JP7351812B2 - 荷電粒子線装置および帯電評価方法 - Google Patents
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y11=w111d1+w211d2・・・+wm11dm
と表すことができる。利用率は、SEM像1の分割画像yのそれぞれについて求めた基底画像diの係数wiの総和に基づき定義し、これを算出する(図4Bでは総和そのものを利用率と定義している)。SEM像1~kについて以上の処理を実行することにより、SEM像1~kごとの利用率u={u1,u2・・・um}を算出することができる。
Claims (14)
- 観察試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子線と前記観察試料との相互作用によって放出される電子を検出する検出器とを備える荷電粒子線装置であって、
前記観察試料または前記観察試料と同等の帯電が生じる材料である試料の教師画像から抽出された基底画像di(1≦i≦m)を記憶する基底画像記憶部と、
観察画像である前記検出器からの検出信号に基づき生成された荷電粒子線像を複数の分割画像に分割し、分割画像を前記基底画像diとその係数wiとの積の総和として表すとき、前記基底画像diのうち、その利用率が前記観察試料における帯電の発生と最も強い相関を有するとしてラベリングされたラベリング基底画像dLの係数wLが所定の閾値を越える前記観察画像の分割画像の座標位置を前記観察画像の関心領域として抽出する関心領域抽出部とを備え、
前記荷電粒子線像における前記基底画像diの利用率は、前記荷電粒子線像の複数の分割画像のそれぞれについて求めた前記基底画像diの係数wiの総和に基づき定義される荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記教師画像を複数の分割画像に分割し、前記教師画像の複数の分割画像についてスパースコーディングを行うことにより前記基底画像diを抽出し、帯電状況の異なるk枚の比較画像である前記教師画像または前記荷電粒子線像について、前記比較画像のそれぞれについて前記基底画像diの利用率を求め、前記基底画像diのうち、その利用率が前記観察試料における帯電の発生と最も強い相関を有する基底画像を前記ラベリング基底画像dLとしてラベリングする基底画像ラベリング部を有する荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記比較画像は、前記荷電粒子線の走査速度以外の撮影条件が等しい前記荷電粒子線像である荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
表示部を有し、
前記基底画像ラベリング部は、前記表示部に前記基底画像diを表示し、前記ラベリング基底画像dLを他の基底画像とは識別可能に表示する荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
表示部を有し、
前記関心領域抽出部は、抽出された前記観察画像の関心領域を前記観察画像に重畳して表示する荷電粒子線装置。 - 請求項5において、
前記観察画像の関心領域を抽出するための前記所定の閾値は、前記観察画像の分割画像における前記ラベリング基底画像dLの係数wLの分布に基づき決定される荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記観察画像の関心領域に基づき算出される第1帯電スコアが所定の第1スコア閾値よりも小さい場合には、前記観察画像を撮影画像記憶部に記憶し、前記観察画像を撮影した撮影条件を撮影条件記憶部に記憶する帯電評価部を有し、
前記第1帯電スコアは、抽出された関心領域の前記観察画像全体に対する面積比、関心領域として抽出された分割画像の枚数、関心領域として抽出された分割画像における前記ラベリング基底画像dLの利用率の少なくともいずれか、またはそれらのいずれかの組み合わせとして定義される荷電粒子線装置。 - 請求項7において、
前記帯電評価部は、前記観察画像の撮影条件を変更して撮影した再観察画像について、前記再観察画像の関心領域及び画質に基づき算出される第2帯電スコアが所定の第2スコア閾値よりも小さい場合には、前記再観察画像を前記撮影画像記憶部に記憶し、前記観察画像を撮影した撮影条件を前記撮影条件記憶部に記憶し、
前記第2帯電スコアは、前記第1帯電スコアを決定する帯電評価値に加えて、画質評価値を加えて定義される荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線装置により観察試料を撮影した観察画像である荷電粒子線像の帯電評価方法であって、
前記観察試料または前記観察試料と同等の帯電が生じる材料である試料の教師画像から基底画像di(1≦i≦m)を抽出し、
前記観察画像である荷電粒子線像を複数の分割画像に分割し、分割画像を前記基底画像diとその係数wiとの積の総和として表すとき、前記基底画像diのうち、その利用率が前記観察試料における帯電の発生と最も強い相関を有するとしてラベリングされたラベリング基底画像dLの係数wLが所定の閾値を越える前記観察画像の分割画像の座標位置を前記観察画像の関心領域として抽出し、
前記荷電粒子線像における前記基底画像diの利用率は、前記荷電粒子線像の複数の分割画像のそれぞれについて求めた前記基底画像diの係数wiの総和に基づき定義される帯電評価方法。 - 請求項9において、
前記教師画像を複数の分割画像に分割し、前記教師画像の複数の分割画像についてスパースコーディングを行うことにより前記基底画像diを抽出し、
帯電状況の異なるk枚の比較画像である前記教師画像または前記荷電粒子線像について、前記比較画像のそれぞれについて前記基底画像diの利用率を求め、前記基底画像diのうち、その利用率が前記観察試料における帯電の発生と最も強い相関を有する基底画像を前記ラベリング基底画像dLとしてラベリングする帯電評価方法。 - 請求項10において、
前記比較画像は、荷電粒子線の走査速度以外の撮影条件が等しい前記荷電粒子線像である帯電評価方法。 - 請求項9において、
前記観察画像の関心領域を抽出するための前記所定の閾値は、前記観察画像の分割画像における前記ラベリング基底画像dLの係数wLの分布に基づき決定される帯電評価方法。 - 請求項9において、
前記観察画像の関心領域に基づき算出される第1帯電スコアが所定の第1スコア閾値よりも小さい場合には、前記観察画像を撮影画像記憶部に記憶し、前記観察画像を撮影した撮影条件を撮影条件記憶部に記憶し、
前記第1帯電スコアは、抽出された関心領域の前記観察画像全体に対する面積比、関心領域として抽出された分割画像の枚数、関心領域として抽出された分割画像における前記ラベリング基底画像dLの利用率の少なくともいずれか、または組み合わせとして定義される帯電評価方法。 - 請求項13において、
前記観察画像の撮影条件を変更して撮影した再観察画像について、前記再観察画像の関心領域及び画質に基づき算出される第2帯電スコアが所定の第2スコア閾値よりも小さい場合には、前記再観察画像を前記撮影画像記憶部に記憶し、前記再観察画像を撮影した撮影条件を前記撮影条件記憶部に記憶し、
前記第2帯電スコアは、前記第1帯電スコアを決定する帯電評価値に加えて、画質評価値を加えて定義される帯電評価方法。
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