JPS59214151A - 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 - Google Patents
荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法Info
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- JPS59214151A JPS59214151A JP58088681A JP8868183A JPS59214151A JP S59214151 A JPS59214151 A JP S59214151A JP 58088681 A JP58088681 A JP 58088681A JP 8868183 A JP8868183 A JP 8868183A JP S59214151 A JPS59214151 A JP S59214151A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 22
- 238000013500 data storage Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、？ｉ％ ）Ｇ１表面上におい（伺電粒子線を
デジタル＞、１４査し、該走査に伴なって宥られた信号
に基づい−で試料像を表示する方法に関する。
デジタル＞、１４査し、該走査に伴なって宥られた信号
に基づい−で試料像を表示する方法に関する。
例えば、Ｘ線マイクロアナライザー等においては、電子
線によって試別表面上を二次元的に走査し、この走査に
伴なって得１うれるＸ線を検出し、この検出信号に基づ
いて試ｒ１の二次元像を表示している。その際、電子線
の照射位置を飛び飛びに移動させるデジタル走査をＪ′
れば、電子線による試料損傷が少くできると共に分析時
間が節約できる１、このデジタル走査により試料の二次
元像を表示する場合、高分解能の画像を表示しようとづ
る際には電子線の照射位置間隔を小さくシ（、密に電子
線を照射づ゛れば良いが、その場合採取しなけ。
線によって試別表面上を二次元的に走査し、この走査に
伴なって得１うれるＸ線を検出し、この検出信号に基づ
いて試ｒ１の二次元像を表示している。その際、電子線
の照射位置を飛び飛びに移動させるデジタル走査をＪ′
れば、電子線による試料損傷が少くできると共に分析時
間が節約できる１、このデジタル走査により試料の二次
元像を表示する場合、高分解能の画像を表示しようとづ
る際には電子線の照射位置間隔を小さくシ（、密に電子
線を照射づ゛れば良いが、その場合採取しなけ。
ればならないデータ量は分解能の自乗てｊ１′！太し、
−両面を形成す゛るのに極めて長時間を要づる３、従・
）で、像を表示しようどしている領域が興味のある領域
か否かを判定して、データの採取を継続りるか否かを判
断し７ｊす、像をカラー表示りる際に表示色の割り当て
が適切が否かを判定したりりる場合には、試お１表面上
に一月プる電子線の照射位置間隔を太き（とり、粗（試
１′８Ｉを走合し一′Ｃ概略的な像の全体を短時間に把
握する必要がある。その場合、従来においては表示画面
上の表示魚の個数が減少りるため、像は飛び飛びとなり
、観察しにくいもので′あっノ、二。
−両面を形成す゛るのに極めて長時間を要づる３、従・
）で、像を表示しようどしている領域が興味のある領域
か否かを判定して、データの採取を継続りるか否かを判
断し７ｊす、像をカラー表示りる際に表示色の割り当て
が適切が否かを判定したりりる場合には、試お１表面上
に一月プる電子線の照射位置間隔を太き（とり、粗（試
１′８Ｉを走合し一′Ｃ概略的な像の全体を短時間に把
握する必要がある。その場合、従来においては表示画面
上の表示魚の個数が減少りるため、像は飛び飛びとなり
、観察しにくいもので′あっノ、二。
Ａ発明けこのような従来の欠点を解決し、試１１面上を
粗く走否りる１易合にも視覚的に自然／ｊ両画像表示３
することのでさる荷電粒子線装置等に、ｊ３１プる二次
元データの表示方法を提供リ−ることを目的としＣいる
。
粗く走否りる１易合にも視覚的に自然／ｊ両画像表示３
することのでさる荷電粒子線装置等に、ｊ３１プる二次
元データの表示方法を提供リ−ることを目的としＣいる
。
本発明１；１、’６：を重粒子を試’Ａ’：’＋表面−
にの各点に照射し、該照射によっ−（寄られる検出ある
いは分析信号に工、りづいてＣ１い１１の一次元ｉ／４
．を表示りる方法にａ３いて、試別表面１に二次元的に
分イＩＪりる各画素に対応り−る仝照！：ｊ−１ ！：
、！のう仁）照Ｏｊ点を間引いて伺電粒丁線をｊｊ４ｊ
Ｑ、Ｉ Ｌ、各照射点に対応づる画素は各照射によ−
）−（１ｔ；られ／：二ｆ７（弓にｊ；もつい−（表示
りるど共に、各夛［照射点の画素（Ｌ該各非照射魚に近
い照射点の両ホど同一の信号に阜づいη表示づるように
したことを！ｌＪ酉Ｍ２としくいる。
にの各点に照射し、該照射によっ−（寄られる検出ある
いは分析信号に工、りづいてＣ１い１１の一次元ｉ／４
．を表示りる方法にａ３いて、試別表面１に二次元的に
分イＩＪりる各画素に対応り−る仝照！：ｊ−１ ！：
、！のう仁）照Ｏｊ点を間引いて伺電粒丁線をｊｊ４ｊ
Ｑ、Ｉ Ｌ、各照射点に対応づる画素は各照射によ−
）−（１ｔ；られ／：二ｆ７（弓にｊ；もつい−（表示
りるど共に、各夛［照射点の画素（Ｌ該各非照射魚に近
い照射点の両ホど同一の信号に阜づいη表示づるように
したことを！ｌＪ酉Ｍ２としくいる。
Ｊメ１ぐ、図面に赫づ（＼本発明の一実施例を詳述づる
。
。
第１図は、本発明を実施するための装置を示づｂの（・
、図中１はＸ線ンイクロｊノナラ、イザーの１７体であ
り、この節体１内には電子銃２が配置されている。この
電子銃２よりの電子線（３は偏向器４により偏向されて
試別５に照Ｑ１される。電子線３の試料５上にお【づる
照射位置を制御−りるため、偏向器４には電子計算１６
Ｊ、りのイハ「）（こ塁づい（偏向回路７において作成
され！ご偏向１１１号が供給される。８（よ波長分散型
Ｘ線検出器であり、この検出器８にりの検出信号は、Ａ
１つ変換器９を介して一１′−タ蓄積用メモリー１０に
供給される。このヌしリ−１０Ｊ、りのイハ月（、ｌ：
前記電子泪り；１■（３の制御（こ早づいく両像表示用
の陰極線管１１（こ供給＜＞れる。
、図中１はＸ線ンイクロｊノナラ、イザーの１７体であ
り、この節体１内には電子銃２が配置されている。この
電子銃２よりの電子線（３は偏向器４により偏向されて
試別５に照Ｑ１される。電子線３の試料５上にお【づる
照射位置を制御−りるため、偏向器４には電子計算１６
Ｊ、りのイハ「）（こ塁づい（偏向回路７において作成
され！ご偏向１１１号が供給される。８（よ波長分散型
Ｘ線検出器であり、この検出器８にりの検出信号は、Ａ
１つ変換器９を介して一１′−タ蓄積用メモリー１０に
供給される。このヌしリ−１０Ｊ、りのイハ月（、ｌ：
前記電子泪り；１■（３の制御（こ早づいく両像表示用
の陰極線管１１（こ供給＜＞れる。
このよう′／Ｃ「侶成に、１りい（、例え（３［試１’
ｌ ５の人面上４Ｊ′β大１００ｘ １００の画素に
分解し７（走査及び表示ｉ（Ｉ能であるどし、又これら
両；；、ＬＪ ｔｒｉ第２図（Ｊ示づような符号が対応
付（Ｊられ（い＜’ｖ）ｂのどりる。
ｌ ５の人面上４Ｊ′β大１００ｘ １００の画素に
分解し７（走査及び表示ｉ（Ｉ能であるどし、又これら
両；；、ＬＪ ｔｒｉ第２図（Ｊ示づような符号が対応
付（Ｊられ（い＜’ｖ）ｂのどりる。
まず第３図に示？Ｊ流れ図にｉｌｊる。」、う）、−１
走査を（うなう際に何個の画素おきに電子線を照射づる
かを一表わづ数Ｎを設定Ｊる。但しＮは２の累乗（ある
（スーノッゾ１）。次しここの設定数Ｎに阜づいＣ１電
子計井機６Ｊ、り偏向回路７にａｉｌ＋御仏号を供給し
くＮ飼おさの画素、即ら画ｊ）Ｈｉ ＸＮ （ｉ ＝
０．１゜２．３．・・暑に対応４る照射点に電子線３を
照ｑ・１し、試）ｒ：ｌ ｊ ’ｒ＜走査リル１、ソシ
−１’ 、 ＜−（１）電Ｔｎ’＋ｒ ：３（７） ｐ
、４Ｈ用に伴−）Ｃ胃られｌこ検出信舅を検出器８及び
ΔＯ朶換器９を介しくデ′−タ蓄ｈ′１川メ七１ノ１０
の各画素（，１外１（も−づる番地に格納する〈ステッ
プ２）。次（こ、゛電ｊ′訓０放６０制御ｔこよって、
電子線の１１ζ■→されなか−）た各画素に対応りるメ
モリ１０の各番地（こ−７’−りの採取された画素のう
ち近い画素のデータへΦ／ｌ ｊ’＜ Ｌ／ Ｃ格納し
、データの補間作業を行なう（ステツー／’３）、この
近い画素と（Ｕ（は、例えばｊ、ユ’、 、ｆｆｉ ｌ
Ｘ ｉ嬰＋ １．、ｉ ＸＮ＋ ２．・・・、ｉｘ
Ｎ＋（Ｎ−１）に対１芯−りる画素に対しては、画素Ｈ
ｘＮをｊバぶ。次に電子計算繻６の制御に基づいて全画
素の表示テークをメ〔す１０から読み出して、陰（ｉ線
管］１に供給し、試わ［５の像を表示づ−る（ステツ゛
−ｆ／Ｉ ） 、□次）Ｊ電子線を照射した画素の個数
をｎ的１ｉ Ｎ ｏ と比Ｉｐし、採取したデータの密
瓜は充分か否かを判定−りるｌステップ５）。もし、採
取データの■■（が不充分（” Ｊｉンれば、ＮをＮ、
・′２に減じた上でステップ１に戻り、スーｉ−ツブ１
Ｌス降の作）″（をｆｌなって、より普（こデータを採
取１−’（： ？’Ｊ ’−，。このより密にデータを
採取しＣ行く過程にＪ−タい（。
走査を（うなう際に何個の画素おきに電子線を照射づる
かを一表わづ数Ｎを設定Ｊる。但しＮは２の累乗（ある
（スーノッゾ１）。次しここの設定数Ｎに阜づいＣ１電
子計井機６Ｊ、り偏向回路７にａｉｌ＋御仏号を供給し
くＮ飼おさの画素、即ら画ｊ）Ｈｉ ＸＮ （ｉ ＝
０．１゜２．３．・・暑に対応４る照射点に電子線３を
照ｑ・１し、試）ｒ：ｌ ｊ ’ｒ＜走査リル１、ソシ
−１’ 、 ＜−（１）電Ｔｎ’＋ｒ ：３（７） ｐ
、４Ｈ用に伴−）Ｃ胃られｌこ検出信舅を検出器８及び
ΔＯ朶換器９を介しくデ′−タ蓄ｈ′１川メ七１ノ１０
の各画素（，１外１（も−づる番地に格納する〈ステッ
プ２）。次（こ、゛電ｊ′訓０放６０制御ｔこよって、
電子線の１１ζ■→されなか−）た各画素に対応りるメ
モリ１０の各番地（こ−７’−りの採取された画素のう
ち近い画素のデータへΦ／ｌ ｊ’＜ Ｌ／ Ｃ格納し
、データの補間作業を行なう（ステツー／’３）、この
近い画素と（Ｕ（は、例えばｊ、ユ’、 、ｆｆｉ ｌ
Ｘ ｉ嬰＋ １．、ｉ ＸＮ＋ ２．・・・、ｉｘ
Ｎ＋（Ｎ−１）に対１芯−りる画素に対しては、画素Ｈ
ｘＮをｊバぶ。次に電子計算繻６の制御に基づいて全画
素の表示テークをメ〔す１０から読み出して、陰（ｉ線
管］１に供給し、試わ［５の像を表示づ−る（ステツ゛
−ｆ／Ｉ ） 、□次）Ｊ電子線を照射した画素の個数
をｎ的１ｉ Ｎ ｏ と比Ｉｐし、採取したデータの密
瓜は充分か否かを判定−りるｌステップ５）。もし、採
取データの■■（が不充分（” Ｊｉンれば、ＮをＮ、
・′２に減じた上でステップ１に戻り、スーｉ−ツブ１
Ｌス降の作）″（をｆｌなって、より普（こデータを採
取１−’（： ？’Ｊ ’−，。このより密にデータを
採取しＣ行く過程にＪ−タい（。
新たに採取されたデータは、メＬす１０の対応（Ｊる番
地に格納づる。従って、ステ・ツブ４にＪ５い（像を表
示Ｊる際には、新たに電子１！ｄ ：３の照射によって
データの採取されだ画素は、補間テークに代えて採取さ
れたデータに基つい（表示されることになる。このよう
にしてループの繰り返し数のｉｌｊ加と共に、補間テー
クに基づい（人示さ４する画素が減少し、実際に検出さ
れたデータに基づいＣ表示される画素が増加し、像の分
解ｆｊ！ｌ Ｌｔ ｌ−、５’？ Ｌノ（−行く。この
Ｊ：う【ごして目的とりる畜爪の画素だＬＪ ｊ’−夕
を採取したら、データの採取を終了りる、１尚、−１−
述した例において、Ｎを減じ（行くと、ｆｙ’ｌ く、
３画素に対しては重複して電子線を照ｑ・しすることに
４ｆるが、既に電子線を照射した照射点か否ｊｒ＼を判
定し、既に電子線を照射した照０；ｌ ＋：、ｉ ｖ一
対しＴ ４；ｉス：１ツブさＵ、電了ｆＩ口を照’：）
Ｉ ｌ−／ ’−ｉいことは勿論である。
地に格納づる。従って、ステ・ツブ４にＪ５い（像を表
示Ｊる際には、新たに電子１！ｄ ：３の照射によって
データの採取されだ画素は、補間テークに代えて採取さ
れたデータに基つい（表示されることになる。このよう
にしてループの繰り返し数のｉｌｊ加と共に、補間テー
クに基づい（人示さ４する画素が減少し、実際に検出さ
れたデータに基づいＣ表示される画素が増加し、像の分
解ｆｊ！ｌ Ｌｔ ｌ−、５’？ Ｌノ（−行く。この
Ｊ：う【ごして目的とりる畜爪の画素だＬＪ ｊ’−夕
を採取したら、データの採取を終了りる、１尚、−１−
述した例において、Ｎを減じ（行くと、ｆｙ’ｌ く、
３画素に対しては重複して電子線を照ｑ・しすることに
４ｆるが、既に電子線を照射した照射点か否ｊｒ＼を判
定し、既に電子線を照射した照０；ｌ ＋：、ｉ ｖ一
対しＴ ４；ｉス：１ツブさＵ、電了ｆＩ口を照’：）
Ｉ ｌ−／ ’−ｉいことは勿論である。
尚、−Ｉ）ボした実施例は、７Ｎ元明の一実施例に過さ
゛す、実施【、ｌ当９７は他の多くの態様を取り１［す
る。
゛す、実施【、ｌ当９７は他の多くの態様を取り１［す
る。
例えば、上述した実施例に（１３いＣＩ；Ｌ、最初に概
略的４ｆ像を形成３するため両県Ｎ個お８の照用点にイ
ー・１電ｉ＜＋子線を照ｑ・（弓る。」：うにしたが、
第４図においｌ斜１ｉＩＣ示りように一行おきに電子線
を照用りるよ）シ、ニしても良い。
略的４ｆ像を形成３するため両県Ｎ個お８の照用点にイ
ー・１電ｉ＜＋子線を照ｑ・（弓る。」：うにしたが、
第４図においｌ斜１ｉＩＣ示りように一行おきに電子線
を照用りるよ）シ、ニしても良い。
父、Ｑ′〕５図１７７承りように、例えば４×４個の画
素に司して同図にＪ３いて斜線（二・示３ｊように一点
ず−） １１．α川（）Ｃデー４（を採取し、４×４の
画素をこの４×４のｆ′ｒＩ戚内の１点の採取データ（
゛補間り−ろＪ、うに（−１ηし良い。
素に司して同図にＪ３いて斜線（二・示３ｊように一点
ず−） １１．α川（）Ｃデー４（を採取し、４×４の
画素をこの４×４のｆ′ｒＩ戚内の１点の採取データ（
゛補間り−ろＪ、うに（−１ηし良い。
史９ご又、ｌ Ｊｉ シた実施例（よ不発明をＸ線マイ
クロアナノイ→」−を用いて試料（にを表示り−る場合
に゛）いＣ説明し、ｌこか、ンーシ丁分光装置等を備え
た電子線分（ｈ装置等の他の装置を用い−Ｃ像を表示す
る場合にも、本発明は同（ぷ（、ご通用できる。
クロアナノイ→」−を用いて試料（にを表示り−る場合
に゛）いＣ説明し、ｌこか、ンーシ丁分光装置等を備え
た電子線分（ｈ装置等の他の装置を用い−Ｃ像を表示す
る場合にも、本発明は同（ぷ（、ご通用できる。
に）ホした。ｊ、う（４一本発明に早づく１５１人にお
いて（ユ、試料表面上においで荷電粒子線の１ｌｊｉ射
位置４間引いて租く照射し、試Ｆｌ像を短１′１間（゛
表示しようとザる際に、荷電粒子線の照射されなか−）
！、：魚にλ・）応り−る画素も、この貞の近傍のイー
カミ本＜Ｈ子線が照〔）１された画素のデータを用い（
表承りるようにしくいるため、欠落無く且つ試１′１１
件のｐ、Ｈ１略の（ｙ了を１０うことのない像を表示で
きる。
いて（ユ、試料表面上においで荷電粒子線の１ｌｊｉ射
位置４間引いて租く照射し、試Ｆｌ像を短１′１間（゛
表示しようとザる際に、荷電粒子線の照射されなか−）
！、：魚にλ・）応り−る画素も、この貞の近傍のイー
カミ本＜Ｈ子線が照〔）１された画素のデータを用い（
表承りるようにしくいるため、欠落無く且つ試１′１１
件のｐ、Ｈ１略の（ｙ了を１０うことのない像を表示で
きる。
第１図は本発明を実施りるための装置の一例を承りだめ
の図、第２図１１、試別面トに考λられた画素を説明り
−るための図、第３図（ま本発明を実ｆイｉるだめの流
れを説明りる１ごめの図 Ｈ＊ ／Ｉ図は仙の実施例を
説明づるための図、第５（ヌ１は更に仙の実施例を説明
４るｌこめの図である。 １：浮体、２：電子銃、３：゛電子線、４：イー１向器
、５：試料、６：電子Ｋｌ、 ｔ？、 ｊ尤、７゛優向
路、８：波長分散型Ｘ線検出器、！′−）”／＼ｌ′″
ｌ拳忰器１０゛データ蓄積用メモリ、１１ ： Ｉｔｓ
４！ｉ錦管。
の図、第２図１１、試別面トに考λられた画素を説明り
−るための図、第３図（ま本発明を実ｆイｉるだめの流
れを説明りる１ごめの図 Ｈ＊ ／Ｉ図は仙の実施例を
説明づるための図、第５（ヌ１は更に仙の実施例を説明
４るｌこめの図である。 １：浮体、２：電子銃、３：゛電子線、４：イー１向器
、５：試料、６：電子Ｋｌ、 ｔ？、 ｊ尤、７゛優向
路、８：波長分散型Ｘ線検出器、！′−）”／＼ｌ′″
ｌ拳忰器１０゛データ蓄積用メモリ、１１ ： Ｉｔｓ
４！ｉ錦管。
Claims (1)
- 荷電粒子を試別表面上の各点に照射し、該照射によって
１７られる検出あるいは分析信すに基づい′Ｃ試料の二
次元像を表示づる方法におい′Ｃ１試料表面」−に二次
元的に分布づ−る各画素に対応する全照用点のうち照射
点を間引いて荷電粒子線を照射し、各照１’４ｉ１点に
対応する画素は各照射によって得られた信号に塁づいて
表示すると共に、各非照射点の画素は該各非照ｑ１点に
近い照射点の画素と同一の信ＣにＪルづいＣ表示するよ
うにしたことを特徴ど４−る６η電粒子わｉｌ等におけ
る二次元データの表示方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088681A JPS59214151A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088681A JPS59214151A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214151A true JPS59214151A (ja) | 1984-12-04 |
| JPH0524615B2 JPH0524615B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=13949568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58088681A Granted JPS59214151A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214151A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168946A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 集束イオンビーム走査方法 |
| WO2003021186A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Hitachi, Ltd. | Procede pour mesurer les dimensions d'un echantillon et microscope electronique a balayage |
| JP2006505093A (ja) * | 2002-02-04 | 2006-02-09 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 荷電粒子感応性レジストの為のシステム及び方法 |
| JP2006138864A (ja) * | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
| JP2007003535A (ja) * | 2001-08-29 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | 試料寸法測定方法及び走査型電子顕微鏡 |
| JP2007123071A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
| JP2014107271A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Fei Co | サンプルをサンプリングし得られた情報の表示方法 |
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-
1983
- 1983-05-20 JP JP58088681A patent/JPS59214151A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| JPH0524615B2 (ja) | 1993-04-08 |
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