JPS6098342A - マスク欠陥検査方法 - Google Patents
マスク欠陥検査方法Info
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- JPS6098342A JPS6098342A JP20705183A JP20705183A JPS6098342A JP S6098342 A JPS6098342 A JP S6098342A JP 20705183 A JP20705183 A JP 20705183A JP 20705183 A JP20705183 A JP 20705183A JP S6098342 A JPS6098342 A JP S6098342A
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＬＳＩの製造等に使用されるマスクの欠陥の
有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥検査方法
に関する。
有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥検査方法
に関する。
従来、フォトマスク等に形成されたパターンの検査を行
うマスク欠陥検査方法においては、マスクの一主面に光
（通常その波長は０．４〜０．７μにで）を照射し、パ
ターンの有無に対応する透過光量を検出して、上記マス
クの欠陥の有無及びパターンの正否を検査している。実
際には、マスクを光照射方向と直交する面内で平行移動
し、このとき検出される走査信号（第１の走査信号）と
パターン形成の際に用いられる設計データに基づいて得
られる走査信号（第２の走査信号）とを比較照合して上
記検査を行うようにしている。
うマスク欠陥検査方法においては、マスクの一主面に光
（通常その波長は０．４〜０．７μにで）を照射し、パ
ターンの有無に対応する透過光量を検出して、上記マス
クの欠陥の有無及びパターンの正否を検査している。実
際には、マスクを光照射方向と直交する面内で平行移動
し、このとき検出される走査信号（第１の走査信号）と
パターン形成の際に用いられる設計データに基づいて得
られる走査信号（第２の走査信号）とを比較照合して上
記検査を行うようにしている。
ところで、この種のマスク欠陥検査方法では、マスクを
透過した光の干渉や回折等のために、１［μＴｒＬＪ内
外の欠陥の検出が略限界である。いわゆるステッパと呼
ばれる光学的な縮小投影露光装置では、マスクの像を光
学的に１１５〜１／１０に縮小してウェーハを露光する
ので、この程度の欠陥が検出できれば十分であった。し
かし、１［μｍ］以下の線幅を持つ超ＬＳＩの開発が指
向されるに伴い、Ｘ線、電子ビーム或いはイオンビーム
を用いてパターンの転写を行うことが期待されている。
透過した光の干渉や回折等のために、１［μＴｒＬＪ内
外の欠陥の検出が略限界である。いわゆるステッパと呼
ばれる光学的な縮小投影露光装置では、マスクの像を光
学的に１１５〜１／１０に縮小してウェーハを露光する
ので、この程度の欠陥が検出できれば十分であった。し
かし、１［μｍ］以下の線幅を持つ超ＬＳＩの開発が指
向されるに伴い、Ｘ線、電子ビーム或いはイオンビーム
を用いてパターンの転写を行うことが期待されている。
これらの転写技術では縮小転写は極めてＨＬ ＜ 、必
然的に等倍転写ということになる。
然的に等倍転写ということになる。
従って、従来と同様なレベルでの欠陥検出を考えると、
０．１〜０．２［μｍ］の欠陥検出が要求される。しか
しながら、このような検出精度は光を用いた従来方法で
は困難であった。
０．１〜０．２［μｍ］の欠陥検出が要求される。しか
しながら、このような検出精度は光を用いた従来方法で
は困難であった。
本発明の目的は、１［μｍ］以下の微細な欠陥をも検出
することができ、Ｘ線転写や電子ビーム転写等に用いら
れるマスクの欠陥検査に有効なマスク欠陥検査方法を提
供することにある。
することができ、Ｘ線転写や電子ビーム転写等に用いら
れるマスクの欠陥検査に有効なマスク欠陥検査方法を提
供することにある。
本発明の骨子は、光の代りに電子を用いて欠陥検査を行
い、光の回折や干渉等に起因する検出精度の低下を防止
づ゛ることにある。
い、光の回折や干渉等に起因する検出精度の低下を防止
づ゛ることにある。
即ち本発明は、エネルギービーム露光等に使用されるマ
スクの欠陥を検査する方法において、上記マスクのパタ
ーン形成面側に、光等のエネルギービーム照射により電
子を放出する光電膜等の被膜を被着したのち、上記マス
クのパターン形成面と反対側にエネルギービームを照則
し、上記パターンの有無により異なる透過ビーム伍によ
って励起される前記被膜からの電子線を検出し、この検
