KR980003827A

KR980003827A - 복수레벨 레지스트 프로파일을 형성하기 위한 다중 노광 마스킹 시스템

Info

Publication number: KR980003827A
Application number: KR1019970023621A
Authority: KR
Inventors: 데일 울리치 브루스
Original assignee: 쯔지 하루오; 샤프 가부시끼가이샤; 존 에이. 쉬로역; 샤프 마이크로일렉트로닉스 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date: 1996-06-10
Filing date: 1997-06-09
Publication date: 1998-03-30
Also published as: JPH09330877A; US5753417A; KR100204323B1; TW393593B

Abstract

포토레지스트 마크로부터 복수레벨의 프로파일을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 상이한 도즈 레벨로 2이상의 상이한 패턴의 광에 포토레지스트층의 선택된 영역을 노광하는 공정을 포함한다. 예컨대, 제1패턴이 짧은 지속기간동안 광 또는 비교적 낮은 도즈의 광으로 노광되고, 제2패턴이 긴 지속기간동안 광 또는 비교적 높은 도즈의 광으로 노광된다. 포토레지스트의 현상에 앞서 복수의 다른 노광이 행해진다. 포토레지스트층의 현상시, 저도즈의 광에 노광된 패턴은 고도즈의 광에 노광된 포토레지스트의 영역보다 서서히 에칭된다. 고도즈의 광에 노광된 영역의 레지스트를 완전히 제거하거나 또는 저도즈의 광에 노광된 영역의 레지스트를 부분적으로만 제거하기 위해 현상공정을 제어함으로써, 복수레벨 프로파일이 형성된다. 이와 같은 복수레벨 프로파일은 상호접속 또는 비아의 형성과 같은 후속 반도체 프로세스에 사용될 수 있다.

Description

복수레벨 레지스트 프로파일을 형성하기 위한 다중 노광 마스킹 시스템

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 포토레지스트의 선택된 영역으로 광을 유도하여 포토레지스트층에 제1노광패턴을 생성시키기 위한 제1마스크 패턴화 공정을 보인, 제1도의 대응하는 부재와 비교하여 확대된, 레티클(reticle) 및 웨이퍼상의 목표 영역의 부분 측단면도.

제3도는 포토레지스트의 선택된 영역으로 광을 유도하여 포토레지스트층에 제2노광패턴을 생성시키기 위한 제2마스크 패턴화 공정을 보인, 제2도와 같은 부분 측단면도

제4도는 본 발명의 현상공정을 보인, 제2도 및 제3도의 포토레지스트층의 측단면도.

Claims

레벨간유전체에 집적회로 접속을 행하기 위해 사용되는 포토레지스트 마스크의 형성방법으로서, a) 레벨간유전체의 표면에 소정 두께를 갖는 포토레지스트의 층을 제공하는 공정; b) 제1마스크패턴을 통해 상기 포토레지스트에 광을 유도하여 상기 포토레지스트내에 제1노광 패턴을 생성하는 공정; c) 상기 포토레지스트를 현상하기 전에, 제2마스크패턴을 통해 상기 포토레지스트로 광을 유도하여 포토레지스트내에 제2노광패턴을 생성하는 공정; 및 d) 상기 제1노광패턴의 영역에 있어서, 소정의 두께보다 얇은 제1두께의 포토레지스트를 제거하고, 또한 상기 제2노광패턴의 영역에 있어서, 제2두께의 포토레지스트를 제거하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 공정을 포함하며, 이에 의해 상기 마스크가 복수의 상이한 두께를 갖는 포토레지스트의 영역을 포함하는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 c)의 후 및 상기 공정 d)의 전에, 제3마스크 패턴을 통해 상기 포토레지스트로 광을 유도하여 이 포토레지스트내에 제3노광 패턴을 생성하는 공정을 포함하고, 상기 공정 d)는, 상기 제3노광패턴의 영역에 있어서, 제3두께의 포토레지스트를 제거하는 공정을 더 포함하며, 이에 따라 상기 마스크가 적어도 3개의 상이한 두께를 갖는 포토레지스트이 영역을 포함하는 ,포토레지스트 마스크의 형성방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 b)는 제1노광레벨의 광으로 상기 포토레지스트를 노광하여 상기 제1노광 패턴을 생성하는 공정을 포함하고, 상기 공정 c)는 상기 제1노광레벨보다 높은 제2노광레벨의 광으로 상기 포토레지스트를 노광하여 상기 제2노광 패턴을 생성하는 공정을 포함하는, 포토레지스트 마스크의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 c)에서 생성되는 상기 제2노광패턴이 상기 공정 b)에서 생성되는 상기 제1노광패턴과 적어도 부분적으로 중첩하는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 c)에서 사용되는 상기 광은, 상기 공정 b)에서 사용되는 광보다 단위면적당 보다 대량의 광자의 도즈를 갖고, 상기 공정 d)는 상기 제2노광패턴의 영역에 있어서 상기 포토레지스트의 상기 소정 두께의 거의 전부를 제거하고, 상기 제1노광패턴의 영역에 있어서 상기 소정 두께보다 얇은 상기 제1두께의 포토레지스트만을 제거하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 공정을 포함하는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
레벨간유전체에 집적회로 접속을 행하기 위해 사용되는 포토레지스트 마스크의 형성방법으로서, a) 상기유전체와 포토레지스트의 표면간에 소정 두께를 갖는 포토레지스트의 층을 제공하는 공정; b) 제1마스크패턴을 통해 상기 포토레지스트에 제1노광레벨로 광을 유도하여 상기 포토레지스트내에 제1노광 패턴을 생성하는 공정; c) 제2마스크패턴을 통해 상기 포토레지스트에 제2노광레벨로 광을 유도하여 상기 포토레지스트내에 제2노광 패턴을 생성하는 공정; 및 d) 상기 공정 b) 및 c)의 후, 상기 제1 및 제2노광레벨의 광중 노광레벨이 낮은 쪽의 광으로 노광된 영역에 있어서, 상기 소정의 두께보다 얇은 제1두께의 포토레지스트를 제거하고, 상기 제1 및 제2노광레벨의 광중 노광레벨이 높은 쪽의 광으로 노광된 영역에 있어서, 상기 소정 두께의 포토레지스트의 거의 전부를 제거하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 공정을 포함하며, 이에 의해 상기 포토레지스트 마스크가 복수의 상이한 두께를 갖는 포토레지스트의 영역을 포함하는, 포토레지스트 마스크 형성방법.
제6항에 있어서, 상기 공정 c)에서 생성되는 상기 제2노광패턴이 상기 공정 b)에서 생성되는 상기 제1노광패턴과 적어도 부분적으로 중첩하는, 포토레지스트 마스크 형성방법.
제6항에 있어서, 상기 제2노광패턴은 상기 제1노광패턴의 부분과 중첩되고, 상기 공정 c)에서 상기 제2마스크 패턴을 통해 유도되는 광의 상기 제2노광레벨이 상기 공정 b)에서 상기 제1마스크 패턴을 통해 유도되는 광의 상기 제1노광레벨보다 높고, 상기 공정 d)에 있어서, 상기 포토레지스트의 상기 소정 두께의 거의 전부가 상기 제2노광패턴의 영역에서 제거되고, 상기 포토레지스트의 상기 소정 두께보다 얇은 두께가 상기 제1노광패턴의 영역에서 제거되는, 포토레지스트 마스크 형성방법.
레벨간유전체에 집적회로 접속을 행하기 위해 사용되는 포토레지스트 마스크의 형성방법으로서, 상기 접속은 패턴화된 상호접속 및 비아를 포함하는, 상기 포토레지스트 마스크의 형성방법은, a) 레벨간유전체의 표면에 소정 두께를 갖는 포토레지스트의 층을 제공하는 공정; b) 제1마스크패턴으로 정의되는 포토레지스트의 선택된 영역을 제1노광레벨의 광으로 노광하여 상기 포토레지스트내에 제1노광 패턴을 생성하는 공정; c) 상기 포토레지스트를 현상하기 전에, 제2마스크패턴으로 정의되는 포토레지스트의 선택된 영역을 제2노광레벨의 광으로 노광하여 상기 포토레지스트내에 제2노광 패턴을 생성하는 공정; 및 d) 상기 제1노광패턴의 영역에 있어서, 상기 포토레지스트를 제1두께만큼 제거하고, 상기 제2노광패턴의 영역에 있어서, 상기 포토레지스트를 제2두께만큼 제거하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 공정을 포함하며, 이에 의해 상기 공정 d)의 결과로서 얻어지는 포토레지스트 마스크가 복수의 상이한 두께를 갖는 포토레지스트의 영역을 포함하는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 d)에서 제거되는 상기 제1 및 제2두께 중 일방이 상기 포토레지스트의 상기 소정 두께와 거의 같고, 이 포토레지스트의 전체 두께가 상기 제1 및 제2노광패턴중 일방에 대응하는 영역에서 제거되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 c)의 후 및 상기 공정 d)의 전에, 제3마스크 패턴으로 정의되는 상기 포토레지스트로의 선택된 영역을 제3노광레벨로 노광하여 상기의 포토레지스트내에 제3노광패턴을 생성하는 공정을 포함하고, 상기 공정 d)는, 상기 제3노광패턴의 영역에 있어서 상기 포토레지스트를 제3두께만큼 제거하도록 상기 포토레지스트를 현상하는 공정을 더 포함하며, 이에 따라 상기 포토레지스트 마스크가 적어도 3개의 상이한 두께를 갖는 포토레지스트의 영역을 포함하는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 c)에서 사용되는 상기 광의 상기 제2노광레벨이 상기 공정 b)에서 사용되는 광의 상기 제1노광레벨보다 높고, 상기 제1노광패턴의 영역으로부터 보다 상기 제2노광패턴의 영역으로부터의 쪽이, 보다 큰 두께의 포토레지스트가 상기 공정 d)에서 제거되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제12항에 있어서, 상기 제2노광패턴은 상기 제1노광패턴의 부분과 중첩되고, 상기 공정 d)에서 상기 제2노광패턴의 영역으로부터 제거되는 포토레지스트의 두께가 상기 포토레지스트층의 상기 소정 두께의 거의 전부이며, 이에 의해 비아가 기판의 어디에 형성되는지를 정의하도록 제2노광패턴이 사용되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제12항에 있어서, 상기 현상 공정 d)에서 상기 제2노광패턴의 영역으로부터 제거된 포토레지스트의 두께가 상기 포토레지스트층의 상기 소정 두께의 전부이며, 이에 비해 비아가 기판의 어디에 형성되는지를 정의하도록 제2노광패턴이 사용되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 b)는 레티클을 통해 상기 포토레지스트의 선택된 영역으로 상기 제1노광레벨의 광을 유도하는 공정을 포함하고, 상기 레티클은 그위에 형성되는 상기 제1마스크 패턴을 가지며, 이에 의해 상기 제1노광패턴이 상기 포토레지스트내에 생성되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제15항에 있어서, 상기 공정 c)는 레티클을 통해 상기 포토레지스트의 선택된 영역으로 상기 제2노광레벨의 광을 유도하는 공정을 포함하고, 상기 레티클은 그위에 형성되는 상기 제2마스크 패턴을 가지며, 이에 의해 상기 제2노광패턴이 상기 포토레지스트내에 생성되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.
제16항에 있어서, 상기 제1마스크 패턴을 그위에 갖는 레티클과 상기 제2마스크 패턴을 그위에 갖는 레티클은 동일한 레티클이고, 상기 공정 b) 및 c)의 각각이 상기 제1 및 제2노광레벨의 광이 각각 유도되는 위치로 상기 레티클을 이동시키는 공정을 포함하며, 상기 레티클을 이동시키는 공정은, 상기 공정 b)에 있어서는 상기 제1마스크 패턴이 형성된 레티클의 부분을 통해 광이 유도되고, 상기 공정 c)에 있어서는 상기 제2마스크 패턴이 형성된 레티클의 부분을 통해 광이 유도되는, 포토레지스트 마스크의 형성방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.