JPS6083941A - Ｘ線露光用マスクのマスクパタ−ン検査方法 - Google Patents

Ｘ線露光用マスクのマスクパタ−ン検査方法

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JPS6083941A
JPS6083941A JP58192734A JP19273483A JPS6083941A JP S6083941 A JPS6083941 A JP S6083941A JP 58192734 A JP58192734 A JP 58192734A JP 19273483 A JP19273483 A JP 19273483A JP S6083941 A JPS6083941 A JP S6083941A
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JP
Japan
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mask
mask pattern
image
ray
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP58192734A
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English (en)
Inventor
Teruo Shibano
芝野　照夫
Hideaki Itakura
秀明 板倉
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
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    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はＸ線露光用マスク、特に埋め込み形Ｘ線露光
用マスクのマスクパターン検査方法に関するものである
。
〔従来技術〕
従来からこの種の埋め込み形Ｘ線露光用マスクのマスク
パターン検査方法としては、いわゆる光学顕微鏡を用い
る手段があったが、このような光学顕微鏡による場合に
は、検査の自動化が困難であるばかりでなく、マスクの
微細化に伴なって検査自体が困難になるなどの不都合を
有するものであった。
〔発明の概要〕
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、埋め込み形Ｘ
線露光用マスクにあって、そのマスクパターンを変換膜
上にＸ線投影させ、このＸ線投影像を光電子像に変換し
て検査し得るようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下この発明に係るＸ線露光用マスクのマスクパターン
検査方法の一実施例につき、添付図面を参照して詳細に
説明する。
添付図面はこの実施例方法の断面説明図を示しておシ、
同図において、符号１および２はマスクパターンおよび
このマスクパターンの支持膜、３はＸ線入射によシ光電
子を放出する変換膜とじての金属薄膜、４は入射Ｘ線、
５は金属薄膜から放出される光電子である。
すなわち、このように被検査対象物であるところの、埋
め込み形Ｘ線露光用マスクのマスクパターン１に平行Ｘ
線４を照射させることによシ、金属薄膜３上にはマスク
パターン１のＸ線投影像が形成されると共に、とのＸ＃
投影像からは光電子が放出されて、マスクパターンのＸ
線投影像が光電子像、換言すると電気信号として取）出
すことの可能な電気信号像に変換される。従ってこの電
気信号像からは適宜公知の任意な手段９例えば電気的に
読み取って確認することにより容易にマスクパターンを
検査し得るものである。
なお、前記実施例方法では変換膜として金属薄膜を用い
るようにしているが、同様にＸ＠投影像を光電子像に変
換できる膜であれば、任意の膜を用いてよいことは勿論
である。
〔発明の効果〕 以上詳述したようにこの発明方法によれば、埋め込み形
Ｘ線露光用マスクのマスクパターン−を、Ｘ線照射によ
シ変換膜上に投影させ、このＸ線投影像を光電子像とし
て、すなわち、電気信号像に変換させて検査するように
したから、検査の自動化などを容易に実現できると共に
、たとえどのように微細なマスクパターンであっても簡
単に検査できるなどの特長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明に係る埋め込み形Ｘ線露光用マスクのマ
スクパターン検査方法の一実施例を示す断面説明図であ
る。 １　ｍｍｍ−マスクパターン、２壷・・−マスクパター
ン支持膜、３・・・・金属薄膜（変換膜）、４・・・・
入射Ｘ線、５・・・・光電子。 代理人　大　岩　増　雄 手続補正書（自発） １、事件の表示　特願昭５８−１９２７３４号２　発明
の名祢　マスクパターンの検査方法３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正の内容 （１）明細書の発明の名称「Ｘ線露光用マスクのマスク
パターン検査方法」を「マスクパターンの検査方法」と
補正する。 （２）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ン検査方法」を「埋め込み形Ｘ線露光用マスク等、エネ
ルギ線を用いて露光を行なうマスクのパターンを検査す
る方法」と補正する。 （４）　同書第２頁第８〜１１行の「埋め込み形Ｘ線露
光用マスクルＸ線投影像」を［Ｘ線露光等のエネルギ線
用マスクにあって、エネルギ線によるマスクパターンを
変換膜上に投影させ、この変換膜で投影像」と補正する
。 （５）同書同頁第１４行の「Ｘ線露光用マスクのｊを削
除する。 （６）同暑同頁第１８行の「符号１および２は」の後に
「Ｘ線吸収効率のよい材質からなる」を加入する。 （力　同書同頁第１９行の「このマスクパターンの」を
「このマスクパターンを支持するポリイミド樹脂等から
なる」と補正する。 （８）同書第３頁第１２行の［〜確認すること、Ｊの後
に「、または電子像を磁場を用いたレンズ系で拡大して
給出面上に結像させること等」を加入する。 （９）同書第３頁第１９行〜第４頁第３行の１埋め込み
形Ｘ線露光用マスクル検査するようにしたから、」を次
の文の通シ補正する。 「平行なエネルギ線を被検査用マスクを介して変換膜に
照射してそのマスクパターンを変換膜上に光電子像とし
て形成させることによシ、被検査パターンを電子的に処
理することが可能となシ、」 叫　同書第３頁第１９行の「埋め込み形Ｘ線露光用マス
クの」を削除する。 以上 別　紙 一ンを検査するようにしたマスクパターンΩ検査方法。 （２）変換膜に金属薄膜を用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載−９１スクパターンΩ−検査方法
。」 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）埋め込み形Ｘ線露光用マスクにおいて、このマス
    クに平行Ｘ線を入射させて、変換膜上にマスクパターン
    をＸ線投影させ、このＸ線投影像を変換膜によシ光電子
    像に変換させて検査するようにしたことを特徴とするＸ
    線露光用マスクのマスクパターン検査方法。
  2. （２）変換膜に金属薄膜を用いたことを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスクのマスクパタ
    ーン検査方法。
JP58192734A 1983-10-15 1983-10-15 Ｘ線露光用マスクのマスクパタ−ン検査方法 Pending JPS6083941A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241838A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nec Corp 記憶装置
EP0206633A2 (en) * 1985-06-13 1986-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of inspecting masks and apparatus thereof
JPS62296513A (ja) * 1986-05-19 1987-12-23 ハンプシヤ−　インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド リソグラフィ装置用マスク検査装置
EP0299951A2 (de) * 1987-07-13 1989-01-18 IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion einer Maske

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241838A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nec Corp 記憶装置
EP0206633A2 (en) * 1985-06-13 1986-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of inspecting masks and apparatus thereof
EP0206633A3 (en) * 1985-06-13 1987-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of inspecting masks and apparatus thereof
US4748327A (en) * 1985-06-13 1988-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of inspecting masks and apparatus thereof
JPS62296513A (ja) * 1986-05-19 1987-12-23 ハンプシヤ−　インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド リソグラフィ装置用マスク検査装置
JPH0366657B2 (ja) * 1986-05-19 1991-10-18 Hampshire Instr Inc
EP0299951A2 (de) * 1987-07-13 1989-01-18 IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion einer Maske

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