JP4498185B2 - 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 - Google Patents
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Description
荷電粒子ビームを発生させる手順と、
発生した前記荷電粒子ビームを検査対象に照射させる手順と、
前記検査対象から発生した二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかで構成される第1の二次荷電粒子ビーム、または前記検査対象を透過した第1の透過荷電粒子ビームを集光する手順と、
前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを結像させる手順と、
結像した前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを検出し、前記検査対象の構造に応じて前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームに発生する位相差の情報を含む二次荷電粒子ビーム像または透過荷電粒子ビーム像の信号を出力する手順と、
前記二次荷電粒子ビーム像または前記透過荷電粒子ビーム像に含まれる前記位相差の情報を用いて前記検査対象の欠陥を検出する手順と、
を備える基板検査方法が提供される。
上述した基板検査方法を用いて前記基板の欠陥を検査する工程を備える半導体装置の製造方法が提供される。
荷電粒子ビームを発生させるビーム源と、
発生した前記荷電粒子ビームを検査対象に照射させる照明手段と、
前記検査対象から発生した二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかで構成される二次荷電粒子ビーム、または前記検査対象を透過した透過荷電粒子ビームを集光する集光手段と、
前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを結像させる結像手段と、
結像した前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを検出して、前記検査対象の構造に応じて前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームに発生する位相差の情報を含む二次荷電粒子ビーム像または透過荷電粒子ビーム像の信号を出力する荷電粒子検出手段と、
前記二次荷電粒子ビーム像または前記透過荷電粒子ビーム像の信号を処理し、前記位相差の情報に基づいて前記検査対象の欠陥に関するデータを出力する信号処理手段と、
を備える基板検査装置が提供される。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す反射型の電子ビーム検査装置1は、電子源10、電子ビーム分割手段20、照明手段42、集光手段44、ビーム重畳手段50、写像投影手段60、電子検出器80および画像処理手段100を備える。本実施形態の特徴は、生成された電子ビーム310を検査対象照明用電子ビーム311と参照対象照明用電子ビーム312に分割してそれぞれ検査対象TIおよび参照対象TRに照射し、各対象TI,TRから発生した二次電子ビーム315,316を重畳して結像し、得られた被重畳像の信号から、検査対象TIおよび参照対象TRの各表面構造に起因する二次電子ビームの干渉性に着目して欠陥を検出する点にある。
図11は、本発明の第2の実施の形態による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す基板検査装置3は、図1に示す基板検査装置1が備える電子ビーム分割手段20および照明手段42に代えて、電子ビーム拡大手段30およびコリメーション手段46を備え、電子源10により生成された電子ビーム310を検査対象照明用電子ビーム311と参照対象照明用電子ビーム312に分割するのではなく、照明エリアの大きな照明ビーム320を成形し、コリメーション手段46でコリメートした照明ビーム320を検査対象および参照対象の双方に同時に照明し、各対象部位から発生した二次電子、反射電子および後方散乱電子を写像投影手段60にて二次電子ビーム315,316として写像投影し、ビーム重畳手段50にて重畳して電子検出器80の図示しない電子検出面に結像させることにより、干渉パターンを含む電子ビーム像の信号を検出して画像処理手段100により処理する。本実施形態の検査方法は、半導体パターンを周期的に配列したメモリパターン等の検査に適しており、数周期分ごとに検査対象を検査することが可能になる。これは、欠陥検査技術においてセル・ツー・セル(Cell to Cell)方式と呼ばれる手法である。サブミクロンのレベルに達した半導体パターンのメモリセルは、極めて集積度が高いため、数周期分の検査対象では、照明ビームを数μmの領域に照明すれば足りる。従って、照明ビーム拡大手段30にかかる負担は小さく、このため、照明ビーム拡大手段30をコリメーション手段46と兼用させることも可能である。
図12は、本発明の第3の実施の形態による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す基板検査装置5の特徴は、図1に示す基板検査装置1が備える照明手段42および集光手段44に代えて、ビームセパレータ140および照明兼集光手段150を備え、電子ビーム分割手段20により電子ビーム310から分割された検査対象照明用電子ビーム311と参照対象照明用電子ビーム312とを検査基板に対して垂直に照明する点にある。基板検査装置5のその他の構成は、図1に示す基板検査装置1と実質的に同一である。検査基板上の検査対象TIおよび参照対象TRから発生した二次電子、反射電子および後方散乱電子は、照明兼集光手段150により集光されて二次電子ビーム315,316となり、ビームセパレータ140で偏向された後、ビーム重畳手段50によって重畳され、写像投影手段60で投影されて電子検出器80の検出面(図示せず)に結像する。
図14は、本発明の第4の実施の形態による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す基板検査装置7は、透過型の電子ビーム検査装置の一例であり、CPマスクやLEEPLEマスク等のEB露光用マスクの欠陥検査に適したものである。基板検査装置7は、電子源710、電子ビーム照明手段720、電子ビーム分離手段730、集光手段740、透過ビーム重畳手段770、結像手段780、電子像検出手段790および検査画像処理手段800を備え、同一マスク内の検査対象TIおよび参照対象TRをそれぞれ透過した電子ビーム912,911を透過ビーム重畳手段770で重畳させた上で電子像検出手段790に結像させることにより、干渉パターンを含む透過ビーム像の取得を可能にするものである。各構成手段の具体的機能および本実施形態の検査方法は、第1の実施の形態と実質的に同一であるので、ここでは重複説明を省略する。
20,730 電子ビーム分割手段
30 電子ビーム拡大手段
42,720 照明手段
44,48,740 集光手段
46 コリメーション手段
50 ビーム重畳手段
60 写像投影手段
80,790 電子検出器
100,800 画像処理手段
140 ビームセパレータ
150 照明兼集光手段
310 電子ビーム
311,912 検査対象照明用電子ビーム
312,911 参照対象照明用電子ビーム
315 被検査二次ビーム
316 参照二次ビーム
317 被重畳二次ビーム
320 被拡大電子ビーム
770 透過ビーム重畳手段
780 結像手段
DF2,DF4,DF8 欠陥
IM2,IM4,IM6,IM8,IM10 被検査画像
RM2,RM4,RM6,RM8,RM10 参照画像
S 基板
TI 検査対象
TR 参照対象
Claims (7)
- 荷電粒子ビームを発生させる手順と、
発生した前記荷電粒子ビームを検査対象に照射させる手順と、
前記検査対象から発生した二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかで構成される第1の二次荷電粒子ビーム、または前記検査対象を透過した第1の透過荷電粒子ビームを集光する手順と、
前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを結像させる手順と、
結像した前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを検出し、前記検査対象の構造に応じて前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームに発生する位相差の情報を含む二次荷電粒子ビーム像または透過荷電粒子ビーム像の信号を出力する手順と、
前記二次荷電粒子ビーム像または前記透過荷電粒子ビーム像に含まれる前記位相差の情報を用いて前記検査対象の欠陥を検出する手順と、
を備える基板検査方法。 - 発生した前記荷電粒子ビームを複数のビーム束に分割する手順と、
分割された前記ビーム束の一部を参照対象に照射させる手順と、
前記参照対象から発生した二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかで構成される第2の二次荷電粒子ビーム、または前記参照対象を透過した第2の透過荷電粒子ビームを集光する手順と、
前記第1の二次荷電粒子ビームと前記第2の二次荷電粒子ビームとを重畳させ、または前記第1の透過荷電粒子ビームと第2の透過荷電粒子ビームとを重畳させる手順と、
をさらに備え、
結像した前記二次荷電粒子ビームまたは透過荷電粒子ビームは、重畳された前記第1および第2の二次荷電粒子ビームまたは重畳された前記第1および第2の透過荷電粒子ビームであり、
前記位相差は、前記検査対象および前記参照対象の構造に応じて前記第1および第2の二次荷電粒子ビームにそれぞれ発生する位相差または前記第1および第2の透過荷電粒子ビームにそれぞれ発生する位相差である、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。 - 前記荷電粒子ビームの分割および重畳の少なくともいずれかは、電磁界偏向場を用いて行なわれることを特徴とする請求項2に記載の基板検査方法。
- 分割された前記ビーム束は、コリメーションされて前記検査対象および前記参照対象にそれぞれ照射することを特徴とする請求項2または3に記載の基板検査方法。
- 分割された前記ビーム束は、前記検査対象および前記参照対象に対してほぼ垂直にそれぞれ照射することを特徴とする請求項2または3に記載の基板検査方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の基板検査方法を用いて前記基板の欠陥を検査する工程を備える半導体装置の製造方法。
- 荷電粒子ビームを発生させるビーム源と、
発生した前記荷電粒子ビームを検査対象に照射させる照明手段と、
前記検査対象から発生した二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかで構成される二次荷電粒子ビーム、または前記検査対象を透過した透過荷電粒子ビームを集光する集光手段と、
前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを結像させる結像手段と、
結像した前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームを検出して、前記検査対象の構造に応じて前記二次荷電粒子ビームまたは前記透過荷電粒子ビームに発生する位相差の情報を含む二次荷電粒子ビーム像または透過荷電粒子ビーム像の信号を出力する荷電粒子検出手段と、
前記二次荷電粒子ビーム像または前記透過荷電粒子ビーム像の信号を処理し、前記位相差の情報に基づいて前記検査対象の欠陥に関するデータを出力する信号処理手段と、
を備える基板検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005083967A JP4498185B2 (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
US11/385,706 US7504625B2 (en) | 2005-03-23 | 2006-03-22 | Substrate inspection method, manufacturing method of semiconductor device and substrate inspection apparatus |
CNB2006100653658A CN100470750C (zh) | 2005-03-23 | 2006-03-23 | 基板检查方法、半导体器件的制造方法以及基板检查装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005083967A JP4498185B2 (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006266808A JP2006266808A (ja) | 2006-10-05 |
JP4498185B2 true JP4498185B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=37015716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005083967A Expired - Fee Related JP4498185B2 (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7504625B2 (ja) |
JP (1) | JP4498185B2 (ja) |
CN (1) | CN100470750C (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2005
- 2005-03-23 JP JP2005083967A patent/JP4498185B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-22 US US11/385,706 patent/US7504625B2/en active Active
- 2006-03-23 CN CNB2006100653658A patent/CN100470750C/zh not_active Expired - Fee Related
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JP2006266808A (ja) | 2006-10-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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