KR910019132A - 영상 노출 시스템 및 방법 - Google Patents

영상 노출 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910019132A
KR910019132A KR1019910004217A KR910004217A KR910019132A KR 910019132 A KR910019132 A KR 910019132A KR 1019910004217 A KR1019910004217 A KR 1019910004217A KR 910004217 A KR910004217 A KR 910004217A KR 910019132 A KR910019132 A KR 910019132A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
exposure
substrate
segments
generating
Prior art date
Application number
KR1019910004217A
Other languages
English (en)
Inventor
찰스 하케이 마크
베클래브 호랙 데이빗
크리스티언 래쓰 피터
Original Assignee
하워드 지·피거로아
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하워드 지·피거로아, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 하워드 지·피거로아
Publication of KR910019132A publication Critical patent/KR910019132A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Abstract

내용 없음

Description

영상 노출 시스템 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도는 내지 제3G도는 본 발명의 광학 마스크 측은 레티클의 횡단면도로서, 광학 노출 수단에 이용을 위한 그 준비 단계를 설명하는 도면.

Claims (11)

  1. 비평면 기판의 표면상에 포커스된 영상을 투영하기 위한 영상 노출 시스템으로, 노출 방사선과 개구수의 함수로된 소정의 포커스 깊이를 갖는 투영 수단, 상기 투영 수단의 필드 깊이보다 수직으로 더 큰 차이를 갖는 최소한 두 영역을 포함하는 노출 필드를 포함하는 물체 영상 발생 수단과, 다수의 영상 세그먼트에 상응하는 상기 기판의 비평면 표면에 노출 필드내에 단일 포커스된 영상을 형성시키기 위한 수단을 포함하는 영상 노출 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 물체 영상 발생 수단은 상기 영상 세그먼트의 나머지로부터 상이한 평면상에 형성된 상기 다수의 영상 세그먼트중 최소한 하나의 영상 세그먼트중 최소한 하나의 영상 세그먼트를 갖는 마스크 레티클을 포함하는 영상 노출 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 마스크 레티클은 기판의 표면과 실제 유사한 비평면 표면을 포함하는 영상 노출 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 마스크 레티클의 표면은 기판 표면의 실제 복제인 영상 노출 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 비평면 기판상에 형성된 영상 평면은 기판의 표면과 실제 정합되는 영상 노출 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 노출방사선은 광학 스펙트럼이 범위내에 있는 영상 노출시스템.
  7. 단일 노출내에 비평면 기판의 표면상에 복합 영상을 노출시키는 방법으로, 기판은 상이한 높이의 다수 영역을 포함하고, 기판의 영역중 제1영역으로 투영될 영상 세그먼트의 제1그룹에 상응하는 제1다수의 물체 세그먼트로부터 노출될 영상의 제1부분을 발생하는 단계와, 기판의 영역중 제2영역으로 투영될 영상 세그먼트의 제2그룹 상응하는 제2다수의 물체 세그먼트로부터 노출될 영상의 제2부분을 독립적으로 발생하는 단계를 포함하는 복합 영상 노출 방법.
  8. 제7항에 있어서, 영상의 부분 발생 단계는 노출 필드내의 최소한 하나의 비평면 표면을 갖는 마스크레티클의 이용을 포함하는 복합 영상 노출 방법.
  9. 제8항에 있어서, 마스크 레티클의 표면은 기판 표면의 복제인 복합 영상 노출 방법.
  10. 일련의 노출 단계로 반도체 표면을 노출시키는 방법으로, 일련의 노출 단계중 최소한 하나의 단계를 노출시키는데 이용된 최소한 하나의 마스크가 그 이용을 진행하는 처리 단계의 토포그래피 이력을 포함하도록 제조되는 반도체 표면 노출 방법.
  11. 제10항에 있어서, 최소한 하나의 마스크는 그 진행 처리 단계중 최소한 한 단계에 존재하는 패턴 정보의 이용을 통해 형성되는 반도체 표면 노출 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004217A 1990-04-18 1991-03-18 영상 노출 시스템 및 방법 KR910019132A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51090690A 1990-04-18 1990-04-18
US510,906 1990-04-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910019132A true KR910019132A (ko) 1991-11-30

Family

ID=24032670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910004217A KR910019132A (ko) 1990-04-18 1991-03-18 영상 노출 시스템 및 방법

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0453753A3 (ko)
JP (1) JPH04226013A (ko)
KR (1) KR910019132A (ko)
BR (1) BR9101444A (ko)
CA (1) CA2037705A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4232844A1 (de) * 1992-09-30 1994-03-31 Siemens Ag Belichtungsverfahren und Maske für die optische Projektionslithographie
KR100263900B1 (ko) * 1993-03-04 2000-09-01 윤종용 마스크 및 그 제조방법
US5438204A (en) * 1993-12-30 1995-08-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University Twin-mask, and method and system for using same to pattern microelectronic substrates
GB2291216B (en) * 1994-06-30 1998-01-07 Matsushita Electric Works Ltd Method of manufacturing a printed circuit board
KR100290588B1 (ko) * 1998-07-03 2001-06-01 윤종용 반도체장치의 도전막 패턴 형성방법
US6756185B2 (en) 2000-05-09 2004-06-29 Shipley Company, L.L.C. Method for making integrated optical waveguides and micromachined features
US7255978B2 (en) 2000-05-09 2007-08-14 Shipley Company, L.L.C. Multi-level optical structure and method of manufacture
US7712056B2 (en) 2002-06-07 2010-05-04 Cadence Design Systems, Inc. Characterization and verification for integrated circuit designs
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7774726B2 (en) 2002-06-07 2010-08-10 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US7853904B2 (en) 2002-06-07 2010-12-14 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for handling process related variations for integrated circuits based upon reflections
EP1532670A4 (en) 2002-06-07 2007-09-12 Praesagus Inc CHARACTERIZATION AND REDUCTION OF VARIATION FOR INTEGRATED CIRCUITS

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5934101B2 (ja) * 1978-12-27 1984-08-20 株式会社クボタ 排ワラ処理装置
JPS5678122A (en) * 1979-11-30 1981-06-26 Fujitsu Ltd Formation of pattern
JPS59160144A (ja) * 1983-03-04 1984-09-10 Hitachi Ltd ホトマスク
JPS60223121A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
JP2644741B2 (ja) * 1987-01-14 1997-08-25 株式会社日立製作所 プロキシミティ露光方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0453753A3 (en) 1992-05-20
EP0453753A2 (en) 1991-10-30
CA2037705A1 (en) 1991-10-19
JPH04226013A (ja) 1992-08-14
BR9101444A (pt) 1991-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910019132A (ko) 영상 노출 시스템 및 방법
KR930005116A (ko) 상투영 방법과 그 방법을 사용한 반도체 디바이스의 제조방법
EP0855623A3 (en) Projection exposure method and apparatus
EP1039511A4 (en) PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
EP0496891A4 (en) Method and device for optical exposure
NO904562L (no) Positivt virkende fotoresist og fremgangsmaate til fremstilling derav.
US6021009A (en) Method and apparatus to improve across field dimensional control in a microlithography tool
KR950034472A (ko) 패턴형성방법 및 그것에 사용되는 투영노광장치
US20050085085A1 (en) Composite patterning with trenches
US5418093A (en) Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure
KR980005342A (ko) 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크
KR970077115A (ko) 마이크로리소그래피의 향상된 광학 이미징을 위한 방법 및 시스템
JP3202393B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59160144A (ja) ホトマスク
JPS5699623A (en) Preparation of embossed sheet
US6027865A (en) Method for accurate patterning of photoresist during lithography process
KR960035141A (ko) 반도체 기판 노출 방법
JP3227842B2 (ja) Ｌｓｉの製造方法
JPH08250407A (ja) 半導体装置の製造方法
KR930024107A (ko) 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask)
JP2979625B2 (ja) 縮小投影露光装置の露光条件確認方法
EP0559934A1 (en) Method and apparatus for deep UV image reversal patterning
JP2844600B2 (ja) 露光方法及び露光装置
TW511238B (en) Auxiliary design method for contact hole lithography
JPS57200029A (en) Exposing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application