CN102789997A - 基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统 - Google Patents
基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102789997A CN102789997A CN2011102290823A CN201110229082A CN102789997A CN 102789997 A CN102789997 A CN 102789997A CN 2011102290823 A CN2011102290823 A CN 2011102290823A CN 201110229082 A CN201110229082 A CN 201110229082A CN 102789997 A CN102789997 A CN 102789997A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- electronics
- electron beam
- primary electron
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 50
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 201000006549 dyspepsia Diseases 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/20—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring contours or curvatures, e.g. determining profile
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/61—Specific applications or type of materials thin films, coatings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
Landscapes
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于高电子能量的覆盖误差测量方法、系统和计算机可读取介质。所述方法可以包括：获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用；引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及基于所述检测信号和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统。
背景技术
覆盖误差测量
集成电路是包括多个层的非常复杂的装置。各个层可以包括导电材料、隔离材料，而其他层可以包括半导体材料。通常根据集成电路的预期功能，将这些各种材料布置成图案。这些图案也反映了集成电路的制造工艺。
各个层是通过一系列步骤形成的，这些步骤通常包括：在基板/层上沉积电阻材料；通过光刻工艺使电阻材料曝光；以及使曝光的电阻材料显影以产生图案，所述图案界定稍后将被蚀刻的一些区域。
理想地，使各个层完美地对准到先前存在的层。通常，这些层是未对准的，因此未对准误差或覆盖误差存在于每一对层之间。
为了观察覆盖误差，曾演变出各种技术，一些技术使用光学仪器，一些技术使用扫描电子显微镜。Mih等人的美国专利第6,407,396号、Kye的美国专利第6,489,068号、Gould等人的美国专利第6,463,184号、Minami等人的美国专利第6,589,385号和Shur等人的美国专利第7,842,933号提供了关于覆盖误差测量技术现状的良好指示，所有所述美国专利都以引用的方式并入本文。
光学覆盖测量经受各种误差，比如光学系统的透镜像差。Mih陈述，在一些情况下，原子力显微术或扫描电子显微术度量技术对于验证光学覆盖测量精度而言可能为必要的。
双图案化是一类图案化技术，这类图案化技术旨在增加电路特征的密集度，可以在晶片上超过特定平版印刷术扫描器的正常界限来产生所述电路特征。双图案化可以包括：制造具有第一层和第二层的检查物。第二层是埋在第一层下面的。各个层具有非常接近于彼此的特征(图案)。在双图案化处理期间，最终可以蚀刻这些特征。
应注意，在蚀刻顶层之后检测覆盖误差可能是非常昂贵的。
带电电子束与检查物之间的相互作用
一旦电子束射中检查物，各种相互作用过程便会发生。这些过程的详细描述可见于1998年出版的《扫描电子显微术》(L.Reimer)第二版，所述《扫描电子显微术》以引用的方式并入本文。
图1图示了重要的相互作用过程和各种信息容量。信息容量是一个空间，在所述空间中，相互作用过程发生并且导致电子的散射或反射，最终可以检测所述电子的散射或反射以提供关于该信息容量的信息。
二次电子易于检测，因为可以相对容易地改变所述二次电子的轨迹，使得所述二次电子朝向检测器。背向散射电子的轨迹相对较直并且略受静电场的影响。
图2图示了第一类型的现有技术多视角SEM(扫描电子显微镜)10，所述SEM 10包括多个检测器。SEM 10包括用于产生原始电子束的电子枪(未图示)以及多个控制及电压供应单元(未图示)、物镜12、透镜内检测器14和外部检测器16。系统10还包括偏转线圈和处理器(未图示)。在Wagner的美国专利第5,659,172号中描述了这样的系统。
在系统10中，引导原始电子束穿过透镜内检测器14内的孔径18，以被物镜12聚焦到检查晶片20上。原始电子束与晶片20相互作用，并且因此反射或散射各种类型的电子，诸如，二次电子、背向散射电子、俄歇电子和X射线量子。可以容易地收集二次电子，并且大部分SEM主要检测这些二次电子。
系统10能够通过透镜内检测器14和外部检测器16来检测发射的二次电子中的一些电子。
物镜12包括静电透镜和磁透镜，所述静电透镜和磁透镜引入静电场和磁场，所述静电场和磁场从透镜向晶片泄漏。虽然二次电子的收集是高度响应于泄漏的静电场，但是所述二次电子的收集几乎不受泄漏的磁场影响。
泄漏的静电场将低能二次电子和极低能二次电子吸引至列中。引导极低能二次电子的重要部分穿过透镜内检测器14的孔径，并且所述重要部分没有被检测到。引导低能二次电子朝向透镜内检测器14。如果高能二次电子的初始轨迹向检测器中的一个瞄准，那么所述高能二次电子就被检测到。
有效的缺陷观察工具需要两个类型的检测器，以便捕获所有类型的缺陷。透镜内检测器14通常用于决定不同材料之间的对比，并且透镜内检测器14在电压收缩模式中以及HAR(高深宽比)模式中也是很有用的。HAR模式是用来检查以高深宽比为特征的空腔(换句话说--窄且深的空腔)的。在HAR模式期间，通常使环绕空腔的区域带电，以允许来自空腔的下部的电子到达检测器。透镜内检测器14还对图案边缘非常敏感。外部检测器16对晶片的表面状况更加敏感。外部检测器还不太受晶片带电影响，当使高电阻层成像时晶片带电情况是显著的。
Suzuki等人的另一个美国专利第6,555,819号(所述美国专利以引用的方式并入本文)描述了多检测器SEM，所述多检测器SEM具有磁漏型物镜，其中磁场大大地影响发射的二次电子的轨迹。这类SEM具有许多缺点，诸如，不能提供倾斜图像并且对于提供来自高深宽比的孔的图像而言并非有效的。Suzuki具有反射镜，所述反射镜包括一孔径，原始电子束穿过所述孔径，因此反射的电子可以穿过这个孔径并且保持不被检测到。
需要提供能使覆盖测量更容易的有效系统和方法。
发明内容
根据本发明的一个实施方式，可以提供一种用于评估覆盖的方法。所述方法可以包括：获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用；引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及基于所述检测信号和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
所述方法可以包括：通过引导所述原始电子束的电子与所述第一区域相互作用而大体上不与所述第二区域相互作用来获得第一区域信息；以及响应于从所述第一区域散射或反射的电子，产生检测信号。
所述方法可以包括：产生响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子的检测信号，同时忽略从所述检查物散射的背向散射电子。
根据本发明的一个实施方式，可以提供一种用于评估覆盖的方法，并且所述方法可以包括：引导原始电子束的电子与检查物的第一层的第一区域相互作用；其中所述检查物进一步可以包括第二层，所述第二层可以包括第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；引导所述原始电子束的高着陆能量电子与所述第二区域相互作用；响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及基于所述检测信号，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系，其中所述第一区域的特征与所述第二层的最近的特征之间的预期距离小于所述第一区域的相邻特征之间的间距。
所述方法可以包括：响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子，产生第一区域检测信号；以及响应于从所述第二区域散射或反射的背向散射电子，产生第二区域检测信号。
所述方法可以包括：接收基于散射光光学的覆盖测量结果，以及基于所述检测信号和基于散射光的覆盖测量结果来评估所述覆盖。
所述方法可以包括：将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于散射测量的覆盖设备。
所述方法可以包括：将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于衍射的覆盖设备。
根据本发明的一个实施方式，可以提供一种系统，并且所述系统可以包括：处理器，所述处理器经布置以获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步可以包括第二层，所述第二层可以包括第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；电子光学器件，所述电子光学器件经布置以引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用，并且所述电子光学器件经布置以引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；至少一个检测器，所述至少一个检测器经布置以响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子来产生检测信号；并且其中所述处理器进一步经布置以基于所述检测信号和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
所述电子光学器件可以经布置以引导所述原始电子束的电子与所述第一区域相互作用而大体上不与所述第二区域相互作用；其中所述至少一个检测器可以经布置以响应于从所述第一区域散射或反射的电子来产生检测信号；并且其中所述处理器可以经布置以通过处理所述检测信号来获得所述第一区域信息。
所述至少一个检测器可以经布置以产生响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子的检测信号，同时忽略从所述检查物散射的背向散射电子。
根据本发明的一个实施方式，提供一种系统，并且所述系统可以包括：电子光学器件，所述电子光学器件经布置以引导原始电子束的电子与检查物的第一层的第一区域相互作用；其中所述检查物进一步可以包括第二层，所述第二层可以包括第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；并且所述电子光学器件经布置以引导所述原始电子束的高着陆能量电子与所述第二区域相互作用；至少一个检测器，所述至少一个检测器经布置以响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子来产生检测信号；以及处理器，所述处理器可以经布置以基于所述检测信号来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系，其中所述第一区域的特征与所述第二层的最近的特征之间的预期距离小于所述第一区域的相邻特征之间的间距。
所述至少一个检测器可以包括二次电子检测器和背向散射电子检测器；其中所述二次电子检测器可以经布置以响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子来产生第一区域检测信号；并且其中所述背向散射电子检测器可以经布置以响应于从所述第二区域散射或反射的背向散射电子来产生第二区域检测信号。
所述处理器可以经布置以接收基于散射光光学的覆盖测量结果，并且所述处理器可以经布置以基于所述检测信号和基于散射光的覆盖测量结果来评估所述覆盖。
所述处理器可以经布置以将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于散射测量的覆盖设备。
所述处理器可以经布置以将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于衍射的覆盖设备。
在上述方法或系统中的任何一个方法或系统中，所述原始电子束可以具有至少2000电子伏特的着陆能量，该着陆能量可以介于2000电子伏特与5000电子伏特之间，甚至高于5000电子伏特。
根据本发明的一个实施方式，提供一种计算机程序产品，并且所述计算机程序产品可以包括：非临时性计算机可读取介质，所述非临时性计算机可读取介质存储用于以下操作的指令：接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；响应于从所述第一区域和从第二层的第二区域散射或反射的电子，接收检测信号，，所述第二层埋在所述第一层下面；以及基于所述检测信号和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。所述非临时性计算机可读取介质可以存储用于执行本说明书中描述的任何方法的指令。
附图说明
为了理解本发明并且为了了解在实践中可以如何实施本发明，现将参阅附图来描述(仅以非限制性例子的方式)优选实施方式，在附图中：
图1图示各个相互作用过程和所述相互作用过程的各自的信息容量；
图2描述多检测器扫描电子显微镜(SEM)的一部分；
图3图示另一个多检测器SEM的一部分；
图4图示根据本发明的一个实施方式的另一个多检测器SEM的一部分；
图5图示覆盖误差的例子；
图6图示根据本发明的一个实施方式的检查物的两个不同部分和表示所述不同部分的边缘图像；
图7为根据本发明的一个实施方式的第一区域的图像；
图8为根据本发明的一个实施方式的第一区域和第二区域的图像，所述第二区域埋在所述第一区域下面；以及
图9至图11为图示根据本发明的各个实施方式的用于测量覆盖误差的方法的流程图。
将了解，为了说明的简明性和清晰性，不必按比例绘制诸图中所示的元件。例如，为了清晰性，可以将元件中的一些元件的尺寸相对于其他元件放大。另外，在认为适当的情况下，标号在诸图中可以重复，以表示相应或类似的元件。
具体实施方式
在以下详细描述中，阐述了许多具体细节，以提供本发明的彻底理解。然而，所属领域的技术人员将理解，本发明可以在没有这些具体细节的情况下实施。在其他情况下，没有详细描述熟知的方法、程序和组件，以免使本发明难以理解。
在所有图中，相同的标号表示相同的元件。
根据本发明的各种实施方式，提供用于评估覆盖误差的方法和系统，并且所述方法和系统包括使用原始电子束来照射检查物，所述原始电子束具有其能量大到足以与一或更多个埋层相互作用的电子。通过透镜内检测器和内置透镜检测器来检测二次电子和(另外或替代地)背向散射电子，以提供检测信号。处理检测信号，以提供关于检查物的顶层(第一层)和埋层(第二层)的特征的形状和位置的指示。应注意，术语第一和第二仅用以区分一个元件与另一个元件。
各种方法可以应用于许多检查物上，所述检查物包括但不限于超薄双图案化制造物。应注意，在平版印刷术应用中，顶层通常由光刻胶制成，并且埋层通常由蚀刻材料制成，所述蚀刻材料通常为氮化物，所述氮化物用于浸于BARC(底部抗反射涂层)中的硬掩模。在定向自组装中，顶层和埋层是由亲水的嵌段共聚物和疏水的嵌段共聚物制成，在自组装工艺期间使所述亲水的嵌段共聚物和所述疏水的嵌段共聚物中的一个攀爬在另一个的顶上。在本说明书中描述的方法和系统可以应用于这样的层或可以应用于其他层。
使较深(较宽)的层(或不太透明)成像可能会产生较低信噪比(SNR)的图像。在这种情况下，可能需要进一步的处理，以重建这些较低SNR的图像。任何已知的图像清洁、边缘检测或其他低SNR图像处理方法可以应用于这样的图像上。
图3是另一个多检测器SEM的部分10′的图例。在美国专利第7,842,933号中提供了这样的系统的例子，所述美国专利以引用的方式并入本文。
图3还图示原始电子束的示范性路径以及从检查物(诸如但不限于晶片或中间掩模)散射或反射的电子的路径。
原始电子束沿光轴传播，并且然后使所述原始电子束(i)在第一方向上倾斜，(ii)在相反方向上倾斜以便沿副光轴传播且所述副光轴平行于所述光轴但与所述光轴间隔开，(iii)在第二方向上向所述光轴倾斜，并且然后(iv)在与第二方向相反的方向上倾斜，以便沿所述光轴传播。可以通过磁偏转线圈32-36来产生上述倾斜操作。在2002年5月13日提交的专利申请第10/146,218号中描述了用于双倾斜的系统和方法，并且所述专利申请以引用的方式并入本文。使电子束经受静电场，所述静电场可以由各种形状和布置的多个电极引入。在标题为“objective lens arrangement for use in a charged particle beamcolumn”的美国专利申请第10/423,289号中说明了实施方式中的一些，所述美国专利申请以引用的方式并入本文。
应注意，可以实施其他倾斜方案(诸如仅执行前两个倾斜)，使得原始电子束与检查物相互作用，同时原始电子束沿副轴传播。
在系统10′中，引导原始电子束穿过透镜内检测器14内的孔径18，以被物镜12聚焦到检查晶片20上。穿过透镜内检测器14的孔径而传播的二次电子最终在第二方向上向内置透镜检测器40倾斜。
透镜内检测器位于传播路径的最后部分，其中原始电子束沿光轴传播。透镜内检测器具有孔径，所述孔径经定位以环绕光轴。
一旦因原始光束与检查物之间的相互作用而发射/散射出电子，则由于强大的电磁场而向透镜内检测器吸引所述电子并将所述电子吸引到该检测器的孔径。静电场的强度决定了将哪些二次电子吸引到透镜内检测器并将哪些二次电子吸引到透镜内检测器的孔径。
穿过透镜内检测器14的孔径而传播的二次电子最终在第二方向上向内置透镜检测器40倾斜。
通过施加相对强大的静电场，内置透镜检测器检测曾经未被检测到(穿过孔径)的电子或由透镜内检测器检测到的电子，而透镜内检测器则检测曾经由外部检测器检测到的电子。
图4为根据本发明的一个实施方式的多检测器SEM的一部分10″的图例。图4还图示原始电子束的示范性路径以及从检查物(诸如但不限于晶片或中间掩模)散射或反射的电子的路径。
原始电子束沿光轴传播，并且然后使所述原始电子束(i)在第一方向上倾斜，(ii)在相反方向上倾斜以便沿副光轴传播且所述副光轴平行于所述光轴但与所述光轴间隔开，(iii)在第二方向上向所述光轴倾斜，并且然后(iv)在与第二方向相反的方向上倾斜，以便沿所述光轴传播。
散射电子可以由透镜内检测器14来检测或可以穿过透镜内检测器14的孔径18，并且可以使所述散射电子向可相对于光轴而定向的一个方向处的内置透镜检测器偏转。额外偏转元件96是接近偏转器35的一部分而定位，并且所述额外偏置元件防止系统执行穿过孔径18的散射电子的进一步偏转。在没有偏转元件96时，额外的偏转发生了，并且电子可能向一个路径处的内置透镜检测器40传播，所述路径平行于光轴但与光轴间隔开(如图3中所示)。
图4还将内置透镜检测器40图示为相对于光轴而定向。内置透镜检测器40可以大致垂直于电子的轨迹，所述电子向内置透镜检测器40传播。内置透镜检测器40可以在过滤器94之后，过滤器94可以防止某些电子到达内置透镜检测器40--基于这些电子的着陆能量和施加于过滤器94的电压电位。不同的电压电位抑制具有不同着陆能量的电子。过滤器可以用于(例如)允许背向散射电子，同时拒绝二次电子。
内置透镜检测器40和透镜内检测器14产生检测信号，所述检测信号被提供至处理器90。可以处理这些检测信号以提供扫描区域的单个表示(例如--单个图像)或提供分离的表示--独立地处理各个检测器的检测信号。
控制器92可以控制网格栅94和(另外或替代地)物镜的电势--以便控制由检测器14和检测器40检测的电子。
应注意，当仅使检查物的第一层成像时，可以将两个检测器(检测器14和检测器40)设置成检测相同类型的电子，而当使两个层成像时，各个检测器可以用于检测不同类型的电子。
图5图示检查物的一部分的覆盖误差69，所述检查物是通过双图案化工艺制造的。这些覆盖误差69被图示为实际的特征与所要的特征之间的偏差。
图5的上部图示了：(i)第一层60的所要的特征61的位置和形状，和(ii)第二层62的所要的特征63的位置和形状，所述第二层62埋在第一层60的下面。
图5的下部图示了：(i)第一层68的实际特征65的位置和形状，和(ii)第二层67的实际特征66的位置和形状，所述第二层67埋在第一层68的下面。覆盖误差69表明第二层67的实际特征66相对于它们的期望位置更向右偏移。
图5仅图示了覆盖误差的例子。例如，相同层的不同特征可以彼此相差它们的覆盖误差，并且另外或替代地，覆盖误差可以包括旋转。
图7为根据本发明的一个实施方式的第一层的第一区域的图像110的例子，并且图8为根据本发明的一个实施方式的所述第一区域和第二层的第二区域的图像的例子。
图7图示了第一区域的图像110并包括边缘111，边缘111表示第一层的特征的位置。图8为第一区域的图像和第二区域的图像，并图示第一区域的特征的边缘111和第二区域的特征的边缘121。这些第一区域特征和第二区域特征可以是微扰，并且将所述第一区域特征的上部112(对于第一区域微扰而言)和所述第二区域特征的上部122(对于第二区域微扰而言)图示为比所述第一区域特征和所述第二区域特征的周围更亮。
图8还图示强度信号124，强度信号124指示沿假想的Y轴(这些特征大体上平行于X轴)的检测信号的强度。强度信号124提供关于第一层和第二层的不同特征的高度的指示。
图9图示根据本发明的一个实施方式的方法300。
方法300可以开始于阶段302和阶段304中的任何一个阶段。应注意，方法300可以包括阶段302和阶段304或可以仅包括这些阶段中的一个阶段。
阶段302包括：获得第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域。检查物进一步包括第二层，所述第二层包含第二区域；其中第二层是埋在第一层下面的。
阶段302可以包括以下至少一个：
a.通过引导原始电子束的电子与第一区域相互作用而大体上不与第二区域相互作用来获得第一区域信息；以及响应于从第一区域散射或反射的电子，产生检测信号。
b.产生响应于从第一区域散射或反射的二次电子的检测信号，同时忽略从检查物散射的背向散射电子。
阶段304包括接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域。
阶段302和阶段304之后是阶段306，阶段306引导原始电子束的电子与第一区域相互作用，并且之后是阶段308，阶段308引导原始电子束的电子与第二区域相互作用。
阶段308可以包括将原始电子束向检查物引导，使得原始电子束的电子具有至少2000电子伏特或至少5000电子伏特的着陆能量。
阶段306和阶段308之后是阶段310，阶段310响应于从第一区域和第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子来产生检测信号。
阶段310之后是阶段312，阶段312基于检测信号和第一区域信息来决定第一区域的至少一个特征与第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
阶段312可以包括第一区域的至少一个特征的边缘的边缘检测和第二区域的至少一个特征的边缘的边缘检测。
另外或替代地，阶段312可以包括基于边缘检测和第一区域信息来决定空间关系。例如，一对第一区域特征和第二区域特征可以部分重叠或具有重叠的边缘。在这两种情况下，图像可以为大体上相同的。第一区域信息可以帮助区分这两种情况。
这在图6中被图示--可以获得具有相同边缘91至边缘94的相同边缘图像90，同时使不同物体(或不同区域)成像。图6的上部图示了不同的层(层70和层72)的重叠特征(特征71和特征73)，而图6的中部图示了不重叠的较窄特征(特征81和特征83)。第一区域信息(比如第一层和/或第二层的特征的宽度)可以帮助区分这些情况。
图10图示了根据本发明的一个实施方式的方法400。
方法400可以开始于阶段402，阶段402引导原始电子束的电子与检查物的第一层的第一区域相互作用。检查物进一步包括第二层，所述第二层包含第二区域；其中第二层是埋在第一层下面的。
阶段402之后是阶段404，阶段404引导原始电子束的高着陆能量电子与第二区域相互作用。
阶段404之后是阶段406，阶段406响应于从第一区域和第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子来产生检测信号。
阶段406之后是阶段408，阶段408基于(至少)检测信号来决定第一区域的至少一个特征与第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系，其中第一区域的特征与第二层的最近的特征之间的预期距离小于第一区域的相邻特征之间的间距。因此，可以通过双图案化工艺或任何其他多图案化工艺来制造第一层和第二层。
根据本发明的一个实施方式，阶段408之后可以是阶段409，阶段409将关于至少一个空间关系的重叠信息发送至基于散射测量的覆盖设备。这个设备可以使用这些信息来决定第一层的表面状况。
阶段406可以包括：响应于从第一区域散射或反射的二次电子，产生第一区域检测信号；以及响应于从第二区域散射或反射的背向散射电子，产生第二区域检测信号。
图11图示了根据本发明的一个实施方式的方法410。
图11的方法410与图10的方法400区别在于：
a.包括阶段412，阶段412接收基于散射光光学的覆盖测量结果；以及
b.具有阶段414而不是阶段408。
c.不包括阶段409。
阶段414在阶段406和阶段412之后。
阶段414包括：基于检测信号和基于散射光光学的覆盖测量结果，来决定第一区域的至少一个特征与第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。基于散射光光学的覆盖测量结果可以是指第一层信息。应注意，如果基于散射光光学的覆盖测量结果是在将第一层制造于第一层的顶部之上以前获得的，那么基于散射光光学的覆盖测量结果可以表示第二区域。
根据本发明的一个实施方式，覆盖误差被测量成与第一特征和第二特征之间所需要的空间关系的偏差。
可以提供上文所述方法中的任何一个方法的任何阶段的任何组合。任何方法都可以通过上述系统中的任何一个系统来执行。
第一区域和第二区域可以具有任何期望的形状、大小或位置。这些参数(形状、大小、位置)可以由用户决定，可以响应于先前的检查或度量尝试而设置所述参数，所述参数可以通过设定扫描图案来定义，等等。所述方法和系统可以通过使用机械扫描和(另外或替代地)电扫描以及偏转工艺来一个区域接一个区域地扫描。
上述方法或至少上述方法的计算机实施的阶段可以由执行代码的计算机来执行，所述代码被存储在非临时性计算机可读取介质中。例如，非临时性计算机可读取介质可以存储用于以下操作的指令：接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中第二层是埋在第一层下面的；响应于从第一区域和从第二层的第二区域散射或反射的电子，接收检测信号，所述第二层埋在第一层下面；以及基于检测信号和第一区域信息来决定第一区域的至少一个特征与第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
本发明可以通过使用传统工具、方法和组件来实施。因此，本文没有详细地阐述这些工具、组件和方法的细节。在先前的描述中，阐述了许多具体细节(诸如，典型线条的横截面的形状、偏转单元的量等)，以提供本发明的彻底理解。然而，应认识到，本发明可以在并不藉助于具体阐述的细节的情况下实施。
在本揭示案中仅展示并描述本发明的示范性实施例和本发明的多用性的几个例子。将理解，本发明能够用于各种其他组合和环境中，并且在如本文表达的本发明构思的范围内能够对本发明进行改变或修改。
例如，尽管上述文字涉及覆盖误差的测量，但是上述方法和系统可以加以必要的变更而应用于其他测量并应用于埋入式缺陷的缺陷检测。
虽然本文已说明并描述了本发明的某些特征，但是所属领域的一般技术人员现将想到许多修改、置换、改变和等效物。因此，将理解，随附权利要求书旨在涵盖如属于本发明的真实精神范围内的所有这些修改和变化。
Claims (15)
1.一种用于评估覆盖的方法，包括：
获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；
引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用；
引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；
响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及
基于所述检测信号和所述第一区域信息来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：通过引导所述原始电子束的电子与所述第一区域相互作用而大体上不与所述第二区域相互作用，来获得第一区域信息；以及响应于从所述第一区域散射或反射的电子，产生检测信号。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，包括：产生响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子的检测信号，同时忽略从所述检查物散射的背向散射电子。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有至少2000电子伏特的着陆能量。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有至少5000电子伏特的着陆能量。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有在2000电子伏特与5000电子伏特之间的范围内的着陆能量。
7.一种用于评估覆盖的方法，包括：
引导原始电子束的电子与检查物的第一层的第一区域相互作用；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；
引导所述原始电子束的高着陆能量电子与所述第二区域相互作用；
响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及
基于所述检测信号，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系，其中所述第一区域的特征与所述第二层的最近的特征之间的预期距离小于所述第一区域的相邻特征之间的间距。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：响应于从所述第一区域散射或反射的二次电子，产生第一区域检测信号；以及响应于从所述第二区域散射或反射的背向散射电子，产生第二区域检测信号。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：接收基于散射光光学的覆盖测量结果；以及基于所述检测信号以及基于散射光的覆盖测量结果，来评估所述覆盖。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于散射测量的覆盖设备。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：将关于所述至少一个空间关系的重叠信息发送至基于衍射的覆盖设备。
12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有至少2000电子伏特的着陆能量。
13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有至少5000电子伏特的着陆能量。
14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：向所述检查物引导所述原始电子束，使得所述原始电子束的电子具有在2000电子伏特与5000电子伏特之间的范围内的着陆能量。
15.一种系统，包括：
处理器，所述处理器经布置以获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；
电子光学器件，所述电子光学器件经布置以引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用，并且所述电子光学器件经布置以引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；
至少一个检测器，所述至少一个检测器经布置以响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子来产生检测信号；以及
其中所述处理器进一步经布置以基于所述检测信号和所述第一区域信息来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/111,838 | 2011-05-19 | ||
| US13/111,838 US9046475B2 (en) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | High electron energy based overlay error measurement methods and systems |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102789997A true CN102789997A (zh) | 2012-11-21 |
| CN102789997B CN102789997B (zh) | 2016-11-16 |
Family
ID=47155369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110229082.3A Active CN102789997B (zh) | 2011-05-19 | 2011-08-03 | 基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9046475B2 (zh) |
| JP (1) | JP5722719B2 (zh) |
| KR (1) | KR101438068B1 (zh) |
| CN (1) | CN102789997B (zh) |
| TW (1) | TWI515427B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105849885A (zh) * | 2013-12-23 | 2016-08-10 | 科磊股份有限公司 | 多重图案化参数的测量 |
| CN110869752A (zh) * | 2017-06-20 | 2020-03-06 | 应用材料公司 | 用于检查样本的方法和设备 |
| CN110865518A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-06 | 上海华力微电子有限公司 | 检测晶片上下层叠对的方法和设备 |
| CN111076687A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 约翰内斯·海德汉博士有限公司 | 位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法 |
| CN113538328A (zh) * | 2020-04-20 | 2021-10-22 | 应用材料以色列公司 | 覆盖监测 |
| CN115280479A (zh) * | 2020-03-20 | 2022-11-01 | 科磊股份有限公司 | 使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息 |
| US11728127B2 (en) | 2019-05-13 | 2023-08-15 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8723115B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-05-13 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for detecting buried defects |
| JP6002480B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びパターン測定をコンピューターに実行させるコンピュータープログラム |
| NL2011261A (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-24 | Asml Netherlands Bv | Method of preparing a pattern, method of forming a mask set, device manufacturing method and computer program. |
| US9831062B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-11-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for pattern measurement, method for setting device parameters of charged particle radiation device, and charged particle radiation device |
| TWI494537B (zh) * | 2013-01-23 | 2015-08-01 | Hitachi High Tech Corp | A pattern measuring method, a device condition setting method of a charged particle beam device, and a charged particle beam device |
| JP5993781B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2016-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測方法および計測装置 |
| US9214317B2 (en) * | 2013-06-04 | 2015-12-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method of SEM overlay metrology |
| US9449788B2 (en) | 2013-09-28 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Enhanced defect detection in electron beam inspection and review |
| KR102234659B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 고에너지 전자 빔을 이용하여 인-셀 오버레이 오프셋을 측정할 수 있는 sem 장치와 그 방법 |
| KR102169557B1 (ko) * | 2014-01-15 | 2020-10-26 | 케이엘에이 코포레이션 | 다중 패터닝된 타겟에서의 피치 워크의 오버레이 측정 |
| US10152654B2 (en) | 2014-02-20 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based overlay measurements |
| EP2927747A3 (en) * | 2014-03-31 | 2016-03-09 | IMEC vzw | Quality assessment of directed self-assembling method |
| US10352876B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-07-16 | KLA—Tencor Corporation | Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements |
| WO2017179138A1 (ja) | 2016-04-13 | 2017-10-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
| US10359377B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corporation | Beam shaping slit for small spot size transmission small angle X-ray scatterometry |
| US10775323B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Full beam metrology for X-ray scatterometry systems |
| US10481111B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corporation | Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system |
| US10859518B2 (en) | 2017-01-03 | 2020-12-08 | Kla-Tencor Corporation | X-ray zoom lens for small angle x-ray scatterometry |
| US10767978B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Transmission small-angle X-ray scattering metrology system |
| US11073487B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-07-27 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution |
| US10727142B2 (en) | 2017-05-30 | 2020-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry |
| JP2019011972A (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-24 | 株式会社 Ｎｇｒ | パターンエッジ検出方法 |
| US11333621B2 (en) | 2017-07-11 | 2022-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction |
| US10983227B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-04-20 | Kla-Tencor Corporation | On-device metrology using target decomposition |
| US11317500B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology |
| US10748736B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology |
| US10959318B2 (en) | 2018-01-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator |
| US10816486B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-10-27 | Kla-Tencor Corporation | Multilayer targets for calibration and alignment of X-ray based measurement systems |
| US11990380B2 (en) | 2019-04-19 | 2024-05-21 | Kla Corporation | Methods and systems for combining x-ray metrology data sets to improve parameter estimation |
| CN113874787B (zh) | 2019-05-21 | 2024-04-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定与期望图案相关联的随机变化的方法 |
| US11272607B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-03-08 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target |
| US11259394B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target |
| US11610297B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-03-21 | Kla Corporation | Tomography based semiconductor measurements using simplified models |
| US11520321B2 (en) | 2019-12-02 | 2022-12-06 | Kla Corporation | Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization |
| US11719652B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-08-08 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array |
| US11513085B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-11-29 | Kla Corporation | Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology |
| US11143604B1 (en) | 2020-04-06 | 2021-10-12 | Kla Corporation | Soft x-ray optics with improved filtering |
| US11525777B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-12-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Optimizing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
| US11474437B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-10-18 | Applied Materials Israel Ltd. | Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
| US11199401B1 (en) | 2020-09-03 | 2021-12-14 | Applied Materials Israel Ltd. | End-point detection for similar adjacent materials |
| US11530913B2 (en) | 2020-09-24 | 2022-12-20 | Kla Corporation | Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements |
| US11280749B1 (en) | 2020-10-23 | 2022-03-22 | Applied Materials Israel Ltd. | Holes tilt angle measurement using FIB diagonal cut |
| US20220210525A1 (en) | 2020-12-24 | 2022-06-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Prediction of electrical properties of a semiconductor specimen |
| US11378531B1 (en) | 2021-02-01 | 2022-07-05 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for focusing an electron beam on a wafer having a transparent substrate |
| JP7048778B2 (ja) * | 2021-02-03 | 2022-04-05 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置およびパターン計測方法 |
| US11598633B2 (en) | 2021-07-19 | 2023-03-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Analyzing a buried layer of a sample |
| US12033831B2 (en) | 2021-08-23 | 2024-07-09 | Applied Materials Israel Ltd. | Analyzing a sidewall of hole milled in a sample to determine thickness of a buried layer |
| US12085515B2 (en) | 2021-08-25 | 2024-09-10 | Kla Corporation | Methods and systems for selecting wafer locations to characterize cross-wafer variations based on high-throughput measurement signals |
| US11694934B2 (en) | 2021-09-21 | 2023-07-04 | Applied Materials Israel Ltd. | FIB delayering endpoint detection by monitoring sputtered materials using RGA |
| US12019030B2 (en) | 2022-01-18 | 2024-06-25 | Kla Corporation | Methods and systems for targeted monitoring of semiconductor measurement quality |
| US11955308B1 (en) | 2022-09-22 | 2024-04-09 | Kla Corporation | Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050089773A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
| JP2006266808A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
| JP2008058166A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンのずれ測定方法、及びパターン測定装置 |
| US20080240344A1 (en) * | 2005-11-07 | 2008-10-02 | Alfred Reinhold | X-ray tomosynthesis device |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3849659A (en) | 1973-09-10 | 1974-11-19 | Westinghouse Electric Corp | Alignment of a patterned electron beam with a member by electron backscatter |
| DE3888712D1 (de) | 1987-02-02 | 1994-05-05 | Integrated Circuit Testing | Detektorobjectiv für Rastermikroskope. |
| USH589H (en) * | 1987-04-23 | 1989-02-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Measurement of film thickness of integrated circuits |
| US4926054A (en) | 1988-03-17 | 1990-05-15 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope |
| US5866905A (en) * | 1991-05-15 | 1999-02-02 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
| US5659172A (en) | 1995-06-21 | 1997-08-19 | Opal Technologies Ltd. | Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images |
| JP3634068B2 (ja) | 1995-07-13 | 2005-03-30 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| EP0769799B1 (en) | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JPH09320505A (ja) | 1996-03-29 | 1997-12-12 | Hitachi Ltd | 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン |
| EP0821393B1 (en) | 1996-07-25 | 1999-06-16 | ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH | Detector objective lens |
| US6184526B1 (en) | 1997-01-08 | 2001-02-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam |
| US6037589A (en) | 1997-01-16 | 2000-03-14 | Seiko Instruments Inc. | Electron beam device |
| JP3434165B2 (ja) | 1997-04-18 | 2003-08-04 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| JPH1131470A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Nikon Corp | 電子光学系 |
| DE19732093B4 (de) | 1997-07-25 | 2008-09-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Korpuskularstrahlgerät |
| US5952241A (en) | 1997-09-03 | 1999-09-14 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus for improving alignment for metal masking in conjuction with oxide and tungsten CMP |
| US6365897B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
| TW412755B (en) | 1998-02-10 | 2000-11-21 | Murata Manufacturing Co | Resistor elements and methods of producing same |
| EP1068630B1 (de) | 1998-03-10 | 2005-07-20 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
| EP0952606B1 (en) | 1998-04-24 | 2002-07-31 | Advantest Corporation | Dynamically compensated objective lens-detection device and method |
| US6064486A (en) | 1998-05-21 | 2000-05-16 | Leland Stanford Junior University | Systems, methods and computer program products for detecting the position of a new alignment mark on a substrate based on fitting to sample alignment signals |
| US6501077B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP3288320B2 (ja) | 1998-12-21 | 2002-06-04 | 沖電気工業株式会社 | レジストマーク |
| JP2000243695A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 合わせずれ検査方法、半導体装置の製造方法及び合わせずれ検査プログラムを記録した記録媒体 |
| US6344750B1 (en) * | 1999-01-08 | 2002-02-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam |
| US6642520B2 (en) | 1999-04-13 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Topcon | Scanning electron microscope |
| JP4786006B2 (ja) | 1999-06-08 | 2011-10-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の設計方法および半導体装置の製造方法 |
| US6463184B1 (en) | 1999-06-17 | 2002-10-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for overlay measurement |
| US6407396B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-06-18 | International Business Machines Corporation | Wafer metrology structure |
| US6538249B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions |
| JP2001110351A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| EP1238405B1 (en) | 1999-12-14 | 2014-06-18 | Applied Materials, Inc. | Method and system for the examination of specimen using a charged particle beam |
| US6407388B1 (en) | 2000-04-18 | 2002-06-18 | Advantest Corp. | Corpuscular beam device |
| US6610980B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-08-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus for inspection of semiconductor wafers and masks using a low energy electron microscope with two illuminating beams |
| US6787773B1 (en) * | 2000-06-07 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness measurement using electron-beam induced x-ray microanalysis |
| WO2002037523A2 (en) | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sem provided with an adjustable voltage of the final electrode in the electrostatic objective |
| US6489068B1 (en) | 2001-02-21 | 2002-12-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for observing overlay errors on lithographic masks |
| JP2003158163A (ja) | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Toshiba Corp | マークの検査方法、マークの検査装置及び半導体装置の製造方法 |
| US6778275B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
| US6674075B2 (en) | 2002-05-13 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam apparatus and method for inspecting samples |
| US6897442B2 (en) | 2003-04-25 | 2005-05-24 | Applied Materials Israel, Ltd. | Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column |
| US7279258B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-09 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Method and arrangement for controlling focus parameters of an exposure tool |
| JP4585926B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンレイヤーデータ生成装置、それを用いたパターンレイヤーデータ生成システム、半導体パターン表示装置、パターンレイヤーデータ生成方法、及びコンピュータプログラム |
| JP4887062B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2012-02-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 |
| US7851755B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-12-14 | Jeol Ltd. | Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus |
| US7835564B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-11-16 | International Business Machines Corporation | Non-destructive, below-surface defect rendering using image intensity analysis |
| JP5268532B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-08-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料計測方法、及び計測装置 |
| JP5764380B2 (ja) * | 2010-04-29 | 2015-08-19 | エフ イー アイ カンパニＦｅｉ Ｃｏｍｐａｎｙ | Ｓｅｍ画像化法 |
-
2011
- 2011-05-19 US US13/111,838 patent/US9046475B2/en active Active
- 2011-07-01 JP JP2011159378A patent/JP5722719B2/ja active Active
- 2011-07-15 TW TW100125161A patent/TWI515427B/zh active
- 2011-08-03 CN CN201110229082.3A patent/CN102789997B/zh active Active
- 2011-08-31 KR KR1020110087738A patent/KR101438068B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050089773A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
| JP2006266808A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
| US20080240344A1 (en) * | 2005-11-07 | 2008-10-02 | Alfred Reinhold | X-ray tomosynthesis device |
| JP2008058166A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンのずれ測定方法、及びパターン測定装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105849885A (zh) * | 2013-12-23 | 2016-08-10 | 科磊股份有限公司 | 多重图案化参数的测量 |
| CN105849885B (zh) * | 2013-12-23 | 2017-11-17 | 科磊股份有限公司 | 多重图案化参数的测量 |
| CN110869752A (zh) * | 2017-06-20 | 2020-03-06 | 应用材料公司 | 用于检查样本的方法和设备 |
| CN111076687A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 约翰内斯·海德汉博士有限公司 | 位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法 |
| CN111076687B (zh) * | 2018-10-19 | 2023-03-14 | 约翰内斯·海德汉博士有限公司 | 位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法 |
| US11728127B2 (en) | 2019-05-13 | 2023-08-15 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
| TWI838732B (zh) * | 2019-05-13 | 2024-04-11 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 帶電粒子線裝置，疊合偏差量的計算方法，及非暫態電腦可讀取媒體 |
| CN110865518A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-06 | 上海华力微电子有限公司 | 检测晶片上下层叠对的方法和设备 |
| CN115280479A (zh) * | 2020-03-20 | 2022-11-01 | 科磊股份有限公司 | 使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息 |
| CN115280479B (zh) * | 2020-03-20 | 2023-05-09 | 科磊股份有限公司 | 使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息 |
| CN113538328A (zh) * | 2020-04-20 | 2021-10-22 | 应用材料以色列公司 | 覆盖监测 |
| CN113538328B (zh) * | 2020-04-20 | 2022-12-16 | 应用材料以色列公司 | 覆盖监测 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9046475B2 (en) | 2015-06-02 |
| JP5722719B2 (ja) | 2015-05-27 |
| CN102789997B (zh) | 2016-11-16 |
| KR101438068B1 (ko) | 2014-09-05 |
| KR20120129735A (ko) | 2012-11-28 |
| TWI515427B (zh) | 2016-01-01 |
| US20120292502A1 (en) | 2012-11-22 |
| TW201248140A (en) | 2012-12-01 |
| JP2012244142A (ja) | 2012-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102789997A (zh) | 基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统 | |
| US7842933B2 (en) | System and method for measuring overlay errors | |
| JP6668408B2 (ja) | Ｓｅｍオーバーレイ計測のシステムおよび方法 | |
| US6853204B2 (en) | Wafer inspection method of charging wafer with a charged particle beam then measuring electric properties thereof, and inspection device based thereon | |
| KR102347057B1 (ko) | 전자 빔 이미지에서의 결함 위치 결정 | |
| US7351968B1 (en) | Multi-pixel electron emission die-to-die inspection | |
| JP5644850B2 (ja) | 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 | |
| US6791084B2 (en) | Method and scanning electron microscope for measuring dimension of material on sample | |
| US6732002B1 (en) | Apparatus and methods for predicting multiple product chip yields through critical area matching | |
| US11231376B2 (en) | Method for semiconductor wafer inspection and system thereof | |
| US7683317B2 (en) | Method and system for detecting hidden defects | |
| JP4506588B2 (ja) | 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置 | |
| JP4769725B2 (ja) | 測定システム及び方法 | |
| US20120241605A1 (en) | Method and system for enhancing resolution of a scanning electron microscope | |
| US9236218B2 (en) | Defect inspection apparatus and method using a plurality of detectors to generate a subtracted image that may be used to form a subtraction profile | |
| KR102493748B1 (ko) | 전자 빔 유도 전류에 기초한 웨이퍼 검사 | |
| TWI735805B (zh) | 檢測樣本之設備及方法及電腦程式產品 | |
| TW202331765A (zh) | 用於改良高著陸能量背向散射帶電粒子影像解析度之能量帶通濾波 | |
| JP2012209360A (ja) | 欠陥検出装置、方法、及びプログラム | |
| WO2005017997A1 (en) | Charged particle beam inspection | |
| KR20240048002A (ko) | 평형 용량 타겟들을 사용한 오버레이 측정 | |
| CN116977244A (zh) | 量测图像的检测方法、装置、半导体设备及存储介质 | |
| JP2020204497A (ja) | 検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |