DE102006048974A1

DE102006048974A1 - Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl, Gerät für den geladenen Teilchenstrahl, Verfahren zur Werkstückbeobachtung und Werkstückbearbeitung

Info

Publication number: DE102006048974A1
Application number: DE102006048974A
Authority: DE
Inventors: Tomokazu Kozakai; Ryoji Hagiwara; Masashi Muramatsu
Original assignee: SII NanoTechnology Inc
Current assignee: Hitachi High Tech Science Corp
Priority date: 2005-10-28
Filing date: 2006-10-17
Publication date: 2007-05-03
Anticipated expiration: 2026-10-18
Also published as: JP4748714B2; DE102006048974B4; US7485880B2; JP2007123071A; US20070114454A1

Abstract

Nachdem ein Abtastbereich zur Beobachtung oder Bearbeitung einer Maske eingestellt worden ist, bestimmt ein Computer des Geräts für den geladenen Teilchenstrahl eine Mehrzahl Abtastlinien im Abtastbereich durch die folgenden Schritte: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Abtastbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung der Abtastlinie. Nachdem die Abtastlinien bestimmt worden sind, steuert der Computer eine Abtastschaltung, um die Abtastlinien mit dem Ionenstrahl zu bestrahlen, wobei die Abtastlinien und/oder Bildpunkte ausgedünnt werden.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl, ein Gerät für den geladenen Teilchenstrahl und Verfahren zur Werkstückbeobachtung und Werkstückbearbeitung.

Wenn ein Isolatorwerkstück durch einen geladenen Teilchenstrahl auf herkömmliche Weise beobachtet oder bearbeitet wird, wie z. B. durch einen Ionen- oder Elektronenstrahl (im Folgenden auch einfach als "Strahl" bezeichnet), wird der Bestrahlungsstrahl rasterförmig abgetastet und auf dem Werkstück positioniert. Mit Rasterabtastung wird bezeichnet, wie eine Punktmatrix sequentiell zu bestrahlen ist. Um auf herkömmliche Weise gute beobachtete Bilder und Prozessergebnisse zu erzielen, wird die Abtastreihenfolge bei der Rasterabtastung fachgerecht z. B. zu einer ausgedünnten Abtastreihenfolge modifiziert (Abtasten in Intervallen, bestehend aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte) (siehe z. B. Patentdokument 1). Die ausgedünnte Abtastreihenfolge löst das Problem von Ladeeffekten, die aus einer Ionenstrahlbestrahlung resultieren; d. h. sekundäre aus der Maske emittierte Ionen werden nicht erfolgreich erkannt. 8 zeigt die Abtastreihenfolge beim rasterabtastbasierten ausgedünnten Abtasten. In der folgenden Beschreibung ist die Richtung von links nach rechts die X-Richtung und die Richtung von oben nach unten die Y-Richtung eines Werkstücks auf Basis der Rasterabtastung. Die Nummern in manchen der Bildpunkte geben die Reihenfolge der Strahl-Bestrahlungsreihenfolge an. Wie hierin verwendet ist ein Bildpunkt eine Flächeneinheit für eine Bestrahlung mit einem Strahl und eine Fläche, die in X-(waagrechter) und Y-(senkrechter) Richtung in einem Intervall entsprechend einer minimalen Einheit der Ablenkung des Bestrahlungsstrahls geteilt ist. Wie in der Figur dargestellt ist beim rasterbasierten ausgedünnten Abtasten ein Abtastbereich in Bildpunkte geteilt, und für eine bestimmte Bildpunktzeile werden die mittleren Positionen von Bildpunkten, die um eine vorgegebene Anzahl Bildpunkte in X-Richtung beabstandet sind, mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt. Sobald die Strahl-Bestrahlung für diese eine Zeile abgeschlossen ist, wird die Strahl-Bestrahlung in dem aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte in X-Richtung gebildeten Intervall für eine Zeile wiederholt, die um eine vorgegebene Anzahl Zeilen (Bildpunkte) in Y-Richtung beabstandet ist. Wie das Flussdiagramm von 9 zeigt, wird bei der Rasterabtastung nachdem die Strahl-Bestrahlungspositionen für eine bestimmte Zeile bestimmt worden sind, die Strahl-Bestrahlung eingeschaltet und sobald die Bestrahlung für diese eine Zeile abgeschlossen ist, wird die Strahl-Bestrahlung vorläufig ausgeschaltet. Dann werden die Strahl-Bestrahlungspositionen für die nächste abzutastende Zeile bestimmt, und die Strahl-Bestrahlung wieder eingeschaltet. Diese Prozedur wird wiederholt, um den Abtastbereich mit dem Strahl zu bestrahlen, bis der Prozess beendet ist. Wie hierin verwendet bedeutet "Ausschalten der Strahl-Bestrahlung", dass der Strahl ausgetastet wird, bevor er das Werkstück erreicht, so dass der Strahl das Werkstück nicht erreicht. Wie hierin verwendet bedeutet "Einschalten der Strahl-Bestrahlung", dass der Strahl nicht ausgetastet wird, sondern das Werkstück bestrahlt. Andererseits wird zur Bildung eines strukturierten Films auf einer Werkstückoberfläche durch Aufsprühen einer Gasverbindung aus einer Gaspistole auf das Werkstück und Bestrahlen der Werkstückoberfläche mit der darauf abgeschiedenen Verbindung darauf mit einem fokussierten Ionenstrahl ein Verfahren zur Verbesserung der Effizienz der Ausbildung des strukturierten Films offenbart, bei dem ein optisches Ionenstrahl-Bestrahlungssystem mit einem Mittel zum digitalen Abtasten des Ionenstrahls bereitgestellt wird, wobei das digitale Abtastmittel den Ionenstrahl in Intervallen größer als oder gleich groß wie zwei Teilungen abtastet (siehe z. B. Patentdokument 2).

