JP4791840B2 - 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 - Google Patents
荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4791840B2 JP4791840B2 JP2006028720A JP2006028720A JP4791840B2 JP 4791840 B2 JP4791840 B2 JP 4791840B2 JP 2006028720 A JP2006028720 A JP 2006028720A JP 2006028720 A JP2006028720 A JP 2006028720A JP 4791840 B2 JP4791840 B2 JP 4791840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- inspection
- sample
- particle beam
- recipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0048—Charging arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
- H01J2237/2487—Electric or electronic means using digital signal processors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Claims (15)
- 試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子カラムと、
前記試料を載置するステージと、
前記荷電粒子線を前記試料に照射することにより前記試料から発生する粒子を検出する検出器と、
前記荷電粒子カラムを制御する荷電粒子制御手段と、
複数の特性値を持つ前記荷電粒子制御手段の制御パラメータをモニタに表示する表示制御手段と、
複数の軸の各々が採る特性値を指定する入力手段と、を備え、
前記表示制御手段は、
各々が前記入力手段により指定された特性値を持つ複数の軸により特定される座標系上に、複数の前記制御パラメータを配置して前記モニタに表示すること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記複数の軸は、縦軸と横軸であり、
前記座標系は、前記縦軸および横軸より特定される2次元座標系であること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置であって、
前記縦軸を採る特性値および前記横軸を採る特性値は、前記制御パラメータの特性値として互いにトレードオフの関係にあること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の荷電粒子線装置であって、
前記検出器の検出信号に画像解析処理を行って画像データを生成する画像解析手段と、
前記画像解析手段により生成された画像データにパターンマッチング処理を行って欠陥を検出する検査手段と、をさらに有すること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子線装置であって、
制御パラメータは、前記荷電粒子制御手段の設定値、前記画像解析手段の設定値、および、前記複数の特性値として前記検査手段の検査特性値を含むこと
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置であって、
前記荷電粒子制御手段の設定値とは、プリドーズ設定値であり、
前記画像解析手段の設定値とは、SEM(scanning electron microscope)像取得設定値であること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5又は6に記載の荷電粒子線装置であって、
前記制御パラメータは、前記検査特性値として、欠陥検出速度、欠陥検出精度、および帯電ロバスト性のうちの少なくとも2つを含むこと
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の荷電粒子線装置であって、
前記入力手段は、
複数の軸の各々が採る特性値を選択させるための選択画面を前記モニタに表示すること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の荷電粒子線装置であって、
複数の前記制御パラメータが記憶された記憶手段をさらに有し、
前記表示制御手段は、
前記記憶手段に記憶されている複数の前記制御パラメータを前記座標系上に配置して前記モニタに表示すること
を特徴とする荷電粒子線装置。 - 試料を載置するステージと、
前記ステージに載置された試料に一次電子線を走査するSEM(scanning electron microscope)カラムと、
前記走査により試料から発生する電子を結像して検出する結像光学系と、
前記結像光学系により検出される信号を画像化して表示する画像表示システムと、
前記SEMカラムを制御するSEMカラム制御装置と、
複数の特性値を持つ前記SEMカラム制御装置の制御情報を複数記憶する記憶手段と、
複数の軸の各々が採る特性値を指定する入力手段と、を備え、
前記画像表示システムは、
各々が前記入力手段により指定された特性値を持つ複数の軸により特定される座標系上に、前記記憶手段に記憶されている複数の制御情報を配置して表示すること
を特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項10に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記複数の軸は、縦軸と横軸であり、
前記座標系は、前記縦軸および横軸より特定される2次元座標系であること
を特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項11に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記縦軸を採る特性値および前記横軸を採る特性値は、前記制御パラメータの特性値として互いにトレードオフの関係にあること
を特徴とする走査電子顕微鏡。 - 試料に荷電粒子線を走査することで得られる2次電子信号を用いた試料検査方法であって、
それぞれ複数の特性値を持つ複数の検査レシピを表示するための座標系を構成する複数の軸の各々が採る特性値の指定を要求する情報を表示し、
前記要求に応答して指定された特性値を持つ複数の軸により特定される座標系上に、前記複数の検査レシピを配置して表示して、検査レシピの選択を受付け、
前記選択された検査レシピに従い前記荷電粒子線の走査条件を調整し、
前記試料に前記調整された荷電粒子線を走査して前記2次電子信号を検出し、
前記検出した信号を処理することにより、前記試料の検査を行うこと
を特徴とする試料検査方法。 - 請求項13に記載の試料検査方法であって、
前記複数の軸は、縦軸と横軸であり、
前記座標系は、前記縦軸および横軸より特定される2次元座標系であること
を特徴とする試料検査方法。 - 請求項14に記載の試料検査方法であって、
前記縦軸を採る特性値および前記横軸を採る特性値は、前記制御パラメータの特性値として互いにトレードオフの関係にあること
を特徴とする試料検査方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006028720A JP4791840B2 (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
US11/700,838 US8026481B2 (en) | 2006-02-06 | 2007-02-01 | Charged particle apparatus, scanning electron microscope, and sample inspection method |
US13/234,831 US20120004879A1 (en) | 2006-02-06 | 2011-09-16 | Charged particle apparatus, scanning electron microscope, and sample inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006028720A JP4791840B2 (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007208202A JP2007208202A (ja) | 2007-08-16 |
JP4791840B2 true JP4791840B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38333104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006028720A Expired - Fee Related JP4791840B2 (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8026481B2 (ja) |
JP (1) | JP4791840B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101345781B1 (ko) | 2012-04-04 | 2013-12-27 | 성균관대학교산학협력단 | 입자측정장치 및 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4629118B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびこの欠陥検査装置に用いるパラメータ調整方法。 |
JP5438937B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2010087070A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡に用いられるレシピの診断装置 |
JP5292043B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-09-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察方法 |
US9768082B2 (en) * | 2009-02-13 | 2017-09-19 | Hermes Microvision Inc. | Method and machine for examining wafers |
JP5227902B2 (ja) * | 2009-06-16 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法 |
WO2011016208A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
KR101411119B1 (ko) * | 2010-09-25 | 2014-06-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자 빔 현미경 |
JP5823136B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2015-11-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 |
US9224660B2 (en) * | 2013-08-30 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Tuning wafer inspection recipes using precise defect locations |
WO2019063559A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Asml Netherlands B.V. | DYNAMIC DETERMINATION OF A CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTION SAMPLE INSPECTION RECIPE |
US11823861B2 (en) * | 2019-07-02 | 2023-11-21 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
JP7351812B2 (ja) * | 2020-07-27 | 2023-09-27 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および帯電評価方法 |
US20220230314A1 (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Intelligent pattern recognition systems for wire bonding and other electronic component packaging equipment, and related methods |
WO2024142368A1 (ja) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビーム装置の調整方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5226118A (en) * | 1991-01-29 | 1993-07-06 | Prometrix Corporation | Data analysis system and method for industrial process control systems |
US5896138A (en) * | 1992-10-05 | 1999-04-20 | Fisher Controls International, Inc. | Process control with graphical attribute interface |
US5546516A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | System and method for visually querying a data set exhibited in a parallel coordinate system |
JP2806312B2 (ja) * | 1995-06-30 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 図形入力装置 |
US5894311A (en) * | 1995-08-08 | 1999-04-13 | Jerry Jackson Associates Ltd. | Computer-based visual data evaluation |
US6308187B1 (en) * | 1998-02-09 | 2001-10-23 | International Business Machines Corporation | Computer system and method for abstracting and accessing a chronologically-arranged collection of information |
JP3739201B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2006-01-25 | 富士通株式会社 | 半導体チップの相関解析方法及び装置、半導体チップ歩留まり調整方法並びに記憶媒体 |
JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
US6307573B1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-10-23 | Barbara L. Barros | Graphic-information flow method and system for visually analyzing patterns and relationships |
JP2001338603A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡における観察条件支援装置 |
JP3613554B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2005-01-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | データ表示方法、該データ表示を行うためのコンピュータ・システムおよび記録媒体 |
DE60104705T2 (de) * | 2000-09-15 | 2005-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verbesserte regelung mit adaptives abtastverfahren zur halbleiterherstellung |
US7285777B2 (en) * | 2001-08-29 | 2007-10-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample dimension measuring method and scanning electron microscope |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
JP2003271665A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 検索用グラフィカル・ユーザ・インターフェイス |
US6853035B1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-02-08 | Synopsys, Inc. | Negative differential resistance (NDR) memory device with reduced soft error rate |
JP4057892B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2008-03-05 | 株式会社キーエンス | 電子顕微鏡、電子顕微鏡の操作方法、電子顕微鏡の操作プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記録媒体 |
JP2004205427A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Hitachi Sci Syst Ltd | 分析装置及び分析条件設定方法 |
JP2007505419A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-03-08 | シャピロ、マーク | 内視鏡ラボを管理するシステム及び方法 |
US7142110B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-11-28 | Sensitech, Inc. | Automatic conditioning of data accumulated by sensors monitoring supply chain processes |
JP2005249745A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 試料表面検査方法および検査装置 |
JP4032036B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2008-01-16 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置 |
JP5134188B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2013-01-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 試料上の欠陥を分析する装置 |
US7348980B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-03-25 | Unisys Corporation | Method and apparatus for interface for graphic display of data from a Kstore |
JP2005191017A (ja) | 2005-03-25 | 2005-07-14 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
US7570797B1 (en) * | 2005-05-10 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for an inspection system |
-
2006
- 2006-02-06 JP JP2006028720A patent/JP4791840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-01 US US11/700,838 patent/US8026481B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-16 US US13/234,831 patent/US20120004879A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101345781B1 (ko) | 2012-04-04 | 2013-12-27 | 성균관대학교산학협력단 | 입자측정장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8026481B2 (en) | 2011-09-27 |
JP2007208202A (ja) | 2007-08-16 |
US20120004879A1 (en) | 2012-01-05 |
US20070181807A1 (en) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4791840B2 (ja) | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 | |
CN106537449B (zh) | 确定样本上的关注区域的坐标 | |
JP4898713B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
JP5081590B2 (ja) | 欠陥観察分類方法及びその装置 | |
JP3993817B2 (ja) | 欠陥組成分析方法及び装置 | |
JP5357725B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
TWI515813B (zh) | Charged particle - ray device | |
JP4078280B2 (ja) | 回路パターンの検査方法および検査装置 | |
JP2018502457A (ja) | ビルトインターゲットを用いた検査対デザイン位置揃え | |
WO2013035419A1 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
WO2014104191A1 (ja) | 荷電粒子線装置及びその欠陥分析方法 | |
US9702827B1 (en) | Optical mode analysis with design-based care areas | |
KR20080003719A (ko) | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 | |
JP2004239728A (ja) | パターン検査方法及び装置 | |
JP6088803B2 (ja) | 画像処理装置、自己組織化リソグラフィ技術によるパターン生成方法、及びコンピュータープログラム | |
JP4745380B2 (ja) | レビューsem | |
JP2006227026A (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JP2010112833A (ja) | 電子線式基板検査装置 | |
JP6033325B2 (ja) | 半導体検査装置、及び荷電粒子線を用いた検査方法 | |
JP5036889B2 (ja) | レビューsem | |
JP5374225B2 (ja) | ウェハ検査条件決定方法、ウェハ検査条件決定システム及びウェハ検査システム | |
JP2008135733A (ja) | 半導体ウェーハ検査装置、及びその検査方法 | |
JP5162023B2 (ja) | パターンの形成された基板の粗さを得る方法、パターンの形成された基板の粗さを得るための装置 | |
US20220252525A1 (en) | Inspection Apparatus Adjustment System and Inspection Apparatus Adjustment Method | |
JP2011090003A (ja) | 欠陥候補の画像表示方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4791840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |