JPH0572234A - 半導体装置の配線評価方法 - Google Patents
半導体装置の配線評価方法Info
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- JPH0572234A JPH0572234A JP3232868A JP23286891A JPH0572234A JP H0572234 A JPH0572234 A JP H0572234A JP 3232868 A JP3232868 A JP 3232868A JP 23286891 A JP23286891 A JP 23286891A JP H0572234 A JPH0572234 A JP H0572234A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、従来に比べ半導体装置の所定の
配線層の評価を容易に行えるようにすることを目的とす
る。 【構成】 半導体装置２７の表面への荷電ビーム２８の
照射により評価対象となる第１の配線層２３を流れる試
料電流を検出し、荷電ビーム２８の走査位置及び試料電
流に基づき走査試料電流像を形成し、この走査試料電流
像から第１の配線層２３の断線等の故障箇所の同定を行
うものである。 【効果】 従って、第１の配線層２３の上層に絶縁層２
４，２６や第２の配線層２５があっても、従来のように
これらの上層膜を除去して第１の配線層２３を露出させ
る必要がなく、第１の配線層２３の断線等の故障箇所を
電気的に容易に同定することができる。
配線層の評価を容易に行えるようにすることを目的とす
る。 【構成】 半導体装置２７の表面への荷電ビーム２８の
照射により評価対象となる第１の配線層２３を流れる試
料電流を検出し、荷電ビーム２８の走査位置及び試料電
流に基づき走査試料電流像を形成し、この走査試料電流
像から第１の配線層２３の断線等の故障箇所の同定を行
うものである。 【効果】 従って、第１の配線層２３の上層に絶縁層２
４，２６や第２の配線層２５があっても、従来のように
これらの上層膜を除去して第１の配線層２３を露出させ
る必要がなく、第１の配線層２３の断線等の故障箇所を
電気的に容易に同定することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の配線層
の故障箇所の同定や配線パターンの観察など配線層の評
価を行う半導体装置の配線評価方法に関する。
の故障箇所の同定や配線パターンの観察など配線層の評
価を行う半導体装置の配線評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭと
称する）や走査型イオン顕微鏡（以下ＳＩＭと称する）
を用いた電位コントラスト二次電子像による従来の半導
体装置の配線評価方法を示す概略図であり、所定の配線
層の断線などの故障箇所を同定する場合を示す。
称する）や走査型イオン顕微鏡（以下ＳＩＭと称する）
を用いた電位コントラスト二次電子像による従来の半導
体装置の配線評価方法を示す概略図であり、所定の配線
層の断線などの故障箇所を同定する場合を示す。
【０００３】図４に示すように、半導体基板１上に絶縁
層２が形成され、この絶縁層２上に配線層３が形成され
た半導体装置４において、評価対象となる配線層３が露
出した状態にし、この配線層３に直流電源５により数ボ
ルト程度の直流電圧を印加し、図示されていない荷電ビ
ーム発生手段により電子ビーム（ＥＢ）又は集束イオン
ビーム（ＦＩＢ）等の荷電ビーム６を配線層３に照射す
ると共に、走査手段により荷電ビーム６を走査し、この
ときに配線層３の表面から発生する二次電子７を二次電
子検出器８により検出し、二次電子検出器８からの二次
電子信号を二次電子信号増幅器９により増幅し、二次電
子信号増幅器９の出力と荷電ビーム６の走査位置とか
ら、ＣＲＴの画面にいわゆる二次電子像を形成する。
層２が形成され、この絶縁層２上に配線層３が形成され
た半導体装置４において、評価対象となる配線層３が露
出した状態にし、この配線層３に直流電源５により数ボ
ルト程度の直流電圧を印加し、図示されていない荷電ビ
ーム発生手段により電子ビーム（ＥＢ）又は集束イオン
ビーム（ＦＩＢ）等の荷電ビーム６を配線層３に照射す
ると共に、走査手段により荷電ビーム６を走査し、この
ときに配線層３の表面から発生する二次電子７を二次電
子検出器８により検出し、二次電子検出器８からの二次
電子信号を二次電子信号増幅器９により増幅し、二次電
子信号増幅器９の出力と荷電ビーム６の走査位置とか
ら、ＣＲＴの画面にいわゆる二次電子像を形成する。
【０００４】そして、このような二次電子像において、
配線層３の電位に応じたコントラストが得られる。即
ち、電源５により配線層３に例えば５Ｖの直流電圧を与
えているときに、図４に示すように配線層３に断線Ｄが
あると、断線Ｄによって電圧が加わらない部分は電位０
となり、電位が０Ｖの部分と５Ｖの部分とコントラスト
が異なり、上層膜Ｄを境目にして異なるコントラストの
二次電子像が得られるため、逆に二次電子像においてコ
ントラストが変化する場合に、この変化位置を配線層３
の故障箇所であるとして電気的に同定することができ
る。
配線層３の電位に応じたコントラストが得られる。即
ち、電源５により配線層３に例えば５Ｖの直流電圧を与
えているときに、図４に示すように配線層３に断線Ｄが
あると、断線Ｄによって電圧が加わらない部分は電位０
となり、電位が０Ｖの部分と５Ｖの部分とコントラスト
が異なり、上層膜Ｄを境目にして異なるコントラストの
二次電子像が得られるため、逆に二次電子像においてコ
ントラストが変化する場合に、この変化位置を配線層３
の故障箇所であるとして電気的に同定することができ
る。
【０００５】上記のように、二次電子像を用いてＶＬＳ
Ｉの故障箇所を電気的に同定することについては、１９
９０年（平成２年）春季第３７回応用物理学会関係連合
講演会において公表されている（予稿集５９７頁，２９
ｐ−ＺＡ−１４参照）。
Ｉの故障箇所を電気的に同定することについては、１９
９０年（平成２年）春季第３７回応用物理学会関係連合
講演会において公表されている（予稿集５９７頁，２９
ｐ−ＺＡ−１４参照）。
【０００６】また図５は、ＳＥＭやＳＩＭを用いた半導
体装置の配線パターンの観察時の概略を示す。
体装置の配線パターンの観察時の概略を示す。
【０００７】即ち、図４の場合と同様、半導体装置１１
の表面に細く絞ったＥＢやＦＩＢなどの荷電ビーム６を
照射し，走査し、表面から発生する二次電子７を二次電
子検出器８により検出し、二次電子検出器８からの二次
電子信号を二次電子信号増幅器９により増幅して二次電
子像を形成すると、配線層により半導体装置１１の表面
に現れる凹凸を反映したコントラストが得られ、このコ
ントラストが半導体装置１１の表面の凹凸つまり配線層
のパターンを示し、半導体装置１１の配線パターンを観
察することが可能になる。
の表面に細く絞ったＥＢやＦＩＢなどの荷電ビーム６を
照射し，走査し、表面から発生する二次電子７を二次電
子検出器８により検出し、二次電子検出器８からの二次
電子信号を二次電子信号増幅器９により増幅して二次電
子像を形成すると、配線層により半導体装置１１の表面
に現れる凹凸を反映したコントラストが得られ、このコ
ントラストが半導体装置１１の表面の凹凸つまり配線層
のパターンを示し、半導体装置１１の配線パターンを観
察することが可能になる。
【０００８】このとき、図５において、１２は半導体基
板、１３は半導体基板１２上に形成された絶縁層、１４
は絶縁層１３中に形成された配線層であり、これら半導
体基板１２，絶縁層１３，配線層１４により半導体装置
１１が構成されている。
板、１３は半導体基板１２上に形成された絶縁層、１４
は絶縁層１３中に形成された配線層であり、これら半導
体基板１２，絶縁層１３，配線層１４により半導体装置
１１が構成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の二次電子像を用
いた故障箇所検出の場合、配線層３の故障箇所を固定す
るために対象となる配線層３を露出しなければならず、
配線層３上に絶縁膜等の上層膜が形成されている場合に
はこの上層膜を除去する必要があり、上層膜を除去でき
ない構造の半導体装置に対しては上記した二次電子像に
よる故障箇所の固定を適用できないという問題点があっ
た。
いた故障箇所検出の場合、配線層３の故障箇所を固定す
るために対象となる配線層３を露出しなければならず、
配線層３上に絶縁膜等の上層膜が形成されている場合に
はこの上層膜を除去する必要があり、上層膜を除去でき
ない構造の半導体装置に対しては上記した二次電子像に
よる故障箇所の固定を適用できないという問題点があっ
た。
【００１０】また、図５に示す二次電子像を用いた配線
パターン観察の場合、表面が平坦な半導体装置である
と、二次電子像に配線層１４によるコントラストが現れ
ないため、配線層１４のパターンを観察することができ
ないという問題点があった。
パターン観察の場合、表面が平坦な半導体装置である
と、二次電子像に配線層１４によるコントラストが現れ
ないため、配線層１４のパターンを観察することができ
ないという問題点があった。
【００１１】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、従来のように上層膜を除去せ
ずに所定の配線層の故障箇所を電気的に同定でき、半導
体装置の表面に配線層のパターンによる凹凸が反映しな
い場合でも容易に配線パターンを観察できるなど、従来
よりも容易に半導体装置の所定の配線層の評価を行える
ようにすることを目的とする。
るためになされたもので、従来のように上層膜を除去せ
ずに所定の配線層の故障箇所を電気的に同定でき、半導
体装置の表面に配線層のパターンによる凹凸が反映しな
い場合でも容易に配線パターンを観察できるなど、従来
よりも容易に半導体装置の所定の配線層の評価を行える
ようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の配線評価方法は、荷電ビーム発生手段により荷電ビ
ームを半導体装置の表面に照射すると共に、走査手段に
より前記荷電ビームを走査し、前記荷電ビームの照射に
より前記半導体装置の評価対象となる所定の配線層を流
れる試料電流を検出し、前記荷電ビームの走査位置及び
前記試料電流に基づき走査試料電流像を形成し、前記走
査試料電流像から前記所定の配線層の評価を行なうこと
を特徴としている。
置の配線評価方法は、荷電ビーム発生手段により荷電ビ
ームを半導体装置の表面に照射すると共に、走査手段に
より前記荷電ビームを走査し、前記荷電ビームの照射に
より前記半導体装置の評価対象となる所定の配線層を流
れる試料電流を検出し、前記荷電ビームの走査位置及び
前記試料電流に基づき走査試料電流像を形成し、前記走
査試料電流像から前記所定の配線層の評価を行なうこと
を特徴としている。
【００１３】また、評価内容として、前記所定の配線層
の故障箇所を同定してもよく、前記所定の配線層の配線
パターンを観察してもよい。
の故障箇所を同定してもよく、前記所定の配線層の配線
パターンを観察してもよい。
【００１４】
【作用】この発明においては、荷電ビームの照射により
評価対象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出
し、荷電ビームの走査位置及び試料電流電流に基づき走
査試料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の
配線層の評価を行うため、所定の配線層の上層に例えば
絶縁膜が存在していても配線層の断線箇所等の故障箇所
の同定が可能であり、配線層の上層膜の構造上、半導体
装置表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、
配線層のパターン観察が可能であり、所望の配線層の評
価を容易に行える。
評価対象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出
し、荷電ビームの走査位置及び試料電流電流に基づき走
査試料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の
配線層の評価を行うため、所定の配線層の上層に例えば
絶縁膜が存在していても配線層の断線箇所等の故障箇所
の同定が可能であり、配線層の上層膜の構造上、半導体
装置表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、
配線層のパターン観察が可能であり、所望の配線層の評
価を容易に行える。
【００１５】
【実施例】図１はこの発明の半導体装置の配線評価方法
の一実施例の概略図であり、所定配線層の故障箇所を同
定を行う場合の例である。
の一実施例の概略図であり、所定配線層の故障箇所を同
定を行う場合の例である。
【００１６】図１に示すように、半導体基板２１上に絶
縁層２２が形成され、この絶縁層２２上に第１の配線層
２３が形成され、更にこの第１の配線層２３上に絶縁層
２４，第２の配線層２５，絶縁層２６が積層形成されて
半導体装置２７が構成されている場合に、第１の配線層
２３の故障箇所の同定を行うために、図示されていない
荷電ビーム発生手段によりＥＢ又はＦＩＢ等の荷電ビー
ム２８を半導体装置２７の表面に照射すると共に、同じ
く図示されていない走査手段により荷電ビーム２８を走
査し、このときに荷電ビーム２８の照射によって第１の
配線層２３に流れる試料電流を試料電流増幅器２９によ
り増幅し、試料電流増幅器２９の出力と荷電ビーム２８
の走査位置とから、ＣＲＴ画面上に走査試料電流像を形
成する。
縁層２２が形成され、この絶縁層２２上に第１の配線層
２３が形成され、更にこの第１の配線層２３上に絶縁層
２４，第２の配線層２５，絶縁層２６が積層形成されて
半導体装置２７が構成されている場合に、第１の配線層
２３の故障箇所の同定を行うために、図示されていない
荷電ビーム発生手段によりＥＢ又はＦＩＢ等の荷電ビー
ム２８を半導体装置２７の表面に照射すると共に、同じ
く図示されていない走査手段により荷電ビーム２８を走
査し、このときに荷電ビーム２８の照射によって第１の
配線層２３に流れる試料電流を試料電流増幅器２９によ
り増幅し、試料電流増幅器２９の出力と荷電ビーム２８
の走査位置とから、ＣＲＴ画面上に走査試料電流像を形
成する。
【００１７】このとき、図１に示すように第１の配線層
２３に断線Ｄがあると、断線Ｄの部分における走査試料
電流像のコントラストが変化するため、走査試料電流像
のコントラストが変化する位置を第１の配線層２３の断
線箇所であるとして電気的に同定することができる。
２３に断線Ｄがあると、断線Ｄの部分における走査試料
電流像のコントラストが変化するため、走査試料電流像
のコントラストが変化する位置を第１の配線層２３の断
線箇所であるとして電気的に同定することができる。
【００１８】従って、評価対象である第１の配線層２３
の上層に絶縁層２４，２６や第２の配線層２５であって
も、従来のようにこれらの上層膜を除去して第１の配線
層２３を露出させる必要がなく、所定の配線層の断線等
の故障箇所を電気的に容易に同定することができる。
の上層に絶縁層２４，２６や第２の配線層２５であって
も、従来のようにこれらの上層膜を除去して第１の配線
層２３を露出させる必要がなく、所定の配線層の断線等
の故障箇所を電気的に容易に同定することができる。
【００１９】なお、図１は配線層が２層の場合を示して
いるが、３層以上の配線構造を有する半導体装置の各配
線層について、同様に故障箇所の同定を行うことがで
き、単層配線構造の半導体装置についても、故障箇所の
同定が可能である。
いるが、３層以上の配線構造を有する半導体装置の各配
線層について、同様に故障箇所の同定を行うことがで
き、単層配線構造の半導体装置についても、故障箇所の
同定が可能である。
【００２０】また、図１は最上層に絶縁層が位置する場
合を示しているが、最上層に配線層が位置していてもよ
い。
合を示しているが、最上層に配線層が位置していてもよ
い。
【００２１】つぎに、図２はこの発明の他の実施例の概
略図であり、所定配線層の配線パターンの観察を行う場
合の例である。
略図であり、所定配線層の配線パターンの観察を行う場
合の例である。
【００２２】図２に示すように、半導体基板３１上に絶
縁層３２，配線層３３，３４が形成され、更に配線層３
５，絶縁層３６が形成されて半導体装置３７が構成され
ている場合に、配線層３４のパターンが所定の配線パタ
ーンであるかどうかを観察するために、荷電ビーム発生
手段（図示せず）によりＥＢ又はＦＩＢ等の荷電ビーム
３８を半導体装置３７の表面に照射すると共に、走査手
段（図示せず）により荷電ビーム３８を走査し、このと
きに荷電ビーム３８の照射によって配線層３４を流れる
試料電流を試料電流増幅器３９により増幅し、試料電流
増幅器３９の出力と荷電ビーム３８の走査位置とから、
ＣＲＴ画面上に走査試料電流像を形成する。
縁層３２，配線層３３，３４が形成され、更に配線層３
５，絶縁層３６が形成されて半導体装置３７が構成され
ている場合に、配線層３４のパターンが所定の配線パタ
ーンであるかどうかを観察するために、荷電ビーム発生
手段（図示せず）によりＥＢ又はＦＩＢ等の荷電ビーム
３８を半導体装置３７の表面に照射すると共に、走査手
段（図示せず）により荷電ビーム３８を走査し、このと
きに荷電ビーム３８の照射によって配線層３４を流れる
試料電流を試料電流増幅器３９により増幅し、試料電流
増幅器３９の出力と荷電ビーム３８の走査位置とから、
ＣＲＴ画面上に走査試料電流像を形成する。
【００２３】このとき、図２に示すように、半導体装置
３７の表面に配線層３４による凹凸が現れていなくて
も、対象となる配線層３４のパターンに応じて走査試料
電流像のコントラストが変化する。
３７の表面に配線層３４による凹凸が現れていなくて
も、対象となる配線層３４のパターンに応じて走査試料
電流像のコントラストが変化する。
【００２４】従って、評価対象である配線層３４による
凹凸が半導体装置３７の表面に反映されていなくても、
所定の配線層３４の配線パターンを観察することができ
る。
凹凸が半導体装置３７の表面に反映されていなくても、
所定の配線層３４の配線パターンを観察することができ
る。
【００２５】さらに、他の実施例として、図３に示すよ
うに、図２における配線層３４の上層の配線層３５，絶
縁層３６がない半導体装置４０であっても、図２の場合
と同様に、配線層３４のパターンを観察することができ
る。
うに、図２における配線層３４の上層の配線層３５，絶
縁層３６がない半導体装置４０であっても、図２の場合
と同様に、配線層３４のパターンを観察することができ
る。
【００２６】また、図２は配線層が２層の場合を示して
いるが、３層以上の配線構造を有する半導体装置の各配
線層について、同様に配線パターンの観察を行うことが
できる。
いるが、３層以上の配線構造を有する半導体装置の各配
線層について、同様に配線パターンの観察を行うことが
できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置の
配線評価方法によれば、荷電ビームの照射により評価対
象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出して走査
試料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の配
線層の評価を行うため、所定の配線層の上層に絶縁膜等
が存在していても配線層の断線等の故障箇所を電気的に
同定することができ、配線層の上層膜の構造上、半導体
装置表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、
配線層のパターン観察をすることができ、所望の配線層
の評価を従来よりも容易に行うことが可能になる。
配線評価方法によれば、荷電ビームの照射により評価対
象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出して走査
試料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の配
線層の評価を行うため、所定の配線層の上層に絶縁膜等
が存在していても配線層の断線等の故障箇所を電気的に
同定することができ、配線層の上層膜の構造上、半導体
装置表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、
配線層のパターン観察をすることができ、所望の配線層
の評価を従来よりも容易に行うことが可能になる。
【図１】この発明の半導体装置の配線評価方法の一実施
例の概略図である。
例の概略図である。
【図２】この発明の他の実施例の概略図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例の概略図である。
【図４】従来の半導体装置の配線評価方法の概略図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体装置の配線評価方法の概略図であ
る。
る。
【符号の説明】 ２３ 第１の配線層 ２７，３７，４０ 半導体装置 ２８，３８ 荷電ビーム ２９，３９ 試料電流増幅器 ３４ 配線層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】そして、このような二次電子像において、
配線層３の電位に応じたコントラストが得られる。即
ち、電源５により配線層３に例えば５Ｖの直流電圧を与
えているときに、図４に示すように配線層３に断線Ｄが
あると、断線Ｄによって電圧が加わらない部分は電位０
となり、電位が０Ｖの部分と５Ｖの部分とコントラスト
が異なり、断線Ｄを境目にして異なるコントラストの二
次電子像が得られるため、逆に二次電子像においてコン
トラストが変化する場合に、この変化位置を配線層３の
故障箇所であるとして電気的に同定することができる。
配線層３の電位に応じたコントラストが得られる。即
ち、電源５により配線層３に例えば５Ｖの直流電圧を与
えているときに、図４に示すように配線層３に断線Ｄが
あると、断線Ｄによって電圧が加わらない部分は電位０
となり、電位が０Ｖの部分と５Ｖの部分とコントラスト
が異なり、断線Ｄを境目にして異なるコントラストの二
次電子像が得られるため、逆に二次電子像においてコン
トラストが変化する場合に、この変化位置を配線層３の
故障箇所であるとして電気的に同定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【作用】この発明においては、荷電ビームの照射により
評価対象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出
し、荷電ビームの走査位置及び試料電流に基づき走査試
料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の配線
層の評価を行うため、所定の配線層の上層に例えば絶縁
膜が存在していても配線層の断線箇所等の故障箇所の同
定が可能であり、配線層の上層膜の構造上、半導体装置
表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、配線
層のパターン観察が可能であり、所望の配線層の評価を
容易に行える。
評価対象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出
し、荷電ビームの走査位置及び試料電流に基づき走査試
料電流像を形成し、この走査試料電流像から所定の配線
層の評価を行うため、所定の配線層の上層に例えば絶縁
膜が存在していても配線層の断線箇所等の故障箇所の同
定が可能であり、配線層の上層膜の構造上、半導体装置
表面に配線層による凹凸が現れていない場合でも、配線
層のパターン観察が可能であり、所望の配線層の評価を
容易に行える。
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電ビーム発生手段により荷電ビームを
半導体装置の表面に照射すると共に、走査手段により前
記荷電ビームを走査し、前記荷電ビームの照射により前
記半導体装置の評価対象となる所定の配線層を流れる試
料電流を検出し、前記荷電ビームの走査位置及び前記試
料電流に基づき走査試料電流像を形成し、前記走査試料
電流像から前記所定の配線層の評価を行なうことを特徴
とする半導体装置の配線評価方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の配線評価方
法において、前記所定の配線層の故障箇所を同定するこ
とを特徴とする半導体装置の配線評価方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の配線評価方
法において、前記所定の配線層の配線パターンを観察す
ることを特徴とする半導体装置の配線評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3232868A JPH0572234A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の配線評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3232868A JPH0572234A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の配線評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572234A true JPH0572234A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16946089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3232868A Pending JPH0572234A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体装置の配線評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300824A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 |
| JPH08160095A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置 |
| JP2005347773A (ja) * | 2005-08-05 | 2005-12-15 | Renesas Technology Corp | 試料検査装置 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3232868A patent/JPH0572234A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300824A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置 |
| JPH08160095A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置 |
| JP2005347773A (ja) * | 2005-08-05 | 2005-12-15 | Renesas Technology Corp | 試料検査装置 |
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