JP2002083850A - デバイス検査装置および検査方法 - Google Patents
デバイス検査装置および検査方法Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料を破壊することなく高速にデバイスを検
査する。 【解決手段】 試料上の複数の測定位置に同一の形状と
なるように順次電子ビームを照射し、個々の測定位置に
電子ビームを照射したときに試料に生じる電流を測定
し、測定された電流あるいはその電流から導かれる物理
所量を測定位置の関数として二次元平面に表示する。
査する。 【解決手段】 試料上の複数の測定位置に同一の形状と
なるように順次電子ビームを照射し、個々の測定位置に
電子ビームを照射したときに試料に生じる電流を測定
し、測定された電流あるいはその電流から導かれる物理
所量を測定位置の関数として二次元平面に表示する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビームを用いた
半導体デバイスの検査に関する。本発明は、特に、コン
タクトホール検査に利用するに適する。
半導体デバイスの検査に関する。本発明は、特に、コン
タクトホール検査に利用するに適する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高性能化を目的
として半導体デバイス製造工程においては、微細化、多
層化が急速に進んでいる。そのため、エッチングで形成
すべき構造の大きさは０．１ミクロンのオーダーとなっ
ており、微細コンタクトあるいはビアホールを安定形成
する事が特に困難となってきている。コンタクトホール
あるいはビアホールとは、絶縁層を挟んだ２つの配線間
の電気的導通をとるために絶縁体に設けられる穴であ
る。
として半導体デバイス製造工程においては、微細化、多
層化が急速に進んでいる。そのため、エッチングで形成
すべき構造の大きさは０．１ミクロンのオーダーとなっ
ており、微細コンタクトあるいはビアホールを安定形成
する事が特に困難となってきている。コンタクトホール
あるいはビアホールとは、絶縁層を挟んだ２つの配線間
の電気的導通をとるために絶縁体に設けられる穴であ
る。
【０００３】ホールサイズはデバイスの微細化に比例し
て小さくなってきたのと同時に、デバイスの動作クロッ
クが上昇して高速化が進行したため、単に、電気的導通
が取れていれば良いとは言えず、ホールを通じて伝達さ
れる電気信号の速度が問題となるようになってきた。例
えば、ホール一個を通過する際の抵抗値は大きな物では
１０キロΩにも及び、隣接配線間容量も０．０１ピコフ
ァラッドオーダー以上と増加しているため、半導体デバ
イスが動作するクロックの立ち上がり速度に影響を持つ
ほどの大きな時定数を有するようになっている。この時
定数がばらつくと、論理回路の動作速度にばらつきが生
じるため、判断が落ち着くまで待つ必要が生じる。この
時間が長いと論理回路を構成する素子のスピードが向上
しても計算速度の向上に繋がらないといった問題が生じ
る。
て小さくなってきたのと同時に、デバイスの動作クロッ
クが上昇して高速化が進行したため、単に、電気的導通
が取れていれば良いとは言えず、ホールを通じて伝達さ
れる電気信号の速度が問題となるようになってきた。例
えば、ホール一個を通過する際の抵抗値は大きな物では
１０キロΩにも及び、隣接配線間容量も０．０１ピコフ
ァラッドオーダー以上と増加しているため、半導体デバ
イスが動作するクロックの立ち上がり速度に影響を持つ
ほどの大きな時定数を有するようになっている。この時
定数がばらつくと、論理回路の動作速度にばらつきが生
じるため、判断が落ち着くまで待つ必要が生じる。この
時間が長いと論理回路を構成する素子のスピードが向上
しても計算速度の向上に繋がらないといった問題が生じ
る。
【０００４】半導体デバイス全体のスピードを向上させ
る為には、ホールで生じるクロック立ち上がりの遅れ量
を一定の値以下に保って、余分に待つ時間を出来るだけ
短くする必要が生じている。これを実現する為には、エ
ッチングプロセスによって形成されるホール径が設計値
通りに作製されるように管理する必要がある。また、ホ
ールが大きく形成されすぎると、隣りの素子に接触する
ため、不要な導通が生じる。これをリークと呼び、不良
の１つである。従って、エッチングの良否を判断するに
は、基準に対して、ホール径がある範囲以内にあるか否
かを判断する必要がある。
る為には、ホールで生じるクロック立ち上がりの遅れ量
を一定の値以下に保って、余分に待つ時間を出来るだけ
短くする必要が生じている。これを実現する為には、エ
ッチングプロセスによって形成されるホール径が設計値
通りに作製されるように管理する必要がある。また、ホ
ールが大きく形成されすぎると、隣りの素子に接触する
ため、不要な導通が生じる。これをリークと呼び、不良
の１つである。従って、エッチングの良否を判断するに
は、基準に対して、ホール径がある範囲以内にあるか否
かを判断する必要がある。
【０００５】従来はその判断を行う為に、試料を破壊し
てホール底径を測定する手法が利用されてきた。第１の
従来方法としては、断面SEM観察がある。まず、正確に
ホール中心を通過する断面が得られるように、ガラス切
り、より精密にはFIB等を用いてウェハーを切断する。
次に切断面を試料台に平行においてSEM観察を行い、断
面のホール底の一番長い距離を画像上で測定する。ホー
ルの形状は完全な円では無いので、幾つかの距離を測定
してその平均を求めホール底径とする事が行われてい
る。絶対値を正確に測定する為には、標準長さと試料と
を同時に観察することにより、画像上の標準長さとホー
ル底画像の長さとを比較する事で正確な長さを求めるこ
とが行われている。
てホール底径を測定する手法が利用されてきた。第１の
従来方法としては、断面SEM観察がある。まず、正確に
ホール中心を通過する断面が得られるように、ガラス切
り、より精密にはFIB等を用いてウェハーを切断する。
次に切断面を試料台に平行においてSEM観察を行い、断
面のホール底の一番長い距離を画像上で測定する。ホー
ルの形状は完全な円では無いので、幾つかの距離を測定
してその平均を求めホール底径とする事が行われてい
る。絶対値を正確に測定する為には、標準長さと試料と
を同時に観察することにより、画像上の標準長さとホー
ル底画像の長さとを比較する事で正確な長さを求めるこ
とが行われている。
【０００６】第２の従来方法は、先ず、ホールを形成し
た酸化膜をエッチングあるいはCMP等によって除去す
る。酸化膜が除去された試料表面には、ホールエッチン
グの際に生じたホール底形状を反映した痕跡が生じてい
るのが認められる。そこで、そのエッチング痕跡をウェ
ハーが試料台に平行になるように配置して試料上部から
通常のSEM観察し、長さを求めることが行われている。
この方法は断面を切り出す第１の従来方法と比べて、断
面を切り出す精度に測定精度が依存しないので測定精度
が高い特徴がある。
た酸化膜をエッチングあるいはCMP等によって除去す
る。酸化膜が除去された試料表面には、ホールエッチン
グの際に生じたホール底形状を反映した痕跡が生じてい
るのが認められる。そこで、そのエッチング痕跡をウェ
ハーが試料台に平行になるように配置して試料上部から
通常のSEM観察し、長さを求めることが行われている。
この方法は断面を切り出す第１の従来方法と比べて、断
面を切り出す精度に測定精度が依存しないので測定精度
が高い特徴がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、いずれの従来
法も破壊試験であり、製品を直接測定する事が出来ない
という課題があった。また、SEM観察は手作業で行われ
るため、多大な時間が掛かり多数の試料を高速に処理で
きない課題があった。そのため、１枚のウェハーでの測
定点数も極めて小さくなり、かつ、測定値の信頼性が低
くなる課題があった。
法も破壊試験であり、製品を直接測定する事が出来ない
という課題があった。また、SEM観察は手作業で行われ
るため、多大な時間が掛かり多数の試料を高速に処理で
きない課題があった。そのため、１枚のウェハーでの測
定点数も極めて小さくなり、かつ、測定値の信頼性が低
くなる課題があった。
【０００８】このような課題を解決する手段として本願
出願人による先の出願に係る特開平10-281746号公報に
は、コンタクトホールを通過して基板に達した電子ビー
ムにより生じる電流を検出し、コンタクトホールの底部
の位置や寸法を検出することが開示されている。特開平
4-62857号公報には、電子ビームではなくイオンビームを
照射して二次電子像を観測することが開示され、イオン
ビームの照射に伴って発生する基板電流を測定すること
が記載されている。また、本願出願人による先の出願に
係る特開2000-174077（平成12年6月23日公開）には、多
数のコンタクトホールを短時間に検査するため、半導体
ウェハーを複数の領域に区分けし、それぞれの領域にお
ける正常なコンタクトホールの割合を検査することが記
載されている。特開2000-174077にはさらに、検査結果
の数値を半導体ウェハーの区分けされた領域に対応させ
て表示することが記載されている。
出願人による先の出願に係る特開平10-281746号公報に
は、コンタクトホールを通過して基板に達した電子ビー
ムにより生じる電流を検出し、コンタクトホールの底部
の位置や寸法を検出することが開示されている。特開平
4-62857号公報には、電子ビームではなくイオンビームを
照射して二次電子像を観測することが開示され、イオン
ビームの照射に伴って発生する基板電流を測定すること
が記載されている。また、本願出願人による先の出願に
係る特開2000-174077（平成12年6月23日公開）には、多
数のコンタクトホールを短時間に検査するため、半導体
ウェハーを複数の領域に区分けし、それぞれの領域にお
ける正常なコンタクトホールの割合を検査することが記
載されている。特開2000-174077にはさらに、検査結果
の数値を半導体ウェハーの区分けされた領域に対応させ
て表示することが記載されている。
【０００９】本発明は、電子ビームの照射により生じる
基板電流を検出する技術をさらに改善し、試料を破壊す
ることなく高速にデバイスを検査することのできるデバ
イス検査方法および装置を提供することを目的とする。
基板電流を検出する技術をさらに改善し、試料を破壊す
ることなく高速にデバイスを検査することのできるデバ
イス検査方法および装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、低エネルギー
電子ビームを照射する事によって試料に生じる電流量か
ら構造を含むデバイスの特性を測定する原理を用いて、
試料を破壊することなく、対象に応じて測定モードを設
定し高速に任意の領域の特性を測定することを特徴とす
る。
電子ビームを照射する事によって試料に生じる電流量か
ら構造を含むデバイスの特性を測定する原理を用いて、
試料を破壊することなく、対象に応じて測定モードを設
定し高速に任意の領域の特性を測定することを特徴とす
る。
【００１１】すなわち、本発明の第一の観点によると、
試料上の複数の測定位置に同一の形状となるように順次
電子ビームを照射する手段と、個々の測定位置に電子ビ
ームを照射したときに試料に生じる電流を測定する手段
と、測定された電流あるいはその電流から導かれる物理
所量を、単なる数値表示ではなく測定位置および測定領
域の関数として、二次元平面に表示する表示手段とを備
えたことを特徴とするデバイス検査装置が提供される。
前記測定する手段は、個々の測定位置に電子ビームが照
射された際に試料に生じる総電流量を測定することがよ
い。
試料上の複数の測定位置に同一の形状となるように順次
電子ビームを照射する手段と、個々の測定位置に電子ビ
ームを照射したときに試料に生じる電流を測定する手段
と、測定された電流あるいはその電流から導かれる物理
所量を、単なる数値表示ではなく測定位置および測定領
域の関数として、二次元平面に表示する表示手段とを備
えたことを特徴とするデバイス検査装置が提供される。
前記測定する手段は、個々の測定位置に電子ビームが照
射された際に試料に生じる総電流量を測定することがよ
い。
【００１２】本発明は、種々のデバイス検査に利用可能
であるが、特に、コンタクトホールの検査に利用するこ
とができる。その場合、前記照射する手段は、１または
複数のコンタクトホールが設けられた半導体ウェハーを
横断する任意の１軸に沿ってあらかじめ定められた間隔
の位置、特に一定周期の間隔の位置に電子ビームを照射
することがよい。
であるが、特に、コンタクトホールの検査に利用するこ
とができる。その場合、前記照射する手段は、１または
複数のコンタクトホールが設けられた半導体ウェハーを
横断する任意の１軸に沿ってあらかじめ定められた間隔
の位置、特に一定周期の間隔の位置に電子ビームを照射
することがよい。
【００１３】前記照射する手段として、ステッパー露光
装置を利用することができる。その場合には、ステッパ
ー露光の１回の露光範囲であるショット領域の決められ
た間隔の位置に電子ビームを照射することがよく、さら
には、１つのデバイスの領域を定めるスクライブ領域を
横断する任意の１軸に沿って、決められた間隔の位置に
電子ビームを照射することがよい。
装置を利用することができる。その場合には、ステッパ
ー露光の１回の露光範囲であるショット領域の決められ
た間隔の位置に電子ビームを照射することがよく、さら
には、１つのデバイスの領域を定めるスクライブ領域を
横断する任意の１軸に沿って、決められた間隔の位置に
電子ビームを照射することがよい。
【００１４】前記表示手段は、デバイス毎に定められた
良否判定アルゴリズムに従って各測定位置における電流
量を評価し、ウェハー形状を模した二次元平面上に不良
あるいは良品である位置に対応して特定のシンボルを表
示する手段を含むことがよい。デバイス毎に定められた
不良モードにしたがってそのモードに対応する特定のシ
ンボルを表示する手段を含むこともできる。
良否判定アルゴリズムに従って各測定位置における電流
量を評価し、ウェハー形状を模した二次元平面上に不良
あるいは良品である位置に対応して特定のシンボルを表
示する手段を含むことがよい。デバイス毎に定められた
不良モードにしたがってそのモードに対応する特定のシ
ンボルを表示する手段を含むこともできる。
【００１５】さらに、前記表示手段は、デバイス毎に定
められたホール径測定アルゴリズムに従って各測定位置
における電流量を評価し、ウェハー形状を模した二次元
平面上に測定位置に対応してホール径の値あるいはその
概略値を表示する手段を含むことができる。この場合、
ホール径の値の範囲を表すシンボルを表示してもよく、
ホール径の値を等高線表示してもよく、ホール径の値の
範囲を表す色を表示してもよく、測定された電流量の空
間周波数を計算し、二次元平面上に、空間周波数に対応
する測定電流の大きさを表示してもよい。また、ウェハ
ー毎のホール径の割合をホール径の関数として表示して
もよく、ステッパー露光におけるショット毎のホール径
の割合をホール径の関数として表示してもよく、ウェハ
ー上のチップ毎のホール径の割合をホール径の関数とし
て表示してもよく、ウェハー毎のホール径の最大値、最
小値、平均値、標準偏差、および標準値からのずれなど
の統計量を表示してもよい。
められたホール径測定アルゴリズムに従って各測定位置
における電流量を評価し、ウェハー形状を模した二次元
平面上に測定位置に対応してホール径の値あるいはその
概略値を表示する手段を含むことができる。この場合、
ホール径の値の範囲を表すシンボルを表示してもよく、
ホール径の値を等高線表示してもよく、ホール径の値の
範囲を表す色を表示してもよく、測定された電流量の空
間周波数を計算し、二次元平面上に、空間周波数に対応
する測定電流の大きさを表示してもよい。また、ウェハ
ー毎のホール径の割合をホール径の関数として表示して
もよく、ステッパー露光におけるショット毎のホール径
の割合をホール径の関数として表示してもよく、ウェハ
ー上のチップ毎のホール径の割合をホール径の関数とし
て表示してもよく、ウェハー毎のホール径の最大値、最
小値、平均値、標準偏差、および標準値からのずれなど
の統計量を表示してもよい。
【００１６】本発明は、表面にフォトレジストが設けら
れ、これをマスクとしてホールが形成された導電性材料
基板の検査にも利用できる。その場合には、フォトレジ
ストの露光時に一度に露光される範囲の各チップについ
て、その露光時に使用されるマスクのレイアウト情報か
ら設計上同じ大きさのホールを抽出して検査対象ホール
を指定する手段を備えることが望ましい。
れ、これをマスクとしてホールが形成された導電性材料
基板の検査にも利用できる。その場合には、フォトレジ
ストの露光時に一度に露光される範囲の各チップについ
て、その露光時に使用されるマスクのレイアウト情報か
ら設計上同じ大きさのホールを抽出して検査対象ホール
を指定する手段を備えることが望ましい。
【００１７】本発明は、深さの異なるホールが設けられ
た素子の検査にも利用できる。その場合には、それらの
ホールを設計データに基づいて深さ毎にグループ分け
し、それぞれのグループ毎に電子ビームが照射されるよ
うに前記照射する手段を制御する手段を備えることが望
ましい。この場合、前記表示手段は、各ホールの深さに
対応する設計図面と、表面をあらわす二次電子像とを同
時に表示する手段を含むことが望ましい。
た素子の検査にも利用できる。その場合には、それらの
ホールを設計データに基づいて深さ毎にグループ分け
し、それぞれのグループ毎に電子ビームが照射されるよ
うに前記照射する手段を制御する手段を備えることが望
ましい。この場合、前記表示手段は、各ホールの深さに
対応する設計図面と、表面をあらわす二次電子像とを同
時に表示する手段を含むことが望ましい。
【００１８】個々の測定位置をひとつずつ測定するので
はなく、複数の測定位置を一括して測定することもでき
る。すなわち、前記試料上の複数の測定位置を複数の領
域に区分してその区分された領域毎に電子ビームが照射
されるように前記照射する手段を制御する手段を備え、
前記表示手段は、前記領域毎に測定された電流量をその
領域内に含まれる複数の測定位置で得られる平均電流量
として表示する平均値表示手段を含むことができる。
はなく、複数の測定位置を一括して測定することもでき
る。すなわち、前記試料上の複数の測定位置を複数の領
域に区分してその区分された領域毎に電子ビームが照射
されるように前記照射する手段を制御する手段を備え、
前記表示手段は、前記領域毎に測定された電流量をその
領域内に含まれる複数の測定位置で得られる平均電流量
として表示する平均値表示手段を含むことができる。
【００１９】さらに、前記照射する手段は、前記試料上
の複数の測定位置を複数の領域に区分してその区分され
た領域毎に電子ビームを照射する第一のモードと、個々
の測定位置に電子ビームを照射する第二のモードとを切
り替え可能であり、前記照射する手段を前記第一のモー
ドに設定して前記測定する手段により測定された電流量
をその大きさにより分類し、あらかじめ定められた基準
にしたがっていくつかの領域を選択して、その領域に対
して前記照射する手段を前記第二のモードに設定して測
定を繰り返す制御手段を備えることができる。
の複数の測定位置を複数の領域に区分してその区分され
た領域毎に電子ビームを照射する第一のモードと、個々
の測定位置に電子ビームを照射する第二のモードとを切
り替え可能であり、前記照射する手段を前記第一のモー
ドに設定して前記測定する手段により測定された電流量
をその大きさにより分類し、あらかじめ定められた基準
にしたがっていくつかの領域を選択して、その領域に対
して前記照射する手段を前記第二のモードに設定して測
定を繰り返す制御手段を備えることができる。
【００２０】検査しようとする項目に適した測定位置パ
ターンが登録された記憶手段と、操作者が選択した検査
項目に応じて前記記憶手段から対応する測定位置パター
ンを読み出し、測定対象の大きさに合わせてその測定位
置パターンを展開して、実際に検査が行われる座標に変
換する手段と、この変換する手段により得られた実座標
に基づいて、指定された測定位置および順序で電子ビー
ムが照射されるように前記照射する手段を制御する手段
とを備えることもできる。
ターンが登録された記憶手段と、操作者が選択した検査
項目に応じて前記記憶手段から対応する測定位置パター
ンを読み出し、測定対象の大きさに合わせてその測定位
置パターンを展開して、実際に検査が行われる座標に変
換する手段と、この変換する手段により得られた実座標
に基づいて、指定された測定位置および順序で電子ビー
ムが照射されるように前記照射する手段を制御する手段
とを備えることもできる。
【００２１】本発明は、量産のためのプロセス条件を決
定するために利用することもできる。そのためには、前
記試料として、互いに異なるプロセス条件で形成され、
検査対象物が異なる密度で形成された複数の領域を含む
複数の試作試料が用いられ、前記複数の領域にそれぞれ
電子ビームを照射したときに前記測定する手段により測
定された電流量をプロセス条件間で比較する手段と、そ
の試作試料に対して行われたプロセス条件をパラメータ
とし、前記比較する手段の比較結果を記憶する手段と、
この記憶する手段に記憶された複数の試作試料に関する
比較結果から最適なプロセス条件を選択する手段とを備
えることが望ましい。
定するために利用することもできる。そのためには、前
記試料として、互いに異なるプロセス条件で形成され、
検査対象物が異なる密度で形成された複数の領域を含む
複数の試作試料が用いられ、前記複数の領域にそれぞれ
電子ビームを照射したときに前記測定する手段により測
定された電流量をプロセス条件間で比較する手段と、そ
の試作試料に対して行われたプロセス条件をパラメータ
とし、前記比較する手段の比較結果を記憶する手段と、
この記憶する手段に記憶された複数の試作試料に関する
比較結果から最適なプロセス条件を選択する手段とを備
えることが望ましい。
【００２２】この場合、前記複数の領域には、検査対象
物が密に形成された第一領域と検査対象物が孤立して形
成された第二領域とを含むことができる。前記検査対象
物がホールの場合には、前記比較する手段は、前記第一
領域内の１個のホールに流れた電流量と前記第二領域内
の１個の孤立ホールに流れた電流量とを比較する手段を
含むことが望ましい。前記第一の領域内の複数のホール
に流れた電流量をその個数で規格化した１個当たりの電
流量と前記第二領域内の１個の孤立ホールに流れた電流
量とを比較する手段を含むこともできる。
物が密に形成された第一領域と検査対象物が孤立して形
成された第二領域とを含むことができる。前記検査対象
物がホールの場合には、前記比較する手段は、前記第一
領域内の１個のホールに流れた電流量と前記第二領域内
の１個の孤立ホールに流れた電流量とを比較する手段を
含むことが望ましい。前記第一の領域内の複数のホール
に流れた電流量をその個数で規格化した１個当たりの電
流量と前記第二領域内の１個の孤立ホールに流れた電流
量とを比較する手段を含むこともできる。
【００２３】配線パターンについても同様の検査を行う
ことができる。また、前記複数の領域として、検査対象
物が比較的高密度に形成された第一領域と比較的低密度
に形成された第二領域と孤立して形成された第三領域と
を含むこともできる。
ことができる。また、前記複数の領域として、検査対象
物が比較的高密度に形成された第一領域と比較的低密度
に形成された第二領域と孤立して形成された第三領域と
を含むこともできる。
【００２４】本発明は、量産時のプロセス検査に利用す
ることもできる。そのためには、前記試料上で検査対象
物が異なる密度で形成された複数の領域を特定する手段
と、この複数の領域にそれぞれ電子ビームを照射したと
きに前記測定する手段により測定された電流量を比較す
る手段と、この比較する手段の比較結果があらかじめ定
められた条件を満たさなくなったときにはその試料に対
して行われた製造工程に異常があるものとして警報を発
生する手段とを備えることが望ましい。
ることもできる。そのためには、前記試料上で検査対象
物が異なる密度で形成された複数の領域を特定する手段
と、この複数の領域にそれぞれ電子ビームを照射したと
きに前記測定する手段により測定された電流量を比較す
る手段と、この比較する手段の比較結果があらかじめ定
められた条件を満たさなくなったときにはその試料に対
して行われた製造工程に異常があるものとして警報を発
生する手段とを備えることが望ましい。
【００２５】本発明は、専用の装置により実施できるだ
けでなく、例えば電子ビーム露光装置などの電子ビーム
を特定領域に照射することのできる装置を流用し、さら
に汎用の情報処理装置を用いてデータ処理を行うことで
も同様に実施できる。
けでなく、例えば電子ビーム露光装置などの電子ビーム
を特定領域に照射することのできる装置を流用し、さら
に汎用の情報処理装置を用いてデータ処理を行うことで
も同様に実施できる。
【００２６】すなわち本発明の第二の観点によると、試
料上の複数の測定位置に同一の形状となるように順次電
子ビームを照射してそのときに前記試料に生じる電流を
測定し、各測定位置とその測定位置で測定された電流量
とを記憶する第一のステップと、この第一のステップで
記憶された電流量および測定位置を読み出し、電流量あ
るいはその電流量から導かれる物理所量を測定位置の関
数として二次元平面に表示する第二のステップとを含む
ことを特徴とするデバイス検査方法が提供される。
料上の複数の測定位置に同一の形状となるように順次電
子ビームを照射してそのときに前記試料に生じる電流を
測定し、各測定位置とその測定位置で測定された電流量
とを記憶する第一のステップと、この第一のステップで
記憶された電流量および測定位置を読み出し、電流量あ
るいはその電流量から導かれる物理所量を測定位置の関
数として二次元平面に表示する第二のステップとを含む
ことを特徴とするデバイス検査方法が提供される。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示すブ
ロック構成図であり、電子ビーム露光装置を用いた構成
例を示す。電子ビーム露光装置１には露光制御およびデ
ータ収集を行う制御装置２が接続され、この制御装置２
には記憶装置3が接続される。制御装置２にはまた、必
要に応じて、または常に、データ処理装置4が接続され
る。データ処理装置４には、表示装置５およびプリンタ
６が接続される。
ロック構成図であり、電子ビーム露光装置を用いた構成
例を示す。電子ビーム露光装置１には露光制御およびデ
ータ収集を行う制御装置２が接続され、この制御装置２
には記憶装置3が接続される。制御装置２にはまた、必
要に応じて、または常に、データ処理装置4が接続され
る。データ処理装置４には、表示装置５およびプリンタ
６が接続される。
【００２８】電子ビーム露光装置1は、回路パターンの
露光の他に、デバイス検査のために、試料上の複数の測
定位置に同一の形状となるように順次電子ビームを照射
することができる。制御装置２は、電子ビーム露光装置
１の動作を制御し、デバイス検査時には、個々の測定位
置に電子ビームを照射したときに試料に生じる電流を測
定して、各測定位置とその測定位置で測定された電流量
とを記憶装置３に蓄える。データ処理装置４は、制御装
置２を介して記憶装置３から電流量および測定位置を読
み出し、電流量あるいはその電流量から導かれる物理所
量を測定位置の関数として表示装置5に二次元表示し、
必要な場合にはプリンタ６に出力する。
露光の他に、デバイス検査のために、試料上の複数の測
定位置に同一の形状となるように順次電子ビームを照射
することができる。制御装置２は、電子ビーム露光装置
１の動作を制御し、デバイス検査時には、個々の測定位
置に電子ビームを照射したときに試料に生じる電流を測
定して、各測定位置とその測定位置で測定された電流量
とを記憶装置３に蓄える。データ処理装置４は、制御装
置２を介して記憶装置３から電流量および測定位置を読
み出し、電流量あるいはその電流量から導かれる物理所
量を測定位置の関数として表示装置5に二次元表示し、
必要な場合にはプリンタ６に出力する。
【００２９】記憶装置３には、測定データをそのまま蓄
えてもよいが、積和、平均等の演算処理を行ってから蓄
えてもよい。また、制御装置２とデータ処理装置４とを
１台の装置で実施することもできる。さらに、記憶装置
３を電子ビーム露光装置１用に独立に設けるのではな
く、電子ビーム露光装置１が配置された製造ラインの各
データを集中して蓄える記憶装置を利用することもでき
る。
えてもよいが、積和、平均等の演算処理を行ってから蓄
えてもよい。また、制御装置２とデータ処理装置４とを
１台の装置で実施することもできる。さらに、記憶装置
３を電子ビーム露光装置１用に独立に設けるのではな
く、電子ビーム露光装置１が配置された製造ラインの各
データを集中して蓄える記憶装置を利用することもでき
る。
【００３０】図２は電子ビーム露光装置1の構成を簡略
に示す図である。この電子ビーム露光装置1は、電子ビ
ームを照射する電子銃１１、放出された電子ビームを平
行ビームに変換するコンデンサレンズ１２、平行ビーム
を細い電子ビームに変換するアパーチャー１３、試料１
４を支えるステージ１５、試料から電流を取り出すため
の電極１６、電極１６で取り出された電流を測定する電
流計１７、および試料１４と照射電子ビームとの位置関
係を測定するための移動距離測定装置１８を備える。電
流計１７としてバイアス電源が内蔵されたものを用いる
場合には、そのバイアス電源から試料１４にバイアス電
圧を加えることもできる。
に示す図である。この電子ビーム露光装置1は、電子ビ
ームを照射する電子銃１１、放出された電子ビームを平
行ビームに変換するコンデンサレンズ１２、平行ビーム
を細い電子ビームに変換するアパーチャー１３、試料１
４を支えるステージ１５、試料から電流を取り出すため
の電極１６、電極１６で取り出された電流を測定する電
流計１７、および試料１４と照射電子ビームとの位置関
係を測定するための移動距離測定装置１８を備える。電
流計１７としてバイアス電源が内蔵されたものを用いる
場合には、そのバイアス電源から試料１４にバイアス電
圧を加えることもできる。
【００３１】電子銃１１から放出された一定電流の電子
ビームはコンデンサレンズ１２によって一旦平行ビーム
に変換された後、照射されるビームサイズを決定するア
パーチャー１３を通過して所望の形状あるいはサイズの
平行電子ビームへと変換される。アパーチャー１３を通
過した電子ビームは、試料１４に垂直に照射される。照
射された電子ビームは、試料１４の表面で、その試料１
４の表面状態に応じた二次電子を発生する。検査される
試料１４自身は導体であるので、試料１４の内部に電界
が残存することは許されない。そのため、試料１４内部
の電位勾配を零にするように飛び出した二次電子を補う
ように、あるいは直接試料に流入した電子量に対応し
て、試料１４に電流が流れる。それを試料１４に接触し
て配置された電極１６にて集める事によって電流を測定
する。試料１４に照射される電子ビームは、加速電圧が
数百から数キロボルト、電流量は、ピコアンペアーから
ナノアンペアーのオーダーが用いられる。移動距離測定
装置１８としてはレーザ干渉などを用いた精密測定手段
が用いられ、試料移動距離をオングストロームの単位で
正確に測定できる。測定された位置および電流は、ウェ
ハーの識別子とともに、記憶装置３（図１参照）へ蓄積
される。
ビームはコンデンサレンズ１２によって一旦平行ビーム
に変換された後、照射されるビームサイズを決定するア
パーチャー１３を通過して所望の形状あるいはサイズの
平行電子ビームへと変換される。アパーチャー１３を通
過した電子ビームは、試料１４に垂直に照射される。照
射された電子ビームは、試料１４の表面で、その試料１
４の表面状態に応じた二次電子を発生する。検査される
試料１４自身は導体であるので、試料１４の内部に電界
が残存することは許されない。そのため、試料１４内部
の電位勾配を零にするように飛び出した二次電子を補う
ように、あるいは直接試料に流入した電子量に対応し
て、試料１４に電流が流れる。それを試料１４に接触し
て配置された電極１６にて集める事によって電流を測定
する。試料１４に照射される電子ビームは、加速電圧が
数百から数キロボルト、電流量は、ピコアンペアーから
ナノアンペアーのオーダーが用いられる。移動距離測定
装置１８としてはレーザ干渉などを用いた精密測定手段
が用いられ、試料移動距離をオングストロームの単位で
正確に測定できる。測定された位置および電流は、ウェ
ハーの識別子とともに、記憶装置３（図１参照）へ蓄積
される。
【００３２】測定個所への電子ビームの移動は、試料１
４を移動することで行ってもよく、電子ビームを走査す
ることで行ってもよく、あるいは両者を同時に行っても
よい。試料１４の移動は、ステージ１５を移動させるこ
とによって行ってもよく、ステージ１５とは独立に行っ
てもよい。
４を移動することで行ってもよく、電子ビームを走査す
ることで行ってもよく、あるいは両者を同時に行っても
よい。試料１４の移動は、ステージ１５を移動させるこ
とによって行ってもよく、ステージ１５とは独立に行っ
てもよい。
【００３３】アパーチャー１３は必ずしも必須構成では
ないが、アパーチャー１３を用いることで照射領域の形
状を任意の形状にすることができる。
ないが、アパーチャー１３を用いることで照射領域の形
状を任意の形状にすることができる。
【００３４】図３は、ある特定のデバイスで観測される
電流量とホールの形成状態の関係の例を示した表であ
る。ここで「良品」のホールとは、底に絶縁物が無く
て、ホール底径がある決められた最低ホール底径から最
大ホール底径までの範囲に収まるホールとして定義され
る。図３に示したように、電流が全く流れない領域は完
全不良、電流が少し流れる領域は部分的に開口部を含む
不良品、電流が規定量流れる範囲は良品、それ以上に流
れる場合は大きな穴が空きすぎている不良品に対応す
る。したがって、測定されている試料が図３に示した良
品範囲の電流量を示すか否かを判定することで、検査試
料の良否を求める事が出来る。
電流量とホールの形成状態の関係の例を示した表であ
る。ここで「良品」のホールとは、底に絶縁物が無く
て、ホール底径がある決められた最低ホール底径から最
大ホール底径までの範囲に収まるホールとして定義され
る。図３に示したように、電流が全く流れない領域は完
全不良、電流が少し流れる領域は部分的に開口部を含む
不良品、電流が規定量流れる範囲は良品、それ以上に流
れる場合は大きな穴が空きすぎている不良品に対応す
る。したがって、測定されている試料が図３に示した良
品範囲の電流量を示すか否かを判定することで、検査試
料の良否を求める事が出来る。
【００３５】図４ないし図６は試料に照射される電子ビ
ームの形状の例を示す。
ームの形状の例を示す。
【００３６】基本的には、図４に示すように、１つのホ
ールが完全に含まれるように電子ビームを照射する。電
子ビーム照射は時間的に１度に太いビームを用いて行わ
れてもよいし、細いビームの時間平均として測定領域が
覆われるように行われてもよい。
ールが完全に含まれるように電子ビームを照射する。電
子ビーム照射は時間的に１度に太いビームを用いて行わ
れてもよいし、細いビームの時間平均として測定領域が
覆われるように行われてもよい。
【００３７】図５は複数のホールを同時に測定する場合
を示す。エッチング反応の分布は、ごみのような局所的
な物を除けば、一般的にマクロ的な変動をする。そのた
め、１個１個のホールの径を測定しても、複数のホール
の平均値を測定しても、両方とも有意義な測定結果が得
られる。そのため、１０個あるいは１００個以上のホー
ルを同時測定して分布を測定することができる。１つの
測定領域に含まれるホールは、メモリーのように整列し
ていても、ランダムであっても構わない。但し、エッチ
ング分布を測定するためには、同じパターンあるいは同
じ個数のホールを含む領域であることが必要である。
を示す。エッチング反応の分布は、ごみのような局所的
な物を除けば、一般的にマクロ的な変動をする。そのた
め、１個１個のホールの径を測定しても、複数のホール
の平均値を測定しても、両方とも有意義な測定結果が得
られる。そのため、１０個あるいは１００個以上のホー
ルを同時測定して分布を測定することができる。１つの
測定領域に含まれるホールは、メモリーのように整列し
ていても、ランダムであっても構わない。但し、エッチ
ング分布を測定するためには、同じパターンあるいは同
じ個数のホールを含む領域であることが必要である。
【００３８】照射する電子ビームの形状は、電子ビーム
形状を決定するアパーチャー形状を目的とする被計測対
象の形状に変更する事によって達成される。例えば、図
６に示すように、複数の離れた場所にあるホールを同時
計測可能なようにすることも実現できる。特にロジック
デバイスでは、同一レイヤーに存在するホールであって
も、ホールの底の拡散種が異なったり、材料が異なった
り、基板にアースされていたり、そうでなかったり、繋
がっている状況が異なる場合がある。このような場合
は、正常の場合に同じ電流量を示す物をグループ分け
し、その領域に電子ビームを一括、あるいは時間的に走
査して照射する。
形状を決定するアパーチャー形状を目的とする被計測対
象の形状に変更する事によって達成される。例えば、図
６に示すように、複数の離れた場所にあるホールを同時
計測可能なようにすることも実現できる。特にロジック
デバイスでは、同一レイヤーに存在するホールであって
も、ホールの底の拡散種が異なったり、材料が異なった
り、基板にアースされていたり、そうでなかったり、繋
がっている状況が異なる場合がある。このような場合
は、正常の場合に同じ電流量を示す物をグループ分け
し、その領域に電子ビームを一括、あるいは時間的に走
査して照射する。
【００３９】図７はエッチングの分布を調べるための測
定点の取り方の例を示す。エッチングプロセス開発のた
めには、ウェハー全体としての分布、ステッパー等露光
機の特性の影響を見る為にショットレベルの分布、ある
いは、チップ内の分布、任意領域による分布を知る必要
がある。
定点の取り方の例を示す。エッチングプロセス開発のた
めには、ウェハー全体としての分布、ステッパー等露光
機の特性の影響を見る為にショットレベルの分布、ある
いは、チップ内の分布、任意領域による分布を知る必要
がある。
【００４０】図８はウェハー面内の分布の測定例であ
り、（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの
測定点における電流量のグラフを示す。エッチングは試
料面内で同心円上に分布を生じることが多い。一方、半
導体集積回路装置の場合は、ウェハー上に半導体集積回
路装置が一定間隔で同一の機能を持つ半導体集積回路装
置が配置されているものがほとんどである。このような
場合、図８（ａ）のように、試料中心を通過するような
直線Ｘ−Ｘ’に沿って測定点を配置する。それぞれの測
定点は同じ性質をもつホールで形成されている事が必要
なので、異なるチップの中での各チップに対する相対座
標が同じであるホールパターンを測定点として選択使用
するのが望ましい。図８（b)のグラフは、同じパターン
を有するチップが等間隔に配置されているウェハーにお
いて、それぞれのチップの中心を原点とした相対座標が
等しい特定領域を測定した際に得られる電流量を測定さ
れた位置を横軸として表示している。
り、（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの
測定点における電流量のグラフを示す。エッチングは試
料面内で同心円上に分布を生じることが多い。一方、半
導体集積回路装置の場合は、ウェハー上に半導体集積回
路装置が一定間隔で同一の機能を持つ半導体集積回路装
置が配置されているものがほとんどである。このような
場合、図８（ａ）のように、試料中心を通過するような
直線Ｘ−Ｘ’に沿って測定点を配置する。それぞれの測
定点は同じ性質をもつホールで形成されている事が必要
なので、異なるチップの中での各チップに対する相対座
標が同じであるホールパターンを測定点として選択使用
するのが望ましい。図８（b)のグラフは、同じパターン
を有するチップが等間隔に配置されているウェハーにお
いて、それぞれのチップの中心を原点とした相対座標が
等しい特定領域を測定した際に得られる電流量を測定さ
れた位置を横軸として表示している。
【００４１】ある電子ビーム照射条件下で観測される電
流は、ホールの底面積に比例する性質がある。そのた
め、大きな穴が空いている領域では多くの電流が流れ、
小さな穴が空いているあるいは空いてないホールを含む
領域では少ない電流量が観測される。図８（ｂ）のグク
ラフは右半分には不良が多く、左半分は良品が存在する
試料を検査した結果である。図８（ｂ）のグラフから明
らかなように、試料の右半分は観測される電流量が小さ
く不良が多く存在することに対応し、左半分では、電流
が多くしかも一定値を示す傾向があり、左側に良品が存
在する事に対応していることが分かる。
流は、ホールの底面積に比例する性質がある。そのた
め、大きな穴が空いている領域では多くの電流が流れ、
小さな穴が空いているあるいは空いてないホールを含む
領域では少ない電流量が観測される。図８（ｂ）のグク
ラフは右半分には不良が多く、左半分は良品が存在する
試料を検査した結果である。図８（ｂ）のグラフから明
らかなように、試料の右半分は観測される電流量が小さ
く不良が多く存在することに対応し、左半分では、電流
が多くしかも一定値を示す傾向があり、左側に良品が存
在する事に対応していることが分かる。
【００４２】ウェハーによっては直線Ｘ−Ｘ’に沿って
コンタクトホールが配置されていない場合もある。その
場合には、コンタクトホール底を電子ビームが通過する
ように測定点を配置してもよい。
コンタクトホールが配置されていない場合もある。その
場合には、コンタクトホール底を電子ビームが通過する
ように測定点を配置してもよい。
【００４３】図９はステッパーショット内の分布の測定
例であり、（ａ）はウェハー上の各ショット内に配置さ
