JP5823136B2 - 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 - Google Patents
走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5823136B2 JP5823136B2 JP2011027364A JP2011027364A JP5823136B2 JP 5823136 B2 JP5823136 B2 JP 5823136B2 JP 2011027364 A JP2011027364 A JP 2011027364A JP 2011027364 A JP2011027364 A JP 2011027364A JP 5823136 B2 JP5823136 B2 JP 5823136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- charged particle
- sample
- brightness
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 92
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 206
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 50
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 28
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 59
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002620 method output Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
(1)電子線照射する前の試料の初期帯電状態:帯電量,分布
(2)一次電子のエネルギー,プローブ電流,観察視野,照射時間,電子線照射による試料の二次電子/後方散乱電子イールド。電子線の視野内各照射位置の順番
(3)電子線照射起因非金属材料表面/バルクの電子・ホールの移動,拡散,再結合
(4)観察時試料周辺領域の電場/磁場分布
特許文献1には,不活性ガスから生成したイオンや電子を利用し,試料表面の電荷と再結合することにより,一次電子線照射起因帯電をリアルタイムに抑制することを図ることが記載されている。しかしながら,この場合,一次電子は,不活性ガスとの衝突により,ビーム径が太くなり画像の面分解能が低下する問題点がある。
また,荷電粒子源と,試料を載置する試料ステージと,前記荷電粒子源から放出された荷電粒子線を前記試料上で走査する走査手段と,前記試料からの電気信号を用いて前記試料表面の画像を表示する表示手段とを備えた走査型荷電粒子顕微鏡において,前記表示手段はGUI画面を表示するものであり,前記GUI画面は,前記試料に関する情報を入力する試料情報入力手段と,前記荷電粒子線を走査し前記試料上の二次元領域に対する走査領域の画像を形成する際の前記荷電粒子線のライン走査方向,前記荷電粒子線の走査ライン間距離,前記走査ライン間距離の上限と下限とを含む走査条件と,前記走査条件を選択する選択手段とを含み,前記走査手段は,前記選択手段により選択された走査条件に基づいて前記試料を走査することを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡とする。
また,試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線を走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡を用いた試料観察方法において,前記試料に前記荷電粒子線を照射したときの前記試料の帯電特性又は前記試料の明度の視野内均一性を求める第1の工程と,求められた前記試料の帯電特性又は前記試料の明度の視野内均一性に基づいて前記荷電粒子線の走査ライン間距離を調整する第2の工程と,調整された前記荷電粒子線の走査ライン間距離となるように,且つ前記荷電粒子線のライン走査の方向が交互に反転するように前記試料を走査する第3の工程と,を有することを特徴とする試料観察方法とする。
本発明の実施の形態で提案した往復走査により視野内ラインエッジのホワイトバンド明度の変動及び測長歪みが抑制されることを実験により確認した。
更なる本発明の特徴は,以下本発明の実施例によって明らかになるものである。
本発明の第1の実施例に係る走査型電子顕微鏡の概略全体構成のブロック図を図6に示す。陰極(電子源)1と第一陽極2の間には,演算装置22で制御される高電圧制御電源13により電圧が印加され,所定のエミッション電流が陰極1から引き出される。陰極1と第二陽極3の間には演算装置22で制御される高電圧制御電源13により加速電圧が印加されるため,陰極1から放出された一次電子線4は加速されて後段のレンズ系に進行する。一次電子線4は,入力装置の指令により,集束レンズ制御電源14で制御された集束レンズ5で収束され,絞り板7で一次電子線4の不要な領域が除去され,一次電子線のプローブ電流Ipが制御される。
〔帯電制御の手法〕
試料の帯電緩和特性(時定数)の測定の一例を図7に示す。
一次電子線4が,試料8に照射されると,二次信号9(二次電子及び後方散乱電子のうち少なくとも1つを含む)が発生する。試料ホルダ(ステージ)23,対物レンズ6及び電極27に作られている電界は,二次信号9に対しては加速電界として作用するため,対物レンズ6の通路内に引き上げられ,対物レンズ6の磁界の作用を受けながら上昇し,さらに走査偏向器10を通過し,エネルギーフィルタ26に入射する。エネルギーフィルタ26の設定値により運動エネルギーの低い二次信号成分は,エネルギーフィルタ26を通過できず,それより高い成分は,エネルギーフィルタ26を通過する。一次電子線4が,試料8に一定のドーズ量で照射されると,試料8は帯電し,試料8の照射位置における電位Vs’が変動する。ここで試料電位Vs’は,一次電子線4の照射で生成した試料8の帯電電位Vsと試料ホルダ23に印加されたリターディング電位Vrとの和である。帯電により試料電位Vs’が増加する(正帯電の場合)と,電子は帯電領域に引き寄せられエネルギーフィルタ26を通過できる二次信号量が減少するため,検出器11で検出される二次信号量が減少し画像上輝度が減少する。一次電子線4を試料8に予め照射し帯電領域を形成し,一定の時間間隔で同一領域に再度照射し,取得した画像上輝度を記録する。図7に前記時間間隔がある値(t1)の時に画像上帯電領域の明るさの変化曲線の一例を示す。この時,一次電子線4の走査方法は,目的に応じて任意設定でよい(1点照射,ライン走査,2次元走査)。また,S/Nを上げるために,試料上複数箇所で上記測定を行い,その結果を平均化して出力する。点照射する場合,式(5)を用いれば,材料の二次電子および後方散乱電子のイールドや帯電の緩和特性(時定数t2)を抽出可能である。
〔処理シーケンス〕
図9は,本実施例に係る走査型電子顕微鏡における画像取得ためのシーケンスを説明するためのフローチャートである。ステップ S100では,同種類試料或は同じウェハで以前の帯電特性の測定歴の結果が記憶装置21に格納されているかどうかが判断され,帯電緩和時定数測定の要否が決定される。帯電特性を測定する場合は,ステップ S101で帯電特性の測定箇所に電子線を移動する。帯電特性の測定箇所は,観察領域近辺にある平坦部若しくは観察部,それと等価なパターン部が望ましい。
〔GUI〕
次に,画像表示装置18に表示されるGUIについて説明する。一例として図14に示したGUI 401や図9を用いて説明する。使用者がアライメント選択部407によりアライメントを選択し,試料(ウェハ)4上のチップのレイアウト402の任意の複数の位置を選択することによってアライメントを演算装置22で処理する。この処理を行なうと図9のS100を処理することになる。S100でYesの場合には,図14のキャリブレーション選択部408によりキャリブレーションを使用者は選択する。その際,試料に関する情報(試料作成時の試料の工程名,レジストの膜厚,材料,パターン等)を選択することになる。符号406は検査・計測ウェハの情報の選択部を示す。その後,図9でS101の処理を行い,S107まで処理を行なう。
ステップ S201で開始し,試料をロードする(ステップ S202)。ステップ S203では,試料に関する情報を入力装置19から入力または,事前に記憶装置21に記憶させておいた各種試料の中から該当する試料に関する情報を記憶装置21から呼び出す。ステップ S204では,上記試料情報を基に,事前に各種走査方法(プローブ電流,走査速度,走査ライン間距離の少なくとも一つを含む)が記憶された記憶装置21から推奨する走査方法の候補を決定する。ステップ S205では,上記推奨走査方法を更に絞り込むために試し測定位置を指定し,各推奨走査方法を用い画像取得を行う。ステップ S206では,前ステップで取得した画像に対して,パターンのエッジ部明度抽出処理を行い,視野内均一性An(ばらつき)を算出する。Anが所定値より小さい走査方法が存在する場合,その走査方法を用いて本観察を行い,処理を終了する。また,上記条件を満たす走査方法が複数存在する場合,Anが最少となる走査方法を本観察に用いる。
ステップ S301−S303では,観察用試料をロードし,電子線照射帯電に関わる材料情報を入力する。ステップ S304では,視野内明度ばらつき及びシュリンクを考慮した走査方法の候補の選定。決定方法は,前記実施例3に述べた方法でもよい。ステップ S305では,上記推奨走査方法で,一次電子線を制御するあるパラメータを変化させ,一連の画像の取得を行う。ステップ S306では,前ステップで取得した画像に対して解析を行い,視野内明度ばらつき/測長値およびシュリンク量を求める。ステップ S107では,推奨走査条件(プローブ電流,走査速度,走査ライン間距離の少なくとも一つを含む)の決定/選択する。次に,ステップ S108に進み,本観察(SEM像取得),観察結果の保存を行い,後,終了する(S109)。
本発明は,試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線を走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において,前記試料に応じてライン走査の方向を交互に反転させて走査すること(図1(b))を特徴とする。
また,本発明は,GUIと,試料に関する情報を入力する試料情報入力手段と,推奨走査条件が前記GUIに表示する表示手段と,該推奨走査条件を選択することによって前記試料に応じた走査線密度および走査ライン間距離のうち少なくとも一つを選択し走査することを特徴とする。
さらに,前記試料の電気特性を測定する手段と,測定された前記電気特性に基づいて前記走査線密度および走査ライン間距離のうち少なくとも一つを選択し走査することを特徴とする。
さらに,電気特性は,荷電粒子線を前記試料に照射することで前記試料から放出される二次荷電粒子の強度の時間変化に基づいて算出された前記試料の二次荷電粒子イールド,後方散乱荷電粒子イールド及び帯電緩和時定数のうち少なくとも一つを含む前記試料の帯電特性パラメータであることを特徴とする。
さらに,電気特性は,荷電粒子線を前記試料の複数箇所に照射することで前記試料から放出される二次荷電粒子の強度の時間変化に基づいて算出された前記飼料の帯電特性パラメータであることを特徴とする。
さらに,走査線密度は,前記荷電粒子線の走査速度又は/及び前記荷電粒子線の電流を制御することを特徴とする。
さらに,画像から(信号/ノイズ)を算出し,算出された値に応じてフレーム数を算出することを特徴とする。
また,本願発明は,試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線を走査して走査領域の画像を形成する試料観察方法において,試料に関する情報を入力する工程と,前記試料に関する情報に基づいて推奨走査条件をGUIに表示する工程と,前記推奨走査条件を選択することによって前記試料に応じた走査方向,走査線密度および走査ライン間距離のうち少なくとも一つを制御して走査することを特徴とする。
さらに,試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線を走査して走査領域の画像を形成する試料観察方法において,前記試料に応じて走査線密度および走査ライン間距離のうち少なくとも一つを最適化して走査することを特徴とする。
さらに,試料の電気特性を測定し,測定された前記電気特性に基づいて前記走査方向,走査線密度および走査ライン間距離のうち少なくとも一つを制御して走査することを特徴とする。
さらに,電気特性に基づいて,走査する複数の走査線間距離と前記走査線間の時間間隔のうち少なくとも1つを制御して走査することを特徴とする。
さらに,電気特性は,荷電粒子線を前記試料の複数箇所に照射することで前記試料から放出される二次荷電粒子の強度の時間変化に基づいて算出された前記試料の帯電緩和時定数であることを特徴とする。
さらに,走査線密度は,前記荷電粒子線の走査速度又は/及び前記荷電粒子線の電流を制御することを特徴とする。
さらに,画像から(信号/ノイズ)を算出し,算出された値に応じてフレーム数を算出することを特徴とする。
さらに,焦点又は非点補正量を算出し,荷電粒子光学系にフィードバックすることを特徴とする。
Claims (14)
- 試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線のライン走査の方向が交互に反転するように走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記荷電粒子線の走査ライン間距離は,明度分布が既知の前記試料に前記荷電粒子線を照射し,前記試料の画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該抽出された明度の視野内均一性を求め,当該求められた明度の視野内均一性に基づいて調整され,前記荷電粒子線の前記試料上での走査速度およびプローブ電流のうち少なくとも1つは,前記試料に前記荷電粒子線を照射したときの,前記明度の視野内均一性に基づいて制御されることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記走査型荷電粒子顕微鏡は,荷電粒子源と,試料を載置する試料ステージと,前記荷電粒子源から放出された荷電粒子線を前記試料上で走査する走査手段と,前記試料からの電気信号を用いて前記試料表面の画像を表示する表示手段とを備え,
前記表示手段はGUI画面を表示するものであり,
前記GUI画面は,
前記試料に関する情報を入力する試料情報入力手段と,
前記荷電粒子線を走査し前記試料上の二次元領域に対する走査領域の画像を形成する際の前記荷電粒子線のライン走査方向を含む走査条件と,
前記走査条件を選択する選択手段とを含み,
前記走査手段は,前記選択手段により選択された走査条件に基づいて前記試料を走査することを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記試料の明度分布を測定する手段を有することを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記荷電粒子線の走査ライン間距離,前記走査速度および前記プローブ電流を含む走査条件の最適走査条件候補は,複数の走査条件で取得した前記画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該明度について視野内ライン走査方向の明度変化をそれぞれ算出し,算出されたそれぞれの前記明度変化と所定値とを比較して決定されることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記試料は,前記荷電粒子線の照射によりシュリンクする材料を含むパターンを有し,
前記荷電粒子線の走査ライン間距離,前記走査速度および前記プローブ電流を含む走査条件の最適走査条件候補は,複数の走査条件で前記パターンに前記荷電粒子線を照射して取得した前記画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該明度について視野内ライン走査方向における前記パターンの明度変化およびシュリンク特性をそれぞれ算出し,算出されたそれぞれの前記明度変化および前記シュリンク特性と所定値とを比較して決定されることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記GUI画面は,更に前記荷電粒子線の前記試料上での走査速度およびプローブ電流のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記GUI画面は,複数の走査条件で取得した前記画像の明度の時間または空間変化を含むことを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記GUI画面は,
前記試料の明度分布の測定結果と,
前記荷電粒子線の走査速度およびプローブ電流のうち少なくとも1つの選択手段とを更に含むことを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記GUI画面は,
複数の走査条件で取得した前記画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該明度について視野内ライン走査方向の明度変化と,
前記明度変化が所定値と比較して得られる最適走査条件の候補とを表示することを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査型荷電粒子顕微鏡において,
前記試料は,前記荷電粒子線の照射によりシュリンクする材料を含むパターンを有し,
前記GUI画面は,複数の走査条件で前記試料を走査し,取得した画像内ライン走査方向における前記パターンの明度変化およびシュリンク特性を算出し,前記明度変化およびシュリンク特性に基づいて得られる最適走査条件の候補を含むことを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。 - 試料上の二次元領域に対し,荷電粒子線を走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡を用いた試料観察方法において,
明度分布が既知の前記試料に前記荷電粒子線を照射し,前記試料の画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該抽出された明度の視野内均一性を求め,当該求められた明度の視野内均一性を求める第1の工程と,
求められた前記明度の視野内均一性に基づいて前記荷電粒子線の走査ライン間距離を調整する第2の工程と,
調整された前記荷電粒子線の走査ライン間距離となるように,且つ前記荷電粒子線のライン走査の方向が交互に反転するように前記試料を走査する第3の工程とを有し、
前記荷電粒子線の前記試料上での走査速度およびプローブ電流のうち少なくとも1つは,前記試料に前記荷電粒子線を照射したときの,前記明度の視野内均一性に基づいて制御されることを特徴とする試料観察方法。 - 請求項11に記載の試料観察方法において,
前記走査型荷電粒子顕微鏡は,前記明度の視野内均一性を測定する手段を有し,
前記走査速度,プローブ電流,走査ライン間距離のうち少なくとも1つは,測定された前記明度の視野内均一性に基づいて制御されることを特徴とする試料観察方法。 - 請求項12に記載の試料観察方法において,
前記走査速度,プローブ電流および走査ライン間距離を含む走査条件の最適走査条件候補は,複数の走査条件で取得した前記画像のエッジ部のホワイトバンド明度の抽出を行い,当該明度について視野内ライン走査方向の明度変化を算出し,当該算出された明度変化を所定値と比較して決定されることを特徴とする試料観察方法。 - 請求項11に記載の試料観察方法において,
前記試料は,前記荷電粒子線の照射によりシュリンクする材料を含むパターンを有し,
前記第1の工程は,複数の走査条件で前記試料を走査し,取得した画像内ライン走査方向の前記パターンの明度変化およびシュリンク特性を算出する工程を含み,
前記第2の工程は,算出された前記明度変化および前記シュリンク特性に基づいて前記走査ライン間距離を含む走査条件の最適走査条件候補を決定する工程を含み,
決定された前記最適走査条件候補をGUIに表示する工程を更に含むことを特徴とする試料観察方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011027364A JP5823136B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011027364A JP5823136B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169070A JP2012169070A (ja) | 2012-09-06 |
JP5823136B2 true JP5823136B2 (ja) | 2015-11-25 |
Family
ID=46973052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011027364A Expired - Fee Related JP5823136B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5823136B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6165643B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-07-19 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置の制御方法及び断面加工観察装置 |
CN117990019A (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 扫描电子显微镜的扫描方法及扫描电子显微镜 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002373613A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Sony Corp | 微小パターン検査装置及び方法 |
JP4791840B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
JP4914180B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 時定数測定機能を搭載した走査型電子顕微鏡 |
JP2011003480A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式外観検査装置およびその画像信号処理方法 |
-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011027364A patent/JP5823136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012169070A (ja) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5937171B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 | |
JP4914180B2 (ja) | 時定数測定機能を搭載した走査型電子顕微鏡 | |
EP2530699B1 (en) | Charged particle beam microscope and method of measurement employing same | |
JP5655084B2 (ja) | 荷電粒子ビーム顕微鏡 | |
US8923614B2 (en) | Image processing apparatus, image processing method | |
US9123504B2 (en) | Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method using the same | |
US10879037B2 (en) | Charged particle beam device with distance setting between irradiation regions in a scan line | |
US9275829B2 (en) | Image forming device and computer program | |
US20070187599A1 (en) | Charged particle beam apparatus, charged particle beam focusing method, microstructure measuring method, microstructure inspecting method, semiconductor device manufacturing method, and program | |
JP5188529B2 (ja) | 電子ビーム照射方法、及び走査電子顕微鏡 | |
JP5222994B2 (ja) | 試料観察方法および走査電子顕微鏡 | |
US20070029478A1 (en) | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus | |
JP5292132B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP4194526B2 (ja) | 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
JP2005338102A (ja) | 試料寸法測長方法及び走査電子顕微鏡 | |
JP5823136B2 (ja) | 走査型荷電粒子顕微鏡及び試料観察方法 | |
US7335879B2 (en) | System and method for sample charge control | |
KR102532992B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP5277008B2 (ja) | パターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置 | |
WO2013011792A1 (ja) | 試料の検査条件・測定条件の自動判定方法及び走査型顕微鏡 | |
US20240144560A1 (en) | Training Method for Learning Apparatus, and Image Generation System | |
JP5470360B2 (ja) | 試料電位情報検出方法及び荷電粒子線装置 | |
KR102625536B1 (ko) | 하전 입자빔 시스템, 및 하전 입자선 장치에 있어서의 관찰 조건을 결정하는 방법 | |
JP2009211961A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
KR20230098662A (ko) | 하전 입자선 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5823136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |