JP2006505093A - 荷電粒子感応性レジストの為のシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (32)
- 荷電粒子ビームでパターンを走査する方法であって:
第1走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変える、前記ステップと;
第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、第1走査路と第2走査路との間の距離は、荷電粒子径より大きい、前記ステップと;
を備える、前記方法。 - パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項1記載の方法。
- 荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項1記載の方法。
- パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項1記載の方法。
- 収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項4記載の方法。
- 処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項5記載の方法。
- パターンを配置する予備ステップを更に備える、請求項1記載の方法。
- 荷電粒子ビームでパターンを走査する方法であって:
第1走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変える、前記ステップと;
第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、第1走査路と第2走査路の各々は、複数の連続したサンプルを備え、第1走査路と第2走査路間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きい、前記ステップと;
を備える、前記方法。 - パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項8記載の方法。
- 荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項8記載の方法。
- パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項8記載の方法。
- 収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項11記載の方法。
- 処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項12記載の方法。
- パターンを配置する予備ステップを更に備える、請求項8記載の方法。
- 荷電粒子ビームでパターンを走査する方法であって:
第1走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変える、前記ステップと;
第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップと;
第1走査路と第2走査路の位置を変え、荷電粒子ビームを導くステップを繰り返すステップと;
を備える、前記方法。 - パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項15記載の方法。
- 荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項15記載の方法。
- パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項15記載の方法。
- 収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項18記載の方法。
- 処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項19記載の方法。
- パターンを配置する予備的なステップを更に備える、請求項15記載の方法。
- 荷電粒子ビームでパターンを走査する方法であって:
第1走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、荷電粒子ビームの横断面は楕円面である、前記ステップと;
第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップと;
を備える、前記方法。 - パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項22記載の方法。
- 荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項22記載の方法。
- パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項22記載の方法。
- 収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項25記載の方法。
- 処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項26記載の方法。
- パターンを配置する予備ステップを更に備える、請求項22記載の方法。
- 荷電粒子ビームでパターンを走査する装置であって:
荷電粒子ビームを発生させる手段と;
第1走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段であって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、前記導く手段は更に、第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子を導く為に動作可能であり、第1走査路と第2走査路間の距離は、荷電粒子径より大きい、前記手段と;
を備える、前記装置。 - 荷電粒子ビームでパターンを走査する装置であって:
荷電粒子ビームを発生させる手段と;
第1走査路および第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段であって、第1走査路と第2走査路の各々は、複数の連続したサンプルを備える、前記手段と;
を備え、
パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、第1走査路と第2走査路間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きい、前記装置。 - 荷電粒子ビームでパターンを走査する装置であって:
荷電粒子を発生させる手段と;
第1走査路および第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段と;
を備え、
パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、前記導く手段は、荷電粒子ビームを導くステップを繰り返すときに第1走査路と第2走査路の位置を変える、前記装置。 - 荷電粒子ビームでパターンを走査する装置であって:
荷電粒子ビームを発生させる手段と;
第1走査路および第2走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段と;
を備え、
パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変える、前記装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35426002P | 2002-02-04 | 2002-02-04 | |
PCT/US2003/002415 WO2003067652A1 (en) | 2002-02-04 | 2003-01-27 | A system and method for inspecting charged particle responsive resist |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006505093A true JP2006505093A (ja) | 2006-02-09 |
JP2006505093A5 JP2006505093A5 (ja) | 2009-07-23 |
Family
ID=27734344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003566896A Pending JP2006505093A (ja) | 2002-02-04 | 2003-01-27 | 荷電粒子感応性レジストの為のシステム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030229294A1 (ja) |
JP (1) | JP2006505093A (ja) |
KR (1) | KR100963450B1 (ja) |
CN (1) | CN1628381B (ja) |
AU (1) | AU2003207700A1 (ja) |
WO (1) | WO2003067652A1 (ja) |
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- 2003-01-27 CN CN038031981A patent/CN1628381B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-27 KR KR1020047012043A patent/KR100963450B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-01-27 AU AU2003207700A patent/AU2003207700A1/en not_active Abandoned
- 2003-01-27 JP JP2003566896A patent/JP2006505093A/ja active Pending
- 2003-02-04 US US10/358,575 patent/US20030229294A1/en not_active Abandoned
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CN1628381A (zh) | 2005-06-15 |
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AU2003207700A1 (en) | 2003-09-02 |
WO2003067652A1 (en) | 2003-08-14 |
US20030229294A1 (en) | 2003-12-11 |
KR100963450B1 (ko) | 2010-06-17 |
US20050067582A1 (en) | 2005-03-31 |
KR20040088055A (ko) | 2004-10-15 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060124 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081225 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A02 | Decision of refusal |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100903 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120322 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120523 |