JP5722719B2 - 高電子エネルギベースのオーバーレイ誤差測定方法及びシステム - Google Patents
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- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 54
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
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- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/61—Specific applications or type of materials thin films, coatings
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
集積回路は、複数の層を含む非常に複合的なデバイスである。各層は、導電材料、絶縁材料を含むことができ、一方、他の層は、半導体材料を含む場合がある。これらの様々な材料は、通常は予想される集積回路の機能に従ってパターンで配置される。パターンはまた、集積回路の製造工程も反映する。
電子ビームが被検物に当たると、様々な相互作用過程が発生する。これらの過程の詳細説明は、L.Reimer著「走査電子顕微鏡(Scanning electron microscopy)」、第2版、1998年に求めることができ、この文献は引用によって本明細書に組み込まれている。
a.第2の区域と実質的に相互作用することなく第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導することによって第1区域の情報を取得する段階、及び第1の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階。
b.被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して検出信号を発生させる段階。
a.散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取る段階412を含むこと。
b.段階408の代わりに段階414を有すること。
c.段階409を含まないこと。
段階414には、段階406及び412が先行する。
14 レンズ内検出器
18 レンズ内検出器の開口
96 偏向要素
Claims (14)
- 被検物の第1の層に形成される第1の特徴部と、前記第1の層の下に埋め込まれた前記被検物の第2の層に形成される第2の特徴部との間のオーバーレイを評価する方法であって、
前記第1の層に形成される前記第1の特徴部の特性を表す第1区域の情報を取得する段階と、
前記第1及び第2の特徴部の少なくとも一部のイメージを生成するために複数のステップのイメージングシーケンスを実行する段階であって、前記複数ステップイメージングシーケンスは、
(i)第1のイメージングステップ中に、前記第1の特徴部と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階と、
(ii)第2のイメージングステップ中に、前記第2の特徴部と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導する段階とを含み、前記第1のイメージングステップは、前記第1の層において1次電子ビームをフォーカスする前記1次電子ビームに対して入射エネルギを選択することによって前記第1の特徴部と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導する段階を含み、前記方法は、更に、
該第1の特徴部から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させることを含む前記第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、
前記検出信号と前記第1の層において形成された前記第1の特徴部の前記特性を表す前記第1区域の情報とに基づいて、該第1の特徴部の少なくとも1つのエッジと前記第2の特徴部の少なくとも1つのエッジの間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、前記第1の特徴部から散乱又は反射された2次電子に応答する検出信号を発生させる段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2のイメージングステップは、前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも2000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2のイメージングステップは、前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも5000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のイメージングステップから前記第2のイメージングステップに続くことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の特徴部は、通常のリソグラフィ限界を超えて前記被検物に生成され得る回路特徴部の深さを増大させるために二重パターンプロセスの一部であり、前記第1の層において形成される前記第1の特徴部のエッジと前記第2の層において形成される前記第2の特徴部の最近接エッジの間の予測距離が該第1の層の隣接特徴部の間のピッチよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の特徴部から散乱又は反射された2次電子に応答して第1区域の検出信号を発生させる段階と、前記第2の特徴部から散乱又は反射された後方散乱電子に応答して第2区域の検出信号を発生させる段階とを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取る段階と、前記検出信号と該散乱光ベースのオーバーレイ測定値とに基づいて前記オーバーレイを評価する段階とを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を散乱測定ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を回折ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも2000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも5000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が2000と5000電子ボルトの間の範囲の入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 第1の層の下に埋め込まれた第2の層に形成される第2の特徴を更に含む被検物の第1の層に形成された第1の特徴部の特性を表す第1区域の情報を取得するか又は受け取るように配置されたプロセッサと、
前記被検物と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導するように配置された電子光学系と、を含み、
前記プロセッサは、前記第1及び第2の特徴部の少なくとも一部の画像を生成するために複数のステップイメージングシーケンスを実行するように構成されており、前記複数のステップイメージングシーケンスは、(i)第1のイメージングステップ中に前記第1の特徴部と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導すること、及び、(ii)第2のイメージングステップ中に前記第2の特徴部と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導することを含んでおり、前記第1のイメージングステップは、前記第1の層において1次電子ビームをフォーカスする前記1次電子ビームに対して入射エネルギを選択することによって前記第1の特徴部と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導することを含んでおり、更に、
該第1の特徴部から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させることを含む前記第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させるように配置された少なくとも1つの検出器を含み、
前記プロセッサは、前記検出信号と前記第1の層の前記第1の区域の特性を表す第1区域情報とに基づいて、前記第1の特徴部の少なくとも1つのエッジと前記第2の特徴部の少なくとも1つのエッジの間の少なくとも1つの空間関係を判断するように更に配置される、
ことを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/111,838 US9046475B2 (en) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | High electron energy based overlay error measurement methods and systems |
US13/111,838 | 2011-05-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012244142A JP2012244142A (ja) | 2012-12-10 |
JP5722719B2 true JP5722719B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=47155369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011159378A Active JP5722719B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-07-01 | 高電子エネルギベースのオーバーレイ誤差測定方法及びシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9046475B2 (ja) |
JP (1) | JP5722719B2 (ja) |
KR (1) | KR101438068B1 (ja) |
CN (1) | CN102789997B (ja) |
TW (1) | TWI515427B (ja) |
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- 2011-07-15 TW TW100125161A patent/TWI515427B/zh active
- 2011-08-03 CN CN201110229082.3A patent/CN102789997B/zh active Active
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US20120292502A1 (en) | 2012-11-22 |
CN102789997B (zh) | 2016-11-16 |
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KR101438068B1 (ko) | 2014-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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