[Patentdokument 1] JP-B-6-38329
[Patentdokument 2] JP-A-1-293538

Im Allgemeinen stimmt die Kontur eines Prozessbereichs eines Werkstücks nicht immer mit den Grenzen der Bildpunkte überein, die beim Rasterabtasten verwendet werden. Um deshalb einen Prozessbereich genau zu bearbeiten, der nicht mit der Grenze der beim Rasterabtasten verwendeten Bildpunkte übereinstimmt, ist es leider erforderlich, den Abtastbereich so vorzugeben, dass er mit Unterbildpunktgenauigkeit mit der Kontur des Prozessbereichs übereinstimmt. Da wie oben beschrieben beim Rasterabtasten die Strahl-Bestrahlung vorübergehend ausgeschaltet wird, nach dem die Strahl-Bestrahlung einer bestimmten Zeile abgeschlossen ist, und die Strahl-Bestrahlung wieder eingeschaltet wird, um die nächste Zeile wiederholt zu bestrahlen, stimmt die Startposition der Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl mit der Kontur des Prozessbereichs überein. In der Startposition der Strahl-Bestrahlung kann die Instabilität der Strahl-Bestrahlungstaktung Prozessunregelmäßigkeiten bezüglich anderer Positionen verursachen. Insbesondere wenn das Werkstück bei Bestrahlung mit dem geladenen Teilchenstrahl bearbeitet wird, während ein Prozessgas oder ein Abscheidungsgas auf die Prozesspositionen gesprüht wird, ergibt sich auch das Problem, dass die bearbeitete Form der Kontur, die den wichtigsten Abschnitt darstellt, beeinträchtigt wird.

Andererseits sind beim Vektorabtasten die Strahl-Bestrahlungspositionen mit Unterbildpunktgenauigkeit vorgegeben, und ein Prozessbereich wird in einem einzigen Hub abgetastet, ohne die Strahl-Bestrahlung zu unterbrechen. Obwohl die Vektorabtastung das obige Problem der Rasterabtastung lösen kann, kann das Verfahren zum Ändern der Abtastreihenfolge wie ausgedünntes Abtasten auf Rasterabtastbasis nicht ohne Modifikation angewendet werden. Wie oben beschrieben wird ein Werkstück zur Bearbeitung mit einem Bestrahlungsstrahl bestrahlt, während ein Prozessgas wie ein Ätzgas oder ein Abscheidungsgas auf das Werkstück gesprüht wird. Bei einem Prozess mit ausgedünntem Abtasten diffundiert das während der vorigen Abtastvorgänge auf das Werkstück gesprühte Gas in den Prozessbereich, da eine Abtastzeile mehrmals abgetastet wird. Das Prozessgas kann deshalb wirksam im Prozess verwendet werden. Da andererseits beim Vektorabtasten die Strahl-Bestrahlung erfolgt, bevor das auf das Werkstück gesprühte Prozessgas in die nächste Prozessposition diffundiert ist, ergibt sich das Problem, dass das aufgesprühte Prozessgas nicht wirksam verwendet werden kann.

Die Erfindung wurde angesichts solcher Situationen erarbeitet und hat das Ziel, ein Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl und ein Gerät für den geladenen Teilchenstrahl bereitzustellen, mit denen die Konturlinienbeobachtung und Prozessgenauigkeit verbessert werden kann und ein auf das Werkstück während des Prozesses gesprühtes Prozessgas wirksam verwendet wird.

Zusammenfassung der Erfindung

Die Erfindung ist erarbeitet worden, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, und stellt Abtasten mit geladenem Teilchenstrahl und ein Bestrahlungsverfahren unter Verwendung eines Geräts für den geladenen Teilchenstrahl bereit, das die Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl nutzt, um ein Werkstück zu beobachten oder zu bearbeiten, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte aufweist: Einstellen eines Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Mehrzahl Abtastlinien im Prozess- oder Beobachtungsbereich, wobei der Schritt der Bestimmung einer Mehrzahl Abtastlinien die Schritte aufweist: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung einer Abtastlinie; und Bestrahlen der bestimmten Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist das Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen einer Abtastlinie in einem Intervall aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte mit dem geladenen Teilchenstrahl; nachdem der letzte Bildpunkt im vorigen Schritt bestrahlt worden ist, Rückkehr zur Startposition der Abtastlinie und Bestrahlen von Bildpunkten mit dem geladenen Teilchenstrahl, die noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind, wobei das Intervall aus der vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird; Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl, bis alle Bildpunkte in der Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind; und Übergehen zur nächsten Abtastlinie und Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung mit dem geladenen Teilchenstrahl, bis alle Bildpunkte innerhalb des Prozessbereichs mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist das Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen jeder Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl mit einem Intervall, das aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird; und nachdem die letzte Abtastlinie bestrahlt worden ist, Rückkehr zur ersten Abtastlinie und Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung der Bildpunkte in jeder Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl, die noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind, wobei das Intervall aus der vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird, bis alle Bildpunkte innerhalb des Prozessbereichs mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist das Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen einer Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl; Bestrahlen einer Abtastlinie innerhalb einer Abtastlinie, und zwar nicht einer vorgegebenen Abtastlinie, sondern der Abtastlinie, die der vorgegebenen Abtastlinie am nächsten liegt; und Bestrahlen der vorgegebenen Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl, die im vorigen Schritt noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden ist.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist das Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Abtast-Startposition einer Abtastlinie und die Abtast-Startposition einer der Abtastlinie am nächsten liegenden Abtastlinie voneinander beabstandet sind.

