JP4898713B2 - 表面検査装置および表面検査方法 - Google Patents
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Description
このため、最先端半導体デバイスの製造工程では、生成膜の膜厚と表面粗さの変動しにくい製造条件を設定し、その製造条件で製造した生成膜の膜厚と表面粗さを厳格に管理することが必要となっている。
制御部は、前記測定した散乱光強度が下限閾値以上である場所の前記測定座標を抽出し、抽出された前記測定座標の周辺に相当する前記パターンの全体レイアウトの一部の部分レイアウト内に、前記表面粗さの検査の検査範囲を設定し、前記検査範囲における前記表面粗さを求めることを特徴とする。
光学式ウェハ表面検査装置110により、後記する本発明の表面検査方法を実施しウェハの表面粗さの測定が行われ、表面粗さを表す算術平均粗さRaや二乗平均粗さRmsなどが取得され、データサーバ120に記憶させる。光学式ウェハ表面検査装置110は、表面粗さの測定だけでなく、異物・欠陥の検出もできる。光学式ウェハ表面検査装置110で検出された異物をさらに詳しく調べるために、被検査ウェハをレビューSEM150、あるいはCD−SEM160に移動させる。この移動は、手搬送でもよいし、機械搬送でもかまわない。
101 表面検査システム
110 光学式ウェハ表面検査装置(表面検査装置)
120 データサーバ
121 一覧表示データベース
130 設計情報データベース
140 ネットワーク
200 ウェハ
210 資料検査台
211 資料ステージ
212 回転軸
213 回転駆動部
214 スライド駆動部
220 照明光源
221 照明光
230 散乱光検出部
231a〜d 検出器
232a〜d 増幅器
233a〜d A/Dコンバータ
240 信号合成部
250 全体制御部
260 ステージ制御部
270 情報表示部
280 入力操作部
290 記憶部
295 通信部
301、301a〜b 異物
W301a〜b 異物信号(散乱光強度)
302 欠陥
W302 欠陥信号(散乱光強度)
310、311 平坦部
W310、W311 平坦部信号(散乱光強度)
320 散乱光強度分布図
401 被検査チップ(全体レイアウト)
402、402a メモリ部
403、403a 論理部
404 メモリパターン
404a 部分レイアウト
405 論理パターン
405a 部分レイアウト
406 検査範囲
501 メモリ部の散乱光強度
502 論理部の散乱光強度
503 検査範囲の散乱光強度
504 異物信号
505 欠陥信号
601 一チップ分の走査結果表示画面(GUI)
602 等高線図表示ウィンドウ
603 チップの全体レイアウト表示ウィンドウ
604 ヒストグラム表示ウィンドウ
605 部分レイアウトの拡大表示ウィンドウ
606 SETボタン
607 抽出ボタン
608 アシストツールボタン
609 等高線図
610 ヒストグラム
611 パターン密度の低いスペクトル
612 異物・欠陥スペクトル
613、614 パターン密度の高いスペクトル
701 散乱光強度絞込みウィンドウ
702L 下限閾値設定欄
702H 上限閾値設定欄
703 登録ボタン
704 キャンセルボタン
801 部分レイアウト
900 アシストツール表示画面(GUI)
901 通し番号表示欄
902 検査装置画像表示欄
903 レビュー画像表示欄
904 部分レイアウト(CADデータ)表示欄
905 散乱光強度表示欄
906 候補座標の選択チェック欄
910 検査条件の選択チェック欄
911 スクロールバー
913 検査実行ボタン
Claims (13)
- 照射される照射光により生じる散乱光の散乱光強度を、パターン付きウェハ上の測定座標に対応付けて測定し、前記ウェハの表面粗さを検査する表面検査装置において、
制御部は、
前記測定した散乱光強度が下限閾値以上である場所の前記測定座標を抽出し、
抽出された前記測定座標の周辺に相当する前記パターンの全体レイアウトの一部の部分レイアウト内に、前記表面粗さの検査の検査範囲を設定し、
前記検査範囲における前記表面粗さを求めることを特徴とする表面検査装置。 - 抽出された前記測定座標の前記散乱光強度と前記部分レイアウトとを、画面に一覧表示し、
一覧表示された前記部分レイアウトの中から前記検査範囲を設定させる設定手段を有することを特徴とする請求項1に記載の表面検査装置。 - 抽出された前記測定座標の前記部分レイアウトを画面表示し、
前記部分レイアウト内に前記検査範囲を設定させる設定手段を有することを特徴とする請求項1に記載の表面検査装置。 - 前記測定座標に対する前記散乱光強度のヒストグラムを画面表示し、前記下限閾値の設定を促すことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表面検査装置。
- 異物に起因する前記散乱光強度を除外する上限閾値以下である前記散乱光強度の前記測定座標を抽出することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の表面検査装置。
- 前記測定座標に対する前記散乱光強度のヒストグラムを画面表示し、前記上限閾値の設定を促すことを特徴とする請求項5に記載の表面検査装置。
- 前記測定座標に対する前記散乱光強度の分布を等高線図により画面表示することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の表面検査装置。
- 前記全体レイアウトを、前記等高線図と並べて又は重ねて表示することを特徴とする請求項7に記載の表面検査装置。
- 抽出された前記測定座標を、前記等高線図上において、対応する座標にドットとして画面表示することを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の表面検査装置。
- 抽出された前記測定座標を、前記全体レイアウト上において、対応する座標にドットとして画面表示することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の表面検査装置。
- 前記パターンは、半導体装置のパターンであり、
前記全体レイアウトは、前記半導体装置の1チップ分のレイアウトであることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の表面検査装置。 - 前記検査範囲の設定後に、前記検査範囲に属する前記測定座標の前記散乱光強度を測定することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の表面検査装置。
- 照射される照射光により生じる散乱光の散乱光強度を、パターン付きウェハ上の測定座標に対応付けて測定し、前記ウェハの表面粗さを検査する表面検査方法において、
制御部は、
前記測定した散乱光強度が下限閾値以上である場所の前記測定座標を抽出し、
抽出された前記測定座標の周辺に相当する前記パターンの全体レイアウトの一部の部分レイアウト内に、前記表面粗さの検査の検査範囲を設定し、
前記検査範囲における前記表面粗さを求めることを特徴とする表面検査方法。
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