JP2000314710A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000314710A5 JP2000314710A5 JP1999122565A JP12256599A JP2000314710A5 JP 2000314710 A5 JP2000314710 A5 JP 2000314710A5 JP 1999122565 A JP1999122565 A JP 1999122565A JP 12256599 A JP12256599 A JP 12256599A JP 2000314710 A5 JP2000314710 A5 JP 2000314710A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- inspection
- electron beam
- circuit pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 19
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
【０００９】
高速に電子線画像を取得する方法としては、試料台を連続的に移動しながら試料台上の半導体ウエハに電子線を連続照射し取得する方法が特開昭59-160948号および特開平5-258703号公報に開示されている。また、従来のSEMで用いられてきた二次電子の検出装置として、シンチレータ（Al蒸着された蛍光体）とライトガイドと光電子増倍管による構成が用いられているが、このタイプの検出装置は、蛍光体による発光を検出するため、周波数応答性が悪く、高速に電子線画像形成するには不適切である。この問題を解決するために、高周波の二次電子信号を検出する検出装置として、半導体検出器を用いた検出手段が特開平5-258703号公報に開示されている。さらに、試料台を連続的に移動しながら試料台上の半導体ウエハ上の同一箇所に電子線を高速に１回あるいは数回走査して高速に画像を取得し、画像を比較により欠陥を自動検査する技術が特開平10−294345号公報に開示されている。
高速に電子線画像を取得する方法としては、試料台を連続的に移動しながら試料台上の半導体ウエハに電子線を連続照射し取得する方法が特開昭59-160948号および特開平5-258703号公報に開示されている。また、従来のSEMで用いられてきた二次電子の検出装置として、シンチレータ（Al蒸着された蛍光体）とライトガイドと光電子増倍管による構成が用いられているが、このタイプの検出装置は、蛍光体による発光を検出するため、周波数応答性が悪く、高速に電子線画像形成するには不適切である。この問題を解決するために、高周波の二次電子信号を検出する検出装置として、半導体検出器を用いた検出手段が特開平5-258703号公報に開示されている。さらに、試料台を連続的に移動しながら試料台上の半導体ウエハ上の同一箇所に電子線を高速に１回あるいは数回走査して高速に画像を取得し、画像を比較により欠陥を自動検査する技術が特開平10−294345号公報に開示されている。
Claims (6)
- 一次電子線を発生させる電子源と、該一次電子線を集束するレンズ系と、試料を載置する試料台と、試料台を含む試料室に試料を搬送する搬送手段と、上記集束した一次電子線を試料上で偏向させる偏向電極と該偏向電極を駆動するための偏向信号発生器と、該一次電子線を試料に照射することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、検出器に零または正の電圧を印加するための第一の電源と、前記検出器からの信号をデジタル信号に変換するためのＡＤ変換器と、該デジタル信号に基づき検査されるべき画像を形成して記憶するための画像メモリと、記憶された当該領域の画像を他の同一回路パターンの画像と比較するための比較演算回路と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別するための演算回路と、前記試料台に負の電圧を印加するための第二の電源と、該第二の電源により印加される電圧を制御するための制御回路と、被検査回路パターンに応じた各種検査条件をデータベース化して記憶するメモリと、該検査条件を設定し検査を実行するための操作画面および操作部と、を備えた回路パターンの検査装置。
- 請求項１記載の検査装置において、試料あるいは試料台あるいは試料近傍に零または負の電位を印加する手段と、該零または負の電位を制御して被検査基板に照射する一次電子線のエネルギーを制御する手段と、試料基板上の回路パターンの材質や形状に応じた電位の値を予め登録する手段と、検査時に該登録条件を呼び出し、該負電位を自動設定する手段を有する、回路パターンの検査装置。
- 請求項１または２記載の検査装置において、試料あるいは試料台あるいは試料近傍に零または負の電位を印加する手段と、該負の電位設定に連動して、偏向電極の信号、電子線を収束させるためのレンズ、検出器のゲインを調整する手段を有する、回路パターンの検査装置。
- 一次電子線を発生させる電子源と、該一次電子線を集束するレンズ手段と、試料を載置する試料台と、試料台を含む試料室に試料を搬送する搬送手段と、上記集束した一次電子線を試料上で走査させる一次電子線走査手段と、該試料から二次的に発生する二次荷電粒子を検出する手段と、該検出器からの信号に基づいて画像を形成して記憶する手段と、該記憶手段に記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域の画像と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段と、から成る回路パターンの検査装置であって、試料基板上の回路パターンの材質または形状におよび検出したい欠陥の種類に応じた電子ビーム照射量を制御する手段を有する、回路パターンの検査装置。
- 請求項１から４記載のいずれかの検査装置において、操作画面に試料台に印加する負の電圧あるいは試料に照射する電子線の照射エネルギー、試料に照射する電子線のビーム電流を入力する画面を有することを特徴とする回路パターンの検査装置。
- 請求項１から５記載のいずれかの検査装置において、予め被検査パターンの情報と検査条件の対応をデータベースとして登録できる記憶部と、操作画面より被検査パターンの条件を入力する手段、該入力により検査条件を検索する手段を有し、操作画面上に被検査パターンに対する検査条件の推奨値を提示する機能を備えたことを特徴とする回路パターンの検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11122565A JP2000314710A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
| US09/559,563 US6583634B1 (en) | 1999-04-28 | 2000-04-27 | Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument |
| US10/430,188 US6703850B2 (en) | 1999-04-28 | 2003-05-07 | Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11122565A JP2000314710A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004010030A Division JP2004157135A (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000314710A JP2000314710A (ja) | 2000-11-14 |
| JP2000314710A5 true JP2000314710A5 (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=14839050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11122565A Pending JP2000314710A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6583634B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000314710A (ja) |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
| US6559456B1 (en) * | 1998-10-23 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| EP1304717A4 (en) * | 2000-07-27 | 2009-12-09 | Ebara Corp | FLOOR BEAM ANALYSIS APPARATUS |
| JP4178741B2 (ja) | 2000-11-02 | 2008-11-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および試料作製装置 |
| WO2002037526A1 (fr) * | 2000-11-02 | 2002-05-10 | Ebara Corporation | Appareil a faisceau electronique et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comprenant ledit appareil |
| JP2003004427A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Hitachi Ltd | 画像比較による欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2003023053A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3834495B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-10-18 | 株式会社東芝 | 微細パターン検査装置、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理装置、微細パターン検査方法、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP3859480B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2006-12-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 検査方法 |
| JP2005523459A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
| JP3980948B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2007-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良解析方法及び不良解析システム |
| JP3944439B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2007-07-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線を用いた検査方法および検査装置 |
| TW569373B (en) * | 2002-12-31 | 2004-01-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for analyzing defect inspection parameters |
| US7450785B2 (en) * | 2003-01-22 | 2008-11-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and device for sorting similar images |
| US7138629B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US6952653B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-10-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Single tool defect classification solution |
| JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP4078257B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2008-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法及び荷電粒子線装置 |
| US7466151B2 (en) * | 2003-08-29 | 2008-12-16 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Electric-field distribution measurement method and apparatus for semiconductor device |
| US6897665B2 (en) * | 2003-09-06 | 2005-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | In-situ electron beam induced current detection |
| JP4144035B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2008-09-03 | 株式会社島津製作所 | Ｔｆｔアレイ検査装置 |
| US6980011B1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-12-27 | Altera Corporation | Method and apparatus for detecting electrical failures on a die through maximizing passive voltage contrast on its surface |
| JP4528014B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2010-08-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料検査方法 |
| DE102004030122B4 (de) * | 2004-06-22 | 2007-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Charakterisieren einer auf einem Tägersubstrat ausgebildeten regelmäßigen Struktur |
| US7394070B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-07-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting patterns |
| JP4644210B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-03-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン欠陥検査方法 |
| DE102005014793B4 (de) * | 2005-03-31 | 2007-11-29 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und Inspektionssystem zur CD-Messung auf der Grundlage der Bestimmung von Flächenanteilen |
| US7202689B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Sensor differentiated fault isolation |
| DE112005003666T5 (de) * | 2005-08-11 | 2008-07-10 | Advantest Corp. | Prüfvorrichtung für elektronische Bauelemente |
| JP4791840B2 (ja) | 2006-02-06 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
| JP2007265931A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
| JP4908934B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法 |
| JP2008166635A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置、および、回路パターンの検査方法 |
| US7777507B2 (en) * | 2007-03-26 | 2010-08-17 | Intel Corporation | Integrated circuit testing with laser stimulation and emission analysis |
| JP5103050B2 (ja) * | 2007-04-06 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線応用装置 |
| TWI435361B (zh) * | 2007-04-16 | 2014-04-21 | Ebara Corp | 電子射線裝置及使用該電子射線裝置之試料觀察方法 |
| JP2009099540A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の検査，測定方法、及び走査電子顕微鏡 |
| JP2009200120A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板検査方法、基板検査装置及び記憶媒体 |
| JP2010027743A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Ebara Corp | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
| JP5135115B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置 |
| US8643539B2 (en) * | 2008-11-19 | 2014-02-04 | Nokomis, Inc. | Advance manufacturing monitoring and diagnostic tool |
| JP5379571B2 (ja) | 2009-06-19 | 2013-12-25 | 株式会社アドバンテスト | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
| TWI464433B (zh) * | 2009-11-25 | 2014-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 印刷電路板信號線分類排查系統及方法 |
| JP5554620B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2014-07-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置、描画方法および描画装置の異常診断方法 |
| US8205173B2 (en) * | 2010-06-17 | 2012-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Physical failure analysis guiding methods |
| KR20120045774A (ko) * | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 방법 |
| TW201430336A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-08-01 | Huang Tian Xing | 缺陷檢測方法、裝置及系統 |
| WO2014175150A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察装置 |
| JP2014241081A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | Ｎｅｃフィールディング株式会社 | 障害要因解析システム、障害要因解析方法及び推定装置 |
| US9423359B2 (en) * | 2013-06-26 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer charging electromagnetic inspection tool and method of using |
| JP2015025758A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | 基板検査方法、基板製造方法および基板検査装置 |
| US10410338B2 (en) | 2013-11-04 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images |
| CN107852856B (zh) * | 2015-07-15 | 2020-10-09 | 株式会社富士 | 检查装置 |
| US20170245361A1 (en) * | 2016-01-06 | 2017-08-24 | Nokomis, Inc. | Electronic device and methods to customize electronic device electromagnetic emissions |
| JP6537992B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム |
| US10448864B1 (en) | 2017-02-24 | 2019-10-22 | Nokomis, Inc. | Apparatus and method to identify and measure gas concentrations |
| JP2018185452A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US11489847B1 (en) | 2018-02-14 | 2022-11-01 | Nokomis, Inc. | System and method for physically detecting, identifying, and diagnosing medical electronic devices connectable to a network |
| JP6962863B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-11-05 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
| KR102650697B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11035899B2 (en) * | 2019-05-15 | 2021-06-15 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | System for detection of passive voltage contrast |
| CN112098498B (zh) * | 2020-06-29 | 2024-05-03 | 平高集团有限公司 | 绝缘材料表面缺陷检测方法及装置 |
| CN112908881B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-06-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法 |
| US20230050743A1 (en) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | Innolux Corporation | Electronic device and method for manufacturing the same |
| CN113590047B (zh) * | 2021-08-11 | 2024-01-26 | 中国建设银行股份有限公司 | 数据库的筛查方法、装置、电子设备及存储介质 |
| WO2024083769A1 (en) * | 2022-10-17 | 2024-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Electrical connection testing |
| WO2024127586A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置及び試料の特性を推定する方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155941A (ja) | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 電子ビーム検査方法および装置 |
| JPH0616407B2 (ja) | 1983-03-02 | 1994-03-02 | 株式会社日立製作所 | パターン検出装置 |
| JPH0646550B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-06-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置 |
| JPH0215546A (ja) | 1988-06-30 | 1990-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビームパターン欠陥検査装置 |
| JP2602287B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| US5085517A (en) | 1989-10-31 | 1992-02-04 | Chadwick Curt H | Automatic high speed optical inspection system |
| DE69227056T2 (de) * | 1991-03-22 | 1999-05-12 | Nec Corp | Verfahren zur Fehleranalyse unter Verwendung eines Elektronenstrahles |
| JP3148353B2 (ja) | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
| JP2727880B2 (ja) | 1992-08-07 | 1998-03-18 | 三菱自動車工業株式会社 | ヒュエルデリバリパイプ取付構造 |
| JPH0694606A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 原子吸光光度計 |
| JPH06338280A (ja) | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Nikon Corp | 環境制御型の走査型電子顕微鏡 |
| US5528156A (en) * | 1993-07-30 | 1996-06-18 | Advantest Corporation | IC analysis system and electron beam probe system and fault isolation method therefor |
| JP3409909B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
| DE19526194C2 (de) * | 1994-07-18 | 2002-11-07 | Advantest Corp | Verfahren zur Feststellung eines Fehlers eines ICs unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen |
| JP3791095B2 (ja) * | 1996-03-05 | 2006-06-28 | 株式会社日立製作所 | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
| JPH1027833A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Jeol Ltd | 異物分析方法 |
| US6232787B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-05-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | Microstructure defect detection |
| US6252412B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-06-26 | Schlumberger Technologies, Inc. | Method of detecting defects in patterned substrates |
| US6258437B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Test structure and methodology for characterizing etching in an integrated circuit fabrication process |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP11122565A patent/JP2000314710A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-27 US US09/559,563 patent/US6583634B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-07 US US10/430,188 patent/US6703850B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000314710A5 (ja) | ||
| US8134125B2 (en) | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam | |
| JP4248382B2 (ja) | 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置 | |
| US6909092B2 (en) | Electron beam apparatus and device manufacturing method using same | |
| US7521679B2 (en) | Inspection method and inspection system using charged particle beam | |
| JP2002289128A (ja) | 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法 | |
| JPS6321342B2 (ja) | ||
| JPH11238484A (ja) | 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム | |
| JP2010118564A (ja) | パターンの検査装置、およびパターンの検査方法 | |
| JPH02230649A (ja) | 粒子線装置の試料検査方法 | |
| US6512227B2 (en) | Method and apparatus for inspecting patterns of a semiconductor device with an electron beam | |
| JPH0428097B2 (ja) | ||
| JP3153391B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP2004227879A (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
| JP2001093950A (ja) | 半導体パターン検査装置および半導体パターン検査方法 | |
| JP2000188075A (ja) | 回路パターンの検査方法および検査装置 | |
| JP2000003690A (ja) | 電子線装置 | |
| JP2004014207A (ja) | 半導体回路パターンの検査装置 | |
| JPH0572234A (ja) | 半導体装置の配線評価方法 | |
| JP3153262B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH0429052B2 (ja) | ||
| JP2590703B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH1140631A (ja) | パターン検査装置及び検査方法 | |
| JP2005019258A (ja) | 電子ビームを用いた検査装置 | |
| JPH03278553A (ja) | ウェーハ面検査装置 |