Die Erfindung stellt ein Gerät für den geladenen Teilchenstrahl bereit, das die Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl zum Beobachten oder Bearbeiten eines Werkstücks nutzt, dadurch gekennzeichnet, dass das Gerät aufweist: ein Abtastlinien-Bestimmungsmittel, das nach der Einstellung eines Beobachtungs- oder Prozessbereichs eine Mehrzahl Abtastlinien im Prozess- oder Beobachtungsbereich durch die folgenden Schritte bestimmt: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung einer Abtastlinie; und ein Abtaststeuermittel, das den geladenen Teilchenstrahl, mit dem die Abtastlinien, die vom Abtastlinien-Bestimmungsmittel bestimmt worden sind, zu bestrahlen sind.

Die Erfindung stellt ein Werkstück-Beobachtungsverfahren bereit, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte aufweist: Bestrahlen eines Werkstücks mit einem geladenen Teilchenstrahl unter Anwendung des Abtast- und Bestrahlungsverfahrens mit dem geladenen Teilchenstrahl; und Bilden eines Werkstückmusterbildes auf Basis der erfassten Intensität sekundärer geladener Teilchen, die vom Werkstück emittiert werden.

Die Erfindung stellt ein Werkstück-Bearbeitungsverfahren bereit, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren den Schritt aufweist: Bestrahlen eines Werkstücks mit einem geladenen Teilchen strahl, um es unter Anwendung des Abtast- und Bestrahlungsverfahrens mit dem geladenen Teilchenstrahl zu bearbeiten.

Da ein Bereich so vorgegeben werden kann, dass er mit der Kontur eines Prozessbereichs mit Unterbildpunktgenauigkeit übereinstimmt, kann gemäß der Erfindung der Prozessbereich genau bearbeitet werden, selbst wenn die Kontur des Prozessbereichs nicht mit den Grenzen der beim Rastabtasten verwendeten Bildpunkte übereinstimmt. Ferner kann ein während des Prozesses auf ein Werkstück gesprühtes Prozessgas wirksam verwendet werden.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Blockdiagramm der Gesamtkonfiguration des Geräts für den geladenen Teilchenstrahl.
2 ist ein Blockdiagramm der Konfiguration des Computers von 1.
3 verdeutlicht schematisch ein Verfahren der Ionenstrahl-Abtastung und -Bestrahlung.
4 ist ein Flussdiagramm eines Werkstückbearbeitungsverfahrens.
5 verdeutlicht schematisch, wie eine Abtastlinie zu bestimmen ist.
6 zeigt eine Strahl-Bestrahlungsreihenfolge.
7 zeigt eine Strahl-Bestrahlungsreihenfolge.
8 zeigt ein Abtast- und Bestrahlungsverfahren gemäß der verwandten Technik.
9 ist ein Flussdiagramm eines Werkstückbearbeitungsverfahrens gemäß der verwandten Technik.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Eine Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. 1 zeigt die Gesamtkonfiguration eines Geräts für einen geladenen Teilchenstrahl gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das Bezugszeichen 1 kennzeichnet eine Ionenquelle, die einen Ionenstrahl 2 emittiert. Das Bezugszeichen 3 kennzeichnet Abtastelektroden mit X- und Y-Elektroden, die einen Bestrahlungsfleck über einen vorgegebenen Bereich in der X-Y-Ebene einer Maske 8 abtasten, bei der es sich um ein Werkstück handelt, auf das der Ionenstrahl 2 gebracht wird. Das Bezugszeichen 4 kennzeichnet eine Objektivlinse, die den Ionenstrahl 2 in einem Fleck auf einem zu bestrahlenden Objekt fokussiert, bei dem es sich um die Oberfläche der Maske 8 handelt. Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet eine Gaspistole, die dann, wenn eine weiße Fehlerzone auf der Maske 8 zu reparieren ist, ein Prozessgas 6, bei dem es sich um ein Aufdampfgas handelt, aufsprüht, um einen Lichtsperrfilm zur Reparatur des weißen Fehlers während des Abtastens des Ionenstrahls 2 und des Bestrahlens mit diesem aufzubringen.
Um eine schwarze Fehlerzone zu reparieren, sprüht die Gaspistole ein Ätzgas auf einen unnötig aufgedampften Abschnitt, um den betreffenden Abschnitt zur Reparatur zu ätzen, während der Ionenstrahl 2 selektiv auf diesen Abschnitt gebracht wird. Das Bezugszeichen 9 kennzeichnet eine X-Y-Arbeitsplattform, auf der die Maske 8 angebracht ist und in X- oder Y-Richtung bewegt wird. Das Bezugszeichen 10 kennzeichnet einen Detektor, der die Intensität sekundärer geladener Teilchen 7 erfasst, die durch die Bestrahlung mit dem Ionenstrahl 2 zwangsweise aus der Oberfläche der Maske 8 emittiert werden. Die zweidimensionale Intensitätsverteilung der sekundären geladenen Teilchen entspricht dem auf der Maske 8 gebildeten Muster. Das Bezugszeichen 11 kennzeichnet einen Analog-/Digital-(A/D) Wandler, der einen analogen Messwert der Intensität der sekundären geladenen Teilchen in digitale Daten wandelt. Die digitalen Daten werden in einen Computer 13 eingegeben, der ein vergrößertes Bild des Musters der Maske 8 erzeugt und auf einer Anzeige 14 wie einer CRT (cathode ray tube; Katodenstrahlröhre) ausgibt. Das Bezugszeichen 12 kennzeichnet eine Abtastschaltung, die einen Ionenstrahl-Bestrahlungsbereich vom Computer 13 empfängt und die Abtastelektroden 3 steuert.
2 ist ein Blockdiagramm der internen Konfiguration des in 1 dargestellten Computers 13. Es sind nur die Funktionsblöcke, die für die Erfindung relevant sind, herausgegriffen und dargestellt. Ein Steuermittel 21 enthält eine CPU (Zentraleinheit) und verschiedene Speicher und führt verschiedene Aufgaben aus wie die Steuerung verschiedener Abschnitte, die vorläufige Speicherung von Daten und die Weiterleitung von Daten. Ein Bildgebungsmittel 22 bildet ein Bild des Werkstückmusters auf der Maske 8 auf Basis der Intensität der vom Detektor 10 erfassten sekundären geladenen Teilchen 7. Ein Ausgabemittel 23 zeigt das Bild auf der Anzeige 14 an. Ein Eingabemittel 24 enthält eine Tastatur und eine Maus, um die von einem Bediener eingegebenen Informationen zu erfassen. Ein Einabtastlinien-Bestimmungsmittel 25 stellt einen Abtastbereich ein, bei dem es sich um einen Bereich der Maske handelt, der zu bearbeiten oder zu beobachten ist, und bestimmt Abtastlinien im Abtastbereich. Ein Bestrahlungssteuermittel 26 steuert die Bestrahlung durch den Ionenstrahl 2, indem dieser ein- und ausgeschaltet wird. Ein Abtaststeuermittel 27 steuert die Abtastschaltung 12.
3 erläutert schematisch ein Ionenstrahlabtast- und Bestrahlungsverfahren, das mit dem obigen Gerät für einen geladenen Teilchenstrahl ausgeführt wird. In der folgenden Beschreibung ist die Richtung entlang dem Außenumfang eines Abtastbereichs die u-Richtung und die Richtung vom Außenumfang des Abtastbereichs zu dessen Mitte ist die v-Richtung. Das Ausdünnen (Einfügen eines vorgegebenen Intervalls) in u- und v-Richtung wird anhand eines Beispiels beschrieben. Nach dem Einstellen eines Abtastbereichs bestimmt das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 des Computers 13 eine Mehrzahl Abtastlinien im Prozess- oder Beobachtungsbereich durch die folgende Schritte: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Abtastbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung einer Abtastlinie. Nachdem die Abtastlinien bestimmt worden sind, bringt das Bestrahlungssteuermittel 26 den Ionenstrahl 2 entlang der äußersten Abtastlinie auf die Maske 8, d. h. auf die Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Abtastbereichs in u-Richtung in einem Abstand aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte. Sobald das Abtasten in einer Schleife entlang der Abtastlinie für die obige Zeile beendet ist, wird die nächste Abtastlinie in einem Abstand aus einer vorgegebenen Anzahl Linien mit dem geladenen Teilchenstrahl in u-Richtung bestrahlt, wobei der Abstand erneut aus der vorgegebenen Anzahl von Bildpunkten gebildet wird. Auf diese Weise wird der Ionenstrahl 2 in der Reihenfolge der Nummern in den Bildpunkten auf die mittleren Positionen der Bildpunkte gebracht.
4 ist ein Flussdiagramm des Werkstückbearbeitungsverfahrens, das im obigen Gerät für den geladenen Teilchenstrahl ausgeführt wird. Die zu bearbeitende Maske 8 wird mit dem Ionenstrahl 2 bestrahlt, und der Detektor 10 erfasst die Intensität der von der Maske 8 emittierten sekundären geladenen Teilchen 7. Das Bildgebungsmittel 22 des Computers 13 erfasst die Intensität der vom Detektor 10 erfassten sekundären geladenen Teilchen 7 über den A/D-Wandler 11, um ein Bild des Werkstückmusters zu bilden. Das Ausgabemittel 23 vergrößert das erzeugte Bild und gibt es über die Anzeige 14 aus. Der Bediener verwendet dann das Eingabemittel 24, z. B. eine Maus, um den Fehlerbereich auf dem Werkstückmuster, das auf der Anzeige 14 angezeigt wird, einzustellen. Alternativ kann der Fehlerbereich durch Vorabspeichern korrekter Prozessmusterdaten im Computer 13 und Überlagern des zusammengesetzten Bildes des Werkstückmusters mit diesem Pro zessmuster eingestellt werden, um den Unterschied zwischen diesen Mustern zu ermitteln. Auf Basis des so eingestellten Fehlerbereichs als Abtastbereich bestimmt das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 Abtastlinien im Abtastbereich.
Das Bestrahlungssteuermittel 26 schaltet die Strahl-Bestrahlung ein (Schritt S110). Das Abtaststeuermittel 27 wählt die Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Abtastbereichs als die erste Abtastlinie und steuert die Abtastschaltung 12, um die gewählte Abtastlinie mit dem Ionenstrahl 2 zu bestrahlen, so dass die Maske 8 bearbeitet wird (Schritt S120). Nach Abschluss der Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie und sofern kein Eingangsbefehl zur Beendigung der Reparatur des Fehlerbereichs vorliegt (Schritt S130: NEIN), wählt das Abtaststeuermittel 27 die nächste Abtastlinie und wiederholt den Prozess beginnend mit Schritt S120, in dem die gewählte Abtastlinie mit dem Ionenstrahl 2 bestrahlt wird, um die Maske 8 zu bearbeiten. Wenn ein Eingangsbefehl zur Beendigung der Reparatur des Fehlerbereichs im Schritt "Prozess abgeschlossen" (Schritt S130: JA), schaltet das Bestrahlungssteuermittel 26 die Strahl-Bestrahlung ab (Schritt S140).
Die Beobachtung eines Werkstücks kann in einer Prozedur ähnlich der von 4 vorgenommen werden. Ein Werkstück wird auf die folgende Weise beobachtet: Wenn der Ionenstrahl 2 Abtastlinien in einem Abtastbereich (Beobachtungsbereich) bestrahlt, erfasst der Detektor 10 die Intensität der von der Maske 8 emittierten sekundären geladenen Teilchen. Das Bildgebungsmittel 22 des Computers 13 erfasst die Intensität der vom Detektor 10 erfassten sekundären geladenen Teilchen 7 über den A/D-Wandler 11, um ein Bild des Werkstückmusters zu bilden. Das Ausgabemittel 23 vergrößert das erzeugte Bild und gibt es über die Anzeige 14 aus.
5 verdeutlicht, wie die Abtastlinie zu bestimmen ist. In 5 ist ein Abtastbereich 50 dargestellt, und das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 des Computers 13 stellt eine Abtastlinie L1 entlang dem Außenumfang des Abtastbereichs 50 ein. Die Richtung entlang dem Außenumfang ist die u-Richtung. Die Abtast-Startposition der Abtastlinie L1 wird beliebig gewählt. Anschließend verschiebt das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 die Abtastlinie um einen Bildpunkt in v-Richtung, die die Richtung von der Abtastlinie L1 zum Mittelpunkt des Abtastbereichs 50 ist, um eine Abtastlinie L2 zu bestimmen. Des Weiteren verschiebt das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 die Abtastlinie in Richtung von der Abtastlinie L2 zur v-Richtung, um die nächste Abtastlinie L3 zu bestimmen. Das Abtastlinien-Bestimmungsmittel 25 wiederholt diese Prozedur, bis es schließlich die Mittelpunkt des Abtastbereichs 50 erreicht, wodurch sämtliche Abtastlinien L1 bis Ln (n = 8 in 5) bestimmt werden. Die eine Abtastlinie Lk (k = 1 bis n) bildenden Bildpunkte seien Pk1 bis Pkm_k. Das heißt, die Abtastlinie Lk wird aus m_k Bildpunkten gebildet. Der Bildpunkt Pk1 ist die Abtast-Startposition der Abtastlinie Lk. Im Folgenden wird jede der Abtastlinien L1 bis Ln als "Abtastlinie L" bezeichnet.
In 5 ist die Abtast-Startposition der Abtastlinie Lk (k = 2 bis n) der Bildpunkt, der in v-Richtung vom Bildpunkt der Abtast-Startposition der Abtastlinie L(k – 1) verschoben wurde, die um eine Linie außerhalb der Abtastlinie Lk liegt. Auf diese Weise fluchten die Abtast-Startpositionen der Abtastlinien L in v-Richtung. Alternativ kann der Bildpunkt der Abtast-Startposition der Abtastlinie Lk (k = 2 bis n) ein Bildpunkt sein, der nicht nur in v-Richtung ab dem Bildpunkt der Abtast-Startposition der Abtastlinie L(k – 1) verschoben ist, der sich um eine Linie außerhalb der Abtastlinie Lk befindet, sondern auch um einen vorgegebenen Betrag in u-Richtung. Durch Verschieben der Abtast-Startposition für jede Abtastlinie in u-Richtung können Prozessungleichmäßigkeiten aufgrund ungleichmäßiger Strahl-Bestrahlungstaktung bei einer Abtast-Startposition verringert werden.
Wenn die wie oben beschrieben eingestellten Abtastlinien L nacheinander in v-Richtung von oben angeordnet sind und die Bildpunkte in jeder der Abtastlinien nacheinander in u-Richtung zu einer waagrechten eindimensionalen Matrix ausgeklappt werden, kann dies als Rasterabtastung betrachtet werden, indem die u- und v-Richtung als X- und Y-Richtung interpretiert werden.
Die 6 und 7 zeigen Reihenfolgen der Strahl-Bestrahlung für das ausgedünnte Abtasten. Die punktierte Linie in jeder Figur bedeutet eine zweite oder spätere Schleife für dieselbe Abtastlinie L. Die Strahl-Bestrahlung eines Abtastbereichs kann nach verschiedenen ausgedünnten Mustern erfolgen wie "kein Ausdünnen", wobei ohne Ausdünnung weder in u-(Bildpunkt) noch in v-(Abtastlinie) Richtung abgetastet wird, "u-Ausdünnen", wobei ausgedünntes Abtasten in u-Richtung erfolgt, "v-Ausdünnen", wobei ausgedünntes Abtasten in v-Richtung erfolgt und "u/v-Ausdünnen", wobei ausgedünntes Abtasten in u- und v-Richtung erfolgt. Für die Strahl-Bestrahlung sind außerdem die beiden folgenden Typen Kategorie vorgesehen, nämlich der "Linientyp", bei dem nach abgeschlossener Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte in einer Abtastlinie die Strahl-Bestrahlung zur nächsten Abtastlinie weitergeht, und der "Rahmentyp", bei dem nach Abschluss der einschleifigen Strahl-Bestrahlung einer Abtastlinie die Strahl-Bestrahlung zur nächsten Abtastlinie weitergeht. Die Bestrahlungsreihenfolge wird nachstehend speziell für jede Kombinati on aus Typ und ausgedünntem Muster beschrieben. In der folgenden Beschreibung gilt für ausgedünntes Abtasten in u-Richtung, dass der Bildpunkt für die nächste Strahl-Bestrahlung s Bildpunkte vor dem aktuell bestrahlten Bildpunkt in u-Richtung liegt, und wenn ausgedünntes Abtasten in v-Richtung erfolgt, dass die nächste Abtastlinie t Linien vor dem aktuell bestrahlen Linie in v-Richtung liegt.
Als Erstes wird kein Ausdünnen und u-Ausdünnen unter Bezugsnahme auf 6 beschrieben. Bei einer Kombination aus Linien- oder Rahmentyp und keinem Ausdünnen wird die Strahl-Bestrahlung zunächst für die Abtastlinie L1 in der Reihenfolge der Bildpunkte P11, P12, P13, ..., P1m₁ und dann für die Abtastlinie L2 in der Reihenfolge der Bildpunkte P21, P22, P23, ..., P2m₂ vorgenommen. Sobald also eine Strahl-Bestrahlung der Bildpunkte Pk1, Pk2, Pk3, ..., Pkm_k in der Abtastlinie Lk abgeschlossen ist, erfolgt die Strahl-Bestrahlung der Bildpunkte P(k + 1)1, P(k + 1)2, P(k + 1)3, ..., P(k + 1)m_(m+1) in der Abtastlinie L(k + 1). Abschließend erfolgt die Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie Ln in der Reihenfolge der Bildpunkte Pn1, Pn2, Pn3, ..., Pnm_n, so dass die Strahl-Bestrahlung für alle Bildpunkte im Abtastbereich beendet ist.
Bei einer Kombination aus Linientyp und u-Ausdünnen erfolgt zunächst die Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt P11 auf der Abtastlinie L1. Nach Abschluss der einschleifigen Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie L1 wird die Strahl-Bestrahlung kontinuierlich für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P12, vorgenommen, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte in der Abtastlinie L1 beendet ist. Die Strahl-Bestrahlung erfolgt dann für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P21, auf eine sequentielle Weise für die Abtastlinie L2 wie im Fall der Abtastlinie L1. Nachdem also die einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt Pk1 der Abtastlinie Lk abgeschlossen ist, wird die einschleifige Strahl-Bestrahlung kontinuierlich für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist, derselben Abtastlinie Lk ausgeführt. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte in der Abtastlinie Lk beendet ist. Die Strahl-Bestrahlung geht dann zur nächsten Abtastlinie L(k + 1) weiter und folgt einer ähnlichen Prozedur. Diese Operation wird sequentiell ausgeführt, bis sie für die Abtastlinie Ln erfolgt ist.
Bei einer Kombination aus Rahmentyp und u-Ausdünnen erfolgt zuerst die einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt P11 auf der Abtastlinie L1.
Nach Abschluss der einschleifigen Strahl-Bestrahlung, wird eine weitere einschleifige Strahl-Bestrahlung für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P21 der nächsten Abtastlinie L2 vorgenommen. Wenn also die einschleifige Strahl-Bestrahlung für den Rest der Abtastlinien, endend mit der Abtastlinie Ln für jeden s-ten Bildpunkt in jeder Abtastlinie beendet worden ist, geht die Operation wieder zur Abtastlinie L1 zurück, und es erfolgt eine einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist. Die einschleifige Strahl-Bestrahlung erfolgt dann für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist, der Abtastlinie L2. Somit wird also eine einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes so oft in der Reihenfolge der Abtastlinien L1 bis Ln wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte im Abtastbereich beendet ist.
Als Nächstes werden das v-Ausdünnen und das u/v-Ausdünnen unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. Bei einer Kombination aus Linien- oder Rahmentyp und v-Ausdünnen wird die Strahl-Bestrahlung zunächst sequentiell für die Abtastlinie L1 in der Reihenfolge der Bildpunkte P11 bis P1m₁ ausgeführt und dann für die Abtastlinie L(1 + t), die sich um t Linien innerhalb der Abtastlinie L1 befindet, in der Reihenfolge der Bildpunkte P(1 + t)1 bis P(1 + t)m_(1+t). Die Strahl-Bestrahlung wird für die Abtastlinie, die sich um t Linien innerhalb der Abtastlinie L(1 + t) befindet, für Bildpunkte, beginnend mit dem Start-Bildpunkt, auf sequentielle Weise wiederholt. Wenn innerhalb der aktuellen Abtastlinie keine Abtastlinie vorhanden ist, die um t Linien entfernt ist, geht die Operation zur Abtastlinie L2 zurück, und eine Strahl-Bestrahlung der Bildpunkte, beginnend ab dem Bildpunkt P21 erfolgt auf sequentielle Weise. Nachdem also die Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie Lk in der Reihenfolgen vom Bildpunkt Pk zu P1m_k abgeschlossen ist und wenn sich eine Abtastlinie L(k + t) um t Linien innerhalb der Abtastlinie Lk befindet, geht die Strahl-Bestrahlung zur Abtastlinie L(k + t) weiter und erfolgt auf sequentielle Weise für die Bildpunkte, beginnend mit dem Bildpunkt P(k + t), während dann, wenn innerhalb der Abtastlinie Lk keine Abtastlinie vorhanden ist, die um t Linien entfernt ist, die Operation zu einer äußeren Abtastlinie weitergeht und ein ähnlicher Prozess ausgeführt wird. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung für alle Abtastlinien beendet ist.
Bei einer Kombination aus Linientyp und u/v-Ausdünnen erfolgt zunächst die Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt P11 auf der Abtastlinie L1. Nach Abschluss der einschleifigen Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie L1 wird die Strahl-Bestrahlung kontinuierlich für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P12, vorgenommen, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte in der Abtastlinie L1 beendet ist. Die Strahl-Bestrahlung erfolgt dann erneut für jeden s-ten Bildpunkt der Abtastlinie L(1 + t), die sich um t Linien innerhalb der Abtastlinie L1 befindet. Nachdem die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte auf der Abtastlinie L(1 + 1) abgeschlossen ist, geht die Operation zu der Abtastlinie weiter, die um t Linien innerhalb der Abtastlinie L(1 + t) befindet, und die Strahl-Bestrahlung erfolgt in einer ähnlichen Prozedur. Diese Operation wird wiederholt, und wenn innerhalb der aktuellen Abtastlinie keine um t Linien entfernte Abtastlinie vorhanden ist, geht die Operation zur Abtastlinie L2 zurück, und die Strahl-Bestrahlung erfolgt für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P21. Nachdem also die einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt Pk1 der Abtastlinie Lk abgeschlossen ist, erfolgt die Strahl-Bestrahlung kontinuierlich für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist, derselben Abtastlinie Lk. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung aller Bildpunkte in der Abtastlinie Lk beendet ist. Wenn sich eine Abtastlinie L(k + t) um t Linien innerhalb der Abtastlinie Lk befindet, geht die Operation zur Abtastlinie L(k + t) weiter, während dann, wenn innerhalb der Abtastlinie Lk keine Abtastlinie vorhanden ist, die um t Linien entfernt ist, die Operation zu einer äußeren Abtastlinie weitergeht und die Strahl-Bestrahlung in einer ähnlichen Prozedur ausgeführt wird. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung für alle Abtastlinien beendet ist.
Bei einer Kombination aus Rahmentyp und u/v-Ausdünnen erfolgt zunächst die Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, beginnend mit dem Bildpunkt P11 auf der Abtastlinie L1. Nach Abschluss der einschleifigen Strahl-Bestrahlung der Abtastlinie L1 wird die Strahl-Bestrahlung dann für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P(1 + t) der Abtastlinie L(1 + t), die sich um t Linien innerhalb der Abtastlinie L1 befindet, vorgenommen. Die einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes, der sich um t Linien innerhalb der Abtastlinie befindet, wird wiederholt, und wenn innerhalb der aktuellen Abtastlinie keine um t Linien entfernte Abtastlinie vorhanden ist, geht die Operation zur Abtastlinie L2 zurück, und die einschleifige Strahl-Bestrahlung erfolgt für jeden s-ten Bildpunkt, beginnend mit dem Bildpunkt P21. Nachdem die einschleifige Strahl-Bestrahlung jedes s-ten Bildpunktes aller Abtastlinien L1 bis Ln abgeschlossen ist, kehrt die Operation zur Abtastlinie L1 zurück, und eine einschleifige Strahl-Bestrahlung erfolgt für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist. Dann wird die einschleifige Strahl-Bestrahlung für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist, der Abtastlinie L(1 + t), die um t Linien innerhalb der Abtastlinie L1 liegt, wiederholt.
Somit wird die einschleifige Strahl-Bestrahlung für jeden s-ten Bildpunkt, der noch nicht mit dem Strahl bestrahlt worden ist, für die Abtastlinie Lk abgeschlossen, und wenn sich eine Abtastlinie L(k + t) um t Linien innerhalb der Abtastlinie Lk befindet, geht die Operation zur Abtastlinie L(k + t) weiter, während dann, wenn innerhalb der Abtastlinie Lk keine Abtastlinie vorhanden ist, die um t Linien entfernt ist, die Operation zu einer äußeren Abtastlinie weitergeht und eine einschleifige Strahl-Bestrahlung für jeden s-ten Bildpunkt ausgeführt wird, der noch nicht vom Strahl bestrahlt worden ist. Dies wird so oft wiederholt, bis die Strahl-Bestrahlung für alle Bildpunkte des Abtastbereichs beendet ist.
Obwohl das Gerät für den geladenen Teilchenstrahl bei den obigen Ausführungsformen ein Ionenstrahl-Bestrahlungsgerät ist, kann es auch ein Elektronenstrahl-Bestrahlungsgerät oder dgl. sein.
Im Computer 13 ist ein Computersystem vorgesehen. Der oben beschriebene Operationsprozess des Bildgebungsmittels 22, des Abtastlinien-Bestimmungsmittels 25 und des Abtaststeuermittels 27 ist auf einem computerlesbaren Aufzeichnungsmedium in Form eines Programms gespeichert. Das Computersystem liest das Programm aus und führt es zur Ausführung des obigen Prozesses aus. Das hierin verwendete Computersystem enthält ein OS (operation system; Betriebssystem) und Hardware wie Peripheriegeräte.
Wenn das "Computersystem" das WWW-System anwendet, enthält es eine Website-Bereitstellungsumgebung (oder eine Anzeigeumgebung). Das "computerlesbare Aufzeichnungsmedium" ist ein tragbares Medium wie eine Diskette, eine magnetooptische Platte, ein ROM oder eine CD-ROM und ein Speichergerät wie eine im Computersystem installierte Festplatte. Das "computerlesbare Aufzeichnungsmedium" kann auch ein Medium sein, das ein Programm kurzzeitig dynamisch hält, wie eine Kommunikationsleitung, über die ein Programm über ein Netzwerk wie das Internet oder ein Kommunikationsnetz wie das Telefonnetz übertragen wird, und ein Medium, das ein Programm über eine feste Zeitspanne hält, wie ein flüchtiger Speicher in einem Computersystem, das bei der obigen Situation als Server oder Client dient. Das Programm kann ein Programm sein, das einen Teil der obigen Funktionen ausführt, oder ein Programm, das die obigen Funktionen in Zusammenarbeit mit einem Programm ausführen kann, das bereits im Computersystem gespeichert worden ist.

Claims

Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl zum Abtasten und Bestrahlen, das ein Gerät für den geladenen Teilchenstrahl verwendet wird, um Werkstück zu beobachten oder zu bearbeiten, die Schritte aufweisend: Einstellen eines Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Mehrzahl Abtastlinien im Prozess- oder Beobachtungsbereich; wobei der Schritt der Bestimmung der Mehrzahl Abtastlinien die Schritte aufweist: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung einer Abtastlinie; und Bestrahlen der bestimmten Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl.
Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen einer Abtastlinie in einem Intervall aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte mit dem geladenen Teilchenstrahl; nachdem der letzte Bildpunkt im vorigen Schritt bestrahlt worden ist, Rückkehr zur Startposition der Abtastlinie und Bestrahlen von Bildpunkten mit dem geladenen Teilchenstrahl, die noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind, wobei das Intervall aus der vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird; Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl, bis alle Bildpunkte in der Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind; und Übergehen zur nächsten Abtastlinie und Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung mit dem geladenen Teilchenstrahl, bis alle Bildpunkte im Prozessbereich mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind.
Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen jeder Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl mit einem Intervall, das aus einer vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird; und nachdem die letzte Abtastlinie bestrahlt worden ist, Rückkehr zur ersten Abtastlinie und Wiederholen des Schrittes der Bestrahlung der Bildpunkte in jeder Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl, die noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind, wobei das Intervall aus der vorgegebenen Anzahl Bildpunkte gebildet wird, bis alle Bildpunkte innerhalb des Prozessbereichs mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden sind.
Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Schritte aufweist: Bestrahlen einer Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl; Bestrahlen einer Abtastlinie innerhalb einer Abtastlinie, und zwar nicht eine vorgegebene Abtastlinie, sondern der Abtastlinie, die der vorgegebenen Abtastlinie am nächsten liegt; und Bestrahlen der vorgegebenen Abtastlinie mit dem geladenen Teilchenstrahl, die im vorigen Schritt noch nicht mit dem geladenen Teilchenstrahl bestrahlt worden ist.
Abtast- und Bestrahlungsverfahren mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt des Bestrahlens der Abtastlinien mit dem geladenen Teilchenstrahl die Abtast-Startposition einer Abtastlinie und die Abtast-Startposition einer der Abtastlinie am nächsten liegenden Abtastlinie voneinander beabstandet sind.
Gerät für den geladenen Teilchenstrahl, das die Bestrahlung mit geladenem Teilchenstrahl zum Beobachten oder Bearbeiten eines Werkstücks nutzt, mit: einem Abtastlinien-Bestimmungsmittel, das nach der Einstellung eines Beobachtungs- oder Prozessbereichs eine Mehrzahl Abtastlinien im Prozess- oder Beobachtungsbereich durch die folgenden Schritte bestimmt: Einstellen einer Abtastlinie entlang dem Außenumfang des Beobachtungs- oder Prozessbereichs; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so eingestellten Abtastlinie; Bestimmen einer Abtastlinie innerhalb und entlang der so bestimmten Abtastlinie; und Wiederholen des Schrittes der Bestimmung einer Abtastlinie; und einem Abtaststeuermittel, das den geladenen Teilchenstrahl steuert, mit dem die Abtastlinien, die vom Abtastlinien-Bestimmungsmittel bestimmt worden sind, zu bestrahlen sind.
Werkstück-Beobachtungsverfahren, die Schritte aufweisend: Bestrahlen eines Werkstücks mit einem geladenen Teilchenstrahl unter Anwendung des Abtast- und Bestrahlungsverfahrens mit dem geladenen Teilchenstrahl nach Anspruch 1; und Bilden eines Werkstückmusterbildes auf Basis der erfassten Intensität sekundärer geladener Teilchen, die vom Werkstück emittiert werden.
Werkstück-Bearbeitungsverfahren, den Schritt aufweisend: Bestrahlen eines Werkstücks mit einem geladenen Teilchenstrahl, um es zu bearbeiten, unter Anwendung des Abtast- und Bestrahlungsverfahrens mit dem geladenen Teilchenstrahl nach Anspruch 1.