出結果に応じて前記マスクの欠陥を検査するようにした
方法である。
スクの欠陥を検査する方法において、上記マスクのパタ
ーン形成面側に、光等のエネルギービーム照射により電
子を放出する光電膜等の被膜を被着したのち、上記マス
クのパターン形成面と反対側にエネルギービームを照則
し、上記パターンの有無により異なる透過ビーム伍によ
って励起される前記被膜からの電子線を検出し、この検
出結果に応じて前記マスクの欠陥を検査するようにした
方法である。
本発明によれば、従来の方法では不可能であったサブミ
クロン以下の領域で必要な欠陥の検査を行うことができ
る。このため、Ｘ線転写や電子ビーム転写等に用いられ
るマスクの欠陥検査に極めて有効である。また、電子ビ
ーム転写用マスクのように光電膜が必須の乙のについて
は、光電膜を含めた欠陥検査を行うことができる。
クロン以下の領域で必要な欠陥の検査を行うことができ
る。このため、Ｘ線転写や電子ビーム転写等に用いられ
るマスクの欠陥検査に極めて有効である。また、電子ビ
ーム転写用マスクのように光電膜が必須の乙のについて
は、光電膜を含めた欠陥検査を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したマスク欠陥検
査装置を示ず概略構成図である。図中１は後述するマス
ク２を載置した試料台であり、この試料台１は回転可能
なθテーブル１ａ、Ｘ方向（紙面左右方向）に移動可能
なＸテーブル１ｂ及びＹ方向（紙面上下方向）に移動可
能なＹテーブル１Ｃから構成されている。これらのテー
ブル１ａ、１ｂ、１ｃは、計算機３から指令を受けたテ
ーブル駆動制御回路４及びそれぞれの駆動回路５ａ、５
ｂ、５ｃにより、それぞれ移動される。そして、試料台
１の移動位置は、レーザ干渉計６及び位置回路７により
測定されるものとなっている。
査装置を示ず概略構成図である。図中１は後述するマス
ク２を載置した試料台であり、この試料台１は回転可能
なθテーブル１ａ、Ｘ方向（紙面左右方向）に移動可能
なＸテーブル１ｂ及びＹ方向（紙面上下方向）に移動可
能なＹテーブル１Ｃから構成されている。これらのテー
ブル１ａ、１ｂ、１ｃは、計算機３から指令を受けたテ
ーブル駆動制御回路４及びそれぞれの駆動回路５ａ、５
ｂ、５ｃにより、それぞれ移動される。そして、試料台
１の移動位置は、レーザ干渉計６及び位置回路７により
測定されるものとなっている。
一方、試料台１の上方にはＸＦＡを発生する光源８が配
置されており、この光源８から放射されたＸ線（エネル
ギービーム）は試料台１上に載置された前記マスク２に
照射される。ここで、マスク２はＸ線転写や電子ビーム
露光等に使用されるもので、第２図に示す如く合成石英
等のガラス板２ａの下面にクロム等のパターン２ｂを被
着して形成されている。そして、上記マスク２の下面に
は、光ビーム照射により光電子を放出する光電Ｉｌ！（
被膜）９が被着されるものとなっている。従って、上記
Ｘ線照射によりマスク２からはそのパターンに応じた光
電子が放出されることになる。マスク２の光電膜９から
放出された光電子はシンチレータやＰ−Ｎジャンクショ
ンを用・いた電子検出器１０及び信号検出回路１１ｇ！
ｉにより検出される。ここて、上記Ｘ線照ｑＪど共に試
料台１を連続移動させることにより、信号検出回路１１
ではマスク２のパターンに対応した走査信号（第１の走
査信号） ”が検出される。そして、この検出信号は、
描画回路１２により上記パターンを形成する際の設計デ
ータに基づいて発生された走査信号（１２の走査信号）
と共に、欠陥判定部１３に供給される。欠陥判定部１３
は前記位置回路７からの位置データに基づいて上記第１
及び第２の走査信号を比較照合し、これらが異なるとぎ
欠陥ありと判定するものどなっている。
置されており、この光源８から放射されたＸ線（エネル
ギービーム）は試料台１上に載置された前記マスク２に
照射される。ここで、マスク２はＸ線転写や電子ビーム
露光等に使用されるもので、第２図に示す如く合成石英
等のガラス板２ａの下面にクロム等のパターン２ｂを被
着して形成されている。そして、上記マスク２の下面に
は、光ビーム照射により光電子を放出する光電Ｉｌ！（
被膜）９が被着されるものとなっている。従って、上記
Ｘ線照射によりマスク２からはそのパターンに応じた光
電子が放出されることになる。マスク２の光電膜９から
放出された光電子はシンチレータやＰ−Ｎジャンクショ
ンを用・いた電子検出器１０及び信号検出回路１１ｇ！
ｉにより検出される。ここて、上記Ｘ線照ｑＪど共に試
料台１を連続移動させることにより、信号検出回路１１
ではマスク２のパターンに対応した走査信号（第１の走
査信号） ”が検出される。そして、この検出信号は、
描画回路１２により上記パターンを形成する際の設計デ
ータに基づいて発生された走査信号（１２の走査信号）
と共に、欠陥判定部１３に供給される。欠陥判定部１３
は前記位置回路７からの位置データに基づいて上記第１
及び第２の走査信号を比較照合し、これらが異なるとぎ
欠陥ありと判定するものどなっている。
なお、第１図中１４ ｔｊ： Ｘ線を偏向走査するため
の偏向器、１５は光軸方向に磁界を印加するための集束
コイル、１６は前記試料台１．光源８．電子検出器１０
及び偏向器１４等を収容する真空容器をそれぞれ示して
いる。
の偏向器、１５は光軸方向に磁界を印加するための集束
コイル、１６は前記試料台１．光源８．電子検出器１０
及び偏向器１４等を収容する真空容器をそれぞれ示して
いる。
次に、上記構成の装置を用いたマスク欠陥検査方法につ
いて説明する。まず、被検査用のマスク２を用意し、こ
のマスク２のパターン形成面側にＣ，ｓＪからなる光電
膜９を蒸着等の手法で被着する。そして、上記マスク２
をそのパターン形成面側を下にして前記試料台１上に載
置する。なお、上記光電ＩＩＩ ９は検査後不要であれ
ば、周知の方法により容易に除去することができる。次
いで、マスク２の上面側にスポット状に集束したＸ線を
照射すると、マスク２のパターンの有無に応じて透過ビ
ーム量が変化し、この透過ビームｍに応じて光電膜９か
ら光電子が放出される。即ち、マスク２からそのパター
ンの有無に応じて光電子が放出されることになる。マス
ク２の光電膜９がら放出された光電子は前記集束コイル
１５による光軸方向の磁界及び光軸方向の電界により集
束され、光軸に添って直進し電子検出器１ｏに入射する
。ここで、試料台１を例えばＸ方向に連続移動すると共
にＹ方向にステップ移動すれば、前記信号検出回路１１
ではマスク２のパターンに応じた第１の走査信号が検出
されることになる。そして、この走査信号は従来一般的
なマスク欠陥検査装置と同様に欠陥判定部１３により第
２の走査信号と比較照合され、これによりマスク２の欠
陥の有無及びパターンの正否が検査されることになる。
いて説明する。まず、被検査用のマスク２を用意し、こ
のマスク２のパターン形成面側にＣ，ｓＪからなる光電
膜９を蒸着等の手法で被着する。そして、上記マスク２
をそのパターン形成面側を下にして前記試料台１上に載
置する。なお、上記光電ＩＩＩ ９は検査後不要であれ
ば、周知の方法により容易に除去することができる。次
いで、マスク２の上面側にスポット状に集束したＸ線を
照射すると、マスク２のパターンの有無に応じて透過ビ
ーム量が変化し、この透過ビームｍに応じて光電膜９か
ら光電子が放出される。即ち、マスク２からそのパター
ンの有無に応じて光電子が放出されることになる。マス
ク２の光電膜９がら放出された光電子は前記集束コイル
１５による光軸方向の磁界及び光軸方向の電界により集
束され、光軸に添って直進し電子検出器１ｏに入射する
。ここで、試料台１を例えばＸ方向に連続移動すると共
にＹ方向にステップ移動すれば、前記信号検出回路１１
ではマスク２のパターンに応じた第１の走査信号が検出
されることになる。そして、この走査信号は従来一般的
なマスク欠陥検査装置と同様に欠陥判定部１３により第
２の走査信号と比較照合され、これによりマスク２の欠
陥の有無及びパターンの正否が検査されることになる。
そしてこの場合、欠陥検査のためにマスク２から放出さ
れるのは電子であり、光等の場合と異なり干渉や回折等
の不都合が生じることはない。このため、欠陥検出精度
の大幅な向上をはかり得る。
れるのは電子であり、光等の場合と異なり干渉や回折等
の不都合が生じることはない。このため、欠陥検出精度
の大幅な向上をはかり得る。
本発明者らの実験にＪ：れば、１［μｍ］以下の微細な
欠陥をも十分に検出可能であることが判明した。従って
、Ｘ線転写や重子ビーム転写に使用されるマスクの欠陥
検査に極めて有効である。さらに、電子ビーム転写用の
マスクのように光電膜が必須のものについては、光電膜
を含めた欠陥検査が可能となる。また、本実施例方法に
用いる装置は、従来の光学的なマスク欠陥検査装置の検
出光学系、即ち光源や検出器等を改良するのみで容易に
実現できるという利点がある。
欠陥をも十分に検出可能であることが判明した。従って
、Ｘ線転写や重子ビーム転写に使用されるマスクの欠陥
検査に極めて有効である。さらに、電子ビーム転写用の
マスクのように光電膜が必須のものについては、光電膜
を含めた欠陥検査が可能となる。また、本実施例方法に
用いる装置は、従来の光学的なマスク欠陥検査装置の検
出光学系、即ち光源や検出器等を改良するのみで容易に
実現できるという利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記マスクに照射するエネルギービームと
しては、Ｘ線の代りに電子ビームを用いることも可能で
ある。この場合、第３図に示す如＜ｘｉ放射のための光
源の代りに電子銃を用い、回転ミラーの代りに静電偏向
板等を用いればよい。さらに、マスクに照射するビーム
はＸ５１や電子ビームに限るものではなく、イオンビー
ムその他各種のエネルギービームを用いることが可能で
ある。また、マ、スクのパターン形成面側に被着する被
膜は光電膜に限るものではなく、エネルギービーム照射
により電子を放出するものであればよい。また、本発明
方法に使用する装置は前記第１図に示す描造に何等限定
されるものではなく、適宜変更可能である。例えば１通
常の電子ビーム転写装置にスポット状ど−ム照射機能及
び欠陥判定機能等を付加し、これを用いて本発明の欠陥
検査方法を行うことも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
い。例えば、前記マスクに照射するエネルギービームと
しては、Ｘ線の代りに電子ビームを用いることも可能で
ある。この場合、第３図に示す如＜ｘｉ放射のための光
源の代りに電子銃を用い、回転ミラーの代りに静電偏向
板等を用いればよい。さらに、マスクに照射するビーム
はＸ５１や電子ビームに限るものではなく、イオンビー
ムその他各種のエネルギービームを用いることが可能で
ある。また、マ、スクのパターン形成面側に被着する被
膜は光電膜に限るものではなく、エネルギービーム照射
により電子を放出するものであればよい。また、本発明
方法に使用する装置は前記第１図に示す描造に何等限定
されるものではなく、適宜変更可能である。例えば１通
常の電子ビーム転写装置にスポット状ど−ム照射機能及
び欠陥判定機能等を付加し、これを用いて本発明の欠陥
検査方法を行うことも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したマスク欠陥検
査装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例方法を説
明するだめの模式図、第３図は変形例を説明するための
模式図である。 ′ １・・・試料台、２・・・被検査マスク、２ａ・・
・ガラス板、２ｂ・・・マスクパターン、３・・・針算
閃、４・・・テーブル駆動制御回ｒ１イ、５ ａ 、
５ ｂ、 ５ ｃ・・・テーブル駆動回路、６・・・レ
ーザ干渉計、７・・・位置回路、８・・・光源（エネル
ギービーム放射源）、９・・・光電膜（被膜）、１０・
・・電子検出器、１１・・・信号検出回路、１２・・・
描画回路、１３・・・欠陥判定部、１４・・・回転ミラ
ー、２１・・・電子銃、２２偏向板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 図 第３図
査装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例方法を説
明するだめの模式図、第３図は変形例を説明するための
模式図である。 ′ １・・・試料台、２・・・被検査マスク、２ａ・・
・ガラス板、２ｂ・・・マスクパターン、３・・・針算
閃、４・・・テーブル駆動制御回ｒ１イ、５ ａ 、
５ ｂ、 ５ ｃ・・・テーブル駆動回路、６・・・レ
ーザ干渉計、７・・・位置回路、８・・・光源（エネル
ギービーム放射源）、９・・・光電膜（被膜）、１０・
・・電子検出器、１１・・・信号検出回路、１２・・・
描画回路、１３・・・欠陥判定部、１４・・・回転ミラ
ー、２１・・・電子銃、２２偏向板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 図 第３図
Claims (3)
- （１）マスクのパターン形成面側にエネルギービーム照
射により電子を放出する被膜を被着したのち、“上記マ
スクのパターン形成面と反対側にエネルギービームを照
射し、上記パターンの有無により異なる透過ビーム量に
よって励起され、る前記被膜からの電子線を検出し、こ
の検出結果に応じて前記マスクの欠陥を検査するマスク
欠陥検査方法。 - （２）前記マスクに照射するエネルギービームとしてＸ
線を用い、前記被膜として光ビーム照射により電子を放
出する光電膜を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のマスク欠陥検査方法。 - （３）前記光電膜として、ＣｓＩを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載のマスク欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207051A JPH0621778B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | マスク欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207051A JPH0621778B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | マスク欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098342A true JPS6098342A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0621778B2 JPH0621778B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16533391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58207051A Expired - Lifetime JPH0621778B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | マスク欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621778B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0206633A2 (en) * | 1985-06-13 | 1986-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of inspecting masks and apparatus thereof |
| JPS63266754A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
| JPH0225737A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 表面分析方法および装置 |
| JPH0815188A (ja) * | 1995-07-14 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 表面分析装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119641A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | マスクのテスト方法 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58207051A patent/JPH0621778B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119641A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | マスクのテスト方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0206633A2 (en) * | 1985-06-13 | 1986-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of inspecting masks and apparatus thereof |
| EP0206633A3 (en) * | 1985-06-13 | 1987-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of inspecting masks and apparatus thereof |
| US4748327A (en) * | 1985-06-13 | 1988-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of inspecting masks and apparatus thereof |
| JPS63266754A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
| JPH0225737A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 表面分析方法および装置 |
| JPH0815188A (ja) * | 1995-07-14 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 表面分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621778B2 (ja) | 1994-03-23 |
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