KR980005342A - 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 - Google Patents
전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005342A KR980005342A KR1019970028196A KR19970028196A KR980005342A KR 980005342 A KR980005342 A KR 980005342A KR 1019970028196 A KR1019970028196 A KR 1019970028196A KR 19970028196 A KR19970028196 A KR 19970028196A KR 980005342 A KR980005342 A KR 980005342A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electron beam
- patterns
- beam exposure
- exposure apparatus
- mask
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31767—Step and repeat
Abstract
본 발명에 따라, 반복 패턴들은 설계 패턴 데이터에 포함된 패턴들을 분할함이 없이 미리 형성된다. 반복 패턴 데이터는 부분 전체 전자빔 노광을 위한 마스크를 제조하는데 사용된다. 이것을 레지스트 패턴이 반복 패턴영역들 간의 경계상에 접속 에러가 없도록 보장한다. 따라서, 본 발명은 매번의 부분 일괄 전자빔 조사시에 지금까지 발생하였던 약 0.02㎛ 내지 0.03㎛ 의 접속 에러를 방지함으로써, 전자빔 노광에 의해 형성된 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 전자빔 노광장치에 대한 마스크 데이터 작성을 위한 과정을 도시하며 본 발명의 실시예 1 을 나타내는 흐름도.
Claims (4)
- 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 있어서, (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 상기 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들 간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별 반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 데이터 작성방법.
- (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들 간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치용 마스크.
- (a) 적어도 다수의 기본 패턴으로 각각 구성된 다수의 반복 패턴을 포함하는 집적회로용 마스크 패턴을 전자빔 노광장치에 의한 일회의 조사에 의해 각각 노광될 수 있는 다수의 사각형 영역으로 분할하는 단계; (b) 개별 사각형 영역에 포함된 기본 패턴을 추출하는 단계; (c) 추출된 하나이상의 상기 기본 패턴이 이웃하는 사각형 영역들간의 경계상에서 분할되어 있는지를 판정하는 단계; 및 (d) 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 개별 반복 패턴에서 제외함으로써 마스크 데이터를 작성하는 단계로 이루어지는 전자빔 노광장치용의 마스크 데이터 작성방법에 의해 제조된 전자빔 노광장치용 마스크에 의해 형성된 패턴을 웨이퍼의 표면에 전사하는 노광방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 마스크 데이터 작성방법은 (e) 가변 형상의 전자빔에 의해 상기 경계상에서 분할된 하나이상의 기본 패턴을 노광하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-167675 | 1996-06-27 | ||
JP16767596A JP2785811B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980005342A true KR980005342A (ko) | 1998-03-30 |
KR100256832B1 KR100256832B1 (ko) | 2000-06-01 |
Family
ID=15854144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970028196A KR100256832B1 (ko) | 1996-06-27 | 1997-06-27 | 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5897978A (ko) |
JP (1) | JP2785811B2 (ko) |
KR (1) | KR100256832B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100295869B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-07-12 | 가네꼬 히사시 | 마스크 제조방법 |
KR20020023640A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-29 | 가네꼬 히사시 | 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치 |
KR100379290B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2003-04-10 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3518097B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2004-04-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置,パターン分割方法,マスクおよび荷電粒子線転写方法 |
KR100542301B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2006-04-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 장치용 마스크 |
JP2000068190A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Fujitsu Ltd | 露光データ作成方法 |
JP2001133962A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Advantest Corp | 部分一括転写露光用マスクデータの作成方法及びそれによる露光方法 |
KR100568589B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광 시스템 제어방법 |
JP2003045780A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | マスク描画データの作成方法 |
KR100848087B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 기판 위에 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치용 기판의 제조 방법 |
DE102005005591B3 (de) * | 2005-02-07 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Geometrie von Strukturelementen eines Musters eines Schaltungsentwurfs für eine Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Photomaske |
JP2008010547A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Elpida Memory Inc | 電子線描画方法、電子線描画装置、及び電子線描画プログラム |
JP2010271589A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | パターン分割方法、パターン分割処理装置及びコンピュータプログラム |
US8468473B1 (en) * | 2012-06-08 | 2013-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for high volume e-beam lithography |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
JP3121627B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH05343304A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 露光データ切出し装置及び露光パターン切出し方法 |
US5705299A (en) * | 1992-12-16 | 1998-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Large die photolithography |
US5624774A (en) * | 1994-06-16 | 1997-04-29 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
KR100346448B1 (ko) * | 1994-12-29 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자용노광마스크 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP16767596A patent/JP2785811B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-27 KR KR1019970028196A patent/KR100256832B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-27 US US08/883,752 patent/US5897978A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100295869B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-07-12 | 가네꼬 히사시 | 마스크 제조방법 |
KR100379290B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2003-04-10 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
KR20020023640A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-29 | 가네꼬 히사시 | 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1012510A (ja) | 1998-01-16 |
JP2785811B2 (ja) | 1998-08-13 |
KR100256832B1 (ko) | 2000-06-01 |
US5897978A (en) | 1999-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR980005342A (ko) | 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크 | |
US6887633B2 (en) | Resolution enhancing technology using phase assignment bridges | |
US6811954B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and method of manufacturing masks | |
SE0104238D0 (sv) | Method and apparatus for patterning a workpiece | |
KR980003827A (ko) | 복수레벨 레지스트 프로파일을 형성하기 위한 다중 노광 마스킹 시스템 | |
KR940015692A (ko) | 패턴의 형성방법 | |
KR100845347B1 (ko) | 복합 패터닝 방법 및 장치 | |
KR940016814A (ko) | 노출방법, 그것에 사용하는 위상시프트마스크 및 그것을 사용한 반도체집적회로장치의 제조방법 | |
KR910019132A (ko) | 영상 노출 시스템 및 방법 | |
KR19980024507A (ko) | 전자빔 노출을 위해서 마스크 패턴을 추출하는 방법 | |
US7749690B2 (en) | Die identification systems and methods | |
US5366847A (en) | Method and apparatus for optimizing semiconductor exposure process | |
EP3499310A1 (en) | A method for producing a pattern of features by lithography and etching | |
KR100392071B1 (ko) | 피치가 최소패턴폭보다 좁고 패턴인식이 최소폭보다 넓은 식별패턴을 갖는 레티클 | |
JP3333603B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップ及びその製造方法 | |
EP2322992A1 (en) | Phase shift masking for complex patterns | |
JPS62296422A (ja) | 露光方法 | |
KR100436771B1 (ko) | 반도체소자의감광막패턴형성방법 | |
KR0134169Y1 (ko) | 마스크 패턴 | |
JPH10142769A (ja) | フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法 | |
KR100707014B1 (ko) | 공간 분할 방식을 이용한 노광 마스크 | |
KR960019481A (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
KR980003878A (ko) | 포토마스크패턴 및 이를 이용한 감광막패턴 형성방법 | |
KR20010058694A (ko) | 반도체 제조 공정에 있어서 스크라이브 라인 축소 방법 | |
JPS62193249A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040205 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |