KR20120129735A - 높은 전자 에너지 기반 오버레이 에러 측정 방법들 및 시스템들 - Google Patents

높은 전자 에너지 기반 오버레이 에러 측정 방법들 및 시스템들 Download PDF

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Abstract

방법, 시스템 및 컴퓨터 판독가능 매체가 제공된다. 방법은 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하거나 수신하는 단계 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제1 층과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계; 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계; 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계; 및 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐(feature)와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

높은 전자 에너지 기반 오버레이 에러 측정 방법들 및 시스템들 {HIGH ELECTRON ENERGY BASED OVERLAY ERROR MEASUREMENT METHODS AND SYSTEMS}
본 발명은 오버레이 측정들을 용이하게 하는 효율적인 시스템 및 방법에 관한 것이다.
오버레이 에러 측정들
집적 회로들은 다수의 층들을 포함하는 매우 복잡한 소자들이다. 각각의 층은 도전성 물질, 절연 물질을 포함할 수 있는 한편, 다른 층들은 반도전성 물질들을 포함할 수 있다. 이러한 다양한 물질들은 보통 집적 회로의 기대 기능에 따라 패턴들로 정렬된다. 패턴들은 또한 집적 회로들의 제작 프로세스를 반영한다.
각각의 층은 일반적으로 기판/층상의 저항성 물질을 증착하는 단계, 포토리소그래픽 프로세스에 의하여 저항성 물질을 노출시키는 단계, 및 추후에 에칭될 일부 영역들을 정의하는 패턴을 생성하기 위하여 노출된 저항성 물질을 현상하는 단계를 포함하는 단계들의 시퀀스에 의하여 형성된다.
이상적으로, 각각의 층은 완벽하게 이전에 존재하는 층에 대하여 정렬된다. 통상적으로, 층들은 오정렬되고, 이에 따라 오정렬 또는 오버레이(overlay) 에러가 각각의 층들의 쌍 사이에 존재한다.
오버레이 에러들을 관찰하기 위하여 진화된 다양한 기술들은 일부는 광학적 수단을 사용하고 일부는 스캐닝 전자 현미경들을 사용한다. Mih 등의 미국 특허 번호 제6,407,396호, Gould 등의 미국 특허 번호 제6,463,184호, Minami 등의 미국 특허 번호 제6,589,385호, 및 Shur 등의 미국 특허 번호 제7,842,933호는 종래의 오버레이 에러 측정 기술들의 상태에 대한 우수한 표시를 제공하며, 그 모든 내용은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
광학적 오버레이 측정들은 광학적 시스템의 렌즈 광행차(lens aberration)들과 같은 다양한 에러들에 관련된다. Mih는 몇몇 경우들에서 원자력 현미경 또는 스캐닝 전자 현미경 계측학 기술들이 광학적 오버레이 측정 정확성을 검증하기 위해 필수적일 수 있다고 서술한다.
더블 패터닝은 특정 리소그래피 스캐너의 정상적 제한들 너머로 웨이퍼상에 생성될 수 있는 회로 피쳐들의 밀도를 증가시키도록 설계되는 패터닝 기술들의 종류이다. 더블 패터닝은 제1층 및 제2층을 갖는 검사된 물체를 제작하는 단계를 포함할 수 있다. 제2층은 제1층 아래에 매립된다. 각각의 층은 서로에 매우 가까운 피쳐들(패턴들)을 갖는다. 이러한 피쳐들은 결국 더블 패터닝 프로세스 동안에 에칭될 수 있다.
최상부층이 에칭된 이후에 오버레이 에러들의 검출은 매우 비용이 많이 들 수 있다는 것을 유념하라.
하전된 전하 빔과 검사된 물체 사이의 상호작용
일단 전자 빔이 검사된 물체에 부딛치면(hit), 다양한 상호작용 프로세스들이 발생한다. 이러한 프로세스들에 대한 상세한 설명은 1998년의 "Scanning electron microscopy", L. Reimer, 제2판(second edition)에서 발견될 수 있으며, 그 모든 내용은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
도 1은 중요한 상호작용 프로세스들 및 다양한 정보 체적들을 예증한다. 정보 체적은 상호작용 프로세스들이 발생하고, 정보 체적에 관한 정보를 제공하기 위하여 검출될 수 있는 전자들의 분산 또는 편향을 초래하는 공간이다.
2차 전자들은 그들의 궤도가 검출기 쪽으로 지향되도록 상대적으로 용이하게 변화될 수 있으므로 검출하기가 용이하다. 후방산란된 전자들의 궤도는 상대적으로 직선이며, 정전기장들에 의하여 살짝 영향을 받는다.
도 2는 다수의 검출기들을 포함하는 종래 기술의 다중-관점 SEM(10)의 제1 타입을 예증한다. SEM(10)은 다수의 제어 및 전압 공급 유닛들(미도시), 대물 렌즈(12), 인-렌즈 검출기(14) 및 외부 검출기들(16) 뿐 아니라 1차 전자 빔을 생성하기 위한 전자 총(미도시)을 포함한다. 시스템(10)은 편향 코일들 및 프로세서(미도시)을 더 포함한다. 그러한 시스템은 Wagner의 미국 특허 번호 제5,659,172호에 개시된다.
시스템(10)에서 1차 전자 빔은 대물 렌즈(12)에 의하여 검사된 웨이퍼(20)로 포커싱되도록 인-렌즈 검출기(14) 내의 개구(18)를 통해 지향된다. 1차 전자 빔은 웨이퍼(20)와 상호작용하고, 그 결과 다양한 타입의 전자들, 예컨대 2차 전자들, 후방-산란된 전자들, 오제(Auger) 전자들 및 X-레이 양자들은 편향되거나 산란된다. 2차 전자들은 용이하게 수집될 수 있으며, 대부분의 SEM들은 이러한 2차 전자들을 주로 검출한다.
시스템(10)은 인-렌즈 검출기(14)에 의하여 그리고 외부 검출기들(16)에 의하여 방출된 2차 전자들의 일부를 검출할 수 있다.
대물 렌즈(12)는 렌즈로부터 웨이퍼 쪽으로 누출되는 정전기장 및 자기장을 도입하는 정전기 렌즈 및 자기 렌즈를 포함한다. 2차 전자들의 수집은 누설된 자기장에 의하여 거의 영향을 받지 않으면서 누설된 정전기장에 고도로 반응한다.
누설된 정전기장은 저 에너지 2차 전자들 및 극도의 저 에너지 2차 전자들을 열(column)로 끌어모은다. 극도의 저 에너지 2차 전자들의 상당 부분은 인-렌즈 검출기(14)의 개구를 통해 지향되며, 검출되지 않는다. 저 에너지 2차 전자들은 인-렌즈 검출기(14) 쪽으로 지향된다. 고-에너지 2차 전자들은 그들의 최초 궤도가 검출기들 중 하나 쪽으로 겨냥된다면 검출된다.
효율적인 결함 리뷰 툴은 모든 타입의 결함들을 포착하기 위하여 2개 타입의 검출기들 모두를 요구한다. 인-렌즈 검출기(14)는 보통 HAR 모드에서 뿐 아니라 전압 콘트랙트(contract) 모드에서도 또한 유용하다. HAR 모드는 고 종횡비(다시 말해, 좁고 깊은 캐비티(cavity)들)에 의하여 특징화되는 캐비티들을 검사하는데 사용된다. HAR 모드 동안에 캐비티를 둘러싸는 영역은 보통 캐비티의 하부 부분으로부터의 전자들이 검출기에 도달하는 것을 허용하기 위하여 하전된다. 인-렌즈 검출기(14)는 또한 패턴 에지들에 매우 민감하다. 외부 검출기들(16)은 웨이퍼의 토포그래피(topography)에 훨씬 더 민감하다. 외부 검출기들은 웨이퍼 하전(charging)에 덜 민감하며, 이는 고도의 저항성 층들을 이미지화할 때 중요하다.
Suzuki 등의 다른 미국 특허 제6,555,819호(본 명세서에 참조로서 통합됨)는 자기장이 방출된 2차 전자들의 궤도에 크게 영향을 미치는 자기 누설 타입 대물 렌즈를 갖는 다중-검출기 SEM을 개시한다. 이러한 SEM은 기울어진(tilted) 이미지들을 제공할 수 없는 것과 같은 다양한 단점들을 가지며, 높은 종횡비의 홀들로부터 이미지들을 제공하는데 비효율적이다. Suzuki는 1차 전자 빔이 통과하는 개구를 포함하는 반사기를 가지고, 이에 따라서 반사된 전자들은 이러한 개구를 통과하고 검출되지 않은 채로 남아있다.
오버레이 측정들을 용이하게 하는 효율적인 시스템 및 방법을 제공할 필요가 있다.
발명의 일 실시예에 따라, 오버레이를 평가하기 위한 방법이 제공될 수 있다. 방법은 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하거나 수신하는 단계 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제1 층과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계; 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계; 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계; 및 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐(feature)와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 실질적으로 상기 제2 영역과 상호작용하지 않고 상기 제1 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시킴으로써 제1 영역 정보를 획득하는 단계; 및 상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 상기 검사된 물체로부터 산란된 후방 산란된 전자들을 무시하면서 상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
방법의 일 실시예에 따라 오버레이를 평가하기 위한 방법이 제공될 수 있으며, 상기 방법은 상기 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 q짐의 전자들을 지향시키는 단계 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 하이 랜딩 에너지 전자들을 지향시키는 단계; 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 분산된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계; 및 상기 검출 신호들에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계 ? 상기 제1 영역의 피쳐와 상기 제2 영역의 가장 근접한 피쳐 사이의 기대 거리는 상기 제1 영역의 인접 피쳐들 사이의 피치(pitch)보다 작음 ? 를 포함할 수 있다.
방법은 상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 제1 영역 검출 신호를 생성하는 단계; 및 상기 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 후방 산란된 전자들에 응답하여 제2 영역 검출 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 오버레이 측정치들에 기반하여 산란된 라이트 옵틱스(light optics)를 수신하는 단계; 및 상기 검출 신호들에 기반하여 오버레이를 그리고 오버레이 측정치들에 기반하여 상기 산란된 광을 평가하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 상기 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버랩 정보를 스캐터로메트리(scatterometry) 기반 오버레이 장치에 송신하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 상기 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버랩 정보를 회절 기반 오버레이 장치에 송신하는 단계를 포함할 수 있다.
발명의 일 실시예에 따라 시스템이 제공될 수 있으며, 상기 시스템은 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하거나 수신하도록 정렬되는 프로세서 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키고 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키도록 정렬되는 전자 옵틱스; 및 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하도록 정렬되는 적어도 하나의 검출기를 포함하며, 상기 프로세서는 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 간의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하도록 추가로 정렬된다.
전자 광학(electron optics)은 제2 영역과 실질적으로 상호작용하지 않고 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키도록 정렬될 수 있으며, 적어도 하나의 검출기는 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하도록 정렬될 수 있고, 프로세서는 검출 신호들을 프로세싱함으로써 제1 영역 정보를 획득하도록 정렬될 수 있다.
적어도 하나의 검출기는 검사된 물체로부터 산란된 후방산란된 전자들을 무시하면서 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하도록 정렬될 수 있다.
발명의 일 실시예에 따라 시스템이 제공될 수 있으며, 상기 시스템은 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키고 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함할 수 있는 제2 층을 더 포함할 수 있고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? , 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 하이 랜딩(high landing) 에너지 전자들을 지향시키도록 정렬되는 전자 광학들; 상기 제1 및 제2 영역들 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하도록 정렬되는 적어도 하나의 검출기; 및 상기 검출 신호들에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하도록 정렬될 수 있는 프로세서 ? 상기 제1 영역의 피쳐와 상기 제2 층의 가장 가까운 피쳐 사이의 기대 거리는 상기 제1 영역의 인접 피쳐들 사이의 피치(pitch)보다 작음 ? 를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 검출기는 2차 전자 검출기 및 후방산란된 전자 검출기를 포함할 수 있고, 상기 2차 전자 검출기는 상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 제1 영역 검출 신호를 생성하도록 정렬될 수 있으며, 상기 후방산란된 전자 검출기는 상기 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 후방산란된 전자들에 응답하여 제2 영역 검출 신호를 생성하도록 정렬될 수 있다.
프로세서는 산란된 라이트 옵틱스 기반 오버레이 측정들을 수신하고 상기 검출 신호들 및 상기 산란된 광 기반 오버레이 측정들에 기반하여 상기 오버레이를 평가하도록 정렬될 수 있다.
프로세서는 스캐터로메트리 기반 오버레이 장치에 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버레이 정보를 송신하도록 정렬될 수 있다.
프로세서는 상기 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버랩 정보를 회절 기반 오버레이 장치에 송신하도록 정렬될 수 있다.
상기 언급된 방법들 또는 시스템들 중 임의의 것에서 1차 전자 빔은 적어도 2000 전자 볼트의, 2000 내지 5000 전자 볼트의, 또는 심지어 5000 전자 볼트 이상의 랜딩 에너지를 가질 수 있다.
발명의 일 실시예에 따라, 컴퓨터 프로그램 물건이 제공되며, 상기 컴퓨터 프로그래 물건은 비-임시적 컴퓨터 판독가능 매체를 포함할 수 있으며, 상기 비-임시적 컴퓨터 판독가능 매체는 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 수신하고 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제1 층 아래에 매립되는 제2 층의 제1 및 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 수신하며; 그리고 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하기 위한 명령들을 포함한다. 비-임시적 컴퓨터 판독가능 매체는 명세서에 개시되는 임의의 방법을 실행하기 위한 명령들을 저장할 수 있다.
본 발명을 이해하고 그것을 실제로 실행할 수 있는 방법을 알기 위하여 바람직한 실시예가 첨부된 도면들을 참고로 하여 단지 비제한적인 실시예로서 설명될 것이다.
도 1은 다양한 상호작용 프로세스들 및 그들의 개별적인 정보 체적들을 예증한다.
도 2는 다중-검출기 스캐닝 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)의 일부를 개시한다.
도 3은 다른 다중-검출기 SEM의 일부를 예증한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다른 다중-검출기 SEM의 일부를 예증한다.
도 5는 오버레이 에러의 일 실시예를 예증한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 상이한 부분들을 나타내는 에지 이미지 및 검사된 물체의 2개의 상이한 부분들을 예증한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 영역의 이미지이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 영역 및 제1 영역 아래에 매립되는 제2 영역의 이미지이다.
도 9-11은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 오버레이 에러들을 측정하기 위한 방법들을 예증하는 흐름도들이다.
설명의 간략화 및 명료성을 위하여 도면들에 도시되는 엘리먼트들은 반드시 축적에 맞춰 도시될 필요는 없다는 것을 인지할 것이다. 예를 들어, 엘리먼트들의 일부의 치수들은 명료성을 위하여 다른 엘리먼트들에 대하여 과장될 수 있다. 추가로, 적절히 고려될 때, 참조 번호들은 대응하거나 유사한 엘리먼트들을 표시하기 위하여 도면들에서 반복될 수 있다.
하기의 상세한 설명에서, 다수의 특정 세부사항들은 발명의 전반적인 이해를 제공하기 위하여 진술된다. 그러나, 본 기술분야의 당업자들은 이러한 특정 세부사항들 없이 본 발명이 실행될 수 있다는 점을 이해할 것이다. 다른 예시에서, 공지된 방법들, 프로시져들, 및 컴포넌트들은 본 발명을 모호하게 하지 않도록 상세히 개시되지 않았다.
모든 도면들에서 동일한 참조 번호들은 동일한 엘리먼트들을 나타낸다.
발명의 다양한 실시예들에 따라, 오버레이 에러들을 평가하기 위한 방법들 및 시스템들이 제공되며, 하나 이상의 매립된 층들과 상호작용하기에 충분한 에너지를 갖는 전자들을 갖는 1차 전자 빔으로 검사된 물체를 조명하는 단계를 포함한다. 2차 전자들 및 부가적으로 또는 대안적으로 후방산란된 전자들은 검출 신호들을 제공하기 위하여 인-렌즈(in-lens) 및 이너-렌즈(inner-lens) 검출기들에 의하여 검출된다. 검출 신호들은 검사된 물체의 최상부층(제1 층) 및 매립된 층(제2 층)의 피쳐들의 형태 및 위치에 관한 표시를 제공하도록 프로세싱된다. 제1 및 제2라는 용어는 단지 하나의 엘리먼트와 다른 엘리먼트 사이의 구분을 위해 사용된다는 것을 유념하라.
다양한 방법들이 초박 더블 패터닝 제작 물체들을 포함하는 다양한 검사된 물체들에 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 리소그래피 애플리케이션들에서 최상부층은 통상적으로 포토레지스트로 만들어지며, 매립된 층은 통상적으로 에칭된 물질, 보통 BARC에 담궈진 하드마스크에 대하여 사용되는 질화물로 만들어진다는 것을 유념하라. 지향된 자가 어셈블리에서, 최상부층 및 매립된 층은 자가 어셈블리 프로세스 동안에 하나가 다른 하나 상에 올라가는 친수성 및 소수성 블록 공중합체들로 만들어진다. 본 명세서에 개시되는 방법들 및 시스템들은 그러한 층들에 또는 다른 층들에 적용될 수 있다.
더 깊은(더 넓은) 층들(또는 덜 투과성인)의 이미지화는 더 낮은 신호 대 잡음비(SNR) 이미지들을 초래할 수 있다. 이러한 경우에 추가적인 프로세싱은 이러한 더 낮은 SNR 이미지들을 재건하기 위하여 요구될 수 있다. 임의의 공지된 이미지 클리닝, 에지 검출 또는 다른 낮은 SNR 이미지 프로세싱 방법들이 그러한 이미지들에 대해 적용될 수 있다.
도 3은 다른 다중-검출기 SEM의 일부분(10')의 예증이다. 그러한 시스템의 일 실시예는 본 명세서에 참조로서 통합되는 미국 특허 제7,842,933호에 제공된다.
도 3은 이에 제한되는 것은 아니지만 웨이퍼 또는 레티클과 같은 검사된 물체로부터 산란되거나 반사되는 전자들의 경로들 뿐 아니라 1차 전자 빔의 예시적인 경로를 또한 예증한다.
1차 전자 빔은 광학 축을 따라 전파되고, 그 후 (ⅰ) 제1 방향으로 경사지고, (ⅱ) 광학 축에 대하여 평행하지만 광학 축으로부터 이격되는 2차 광학 축을 따라 전파되도록 대향되는 방향으로 경사지고, (ⅲ) 광학축을 향해 제2 방향으로 경사지고, 그 후, (ⅳ) 광학 축을 따라 전파되도록 제2 방향에 대향되는 방향으로 경사진다. 상기 언급된 경사 동작들은 자기 편향 코일들(32-36)에 의하여 생성될 수 있다. 이중 경사를 위한 시스템 및 방법이 2002년 5월 13일자로 출원된 특허 출원 번호 제10/146,218호에 설명되며, 이는 본 명세서에 참조로서 통합된다. 전자 빔들은 다양한 형태들 및 정렬들의 다수의 전극들에 의하여 도입될 수 있는 정전기장의 영향을 받는다. 실시예들 중 일부는 "objective lens arrangement for use in a charged particle beam column"라는 제목의 미국 특허 출원 번호 제10/423,289호에 예증되며, 이는 본 명세서에 참조로서 통합된다.
1차 전자 빔이 2차 축을 따라 전파하면서 검사된 물체와 상호작용하도록, 단지 2개의 제1 경사들만을 수행하는 것과 같은 다른 경사 방식들이 구현될 수 있다는 것을 유념하라.
시스템(10')에서, 1차 전자 빔은 검사된 웨이퍼(20)로 대물 렌즈(12)에 의하여 포커싱되도록 인-렌즈 검출기(14) 내의 개구(18)를 통해 지향된다. 인-렌즈 검출기(14)의 개구를 통해 전파되는 2차 전자들은 결국 이너-렌즈 검출기(40) 쪽으로 제2 방향으로 경사진다.
인-렌즈 검출기는 전파 경로의 마지막 부분에 위치되고, 1차 전자 빔은 광학 축을 따라 전파된다. 인-렌즈 검출기는 광학 축을 둘러싸도록 위치되는 개구를 갖는다.
일단 전자들이 1차 빔과 검사된 물체 사이의 상호작용의 결과로서 방산/산란되면, 그들은 강한 전자기장으로 인하여 인-렌즈 검출기 쪽으로 그리고 상기 검출기의 개구로 끌어모아진다. 정전기장의 강도는 어느 2차 전자들이 인-렌즈 검출기로 끌어모아지는지, 그리고 어느 것이 인-렌즈 검출기의 개구로 끌어모아지는지를 결정한다.
인-렌즈 검출기(14)의 개구를 통해 전파되는 2차 전자들은 결국 이너-렌즈 검출기(40) 쪽으로 제2 방향으로 경사진다.
상대적으로 강한 정전기장을 인가함으로써, 이너 렌즈 검출기는 일단 검출되지 않거나(개구를 통과) 또는 인-렌즈 검출기에 의하여 검출된 전자들을 검출하는 한편, 인-렌즈 검출기는 일단 외부 검출기들에 의하여 검출된 전자들을 검출한다.
도 4는 발명의 일 실시예에 따른 다중-검출기 SEM의 일부분(10")의 예시이다. 도 4는 또한 이에 제한되는 것은 아니지만 웨이퍼 또는 레티클과 같은 검사된 물체로부터 산란되거나 반사되는 전자들의 경로들 뿐 아니라 1차 전자 빔의 예시적인 경로를 예증한다.
1차 전자 빔은 광학 축을 따라 전파되고, 그 후, (ⅰ) 제1 방향으로 경사지고, (ⅱ) 광학 축에 대하여 평행하지만 광학 축으로부터 이격되는 2차 광학 축을 따라 전파되도록 대향되는 방향으로 경사지고, (ⅲ) 광학축 쪽으로 제2 방향으로 경사지고, 그 후, (ⅳ) 광학 축을 따라 전파되도록 제2 방향에 대향되는 방향으로 경사진다.
산란된 전자들은 인-렌즈 검출기(14)에 의하여 검출되거나 또는 인-렌즈 검출기(14)의 개구(18)를 통과할 수 있으며, 광학 축에 대하여 배향될 수 있는 방향에서 이너-렌즈 검출기 쪽으로 편향될 수 있다. 부가적인 편향 엘리먼트(96)는 편향기(35)의 일부 근처에 위치되고, 시스템이 개구(18)를 통과하는 산란된 전자들의 추가적인 편향을 수행하는 것을 방지한다. 편향 엘리먼트(96) 없이, 부가적인 편향이 발생하고, 전자들은 (도 3에 예시되는 바와 같이) 평행하지만 광학 축으로부터 이격되는 경로에서 이너-렌즈 검출기(40) 쪽으로 전파될 수 있다.
도 4는 또한 광학 축에 대하여 배향되는 바와 같은 이너-렌즈 검출기(40)를 도시한다. 이너-렌즈 검출기(40)는 이너-렌즈 검출기(40) 쪽으로 전파되는 전자들의 궤도에 거의 수직할 수 있다. 이너-렌즈 검출기(40)는 특정 전자들이 이너-렌즈 검출기(40)에 도달하는 것을 방지할 수 있는 필터(94)보다 앞설 수 있다 ? 필터(94)에 인가되는 전위 및 이러한 전자들의 랜딩 에너지(landing energy)에 기반하여. 상이한 전위들은 상이한 랜딩 에너지의 전자들을 약하게 한다(deject). 필터는 예를 들어, 2차 전자들을 거부하면서 후방산란된 전자들을 허용하기 위해 사용될 수 있다.
이너-렌즈 검출기(40) 및 인-렌즈 검출기(14)는 프로세서(90)에 제공되는 검출 신호들을 생성한다. 이러한 검출 신호들은 스캐닝된 영역들의 단일 표현(예를 들어, 단일 이미지)을 제공하거나 또는 개별적인 표현들을 제공하기 위하여 프로세싱될 수 있다 ? 각각의 검출기의 검출 신호들은 독립적으로 프로세싱된다.
제어기(92)는 그리드(94)의 전위 및 부가적으로 또는 대안적으로 대물 렌즈를 제어할 수 있다 ? 검출기들(14 및 40)에 의하여 검출되는 전자를 제어하기 위하여.
검사된 물체의 제1 층만을 이미지화할 때 검출기들(14 및 40) 모두는 동일한 타입의 전자들을 검출하도록 설정될 수 있는 한편, 2개 층들 모두를 이미지화할 때 각각의 검출기는 상이한 타입의 전자들을 검출하기 위하여 사용될 수 있다.
도 5는 더블 패터닝 프로세스에 의하여 제작되는 검사된 물체의 일부의 오버레이 에러들(69)을 예증한다. 이러한 오버레이 에러들(69)은 원하는 피쳐들로과 실제 피쳐들의 편차로서 예증된다.
도 5의 상부 부분은 제1 층(60)의 원하는 피쳐들(61)의 위치 및 형태, 그리고 (ⅱ) 제1 층(60) 아래에 매립된 제2 층(62)의 원하는 피쳐들(63)의 위치 및 형태를 예증한다.
도 5의 하부 부분은 (i) 제1 층(68)의 실제 피쳐들(65)의 위치 및 형태, 그리고 (ⅱ) 제1 층(60) 아래에 매립되는 제2 층(67)의 실제 피쳐들(66)의 위치 및 형태를 예증한다. 오버레이 에러들(69)은 제2 층(67)의 실제 피쳐들(66)이 그들의 원하는 위치들에 대하여 오른쪽으로 이동되는 것을 표시한다.
도 5는 오버레이 에러의 일 실시예를 예증한다. 예를 들어, 동일한 층의 상이한 피쳐들은 그들의 오버레이 에러들에 의하여 서로와 상이할 수 있으며, 부가적으로 또는 대안적으로 오버레이 에러들은 로테이션(rotation)을 포함할 수 있다.
도 7은 발명의 일 실시예에 따른 제1 층의 제1 영역의 이미지(110)의 일 실시예이며, 도 8은 발명의 일 실시예에 따른 제2 층의 제1 영역 및 제2 영역이 이미지의 일 실시예이다.
도 7은 제1 영역의 이미지(110)를 예증하며, 제1 층의 피쳐들의 위치들을 나타내는 에지들(111)을 포함한다. 도 8은 제1 영역의 그리고 제2 영역의 이미지이며, 제1 영역의 피쳐들의 에지들(111) 및 제2 영역의 피쳐들의 에지들(121)이 도시된다. 이러한 제1 및 제2 영역 피쳐들은 섭동들일 수 있으며, 그들의 상부 부분(112(제1 영역 섭동들에 대한) 및 122(제2 영역 섭동들에 대한))은 그들의 주변부들보다 밝은 것으로 예증된다.
도 8은 가상 Y-축을 따르는 검출 신호들의 강도를 나타내는 강도 신호(124)를 예증한다(피쳐들은 X-축에 실질적으로 평행하다). 이러한 강도 신호(124)는 제1 및 제2 층들의 상이한 피쳐들의 높이에 관한 표시를 제공한다.
도 9는 발명의 일 실시예에 따른 방법(300)을 예증한다.
방법(300)은 스테이지(302 및 304) 중 하나에 의하여 시작될 수 있다. 방법(300)은 스테이지들(302 및 304) 모두를 또는 이러한 스테이지들 중 하나를 포함할 수 있다는 것을 유념하라.
스테이지(302)는 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하는 단계를 포함한다. 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함한다; 여기서 제2 층은 제1 층 아래에 매립된다.
스테이지(302)는 다음 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
a. 제2 영역과 실질적으로 상호작용하지 않고 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시킴으로써 제1 영역 정보를 획득하는 단계; 및 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계.
b. 검사된 물체로부터 산란된 후방산란된 전자들을 무시하면서 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계.
스테이지(304)는 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 수신하는 단계를 포함한다.
스테이지들(302 및 304)은 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 스테이지(306)를 그리고 제2 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 스테이지(308)를 수반한다.
스테이지(308)는 1차 전자 빔의 전자들이 적어도 2000 전자 볼트의 또는 적어도 5000 전자 볼트의 랜딩 에너지를 갖도록 검사된 물체 쪽으로 1차 전자 빔을 지향시키는 단계를 포함할 수 있다.
스테이지(306 및 308)는 제1 및 제2 영역들 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 스테이지(310)를 수반한다.
스테이지(310)는 검출 신호들 및 제1 영역 정보에 기반하여 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 스테이지(312)를 수반한다.
스테이지(312)는 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐의 에지들 및 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐의 에지들의 에지 검출을 포함할 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 스테이지(312)는 에지 검출 및 제1 영역 정보에 기반하여 공간적 관계의 결정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역 피쳐 및 제2 영역 피쳐의 쌍은 부분적으로 중첩하거나 또는 중첩하는 에지들을 가질 수 있다. 두 가지 경우들 모두에 있어, 이미지는 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 영역 정보는 이러한 2개의 시나리오들 사이에서의 구분을 도울 수 있다.
이것은 도 6에 예증된다 - 동일한 에지들(91-94)을 갖는 동일한 에지 이미지(90)는 상이한 물체들(또는 상이한 영역들)을 이미지화하면서 획득될 수 있다. 도 6의 상부 부분은 상이한 층들(70 및 72)의 중첩 피쳐들(71 및 73(을 예증하는 한편, 도 6의 중간 부분은 중첩하지 않는 더 좁은 피쳐들(81 및 83)을 예증한다. 제1 및/또는 제2 층의 피쳐들의 폭과 같은 제1 영역 정보는 이러한 시나리오들 사이에서의 구분을 도울 수 있다.
도 10은 발명의 일 실시예에 따른 방법(400)을 예증한다.
방법(400)은 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 스테이지(402)에 의하여 시작될 수 있다. 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함한다; 여기서 제2 층은 제1 층 아래에 매립된다.
스테이지(402)는 제2 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 하이 랜딩 에너지 전자들을 지향시키는 스테이지(404)를 수반한다.
스테이지(404)는 제1 및 제2 영역들 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 스테이지(406)를 수반한다.
스테이지(406)는 (적어도) 검출 신호들에 기반하여 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 스테이지(408)를 수반하며, 여기서 제1 영역의 피쳐와 제2 영역의 최근접 피쳐 사이의 기대 거리는 제1 영역의 인접 피쳐들 사이의 피치(pitch)보다 작다. 따라서, 제1 및 제2 층들은 더블 패터닝 프로세스 또는 임의의 다른 다중 패터닝 프로세스에 의하여 제작될 수 있다.
발명의 일 실시예에 따라, 스테이지(408)는 스캐터로메트리 기반 오버레이 장치에 적어도 하나의 공간적 관계에 관한 오버랩 정보를 송신하는 스테이지(409)를 수반할 수 있다. 이러한 장치는 제1 층의 토포그래피르 결정하기 위하여 이러한 정보를 사용할 수 있다.
스테이지(406)는 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 제1 영역 검출 신호를 생성하는 단계; 및 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 후방산란된 전자들에 응답하여 제2 영역 검출 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 11은 발명의 일 실시예에 따른 방법(410)을 예증한다.
도 11의 방법(410)은 다음에 의하여 도 10의 방법(400)과 상이하다:
a. 산란된 라이트 옵틱스 기반 오버레이 측정들을 수신하는 스테이지(412)를 포함;
b. 스테이지(408) 대신에 스테이지(414)를 가짐;
c. 스테이지(409)를 포함하지 않음.
스테이지(414)는 스테이지들(406 및 412)에 후속한다.
스테이지(414)는 검출 신호들 및 산란된 라이트 옵틱스 기반 오버레이 측정들에 기반하여 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계를 포함한다. 산란된 라이트 옵틱스 기반 오버레이 측정들은 제1 층 정보로서 지칭될 수 있다. 제1 층이 제1 층의 최상부상에 제작되기 이전에 획득되는 경우 산란된 라이트 옵틱스 기반 오버레이 측정들은 제2 영역을 나타낼 수 있다는 것을 유념하라.
발명의 일 실시예에 따라 오버레이 에러들은 제1 피쳐와 제2 피쳐 사이의 요구되는 공간적 관계로부터의 편차들로서 측정된다.
상기 언급된 방법들 중 임의의 것의 임의의 스테이지들의 임의의 조합이 제공될 수 있다. 임의의 방법이 시스템들 중 임의의 것에 의하여 실행될 수 있다.
제1 및 제2 영역들은 임의의 원하는 형태, 크기, 또는 위치를 가질 수 있다. 이러한 파라미터들(형태, 크기, 위치)은 사용자에 의하여 결정될 수 있고, 이전 검사 또는 계측학 시도들에 응답하여 설정될 수 있고, 스캐닝 패턴등을 설정함으로써 정의될 수 있다. 방법 및 시스템은 기계적인, 그리고 부가적으로 또는 대안적으로 전기적 스캐닝 및 편향 프로세스들에 의하여 하나의 영역을 스캐닝하고 그 다음 영역을 스캐닝할 수 있다.
상기 언급된 방법들 또는 상기 언급된 방법들의 적어도 컴퓨터 구현된 스테이지는 비-임시적 컴퓨터 판독가능 매체에 저장되는 실행가능 코드를 컴퓨터에 의하여 실행될 수 있다. 예를 들어, 비-임시적 컴퓨터 판독가능 매체는, 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 수신하고 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ; 상기 제1영역 및 상기 제1 층 아래에 매립되는 제2 층의 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 수신하며; 그리고 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하기 위한 명령들을 저장할 수 있다.
본 발명은 종래의 툴들, 방법론 및 컴포넌트들을 이용함으로써 실행될 수 있다. 따라서, 그러한 툴들, 컴포넌트들 및 방법론의 세부사항들은 본 명세서에서 상세히 진술되지 않는다. 이전의 설명들에서, 본 발명의 전반적인 이해를 제공하기 위하여 통상적인 라인들의 횡단면도의 형태들, 편향 유닛들의 양 등과 같은 다수의 특정 세부사항들이 진술된다. 그러나, 본 발명은 특별히 진술된 세부사항들에 의존하지 않고 실행될 수 이다는 것을 인지해야 한다.
본 발명의 단지 예시적인 실시예들 및 그것의 융통성 있는 일부 실시예들만이 본 명세서에 도시되고 설명된다. 본 발명은 다양한 다른 조합들 및 환경들에서 사용할 수 있고, 본 명세서에 표현된 바와 같은 발명의 개념의 범위 내에서 변화 또는 변형될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
예를 들어, 상기 언급된 문장은 오버레이 에러들의 측정을 지칭하나, 상기 방법 및 시스템들은 다른 측정들에 그리고 매립된 결함들의 결함 검출에 필요한 부분만 약간 수정하여 적용될 수 있다.
발명의 특정 피쳐들이 본 명세서에 예증되고 설명되었으나, 다수의 변형들, 대체들, 변화들 및 동등물들이 본 기술분야의 당업자들에게 가능할 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들은 발명의 진정한 정신을 벗어나지 않고 그러한 모든 변형들 및 변화들을 커버하도록 의도된다는 것을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 오버레이를 평가하기 위한 방법으로서,
    검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하거나 수신하는 단계 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ;
    상기 제1 층과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계;
    상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키는 단계;
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계; 및
    상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐(feature)와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계
    를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    실질적으로 상기 제2 영역과 상호작용하지 않고 상기 제1 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시킴으로써 제1 영역 정보를 획득하는 단계; 및
    상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계
    를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검사된 물체로부터 산란된 후방 산란된 전자들을 무시하면서 상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 적어도 2000 전자 볼트의 랜딩(landing) 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 적어도 5000 전자 볼트의 랜딩 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 2000 내지 5000 전자 볼트 범위의 랜딩 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  7. 오버레이를 평가하기 위한 방법으로서,
    상기 검사된 물체의 제1 층의 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 q짐의 전자들을 지향시키는 단계 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ;
    상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 하이 랜딩 에너지 전자들을 지향시키는 단계;
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 분산된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하는 단계; 및
    상기 검출 신호들에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 사이의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하는 단계 ? 상기 제1 영역의 피쳐와 상기 제2 영역의 가장 근접한 피쳐 사이의 기대 거리는 상기 제1 영역의 인접 피쳐들 사이의 피치(pitch)보다 작음 ?
    를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 영역으로부터 산란되거나 반사된 2차 전자들에 응답하여 제1 영역 검출 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 제2 영역으로부터 산란되거나 반사된 후방 산란된 전자들에 응답하여 제2 영역 검출 신호를 생성하는 단계
    를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    오버레이 측정치들에 기반하여 산란된 라이트 옵틱스(light optics)를 수신하는 단계; 및
    상기 검출 신호들에 기반하여 오버레이를 그리고 오버레이 측정치들에 기반하여 상기 산란된 광을 평가하는 단계
    를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버랩 정보를 스캐터로메트리(scatterometry) 기반 오버레이 장치에 송신하는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 공간 관계에 관한 오버랩 정보를 회절 기반 오버레이 장치에 송신하는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 적어도 2000 전자 볼트의 랜딩 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 적어도 5000 전자 볼트의 랜딩 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 1차 전자 빔의 전자들이 2000 내지 5000 전자 볼트 범위의 랜딩 에너지를 갖도록 상기 1차 전자 빔을 상기 검사된 물체 쪽으로 지향시키는 단계를 포함하는, 오버레이를 평가하기 위한 방법.
  15. 시스템으로서,
    검사된 물체의 제1 층의 제1 영역을 나타내는 제1 영역 정보를 획득하거나 수신하도록 정렬되는 프로세서 ? 상기 검사된 물체는 제2 영역을 포함하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층 아래에 매립됨 ? ;
    상기 제1 영역과 상호작용하도록 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키고 상기 제2 영역과 상호작용하도록 상기 1차 전자 빔의 전자들을 지향시키도록 정렬되는 전자 옵틱스; 및
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 하나로부터 산란되거나 반사된 전자들에 응답하여 검출 신호들을 생성하도록 정렬되는 적어도 하나의 검출기
    를 포함하며, 상기 프로세서는 상기 검출 신호들 및 상기 제1 영역 정보에 기반하여 상기 제1 영역의 적어도 하나의 피쳐와 상기 제2 영역의 적어도 하나의 피쳐 간의 적어도 하나의 공간적 관계를 결정하도록 추가로 정렬되는, 시스템.
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723115B2 (en) * 2012-03-27 2014-05-13 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for detecting buried defects
JP6002480B2 (ja) * 2012-07-06 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ誤差測定装置、及びパターン測定をコンピューターに実行させるコンピュータープログラム
KR101705751B1 (ko) * 2012-08-20 2017-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴을 준비하는 방법, 마스크 세트를 형성하는 방법, 디바이스 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램
US9831062B2 (en) 2013-01-23 2017-11-28 Hitachi High-Technologies Corporation Method for pattern measurement, method for setting device parameters of charged particle radiation device, and charged particle radiation device
TWI494537B (zh) * 2013-01-23 2015-08-01 Hitachi High Tech Corp A pattern measuring method, a device condition setting method of a charged particle beam device, and a charged particle beam device
JP5993781B2 (ja) * 2013-04-15 2016-09-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 計測方法および計測装置
US9214317B2 (en) * 2013-06-04 2015-12-15 Kla-Tencor Corporation System and method of SEM overlay metrology
US9449788B2 (en) 2013-09-28 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Enhanced defect detection in electron beam inspection and review
KR102234659B1 (ko) * 2013-10-29 2021-04-05 삼성전자주식회사 고에너지 전자 빔을 이용하여 인-셀 오버레이 오프셋을 측정할 수 있는 sem 장치와 그 방법
US9490182B2 (en) 2013-12-23 2016-11-08 Kla-Tencor Corporation Measurement of multiple patterning parameters
KR102169557B1 (ko) * 2014-01-15 2020-10-26 케이엘에이 코포레이션 다중 패터닝된 타겟에서의 피치 워크의 오버레이 측정
US10152654B2 (en) 2014-02-20 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology for image based overlay measurements
EP2927747A3 (en) * 2014-03-31 2016-03-09 IMEC vzw Quality assessment of directed self-assembling method
US10352876B2 (en) 2014-05-09 2019-07-16 KLA—Tencor Corporation Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements
KR101986115B1 (ko) 2016-04-13 2019-06-05 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 패턴 계측 장치 및 패턴 계측 방법
JP6821700B2 (ja) 2016-04-22 2021-01-27 ケーエルエー コーポレイション 小スポットサイズ透過型小角ｘ線スキャタロメトリ用ビーム整形スリット
US10775323B2 (en) 2016-10-18 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Full beam metrology for X-ray scatterometry systems
US10481111B2 (en) 2016-10-21 2019-11-19 Kla-Tencor Corporation Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system
US10859518B2 (en) 2017-01-03 2020-12-08 Kla-Tencor Corporation X-ray zoom lens for small angle x-ray scatterometry
US10767978B2 (en) 2017-04-14 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Transmission small-angle X-ray scattering metrology system
US11073487B2 (en) 2017-05-11 2021-07-27 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution
US10727142B2 (en) 2017-05-30 2020-07-28 Kla-Tencor Corporation Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry
US20180364563A1 (en) * 2017-06-20 2018-12-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspecting a sample
JP2019011972A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社 Ｎｇｒ パターンエッジ検出方法
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
US10983227B2 (en) 2017-08-14 2021-04-20 Kla-Tencor Corporation On-device metrology using target decomposition
US11317500B2 (en) 2017-08-30 2022-04-26 Kla-Tencor Corporation Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology
US10748736B2 (en) 2017-10-18 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology
US10959318B2 (en) 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US10816486B2 (en) 2018-03-28 2020-10-27 Kla-Tencor Corporation Multilayer targets for calibration and alignment of X-ray based measurement systems
DE102018217934A1 (de) * 2018-10-19 2020-04-23 Dr. Johannes Heidenhain Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung Positionsmesseinrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Positionsmesseinrichtung
US11990380B2 (en) 2019-04-19 2024-05-21 Kla Corporation Methods and systems for combining x-ray metrology data sets to improve parameter estimation
JP2020187876A (ja) 2019-05-13 2020-11-19 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
US11669019B2 (en) 2019-05-21 2023-06-06 Asml Netherlands B.V. Method for determining stochastic variation associated with desired pattern
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
CN110865518B (zh) * 2019-11-28 2021-12-14 上海华力微电子有限公司 检测晶片上下层叠对的方法和设备
US11520321B2 (en) 2019-12-02 2022-12-06 Kla Corporation Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization
US11610297B2 (en) 2019-12-02 2023-03-21 Kla Corporation Tomography based semiconductor measurements using simplified models
US11719652B2 (en) 2020-02-04 2023-08-08 Kla Corporation Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array
US11513085B2 (en) 2020-02-20 2022-11-29 Kla Corporation Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology
US11221300B2 (en) * 2020-03-20 2022-01-11 KLA Corp. Determining metrology-like information for a specimen using an inspection tool
US11143604B1 (en) 2020-04-06 2021-10-12 Kla Corporation Soft x-ray optics with improved filtering
US11054753B1 (en) * 2020-04-20 2021-07-06 Applied Materials Israel Ltd. Overlay monitoring
US11474437B2 (en) 2020-04-28 2022-10-18 Applied Materials Israel Ltd. Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers
US11525777B2 (en) 2020-04-28 2022-12-13 Applied Materials Israel Ltd. Optimizing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers
US11199401B1 (en) 2020-09-03 2021-12-14 Applied Materials Israel Ltd. End-point detection for similar adjacent materials
US11530913B2 (en) 2020-09-24 2022-12-20 Kla Corporation Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements
US11280749B1 (en) 2020-10-23 2022-03-22 Applied Materials Israel Ltd. Holes tilt angle measurement using FIB diagonal cut
US20220210525A1 (en) 2020-12-24 2022-06-30 Applied Materials Israel Ltd. Prediction of electrical properties of a semiconductor specimen
US11378531B1 (en) 2021-02-01 2022-07-05 Applied Materials Israel Ltd. Method for focusing an electron beam on a wafer having a transparent substrate
JP7048778B2 (ja) * 2021-02-03 2022-04-05 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置およびパターン計測方法
US11598633B2 (en) 2021-07-19 2023-03-07 Applied Materials Israel Ltd. Analyzing a buried layer of a sample
US11694934B2 (en) 2021-09-21 2023-07-04 Applied Materials Israel Ltd. FIB delayering endpoint detection by monitoring sputtered materials using RGA
US11955308B1 (en) 2022-09-22 2024-04-09 Kla Corporation Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3849659A (en) 1973-09-10 1974-11-19 Westinghouse Electric Corp Alignment of a patterned electron beam with a member by electron backscatter
EP0281743B1 (de) 1987-02-02 1994-03-30 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektorobjectiv für Rastermikroskope
USH589H (en) * 1987-04-23 1989-02-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Measurement of film thickness of integrated circuits
US4926054A (en) 1988-03-17 1990-05-15 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope
US5866905A (en) * 1991-05-15 1999-02-02 Hitachi, Ltd. Electron microscope
US5659172A (en) 1995-06-21 1997-08-19 Opal Technologies Ltd. Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images
JP3634068B2 (ja) 1995-07-13 2005-03-30 株式会社ニコン 露光方法及び装置
DE69638126D1 (de) 1995-10-19 2010-04-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
DE69602936T2 (de) 1996-07-25 1999-11-04 Act Advanced Circuit Testing Detektor-Objektivlinse
US6184526B1 (en) 1997-01-08 2001-02-06 Nikon Corporation Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam
US6037589A (en) 1997-01-16 2000-03-14 Seiko Instruments Inc. Electron beam device
JP3434165B2 (ja) 1997-04-18 2003-08-04 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
JPH1131470A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Nikon Corp 電子光学系
DE19732093B4 (de) 1997-07-25 2008-09-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Korpuskularstrahlgerät
US5952241A (en) 1997-09-03 1999-09-14 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for improving alignment for metal masking in conjuction with oxide and tungsten CMP
US6365897B1 (en) 1997-12-18 2002-04-02 Nikon Corporation Electron beam type inspection device and method of making same
TW412755B (en) 1998-02-10 2000-11-21 Murata Manufacturing Co Resistor elements and methods of producing same
US6590210B1 (en) 1998-03-10 2003-07-08 Erik Essers Scanning electron microscope
EP0952606B1 (en) 1998-04-24 2002-07-31 Advantest Corporation Dynamically compensated objective lens-detection device and method
US6064486A (en) 1998-05-21 2000-05-16 Leland Stanford Junior University Systems, methods and computer program products for detecting the position of a new alignment mark on a substrate based on fitting to sample alignment signals
EP1117125B1 (en) 1998-09-25 2014-04-16 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JP3288320B2 (ja) 1998-12-21 2002-06-04 沖電気工業株式会社 レジストマーク
JP2000243695A (ja) * 1998-12-25 2000-09-08 Toshiba Corp 合わせずれ検査方法、半導体装置の製造方法及び合わせずれ検査プログラムを記録した記録媒体
US6344750B1 (en) * 1999-01-08 2002-02-05 Schlumberger Technologies, Inc. Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam
US6642520B2 (en) 1999-04-13 2003-11-04 Kabushiki Kaisha Topcon Scanning electron microscope
JP4786006B2 (ja) 1999-06-08 2011-10-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の設計方法および半導体装置の製造方法
US6463184B1 (en) 1999-06-17 2002-10-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for overlay measurement
US6407396B1 (en) 1999-06-24 2002-06-18 International Business Machines Corporation Wafer metrology structure
US6538249B1 (en) * 1999-07-09 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions
JP2001110351A (ja) 1999-10-05 2001-04-20 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
WO2001045136A1 (en) 1999-12-14 2001-06-21 Applied Materials, Inc. Method and system for the examination of specimen using a charged particle beam
US6407388B1 (en) 2000-04-18 2002-06-18 Advantest Corp. Corpuscular beam device
US6610980B2 (en) * 2000-05-15 2003-08-26 Kla-Tencor Corporation Apparatus for inspection of semiconductor wafers and masks using a low energy electron microscope with two illuminating beams
US6787773B1 (en) * 2000-06-07 2004-09-07 Kla-Tencor Corporation Film thickness measurement using electron-beam induced x-ray microanalysis
EP1354335A2 (en) 2000-10-31 2003-10-22 Fei Company Sem provided with an adjustable final electrode in the electrostatic objective
US6489068B1 (en) 2001-02-21 2002-12-03 Advanced Micro Devices, Inc. Process for observing overlay errors on lithographic masks
JP2003158163A (ja) 2001-11-22 2003-05-30 Toshiba Corp マークの検査方法、マークの検査装置及び半導体装置の製造方法
US6778275B2 (en) 2002-02-20 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations
US6674075B2 (en) 2002-05-13 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Charged particle beam apparatus and method for inspecting samples
US6897442B2 (en) 2003-04-25 2005-05-24 Applied Materials Israel, Ltd. Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column
US7842933B2 (en) * 2003-10-22 2010-11-30 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for measuring overlay errors
US7279258B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-09 Infineon Technologies Richmond, Lp Method and arrangement for controlling focus parameters of an exposure tool
JP4498185B2 (ja) * 2005-03-23 2010-07-07 株式会社東芝 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置
JP4585926B2 (ja) * 2005-06-17 2010-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンレイヤーデータ生成装置、それを用いたパターンレイヤーデータ生成システム、半導体パターン表示装置、パターンレイヤーデータ生成方法、及びコンピュータプログラム
DE202005017496U1 (de) * 2005-11-07 2007-03-15 Comet Gmbh Target für eine Mikrofocus- oder Nanofocus-Röntgenröhre
JP4887062B2 (ja) * 2006-03-14 2012-02-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置
JP4988274B2 (ja) * 2006-08-31 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンのずれ測定方法、及びパターン測定装置
US7851755B2 (en) * 2006-12-20 2010-12-14 Jeol Ltd. Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus
US7835564B2 (en) * 2007-04-30 2010-11-16 International Business Machines Corporation Non-destructive, below-surface defect rendering using image intensity analysis
JP5268532B2 (ja) * 2008-09-30 2013-08-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料計測方法、及び計測装置
JP5764380B2 (ja) * 2010-04-29 2015-08-19 エフ イー アイ カンパニＦｅｉ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｓｅｍ画像化法

Also Published As

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