DE10214246A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Maske - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Maske

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    • H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Maske, die beispielsweise bei der Produktion von Halbleiterchips verwendet werden kann. Die Maske 1 weist eine Chipfläche 2 ("Active Area") auf, die von einer Korrekturfläche 3 umrandet ist. Die Korrekturfläche 3 ist ein Dosisvariationspattern, das durch verschieden stark belichtete Bereiche auf dem Maskensubstrat gebildet wird. Diese Bereiche werden dadurch erzeugt, dass in einem Belichtungsschritt die Bestrahlungsintensität eines Photolackes variiert wird, beispielsweise durch Beeinflussung eines Elektronenstrahles. Insbesondere werden weiter vom Zentrum der Chipfläche 2 entfernte Bereiche der Korrekturfläche 3 intensiver bestrahlt. Dadurch können Größenschwankungen der Chipstrukturen vermindert werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer Maske, die beispielsweise bei der Produktion von Halbleiterchips verwendet werden kann.
  • Insbesondere und nicht ausschließlich bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer Maske, die eine Chipfläche ("Active Area") aufweist, die von einer Korrekturfläche umrandet ist. Die Korrekturfläche ist ein Dosisvariationspattern, das durch verschieden stark belichtete Bereiche auf dem Maskensubstrat gebildet wird. Diese Bereiche werden dadurch erzeugt, dass in einem Belichtungsschritt die Bestrahlungsintensität eines Photolackes variiert wird, beispielsweise durch Beeinflussung eines Elektronenstrahles. Insbesondere werden weiter vom Zentrum der Chipfläche entfernte Bereiche der Korrekturfläche intensiver bestrahlt. Dadurch können Größenschwankungen der Chipstrukturen vermindert werden.
    • Stand der Technik
  • Ein bekanntes Problem bei der Herstellung von Halbleiterstrukturen mittels einer Maske durch Lithographie sind Schwankungen der hergestellten Strukturgrößen. Strukturgrößenschwankungen haben ihre Ursache in einzelnen Schritten des Herstellungsprozesses, beispielsweise in der Maskenentwicklung, dem Maskenätzen, dem Waferbelichten, dem Waferentwickeln, etc. aber auch in Fehlern der in dem Herstellungsprozess verwendeten Geräte, wie z. B. Linsenfehler der Stepper und Scanner.
  • Strukturgrößenschwankungen haben auch Auswirkungen auf das CD-Maß der Maske (CD = Critical Dimension). Das CD-Maß gibt die kleinste bei der Chipherstellung erzeugbare Strukturgröße an.
  • Derzeit wird dieses Problem durch Einzelprozessoptimierung gelöst. Dies ist jedoch aufwändig und führt zu hohen Kosten bei der Chipherstellung.
  • Aus der US-B1-6210843 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Maske bekannt, bei der ein eine "Active Area" auf der Maske umgebender Graben erzeugt wird, durch welchen die Critical Dimension am Rand der Active Area verändert werden soll.
  • Eine Aufgabe der vorliegende Erfindung ist es, Strukturgrößenschwankungen bei der Herstellung von Chipstrukturen zu reduzieren. Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß ist ein Verfahren geschaffen zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten: Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat; erstes Bestrahlen des Photolackes mit einer ersten Bestrahlungsintensität, zur Erzeugung von Chipstrukturen innerhalb einer Chipfläche; zweites Bestrahlen des Photolackes innerhalb der Chipfläche, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungsschritt unterhalb der Bestrahlungsintensität im ersten Belichtungsschritt liegt.
  • Die Erfindung basiert insbesondere auf der Erkenntnis, dass durch eine zweite Bestrahlung des Photolackes innerhalb der Chipfläche mit geringerer Bestrahlungsintensität Srukturgrößenschwankungen kompensiert werden können. Insbesondere kann dadurch die Abbildungsgenauigkeit der Strukturen im ersten Bestrahlungsschritt erhöht werden. Die Notwendigkeit von Einzelprozessoptimierungen entfällt.
  • Unter Bestrahlungsintensität hier wird die Wirksamkeit der Bestrahlung auf dem Photolack verstanden. Diese kann auf verschiedene Weisen variiert werden (z. B. durch Variation der Bestrahlungsdosis).
  • Der zusätzliche Bestrahlungsschritt kann unabhängig von der Belichtung zur Abbildung der Chipstrukturen durchgeführt werden, so dass herkömmliche Herstellungsverfahren um den zusätzlichen Bestrahlungsschritt auf einfache Weise erweitert werden können.
  • Insbesondere wird in dem zweiten Bestrahlungsschritt der Photolack innerhalb der Chipfläche bestrahlt. Dies kann mittels einer Strahlquelle geschehen, die auf einen Bereich des Photolackes innerhalb der Chipfläche gerichtet ist. Alternativ kann die Strahlquelle jedoch auch auf einen Bereich des Photolackes außerhalb der Chipfläche gerichtet sein. In beiden Fällen wird dabei ein Bereich innerhalb der Chipfläche auf dem Photolack mit Strahlung beaufschlagt, im ersten Fall durch direkte und im zweiten Fall durch indirekte Bestrahlung.
  • Insbesondere werden in dem zweiten Belichtungsschritt sowohl jene Bereiche des Photolackes belichtet, die im ersten Belichtungsschritt bereits belichtet wurden (d. h. die Abbildungen der Halbleiterstrukturen auf dem Photolack), als auch unbelichtete Bereiche (d. h. Bereiche zwischen den Strukturen). Die Bestrahlungsintensität ist im zweiten Belichtungsschritt jedoch derart gewählt, dass jene Bereiche, die im ersten Belichtungsschritt zwar unbelichtet geblieben sind, nun aber im zweiten Belichtungsschritt belichtet werden, in einem nachfolgenden Schritt, in welchem der Photolack entwickelt wird, durch die Entwicklung nicht entfernt werden.
  • Vorzugsweise liegen die im zweiten Bestrahlungsschritt belichteten Bereiche des Photolacks am Rand der Chipfläche.
  • Dadurch werden die inbesondere am Rand der Chipfläche auftretenden Strukturgrößenschwankungen effektiv reduziert bzw. eliminiert.
  • Vorzugsweise wird die Bestrahlungsintensität abhängig vom Abstand vom Zentrum der Chipfläche variiert. Die Bestrahlungsintensität kann proportional bzw. linear proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche zunehmen. Die Kompensationswirkung des zweiten Bestrahlungsschrittes nimmt dadurch ebenfalls proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche zu. Dadurch werden Strukturgrößenschwankungen dort effektiv reduziert, wo sie am wahrscheinlichsten auftreten, nämlich mit zunehmendem Abstand vom Zentrum der Chipfläche.
  • Nach einer Ausgestaltung der Erfindung wird die Bestrahlung mittels eines durch eine Elektronenstrahlquelle erzeugten Elektronenstrahles durchgeführt. Die Bestrahlungsintensität kann dabei durch Variation des Eingangsstromes der Elektronenstrahlquelle variiert werden. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass die Steuerung der Variation der Bestrahlungsintensität besonders einfach ist.
  • In einer alternativen Ausgestaltung wird der Eingangsstrom der Elektronenstrahlquelle konstant gehalten, und zwar auf einem möglichst geringem Niveau. In dieser Ausgestaltung wird die Bestrahlunsintensität durch Variation des Strahldurchmessers des erzeugten Elektronenstrahles gesteuert. Je geringer der Strahldurchmesser bei konstantem Eingangsstrom, desto größer die Strahlungsintensität pro Flächeneinheit. Zusätzlich kann durch Überlappung von Elektronenstrahlen unterschiedlicher Bündelung ein beliebiges graduelles Korrekturmuster im Randbereich der Chipfläche erzeugt werden.
  • In einer weiteren Ausgestaltung wird die Bestrahlung im zweiten Bestrahlungsschritt pixelweise durchgeführt. In dieser Ausgestaltung wird die Bestrahlungsintensität durch Variation der Pixelabstände gesteuert. Das Verfahren kann dann folgende zusätzliche Schritte aufweisen: Erzeugen eines Bitmaps, das die Pixelverteilung für die Bestrahlung im zweiten Bestrahlungsschritt darstellt; und Bestrahlung des Photolackes im zweiten Bestrahlungsschritt gemäß dem erzeugten Bitmap. Diese Ausgestaltung ermöglicht in vorteilhafter Weise eine computergesteuerte Erzeugung eines graduellen Korrekturmusters auf der Chipfläche.
  • Erfindungsgemäß ist auch ein Verfahren geschaffen zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten: Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat; erstes Bestrahlen des Photolackes innerhalb einer Chipfläche zur Erzeugung von Chipstrukturen; zweites Bestrahlen zumindest eines Bereiches der Photolackoberfläche, wobei die Bestrahlung innerhalb des Bereiches abhängig vom Abstand vom Zentrum der Chipfläche variiert wird.
  • Durch Variation der Bestrahlung innerhalb des im zweiten Bestrahlungsschrittes bestrahlten Bereiches der Photolackoberfläche wird auch die Kompensationswirkung bzgl. der Größenschwankungen von Strukturen abhängig von deren Position innerhalb der Chipfläche variiert. Dadurch können Strukturgrößenschwankungen ortsabhängig (d. h. entsprechend ihrem Auftreten) korrigiert werden.
  • In einer Ausgestaltung wird die Bestrahlung im zweiten Bestrahlungsschritt durch Variation der Bestrahlungsdosis variiert, zur Erzeugung eines Dosisvariationspatterns. Dabei ist die Bestrahlungsdosis im zweiten Belichtungsschritt vorzugsweise unterhalb der Bestrahlungsdosis im ersten Belichtungsschritt, um die Abbildungsgenauigkeit der im ersten Belichtungsschritt erzeugten Strukturen nicht zu beeinträchtigen.
  • Es wurde von den Erfindern festgestellt, dass der im zweiten Bestrahlungsschritt bestrahlte Bereich der Photolackoberfläche außerhalb der Chipfläche liegen kann. Dabei sollte die Bestrahlungsdosis innerhalb dieses Bereiches abhängig vom Abstand zum Rand der Chipfläche zunehmen. Eine derartige Bestrahlung außerhalb der Chipfläche hat Auswirkungen auf die Strukturgrößenschwankungen innerhalb der Chipfläche. Insbesondere nimmt die Kompensationswirkung zum Rand der Chipfläche hin zu. Deshalb werden die Strukturgrößen am Rand der Chipfläche, also dort wo Größenschwankungen am wahrscheinlichsten sind, am effektivsten ausgeglichen.
  • In einer alternativen Ausgestaltung liegt der im zweiten Bestrahlungsschritt bestrahlte Bereich innerhalb der Chipfläche. Dabei ist die Bestrahlungsintensität im zweiten Bestrahlungsschritt geringer als am ersten Bestrahlungsschritt.
  • Erfindungsgemäß ist außerdem ein Verfahren geschaffen zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten: Erzeugen eines ersten Bitmaps, welches Chipstrukturen pixelweise darstellt; Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat; Erzeugen eines Strahles zur pixelweisen Bestrahlung des Photolackes innerhalb einer Chipfläche zur Erzeugung der Chipstrukturen; Erzeugen eines zweiten Bitmaps, welches ein Dosisvariationspattern pixelweise darstellt; und Erzeugen eine Strahles zur pixelweisen Bestrahlung des Photolackes zur Erzeugung des Dosisvariationspatterns.
  • Dieses Verfahren ermöglicht anhand der Abbildung sowohl der Chipstrukturen als auch eines Dosisvariationspatterns in Form eines Bitmaps eine vollständig computergesteuerte Herstellung sowohl der Chip- als auch der Korrekturstrukturen in separaten Herstellungsschritten. Alternativ können die Chip- und die Korrekturstrukturen auch in einem gemeinsamen Schritt hergestellt werden.
  • Erfindungsgemäß ist weiterhin eine Vorrichtung geschaffen zur Herstellung einer Maske, mit: einem Datenspeicher zur Speicherung eines ersten und eines zweiten Bitmaps, wobei das erste Bitmap Chipstrukturen und das zweite Bitmap ein Dosisvariationspattern darstellt; einer Strahlenquelle zur pixelweisen Bestrahlung eines Photolackes auf einem Maskensubstrat; einem Prozessor zum Abrufen der gespeicherten Bitmaps aus dem Datenspeicher und zur Steuerung der Strahlenquelle zur Erzeugung der Chipstrukturen innerhalb einer Chipfläche auf dem Maskensubstrat, und des Dosisvariationspatterns, durch pixelweise Bestrahlung des Photolackes auf dem Maskensubstrat gemäß den abgerufenen Bitmaps.
  • Darüber hinaus ist ein Computerprogramm geschaffen, zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens in einer Vorrichtung zur Maskenherstellung.
    • Beschreibung der Zeichnungen
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden an Hand der Zeichnungen erläutert, und es zeigen:
  • Fig. 1 eine Maske zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleiterstruktur mittels Lithographie nach einer Ausgestaltung der Erfindung;
  • Fig. 2 die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung einer Maske nach einer Ausgestaltung der Erfindung; und
  • Fig. 3 eine Vorrichtung zur Herstellung einer Maske nach einer Ausgestaltung der Erfindung.
  • Fig. 1 zeigt schematisch eine Maske 1 nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Maske 1 weist eine Chipfläche 2 auf, in welche Chipstrukturen hineingeätzt werden, zur Abbildung auf einen Wafer mittels Lithographie.
  • Die Chipfläche 2 ist durch eine Korrekturfläche 3 mit einem Dosisvariationspattern umgeben.
  • Das Dosisvariationspattern wird ebenso wie die Chipstrukturen durch Belichtung eines Photolackes auf die Maskenoberfläche abgebildet. Die durch das Dosisvariationspattern dargestellte Bestrahlungsdosis nimmt proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche 2 zu, wie durch die nach außen hin zunehmende Grauschattierung angedeutet.
  • Die Korrekturfläche 3 ist durch Korrekturbalken 4 gebildet, die parallel zu den Rändern der Chipfläche 2 verlaufen.
  • Die nach außen hin zunehmende Bestrahlungsdosis der Korrekturbalken 4 wird durch Variation der Bestrahlungsintensität bei der Belichtung erzeugt. Dabei wird die Bestrahlungsmenge pro Flächeneinheit innerhalb der Korrekturbalken nach außen hin erhöht.
  • Die Belichtung der Korrekturbalken 4 geschieht durch pixelweises Bestrahlen. Die Erhöhung der Bestrahlungsintensität nach außen hin wird beispielsweise durch Reduzierung der Pixelabstände, oder durch Erhöhung der Strahlungsleistung pro Pixel hergestellt.
  • Fig. 2 illustriert die Schritte bei der Herstellung einer Maske in einem Herstellungsverfahren nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. In einem Schritt 20 wird ein Photolack auf ein Maskensubstrat aufgetragen. In einem anschließenden ersten Belichtungsschritt 21 werden die Strukturen der Chipfläche 2 (Fig. 1) auf den Photolack abgebildet. Dies geschieht durch pixelweises Abtasten des Photolackes innerhalb der Chipfläche 2 mittels eines Elektronenstrahles.
  • In einem zweiten Belichtungsschritt 22 wird ein Dosisvariationspattern innerhalb der Korrekturfläche 3erzeugt. Das Dosisvariationspattern zeichnet sich dadurch aus, dass die Bestrahlungsintensität zu dessen Erzeugung linear proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche 2 zunimmt.
  • Die Belichtung im zweiten Belichtungsschritt erfolgt durch pixelweise Abtastung des Photolackes innerhalb der Korrekturfläche mit einem Elektronenstrahl. Die Variation der Bestrahlungsintensität nach außen hin erfolgt durch Verringerung der Pixelabstände, oder durch Variation der Energie des auf den Photolack auftreffenden Elektronenstrahles. Letzteres kann beispielsweise durch Variation des Eingangssteuerstromes der Elektronenstrahlquelle erreicht werden.
  • Der erste und der zweite Belichtungssschritt 21 bzw. 22 können auch gleichzeitig oder in umgekehrter Reihenfolge durchgeführt werden.
  • Anschließend wird der Photolack in einem Schritt 23 entwickelt. Dabei werden belichtete Bereiche des Photolackes entfernt. Die Bestrahlunsintensität zur Erzeugung des Dosisvariationspatterns ist allerdings derart gering, dass die in dem zweiten Belichtungsschritt belichteten Bereiche des Photolackes bei der Entwicklung nicht entfernt werden.
  • Anschließend werden die durch die Entwicklung 23 freigelegten Bereiche der Oberfläche des Maskensubstrates geätzt. Dadurch werden nur die Strukturen im Maskensubstrat abgebildet (und nicht etwa auch ein Korrekturmuster oder dergleichen), da bei der Entwicklung 23 lediglich die im ersten Belichtungsschritt 21 belichteten Bereiche des Photolacks entfernt werden.
  • Fig. 3 illustriert schematisch eine Vorrichtung zur Herstellung einer Maske nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Vorrichtung umfaßt einen Datenspeicher 30 zur Speicherung des Dosisvariationspatterns. Wahlweise kann der Datenspeicher 30 auch das Strukturpattern der Chipfläche 2 speichern. Alternativ kann dafür ein separater Datenspeicher vorgesehen sein.
  • Der Datenspeicher 30 ist mit einem Prozessor 31 gekoppelt. Der Prozessor ist zum Abrufen und Verarbeiten der in dem Datenspeicher enthaltenen Daten ausgebildet, sowie zur Übermittlung eines Signales an eine Steuerungseinheit 32 zur Steuerung einer Elektronenstrahlquelle 33. Das Signal stellt Informationen dar, anhand derer die Steuerungseinheit 32 die Eletronenstrahlquelle derart ansteuert, dass die Chipstrukturen und das Dosisvariationspattern auf den Photolack der Maske 1 abgebildet werden.
  • Insbesondere steuert die Steuerungseinheit 32 die Elektronenstrahlquelle derart, dass der Photolack der Maske 1 pixelweise zur Abbildung der Chipstrukturen und des Dosisvariationspatterns abgetastet wird. Zur Erzeugung des Dosisvariationspattern verändert die Steuerungseinheit 32 den Abstand des Elektronenstrahles für benachbarte Pixel. Der Abstand des Elektronenstrahles für benachbarte Pixel wird mit zunehmendem Abstand vom Zentrum der Chipfläche 2 verringert, so dass eine Überlappung benachbarter Pixel auftritt, und somit weiter außen gelegene Bereiche der Korrekturfläche 3 stärker bestrahlt werden.
  • In einer alternativen Ausgestaltung verändert die Steuerungseinheit 32 den Eingangsstrom der Elektronenstrahlquelle 33, so dass die Intensität des erzeugten Elektronenstrahles mit zunehmendem Abstand vom Zentrum der Chipfläche 2 zunimmt.
  • Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern umfasst Modifikationen und Variationen im Rahmen des durch die Ansprüche definierten Schutzbereiches. Beispielsweise kann die Reihenfolge der Schritte variiert werden.

Claims (26)

1. Verfahren zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten:
Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat;
erstes Bestrahlen des Photolackes mit einer ersten Bestrahlungsintensität, zur Erzeugung von Chipstrukturen innerhalb einer Chipfläche;
zweites Bestrahlen des Photolackes innerhalb der Chipfläche, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungsschritt unterhalb der Bestrahlungsintensität im ersten Belichtungsschritt liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der zweite Bestrahlungsschritt mittels einer Strahlquelle durchgeführt wird, die auf einen Bereich des Photolackes innerhalb der Chipfläche gerichtet ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der zweite Bestrahlungsschritt mittels einer Strahlquelle durchgeführt wird, die auf einen Bereich des Photolackes außerhalb der Chipfläche gerichtet ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im zweiten Belichtungsschritt im ersten Belichtungsschritt belichtete und unbelichtete Bereiche des Photolackes belichtet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungsschritt derart gewählt ist, dass im zweiten Belichtungsschritt belichtete und im ersten Belichtungsschritt unbelichtete Bereiche des Photolackes in einem nachfolgenden Entwicklungsschritt nicht entfernt werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die im zweiten Bestrahlungsschritt belichteten Bereiche des Photolacks am Rand der Chipfläche liegen.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungssschritt abhängig vom Abstand vom Zentrum der Chipfläche variiert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungsschritt proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche zunimmt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Belichtungsschritt linear proportional zum Abstand vom Zentrum der Chipfläche zunimmt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die Bestrahlung zumindest im zweiten Bestrahlungsschritt mittels eines Elektronenstrahls durchgeführt werden, und die Bestrahlungsintensität im zweiten Bestrahlungsschritt durch Variation des Strahldurchmessers des Elektronenstrahles gesteuert wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei die Bestrahlung zumindest im zweiten Bestrahlungsschritt pixelweise durchgeführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Bestrahlungsschritt durch Variation der Pixelabstände gesteuert wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Bestrahlungsintensität im zweiten Bestrahlungsschritt durch variierende Überlappung der Pixel gesteuert wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, mit folgenden Schritten:
Erzeugen eines Bitmaps, das die Pixelverteilung für die Bestrahlung im zweiten Belichtungsschritt darstellt; und
Bestrahlung des Photolackes im zweiten Belichtungsschritt gemäß dem erzeugten Bitmap.
15. Verfahren zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten:
Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat;
erstes Bestrahlen des Photolackes innerhalb einer Chipfläche zur Erzeugung von Chipstrukturen;
zweites Bestrahlen zumindest eines Bereiches der Photolackoberfläche, wobei die Bestrahlung innerhalb des Bereiches abhängig vom Abstand vom Zentrum der Chipfläche variiert wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Bestrahlung im zweiten Bestrahlungsschritt durch Variation der Bestrahlungsdosis variiert wird, zur Erzeugung eines Dosisvariationspatterns.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Bestrahlungsdosis im zweiten Bestrahlungsschritt geringer ist als im ersten Bestrahlungsschritt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei der im zweiten Bestrahlungsschritt bestrahlte Bereich innerhalb der Chipfläche liegt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei der im zweiten Bestrahlungsschritt bestrahlte Bereich außerhalb der Chipfläche liegt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei der im zweiten Bestrahlungsschritt bestrahlte Bereich am Rand der Chipfläche liegt.
21. Verfahren zur Herstellung einer Maske, mit folgenden Schritten:
Erzeugen eines ersten Bitmaps, welches Chipstrukturen pixelweise darstellt;
Aufbringen eines Photolackes auf ein Maskensubstrat;
Erzeugen eines Strahles zur pixelweisen Bestrahlung des Photolackes innerhalb einer Chipfläche zur Erzeugung der Chipstrukturen;
Erzeugen eines zweiten Bitmaps, welches ein Dosisvariationspattern pixelweise darstellt; und
Erzeugen eine Strahles zur pixelweisen Bestrahlung des Photolackes zur Erzeugung des Dosisvariationspatterns.
22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Dosisvariationspattern innerhalb der Chipfläche erzeugt wird.
23. Verfahren nach Anspruch 21 oder 22, wobei das Dosisvariationspattern am Rand der Chipfläche erzeugt wird.
24. Vorrichtung zur Herstellung einer Maske, mit:
einem Datenspeicher zur Speicherung eines ersten und eines zweiten Bitmaps, wobei das erste Bitmap Chipstrukturen und das zweite Bitmap ein Dosisvariationspattern darstellt;
einer Strahlenquelle zur pixelweisen Bestrahlung eines Photolackes auf einem Maskensubstrat;
einem Prozessor zum Abrufen der gespeicherten Bitmaps aus dem Datenspeicher und zur Steuerung der Strahlenquelle zur Erzeugung der Chipstrukturen innerhalb einer Chipfläche auf dem Maskensubstrat, und des Dosisvariationspatterns, durch pixelweise Bestrahlung des Photolackes auf dem Maskensubstrat gemäß den abgerufenen Bitmaps.
25. Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei der Prozessor zur Erzeugung des Dosisvariationspatterns innerhalb der Chipfläche, und insbesondere am Rand der Chipfläche, ausgebildet ist.
26. Computerprogramm, zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 23 auf einer Vorrichtung nach Anspruch 24 oder 25.
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