KR980005342A - 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 - Google Patents

전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따라, 반복 패턴들은 설계 패턴 데이터에 포함된 패턴들을 분할함이 없이 미리 형성된다. 반복 패턴 데이터는 부분 전체 전자빔 노광을 위한 마스크를 제조하는데 사용된다. 이것을 레지스트 패턴이 반복 패턴영역들 간의 경계상에 접속 에러가 없도록 보장한다. 따라서, 본 발명은 매번의 부분 일괄 전자빔 조사시에 지금까지 발생하였던 약 0.02㎛ 내지 0.03㎛ 의 접속 에러를 방지함으로써, 전자빔 노광에 의해 형성된 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킨다.

Description

전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 전자빔 노광장치에 대한 마스크 데이터 작성을 위한 과정을 도시하며 본 발명의 실시예 1 을 나타내는 흐름도.

Claims (4)

  1. 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 있어서, (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 상기 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들 간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별 반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 데이터 작성방법.
  2. (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들 간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치용 마스크.
  3. (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별 반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 의해 제조된 전자빔 노광장치용 마스크에 의해 형성된 패턴을 웨이퍼의 표면에 전사하는 노광방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 마스크 데이터 작성방법은 (e) 가변 형상의 전자빔에 의해 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 노광하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970028196A 1996-06-27 1997-06-27 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 KR100256832B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295869B1 (ko) * 1998-05-29 2001-07-12 가네꼬 히사시 마스크 제조방법
KR20020023640A (ko) * 2000-09-22 2002-03-29 가네꼬 히사시 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치
KR100379290B1 (ko) * 1999-05-28 2003-04-10 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3518097B2 (ja) * 1995-09-29 2004-04-12 株式会社ニコン 荷電粒子線転写装置,パターン分割方法,マスクおよび荷電粒子線転写方法
KR100542301B1 (ko) * 1998-06-23 2006-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치용 마스크
JP2000068190A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Fujitsu Ltd 露光データ作成方法
JP2001133962A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Advantest Corp 部分一括転写露光用マスクデータの作成方法及びそれによる露光方法
KR100568589B1 (ko) * 1999-12-31 2006-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 시스템 제어방법
JP2003045780A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Nec Corp マスク描画データの作成方法
KR100848087B1 (ko) * 2001-12-11 2008-07-24 삼성전자주식회사 기판 위에 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치용 기판의 제조 방법
DE102005005591B3 (de) * 2005-02-07 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Optimierung der Geometrie von Strukturelementen eines Musters eines Schaltungsentwurfs für eine Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Photomaske
JP2008010547A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Elpida Memory Inc 電子線描画方法、電子線描画装置、及び電子線描画プログラム
JP2010271589A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Renesas Electronics Corp パターン分割方法、パターン分割処理装置及びコンピュータプログラム
US8468473B1 (en) * 2012-06-08 2013-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for high volume e-beam lithography

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04137520A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Hitachi Ltd 電子線描画装置および描画方法
JP3121627B2 (ja) * 1991-03-29 2001-01-09 株式会社日立製作所 電子線描画方法及び半導体装置の製造方法
JPH05343304A (ja) * 1992-06-08 1993-12-24 Fujitsu Ltd 露光データ切出し装置及び露光パターン切出し方法
US5705299A (en) * 1992-12-16 1998-01-06 Texas Instruments Incorporated Large die photolithography
US5624774A (en) * 1994-06-16 1997-04-29 Nikon Corporation Method for transferring patterns with charged particle beam
KR100346448B1 (ko) * 1994-12-29 2002-11-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자용노광마스크

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295869B1 (ko) * 1998-05-29 2001-07-12 가네꼬 히사시 마스크 제조방법
KR100379290B1 (ko) * 1999-05-28 2003-04-10 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR20020023640A (ko) * 2000-09-22 2002-03-29 가네꼬 히사시 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치

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JP2785811B2 (ja) 1998-08-13
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