JPS61100932A - 露光装置 - Google Patents
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- JPS61100932A JPS61100932A JP59222011A JP22201184A JPS61100932A JP S61100932 A JPS61100932 A JP S61100932A JP 59222011 A JP59222011 A JP 59222011A JP 22201184 A JP22201184 A JP 22201184A JP S61100932 A JPS61100932 A JP S61100932A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/9563—Inspecting patterns on the surface of objects and suppressing pattern images
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置や１：１反射形投影露光装
置を用いた露光工程において、異物付着に起因する歩留
りの低下を防止するのに最適な手段に関する。
置を用いた露光工程において、異物付着に起因する歩留
りの低下を防止するのに最適な手段に関する。
例えば縮小投影露光装置（以下ＫＡと略記）では、レチ
クルやホトマスク等の基板上に形成された回路パターン
を縮小してウェハ上に転写して１チツプずつ露光するた
め、基板上に異物が存在するとその異物像が転写され、
ウェハ上の全チップが不良となる。従りて、露光前の基
板上の異物検査が露光工程の歩留りを向上させる上で不
可欠である。この種の装置として関連するものには例え
ば、特開昭５７−８０５４６号、特開昭５８−７９２４
０号、特開昭５９−８２７２７号等が挙げられる。これ
らの装置を凡人に内蔵する場合、高価な装置なため、多
数の１（、Ａを必要とする大量生産ラインでは投資の面
で膨大な費用がかかる。
クルやホトマスク等の基板上に形成された回路パターン
を縮小してウェハ上に転写して１チツプずつ露光するた
め、基板上に異物が存在するとその異物像が転写され、
ウェハ上の全チップが不良となる。従りて、露光前の基
板上の異物検査が露光工程の歩留りを向上させる上で不
可欠である。この種の装置として関連するものには例え
ば、特開昭５７−８０５４６号、特開昭５８−７９２４
０号、特開昭５９−８２７２７号等が挙げられる。これ
らの装置を凡人に内蔵する場合、高価な装置なため、多
数の１（、Ａを必要とする大量生産ラインでは投資の面
で膨大な費用がかかる。
一方、最近では、基板表面に直接異物が付着しない様に
、異物付着防止用のペリクル（金属の枠にニトロセルロ
ーズの透明薄膜を貼り付けたもの）を装着している。異
物付着防止膜を基板に装着した後は原則として、基板上
への新しい異物の付着は防止できる。また、異物付着防
止膜と基板の表面は離間しているため、比較的小さな異
物が異物付着防止膜上に存在しても異物像はウェハ上に
転写されない。従って異物付着防止膜を用いた場合の基
板洗浄から露光までの工程は以下の様になる。
、異物付着防止用のペリクル（金属の枠にニトロセルロ
ーズの透明薄膜を貼り付けたもの）を装着している。異
物付着防止膜を基板に装着した後は原則として、基板上
への新しい異物の付着は防止できる。また、異物付着防
止膜と基板の表面は離間しているため、比較的小さな異
物が異物付着防止膜上に存在しても異物像はウェハ上に
転写されない。従って異物付着防止膜を用いた場合の基
板洗浄から露光までの工程は以下の様になる。
先ず、基板を洗浄し、パターンの存在表面及び非存在表
面にごみ等の異物があるか否か検査する。ごみ等の異物
がなければ、治具利用により異物付着防止膜を装着する
。この異物付着防止膜は、パターンの存在面にも装着す
る。異物付着防止膜を貼りつけた後、基板の面上に異物
があるか否か特開昭５９−８２７２７の方式を用いて検
査をする。異物がなければカセットに収納し、縮小露光
装置に送り露光工程に入る。
面にごみ等の異物があるか否か検査する。ごみ等の異物
がなければ、治具利用により異物付着防止膜を装着する
。この異物付着防止膜は、パターンの存在面にも装着す
る。異物付着防止膜を貼りつけた後、基板の面上に異物
があるか否か特開昭５９−８２７２７の方式を用いて検
査をする。異物がなければカセットに収納し、縮小露光
装置に送り露光工程に入る。
異物付着防止膜を装４着することにより、２０ないし３
０μｍ以下の膜上に付着した異物については無視するこ
とができるため、歩留りを向上させることができた。
０μｍ以下の膜上に付着した異物については無視するこ
とができるため、歩留りを向上させることができた。
一般に異物付着の確率は異物寸法の２乗に反比例すると
されているため、２０ないし３０μｍ以上の異物付着確
率を完全に無視することはできない。従りて、より一層
の歩留り向上を目指すためには、異物付着防止膜上の比
較的大きな異物の有無を検査する必要がでてきた。
されているため、２０ないし３０μｍ以上の異物付着確
率を完全に無視することはできない。従りて、より一層
の歩留り向上を目指すためには、異物付着防止膜上の比
較的大きな異物の有無を検査する必要がでてきた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、露光工程の歩留りをより一層向上する
ようにした露光装置を提供するにある。
ようにした露光装置を提供するにある。
本発明は、検査終了から露光までの間に異物が付着しな
いようにするために、露光位置の直前に当る基板の自動
搬送途中に異物付着防止膜上の異物を光学的に検出する
異物検出装置を設け、異物付着防止膜上の比較的大きな
異物を自動的に検査するようにしたことを特徴とするも
のである。
いようにするために、露光位置の直前に当る基板の自動
搬送途中に異物付着防止膜上の異物を光学的に検出する
異物検出装置を設け、異物付着防止膜上の比較的大きな
異物を自動的に検査するようにしたことを特徴とするも
のである。
以下、本発明を第１図から第１２図により説明する。
先ず異物付着防止膜上の異物検査装置を搭載した縮小投
影露光装置の一実施例の構成を第１図に示す。洗浄後、
異物が存在しない状態で、枠２４を介して異物付着防止
膜２３を装着した基板３９は、カセットに入れた状態で
マガジン６に収納される。露光工程では基板はカセット
から１個ずつ取り出され露光後は再び元の位置に戻され
る。
影露光装置の一実施例の構成を第１図に示す。洗浄後、
異物が存在しない状態で、枠２４を介して異物付着防止
膜２３を装着した基板３９は、カセットに入れた状態で
マガジン６に収納される。露光工程では基板はカセット
から１個ずつ取り出され露光後は再び元の位置に戻され
る。
即ち、基板３９はマガジン６内のカセットより矢印５ａ
の方向に引き出され、搬送アーム３により矢印４ａの方
向に移動する。基板３９０面面に装着した異物付着防止
膜２３上の異物検査は搬送アーム３の上下に設置した上
側異物検査装置１および下側異物検査装置Ｒ２によって
行われる。
の方向に引き出され、搬送アーム３により矢印４ａの方
向に移動する。基板３９０面面に装着した異物付着防止
膜２３上の異物検査は搬送アーム３の上下に設置した上
側異物検査装置１および下側異物検査装置Ｒ２によって
行われる。
もし、異物付着防止膜２３上に異物（例えば２０μｍ〜
３０μｍ以上）が存在すればその基板は元のカセットに
戻され、異物除去が行なわれる。一方、異物が存在しな
ければ、搬送アーム３は回転機８によりて矢印７ａの方
向に回転し、露光位置９に置かれ、露光光学系１０を介
してウェハ１１上に１チツプずつ転写される。この基板
を用いた露光工程が終了すると、基板３９は再びマガジ
ン６内のカセットに収納される。
３０μｍ以上）が存在すればその基板は元のカセットに
戻され、異物除去が行なわれる。一方、異物が存在しな
ければ、搬送アーム３は回転機８によりて矢印７ａの方
向に回転し、露光位置９に置かれ、露光光学系１０を介
してウェハ１１上に１チツプずつ転写される。この基板
を用いた露光工程が終了すると、基板３９は再びマガジ
ン６内のカセットに収納される。
また、第２図は本発明の第２の実施例を示し′たもので
ある。ここで、基板３９はモータ１３で駆動される例え
ばベルト１２を用いた搬送機構により搬送される。上記
実施例に用いる異物検査装置の一例を以下に説明する。
ある。ここで、基板３９はモータ１３で駆動される例え
ばベルト１２を用いた搬送機構により搬送される。上記
実施例に用いる異物検査装置の一例を以下に説明する。
第３図は、フォトマスクやレチクル等の基板３９に枠２
４を介し貼り付けた異物付着防止膜（ペリクルｇＸ）２
３表面上での異物を検出する装置を示したものである。
４を介し貼り付けた異物付着防止膜（ペリクルｇＸ）２
３表面上での異物を検出する装置を示したものである。
これによるとレーザ発撮器１４からのレーザ光は偏光板
１６、集光レンズ１５を順次弁された後、三角波状信号
によって往復回転振動されているガルバノミラ−１７で
全反射されたうえコリメータレンズ１８を介し異物付着
防止膜２３の表面上にレーザスポットとなって斜方向よ
り入射するようになっている。この場合、ガルバノミラ
−１７は三角波状の電気信号で駆動され一定周期で回転
振動するためレーザスポットは異物付着防止膜２３の表
面上をＸ方向に一定速度で往復走査するが、これＫより
直線状の走査線２２が形成されるものである。
１６、集光レンズ１５を順次弁された後、三角波状信号
によって往復回転振動されているガルバノミラ−１７で
全反射されたうえコリメータレンズ１８を介し異物付着
防止膜２３の表面上にレーザスポットとなって斜方向よ
り入射するようになっている。この場合、ガルバノミラ
−１７は三角波状の電気信号で駆動され一定周期で回転
振動するためレーザスポットは異物付着防止膜２３の表
面上をＸ方向に一定速度で往復走査するが、これＫより
直線状の走査線２２が形成されるものである。
一方、異物２０からの散乱光２１を検出する手段は結像
レンズ２６、遮光板（図示せず）、−次元のリニアセン
サ（ＣＯＤ、フォトダイオードアレイ等）を含む自己走
査番積形の光電変換素子２７から成り、レーザスポット
の走査＠２２を斜上方よりのぞむように設けられている
。即ち、結像レンズ２６によって異物付層防止膜２３の
表面上な直巌上に走査しているレーザスポットの走査線
２２の像が光電変換素子２７上に結像されるようになり
ているものである。したがって、モータ４８と送りネジ
４９によりガラス基板３９を等速でＹ方向に随時送りな
がら異物付着防止膜２３表面をその全領域に亘って走査
すれば、走査線２２上に異物２０が存在する場合にはそ
の異物２０からの散乱光２１の強度が蓄積、検出される
ものである。
レンズ２６、遮光板（図示せず）、−次元のリニアセン
サ（ＣＯＤ、フォトダイオードアレイ等）を含む自己走
査番積形の光電変換素子２７から成り、レーザスポット
の走査＠２２を斜上方よりのぞむように設けられている
。即ち、結像レンズ２６によって異物付層防止膜２３の
表面上な直巌上に走査しているレーザスポットの走査線
２２の像が光電変換素子２７上に結像されるようになり
ているものである。したがって、モータ４８と送りネジ
４９によりガラス基板３９を等速でＹ方向に随時送りな
がら異物付着防止膜２３表面をその全領域に亘って走査
すれば、走査線２２上に異物２０が存在する場合にはそ
の異物２０からの散乱光２１の強度が蓄積、検出される
ものである。
ここで第４図によりレーザ光照射系について更に詳細に
説明すれば、レーザ発振器１４からのレーザ光は偏光板
１６を通過後（半導体レーザのような偏光レーザを用い
る場合には偏光板は不要）集光レンズ１５によってガル
バノミラ−１７の表面に集光されるが、このレーザ光は
ガルバノミラ−１７の表面で全反射されたうえコリメー
タレンズ１８に到達するようになりている。コリメータ
レンズ１８はガルバノミラ−１７の回転中心軸上にその
焦点が位置するように設ｆｌされていることから、コリ
メータレンズ１８を介されたレーザ光は平行光束となり
、ガルバノミラ−１７の回転振動によって図示の如く方
向３５に往復振動する結果、異物付着防止膜２３の表面
上を＠線状に往復走査することになるものである。この
場合コリメータレンズ１８の焦点距離なｆル−ザ光の振
れ角をθ、レーザスポットの走査量をｈとすれば走査量
りは以下のように表わされる。
説明すれば、レーザ発振器１４からのレーザ光は偏光板
１６を通過後（半導体レーザのような偏光レーザを用い
る場合には偏光板は不要）集光レンズ１５によってガル
バノミラ−１７の表面に集光されるが、このレーザ光は
ガルバノミラ−１７の表面で全反射されたうえコリメー
タレンズ１８に到達するようになりている。コリメータ
レンズ１８はガルバノミラ−１７の回転中心軸上にその
焦点が位置するように設ｆｌされていることから、コリ
メータレンズ１８を介されたレーザ光は平行光束となり
、ガルバノミラ−１７の回転振動によって図示の如く方
向３５に往復振動する結果、異物付着防止膜２３の表面
上を＠線状に往復走査することになるものである。この
場合コリメータレンズ１８の焦点距離なｆル−ザ光の振
れ角をθ、レーザスポットの走査量をｈとすれば走査量
りは以下のように表わされる。
ｈｗｆ ＠ ｔａｎ θ中ｆ・θ（θが小さい場合ｔａ
ｎθ中θ）・・・（１） ガルバノミラ−１７の回転速度が一定であるとして、こ
れによって平行収束されたレーザスポットは異物付着防
止膜２３０表面上を等速運動することになるものである
。
ｎθ中θ）・・・（１） ガルバノミラ−１７の回転速度が一定であるとして、こ
れによって平行収束されたレーザスポットは異物付着防
止膜２３０表面上を等速運動することになるものである
。
第５図はガルバノミラ−１７を駆動する信号としての三
角波信号と光電変換素子２７の１個当りに係る光量蓄積
時間を表わしたものである。
角波信号と光電変換素子２７の１個当りに係る光量蓄積
時間を表わしたものである。
図示の如く光電変換素子２７の走査時間Ｔをガルバノミ
ラ−１７の周期ｔに同期して整数倍に設定することによ
って光電変換素子２７に蓄積される光量をかせいでいる
が、これと各走査位置での走査条件が同一であるという
ことから第６図に示すように異物付層防止膜２３の表面
上の中心付近に存在する異物からの散乱光強度と端に存
在する異物からの散乱光強度は同一となり、はぼ均一な
散乱光強度分布２８が得られるものである。したがって
、これまでのように場所によってしきい値レベルを変え
る必要がなくたとえ異物付着防止膜２３が上下動する場
合でも一定しきい値レベル４３のみで安定した異物検出
が行ない得るわけである。
ラ−１７の周期ｔに同期して整数倍に設定することによ
って光電変換素子２７に蓄積される光量をかせいでいる
が、これと各走査位置での走査条件が同一であるという
ことから第６図に示すように異物付層防止膜２３の表面
上の中心付近に存在する異物からの散乱光強度と端に存
在する異物からの散乱光強度は同一となり、はぼ均一な
散乱光強度分布２８が得られるものである。したがって
、これまでのように場所によってしきい値レベルを変え
る必要がなくたとえ異物付着防止膜２３が上下動する場
合でも一定しきい値レベル４３のみで安定した異物検出
が行ない得るわけである。
第７図は異物以外からの散乱光発生要因を示したもので
ある。異物２０からの散乱光２１として誤検出し易いも
のとしては、異物付着防止膜２３゛ を貼り付けであ
る枠２４からの散乱光３１２よび異物付着防止膜２３を
通過した光がガラス基板３９０表面５に形成されたパタ
ーン２９に当ることによって発生する散乱光３０が考え
られるものとなっている。ところで、第８図（Ｊｌ）
、 （ｂ）に示すように一般にガラス基板のような透明
物質にレーザ光等の光を斜方向より照射した場合、照射
角度αによりても異なるが、基板表面５に対して平行な
方向（水平方向）に磁界面が振動する波（Ｓ偏光波）４
４では反射成分が多く、これとは逆に基板表面５に対し
て垂直方向に磁界面が撮動する波（ｐ偏光波）４５の場
合には透過成分が多くなるという性質がある。この事実
よりして基板表面５に形成されたパターン２９からの散
乱光の影響を極力防ぐべく偏光板１６によりて異物付着
防止膜２３に対しＳ偏光波を照射し、異物付着防止膜２
３を通過する光を最小限に抑えることが望ましいと云え
る。しかしながら、異物付着防止膜２３を通過した極わ
ずかなレーザ光によっても、パターン２９からの散乱光
は発生するので、第９図、第１０図に示すように散乱光
検出系の光軸４２を基板表面５の垂線４１よりもψだけ
傾斜させた状態として設定することによってパターン２
９からの散乱光３００発生個所をのぞまないようにする
ことが望ましい。なお、第９図は異物付着防止膜２３上
を検査している場合での、第１０図は異物付着防止膜２
３と同一機能を持つ比較的厚いガラス基板３９表面を検
査している場合でのパターン２９からの散乱光３００発
生状態をそれぞれ示したものである。また、図中の記号
ｄは照射レーザ光のビーム径を、ｔはガラス基板３９の
板厚または異物付着防止膜２３を貼り付けである枠２４
の厚さを、φはψに対する屈折角をそれぞれ示す。
ある。異物２０からの散乱光２１として誤検出し易いも
のとしては、異物付着防止膜２３゛ を貼り付けであ
る枠２４からの散乱光３１２よび異物付着防止膜２３を
通過した光がガラス基板３９０表面５に形成されたパタ
ーン２９に当ることによって発生する散乱光３０が考え
られるものとなっている。ところで、第８図（Ｊｌ）
、 （ｂ）に示すように一般にガラス基板のような透明
物質にレーザ光等の光を斜方向より照射した場合、照射
角度αによりても異なるが、基板表面５に対して平行な
方向（水平方向）に磁界面が振動する波（Ｓ偏光波）４
４では反射成分が多く、これとは逆に基板表面５に対し
て垂直方向に磁界面が撮動する波（ｐ偏光波）４５の場
合には透過成分が多くなるという性質がある。この事実
よりして基板表面５に形成されたパターン２９からの散
乱光の影響を極力防ぐべく偏光板１６によりて異物付着
防止膜２３に対しＳ偏光波を照射し、異物付着防止膜２
３を通過する光を最小限に抑えることが望ましいと云え
る。しかしながら、異物付着防止膜２３を通過した極わ
ずかなレーザ光によっても、パターン２９からの散乱光
は発生するので、第９図、第１０図に示すように散乱光
検出系の光軸４２を基板表面５の垂線４１よりもψだけ
傾斜させた状態として設定することによってパターン２
９からの散乱光３００発生個所をのぞまないようにする
ことが望ましい。なお、第９図は異物付着防止膜２３上
を検査している場合での、第１０図は異物付着防止膜２
３と同一機能を持つ比較的厚いガラス基板３９表面を検
査している場合でのパターン２９からの散乱光３００発
生状態をそれぞれ示したものである。また、図中の記号
ｄは照射レーザ光のビーム径を、ｔはガラス基板３９の
板厚または異物付着防止膜２３を貼り付けである枠２４
の厚さを、φはψに対する屈折角をそれぞれ示す。
何れにしても散乱光検出系がパターン２９からの散乱光
３０を検出しないための条件はその検出系の光軸４２が
基板表面５または異物付着防止膜２３０表面を通過後、
屈折または直進してガラス基板３９でのパターン形成面
との交点が照射レーザ光のビーム径ｄの中に含まれない
ことである。
３０を検出しないための条件はその検出系の光軸４２が
基板表面５または異物付着防止膜２３０表面を通過後、
屈折または直進してガラス基板３９でのパターン形成面
との交点が照射レーザ光のビーム径ｄの中に含まれない
ことである。
即ち、次式を満足するψが設定される必要がある。
ψ ≧ ｓｓｎ （ｎｓｔｎ（ｔａｎ ｄ／
２ｔ）） −（２）但し、ｎは屈折率
を示す。
２ｔ）） −（２）但し、ｎは屈折率
を示す。
しかし、実際には結像レンズ２６の収差量等も影響して
くるので、上記した数式で求めたψより若干変動するが
、ψはほぼσ以上２σ以下の範囲内に設定される。
くるので、上記した数式で求めたψより若干変動するが
、ψはほぼσ以上２σ以下の範囲内に設定される。
一方、異物付着防止膜２３が貼り付けられている枠２４
から発生する散乱光３１は第１１図に示すように、光電
変換素子２７の結像位置に遮光装置３２を付加設置する
ことによって遮光することが可能である。結像レンズ２
６近傍に遮光装置を適当に設ける場合は、枠２４からの
散乱光３１は光電変換素子２７で検出され得ないもので
ある。
から発生する散乱光３１は第１１図に示すように、光電
変換素子２７の結像位置に遮光装置３２を付加設置する
ことによって遮光することが可能である。結像レンズ２
６近傍に遮光装置を適当に設ける場合は、枠２４からの
散乱光３１は光電変換素子２７で検出され得ないもので
ある。
さて、異物検査装置の構成としてはこの他特開昭５７−
８０５４６の様なものも考えられる。また、搬送途中に
ＴＶカメラ等を設゛け、異物付着の可能性の低い状態で
目視観察することも可能である。異物検査装置の設置場
所としては、基板の搬送途中の他、縮小投影露光装置上
に検査ステージ１ンを設け、ここに設置することも可能
である。
８０５４６の様なものも考えられる。また、搬送途中に
ＴＶカメラ等を設゛け、異物付着の可能性の低い状態で
目視観察することも可能である。異物検査装置の設置場
所としては、基板の搬送途中の他、縮小投影露光装置上
に検査ステージ１ンを設け、ここに設置することも可能
である。
また、異物付着防止膜上の異物を除去するための装置を
併置することも可能である。
併置することも可能である。
更に、本発明は縮小投影露光装置に限らす１：１反射形
投影露光装置にも使用できる。
投影露光装置にも使用できる。
本発明によれば、異物付着防止膜よの異物を簡便な装置
を用い露光の直前に検査できるため、異物付着防止膜の
使用と併わせで縮小投影露光装置や１：１反射形露光装
置を用いた露光工程での歩留り向上に貢献することがで
きる効果を奏する。
を用い露光の直前に検査できるため、異物付着防止膜の
使用と併わせで縮小投影露光装置や１：１反射形露光装
置を用いた露光工程での歩留り向上に貢献することがで
きる効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は別の実施
例を示す図、第３図は本発明による異物検出装置の一例
での構成を示す図、第４図はその構成に３けるレーザ光
照射系の動作を説明するための図、第５図は同じくその
構成におけるガルバノミラ−の駆動信号と光電素子の光
量蓄積時間との関係を説明するための図、第６図は本発
明に係る異物検出処理を説明するための図、第７図は異
物以外からの散乱光発生要因を示す図、第８図（ａ）
、 （ｂ）は、それぞれ基板表面での３偏光波、ｐ偏光
波の反射状態を示す図、第９図、第１０図は不要な散乱
光を検出不可とする散乱光検出系の光軸の望ましい設定
状態を説明するための図、第１１図は同じく不要な散乱
光を検出不可とする散乱光検出系の望ましい構成を示す
図であるう １．２・・・異物検査装置
例を示す図、第３図は本発明による異物検出装置の一例
での構成を示す図、第４図はその構成に３けるレーザ光
照射系の動作を説明するための図、第５図は同じくその
構成におけるガルバノミラ−の駆動信号と光電素子の光
量蓄積時間との関係を説明するための図、第６図は本発
明に係る異物検出処理を説明するための図、第７図は異
物以外からの散乱光発生要因を示す図、第８図（ａ）
、 （ｂ）は、それぞれ基板表面での３偏光波、ｐ偏光
波の反射状態を示す図、第９図、第１０図は不要な散乱
光を検出不可とする散乱光検出系の光軸の望ましい設定
状態を説明するための図、第１１図は同じく不要な散乱
光を検出不可とする散乱光検出系の望ましい構成を示す
図であるう １．２・・・異物検査装置
Claims (1)
- 露光に使用するレチクルやフォトマスク等の基板を露光
位置に搬送するための搬送機構の近傍に、基板両面に装
着した異物付着防止膜上に存在する異物の検出を光学的
に行う異物検出装置を設置したことを特徴とする露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222011A JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
| US06/790,475 US4676637A (en) | 1984-10-24 | 1985-10-23 | Exposure apparatus with foreign particle detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222011A JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197911A Division JPH0711492B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100932A true JPS61100932A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0475648B2 JPH0475648B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=16775706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222011A Granted JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4676637A (ja) |
| JP (1) | JPS61100932A (ja) |
Cited By (2)
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| JP2010054290A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Kanto Auto Works Ltd | 照明装置、および表面検査装置 |
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1984
- 1984-10-24 JP JP59222011A patent/JPS61100932A/ja active Granted
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1985
- 1985-10-23 US US06/790,475 patent/US4676637A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4676637A (en) | 1987-06-30 |
| JPH0475648B2 (ja) | 1992-12-01 |
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