奏する。また傾斜角
α、βは小さい程、偏光角度変化が有効に検出出来るの
で、検出感度が向上するがペリクル膜体の枠の影響、ミ
ラー ３５ａ、 ３５ｂの位置を外側にすると装置が大
きくなる等の理由からα、β共に角度２２．５±１５度
が最適である。
更に検出装置５７ａ、 ３７ｂの光軸（スリットの中心
）を第６図の■、＠の点（レチクル移動時には線ｘ１ｘ
２）に向けると、検出感度の均一性を向上させることが
できる。
）を第６図の■、＠の点（レチクル移動時には線ｘ１ｘ
２）に向けると、検出感度の均一性を向上させることが
できる。
第１図は従来技術を説明するための図、第２図は本発明
の一実施例を示す構成図、第３図は本発明の基本構成を
示す図、第４図はペリクル枠の影響を示す図、第５図は
照明光と検査領域の関係および異物検出方向と検査領域
の関係を示す図、第６図は基板上の検査領域の関係を示
す図、第７図は本発明の電気回路を示す図、第８図は第
７図に示す回路で得られる信号波形を示す図、第９図は
基板の上、下面を検査する装置の構成を示す図、第１０
図内は第３図に示す検出装置にピンホールの遮光装置を
備え付けた場合を示した図、第１０図（９）は第１０図
（４）のＡ矢視拡大図、第１１図囚は検出装置にスリッ
ト遮光装置を備え付けた場合を示した図、第１１図ＣＢ
Ｉは第１１図（４）のＡ１１矢視拡犬図、第１２図（４
）。 の）は本発明の特徴を示す図である。 ２１・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・・・・
・・・・・・・・ペリクル膜体の枠２３・・・・・・
・・・・・・・・・・ペリクル膜２４・・・・・・・
・・・・・−・・・・異物２７・・・・・・・ ・・・
・・・・・・レーザ発振器２９・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・偏光素子３１・・・・・・・・・・・
・・・・・ｆ・θレンズ３８、３８ａ、 ３８ｂ＝光電
変換素子３９、３９ａ、 ３９ｂ・・・スリット状遮光
装置４０、４０ａ、 ４ｏｂ＝−集光レンズ４１、 ｌ
ａ、 ４１ｂ、・、検光装置４２ａ、 ４２ｂ・・・・
・・・・電圧増幅器４３・・・・・・・・・・・・・・
・・・マルチプレクサ４４・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ガルバノミラ−駆動装置４５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・テーブル駆動装置４８
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置
５０．５１・・・・・・・・・・・・・・異物検出装置
５７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ピ
ンホール状遮光装置代理人弁理士 小 川 勝Ａ−’＼ 弔 凪 第 第 （Ａ） （β）
の一実施例を示す構成図、第３図は本発明の基本構成を
示す図、第４図はペリクル枠の影響を示す図、第５図は
照明光と検査領域の関係および異物検出方向と検査領域
の関係を示す図、第６図は基板上の検査領域の関係を示
す図、第７図は本発明の電気回路を示す図、第８図は第
７図に示す回路で得られる信号波形を示す図、第９図は
基板の上、下面を検査する装置の構成を示す図、第１０
図内は第３図に示す検出装置にピンホールの遮光装置を
備え付けた場合を示した図、第１０図（９）は第１０図
（４）のＡ矢視拡大図、第１１図囚は検出装置にスリッ
ト遮光装置を備え付けた場合を示した図、第１１図ＣＢ
Ｉは第１１図（４）のＡ１１矢視拡犬図、第１２図（４
）。 の）は本発明の特徴を示す図である。 ２１・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・・・・
・・・・・・・・ペリクル膜体の枠２３・・・・・・
・・・・・・・・・・ペリクル膜２４・・・・・・・
・・・・・−・・・・異物２７・・・・・・・ ・・・
・・・・・・レーザ発振器２９・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・偏光素子３１・・・・・・・・・・・
・・・・・ｆ・θレンズ３８、３８ａ、 ３８ｂ＝光電
変換素子３９、３９ａ、 ３９ｂ・・・スリット状遮光
装置４０、４０ａ、 ４ｏｂ＝−集光レンズ４１、 ｌ
ａ、 ４１ｂ、・、検光装置４２ａ、 ４２ｂ・・・・
・・・・電圧増幅器４３・・・・・・・・・・・・・・
・・・マルチプレクサ４４・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ガルバノミラ−駆動装置４５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・テーブル駆動装置４８
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置
５０．５１・・・・・・・・・・・・・・異物検出装置
５７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ピ
ンホール状遮光装置代理人弁理士 小 川 勝Ａ−’＼ 弔 凪 第 第 （Ａ） （β）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光照射手段で偏光されたレーザ光を基板表面
に対して傾斜した方向から基板上に照射すると共に該偏
光レーザ光を走査手段で照射方向に対して交叉角がほぼ
９０度なる方向に直線状に走査し、ほぼ該走査方向から
基板表面に対して傾斜させて基板上の回路パターンから
の反射光を遮光手段で遮光して基板上の異物からの反射
光を光電変換手段で受光して異物検出信号として検出す
ることを特徴とする異物検出方法。 ２、照明光源と該照明光源からの光を偏光光に変換する
偏光素子と該偏光素子によって偏光された偏光光を基板
上に照射すべく基板表面に対して傾斜した第１の光軸を
有する照明光学系と上記偏光光を上記第１の光軸に対し
て交叉角がほぼ９０度なる方向に直線状に走査する走査
光学系とを有する照明装置と、上記基板上の異物からの
反射光を検出すべく上記第１の光軸と基板表面上におい
て交叉角としてほぼ９０度で上記基板表面に対して傾斜
させた第２の光軸を有する検出光学系と該検出光学系に
より検出される基板上の回路パターンからの反射光を遮
光する遮光素子と該遮光素子を通過して得られる基板上
の異物からの反射光を受光して信号に変換する光電変換
装置とを有する検出装置とを備えたことを特徴とする異
物検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304601A JPH0715441B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 異物検出方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304601A JPH0715441B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 異物検出方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192462A Division JPS5982727A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 異物検出方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167452A true JPH02167452A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0715441B2 JPH0715441B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17934970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1304601A Expired - Lifetime JPH0715441B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 異物検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715441B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010210568A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| CN113038103A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-25 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 应用于激光显示设备的激光投影主机和激光显示设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149829A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Hitachi Ltd | Detector for foreign matter in wafer |
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1304601A patent/JPH0715441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149829A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-21 | Hitachi Ltd | Detector for foreign matter in wafer |
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010210568A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| CN113038103A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-25 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 应用于激光显示设备的激光投影主机和激光显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715441B2 (ja) | 1995-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4669875A (en) | Foreign particle detecting method and apparatus | |
| JPS6365904B2 (ja) | ||
| USRE33991E (en) | Foreign particle detecting method and apparatus | |
| JPS6352032A (ja) | 透明材料要素を表面の不整及び吸蔵について試験するために照明する装置 | |
| JPH05100413A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS5965428A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH02167452A (ja) | 異物検出方法及びその装置 | |
| JPH0238951A (ja) | 異物検出装置及び方法 | |
| JPS6240656B2 (ja) | ||
| JPS61260632A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2007334212A (ja) | フォトマスクの検査方法及び装置 | |
| JP2004163240A (ja) | 表面評価装置 | |
| JPS61230048A (ja) | 異物検出方法 | |
| JPH07318500A (ja) | 物体表面近傍の検査装置 | |
| JPH06258237A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH0312252B2 (ja) | ||
| JPH0816651B2 (ja) | 両面異物検出方法及びその装置 | |
| JP2000193434A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH05662B2 (ja) | ||
| JPH0682381A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH01453A (ja) | 異物検出装置 | |
| JPS5599049A (en) | Defect detector | |
| WO2022201910A1 (ja) | 異物検査装置及び異物検査方法 | |
| JP3068636B2 (ja) | パターン検査方法および装置 | |
| JPH01452A (ja) | 両面異物検出装置 |