れた測定点、（ｂ）はそれぞれの測定点における電流量
のグラフを示す。ステッパーの１ショットは小さなチッ
プから成る場合には何百のチップを含む領域であり、シ
ステムLSIのように１辺が１ｃｍを超えるような大きな
チップでは１個が１ショットである場合がある。図９の
例では、４つのチップが１ショットを構成している。ス
テッパーは露光装置であるが、特有の位置ずれあるいは
転写画像の歪みを持っている。そのずれあるいは歪みは
１ショット内のエッチング分布を反映する。そこで、１
ショット内でのエッチング分布をとると、エッチングの
分布がステッパー起因であるか否かを判断できる。つま
り、ショット毎の分布の相関をとって、ショット間に相
関があれば、ショットの原因であると推定できる。１シ
ョットの場合１つのチップの中の同じ構造を持つ領域を
選択して測定点とする。デバイスには必ず繰り返し部分
が存在するので、そのような領域を用いるとよい。全く
繰り返しが無い場合には、同じ径を持つように設計され
た１つのホールを検査対象とする。
例であり、（ａ）はウェハー上の各ショット内に配置さ
れた測定点、（ｂ）はそれぞれの測定点における電流量
のグラフを示す。ステッパーの１ショットは小さなチッ
プから成る場合には何百のチップを含む領域であり、シ
ステムLSIのように１辺が１ｃｍを超えるような大きな
チップでは１個が１ショットである場合がある。図９の
例では、４つのチップが１ショットを構成している。ス
テッパーは露光装置であるが、特有の位置ずれあるいは
転写画像の歪みを持っている。そのずれあるいは歪みは
１ショット内のエッチング分布を反映する。そこで、１
ショット内でのエッチング分布をとると、エッチングの
分布がステッパー起因であるか否かを判断できる。つま
り、ショット毎の分布の相関をとって、ショット間に相
関があれば、ショットの原因であると推定できる。１シ
ョットの場合１つのチップの中の同じ構造を持つ領域を
選択して測定点とする。デバイスには必ず繰り返し部分
が存在するので、そのような領域を用いるとよい。全く
繰り返しが無い場合には、同じ径を持つように設計され
た１つのホールを検査対象とする。
【００４４】図９（ｂ）に示したグラフはＸ−Ｘ’に沿
った測定領域の示す電流量を測定位置の関数として表示
している。他のＹ座標の測定点も同様に測定して３次元
マップとして表示すればショット内の面分布が一目で分
かる。
った測定領域の示す電流量を測定位置の関数として表示
している。他のＹ座標の測定点も同様に測定して３次元
マップとして表示すればショット内の面分布が一目で分
かる。
【００４５】図１０はチップ内の分布の測定例であり、
（ａ）はウェハー上の各ショット内に配置された測定
点、（ｂ）はそれぞれの測定点における電流量のグラフ
を示す。DRAMなど繰り返し構造の多いデバイスでは、ホ
ールがチップのどこの場所でも同じように存在するの
で、殆ど任意の場所の分布を測定できる。測定点の取り
方としては、図１０（ａ）に示すように、等間隔に取
る。ロジックデバイスのようにランダムにホールが存在
する場合には必ずしもホール位置が等間隔とはならない
ので、その時は、ホールの位置に合わせて電子ビーム照
射位置を調節する。
（ａ）はウェハー上の各ショット内に配置された測定
点、（ｂ）はそれぞれの測定点における電流量のグラフ
を示す。DRAMなど繰り返し構造の多いデバイスでは、ホ
ールがチップのどこの場所でも同じように存在するの
で、殆ど任意の場所の分布を測定できる。測定点の取り
方としては、図１０（ａ）に示すように、等間隔に取
る。ロジックデバイスのようにランダムにホールが存在
する場合には必ずしもホール位置が等間隔とはならない
ので、その時は、ホールの位置に合わせて電子ビーム照
射位置を調節する。
【００４６】図１１は、得られた電流の大小から不良で
あると判断された測定点の位置をウェハーマップ上に表
示した例を示す。この場合には、図８を参照して説明し
た各チップに１つの測定点を有する場合と比較して、多
くの測定点をとる。
あると判断された測定点の位置をウェハーマップ上に表
示した例を示す。この場合には、図８を参照して説明し
た各チップに１つの測定点を有する場合と比較して、多
くの測定点をとる。
【００４７】測定点の選択方法については、これらの例
に限定されるものではなく、目的に応じた測定点を任意
に選択することが可能である。また、表示方法について
も、測定点全てを表示装置上に表示するのではなく、良
品のみ、あるいは不良品のみを表示することも可能であ
る。表示方法のいくつかの例を以下に示す。
に限定されるものではなく、目的に応じた測定点を任意
に選択することが可能である。また、表示方法について
も、測定点全てを表示装置上に表示するのではなく、良
品のみ、あるいは不良品のみを表示することも可能であ
る。表示方法のいくつかの例を以下に示す。
【００４８】図１２は、不良モード表示、すなわち不良
モードを分類表示する表示フォーマットの一例を示す。
不良のモードとしては、例えば、穴が空いていない未開
口モード、開口底に異物が残っているモード、底までエ
ッチングが達しているが底径が不足なモード、径が許容
値範囲である事を示すモード、ホール底が大きくなりす
ぎているモードなどがある。これらのモードを一定のア
ルゴリズムで区別して検出表示する。これらの基準は、
製品毎に異なっているので、製品毎に基準値を決定し
て、各モードに分類し表示する。分類の方法は単に電流
量の大小を用いる場合やレイアウト情報、デバイスの他
の特性との相関によって求める場合もある。不良モード
を代表するシンボルと不良の内容とを明確にするため、
対応表１２１を同時表示することが望ましい。
モードを分類表示する表示フォーマットの一例を示す。
不良のモードとしては、例えば、穴が空いていない未開
口モード、開口底に異物が残っているモード、底までエ
ッチングが達しているが底径が不足なモード、径が許容
値範囲である事を示すモード、ホール底が大きくなりす
ぎているモードなどがある。これらのモードを一定のア
ルゴリズムで区別して検出表示する。これらの基準は、
製品毎に異なっているので、製品毎に基準値を決定し
て、各モードに分類し表示する。分類の方法は単に電流
量の大小を用いる場合やレイアウト情報、デバイスの他
の特性との相関によって求める場合もある。不良モード
を代表するシンボルと不良の内容とを明確にするため、
対応表１２１を同時表示することが望ましい。
【００４９】図１３は不良モード表示の別の例を示す。
この例では、測定されたホールのうち、ホールの底が抜
けているホールについて、そのホール直径の値を直接表
示する。
この例では、測定されたホールのうち、ホールの底が抜
けているホールについて、そのホール直径の値を直接表
示する。
【００５０】図１４は不良モード表示の別の例を示す。
この例では、直径の範囲毎に、異なったシンボルを用い
て測定された場所に表示する例を示している。この様な
表示は測定点が多くなった場合に有効である。直径を代
表するシンボルと直径を対応表示する対応表１４１を同
時表示する。
この例では、直径の範囲毎に、異なったシンボルを用い
て測定された場所に表示する例を示している。この様な
表示は測定点が多くなった場合に有効である。直径を代
表するシンボルと直径を対応表示する対応表１４１を同
時表示する。
【００５１】図１５はホール径を等高線として表示する
例を示す。本来、本発明の検査ではエッチング装置の加
工分布を見るのが目的であるので、等高線としてホール
径を表示する。この様な表示を行うと、加工分布が幾何
学的に観察可能であり、不良の原因が追跡しやすい。こ
の際に、等高線の間の色を変えて表示すると分布状態を
把握しやすくなる。
例を示す。本来、本発明の検査ではエッチング装置の加
工分布を見るのが目的であるので、等高線としてホール
径を表示する。この様な表示を行うと、加工分布が幾何
学的に観察可能であり、不良の原因が追跡しやすい。こ
の際に、等高線の間の色を変えて表示すると分布状態を
把握しやすくなる。
【００５２】図１６はホール径をホール径の範囲毎に別
の色を用いて表示する例を示す。色分けは測定点に対し
て行っても良いし、図１５の等高線の値を示す為に色ま
たはグレースケールを用いてもよい。色分けを行う場合
には、直径を代表する色と直径を対応表示する対応表１
６１を同時表示する。
の色を用いて表示する例を示す。色分けは測定点に対し
て行っても良いし、図１５の等高線の値を示す為に色ま
たはグレースケールを用いてもよい。色分けを行う場合
には、直径を代表する色と直径を対応表示する対応表１
６１を同時表示する。
【００５３】図１７は、電子ビーム照射時に基板に流れ
る電流量、あるいは、ホール径の空間周波数分析を行っ
て表示するフォーマット例を示す。この表示は測定点の
多いときに、不良分布の癖を知る上で重要な分析ができ
る。特に、エッチングの不良分布は装置内に生じるプラ
ズマの非対称性によると考えられるので、その空間的分
布を周波数として調べると特徴が抽出可能である。特
に、プラズマのエネルギーを変化させたときには、プラ
ズマ分布が異なるが、それらの変化を追跡するのに役立
つ。
る電流量、あるいは、ホール径の空間周波数分析を行っ
て表示するフォーマット例を示す。この表示は測定点の
多いときに、不良分布の癖を知る上で重要な分析ができ
る。特に、エッチングの不良分布は装置内に生じるプラ
ズマの非対称性によると考えられるので、その空間的分
布を周波数として調べると特徴が抽出可能である。特
に、プラズマのエネルギーを変化させたときには、プラ
ズマ分布が異なるが、それらの変化を追跡するのに役立
つ。
【００５４】図１８はウェハー毎に測定されたホール径
の割合を示した頻度グラフの一例を示す。この頻度グラ
フより、良品範囲に入っているホールの割合、不良品の
割合などを目視することができる。
の割合を示した頻度グラフの一例を示す。この頻度グラ
フより、良品範囲に入っているホールの割合、不良品の
割合などを目視することができる。
【００５５】図１９はショット毎に測定されたホール径
の割合を示した頻度グラフの一例を示す。この頻度グラ
フより、良品範囲に入っているホールの割合、不良品の
割合などを目視することができる。
の割合を示した頻度グラフの一例を示す。この頻度グラ
フより、良品範囲に入っているホールの割合、不良品の
割合などを目視することができる。
【００５６】図２０はチップ毎など任意に指定された領
域にて測定されたホール径の割合を示した頻度グラフの
一例を示す。この頻度グラフより、良品範囲に入ってい
るホールの割合、不良品の割合などを目視することがで
きる。
域にて測定されたホール径の割合を示した頻度グラフの
一例を示す。この頻度グラフより、良品範囲に入ってい
るホールの割合、不良品の割合などを目視することがで
きる。
【００５７】図２１、２２、２３は代表的な統計値を表
として表示する例を示す。ここでは最大値、最小値、平
均値および３σを示すが、その他に、標準ウェハーの示
す面内分布からのはずれ量を例えば最小二乗法で求めた
値や、特定の指標からのずれ量を表示することも可能で
ある。
として表示する例を示す。ここでは最大値、最小値、平
均値および３σを示すが、その他に、標準ウェハーの示
す面内分布からのはずれ量を例えば最小二乗法で求めた
値や、特定の指標からのずれ量を表示することも可能で
ある。
【００５８】記憶されたデータを統計処理して表示する
には、同一装置で、コンタクトホールを形成したウェハ
ーを多数測定してその測定データを蓄える。この場合の
統計処理方法としては、 １．対応する場所毎の良品の発生率を求めて、等高線表
示を行う。 ２．半導体の製造ラインに数十枚のウェハーを一組とし
て投入し、その一組のウェハーを通常は連続的処理す
る。この一組のウェハーのうち最初に処理したウェハー
と最後に処理したウェハーについて、電流量の変化の割
合を等高線表示するか、あるいは、記憶装置内に前工程
のデータを持っている場合は、前工程の装置の機器毎に
コンタクトホールの形成の状態を統計処理する。
には、同一装置で、コンタクトホールを形成したウェハ
ーを多数測定してその測定データを蓄える。この場合の
統計処理方法としては、 １．対応する場所毎の良品の発生率を求めて、等高線表
示を行う。 ２．半導体の製造ラインに数十枚のウェハーを一組とし
て投入し、その一組のウェハーを通常は連続的処理す
る。この一組のウェハーのうち最初に処理したウェハー
と最後に処理したウェハーについて、電流量の変化の割
合を等高線表示するか、あるいは、記憶装置内に前工程
のデータを持っている場合は、前工程の装置の機器毎に
コンタクトホールの形成の状態を統計処理する。
【００５９】更に、統計処理を行った結果から、ウェハ
ーの検査を選択的に行うこともできる。例えば、不良の
発生分布の高い箇所、良品の分布の高い箇所のみを選択
的に詳しく測定することができる。
ーの検査を選択的に行うこともできる。例えば、不良の
発生分布の高い箇所、良品の分布の高い箇所のみを選択
的に詳しく測定することができる。
【００６０】また、デバイスの構造によっては、穴の深
さの異なるホールが存在する場合がある。例えば、ウェ
ハ上に下側絶縁層と上側絶縁層とを含むような構造にお
いて、上側絶縁層を形成する前に下側絶縁層の表面の一
部に窒化膜等のエッチングストッパを設け、このエッチ
ングストッパを利用した上側絶縁層のみのエッチング
と、エッチングストッパを設けていない部分への下側絶
縁層までのエッチングとを同時に行うことで、深さの異
なるホールを形成できる。そのような場合、深さの異な
るホールを同時に測定すると、浅いホールの信号が邪魔
をして深いホールのエッチング判定ができなくなる可能
性がある。そのような場合には、設計データに基づいて
深さの異なるホールをグループ分けし、それぞれのグル
ープ毎に電子ビームを照射して電流を測定することがよ
い。計測結果を二次元平面に表示するときには、それぞ
れの深さに対応する設計図面と、表面を表す二次電子像
とを同時に表示して、測定された位置が確認できるよう
にすることが望ましい。
さの異なるホールが存在する場合がある。例えば、ウェ
ハ上に下側絶縁層と上側絶縁層とを含むような構造にお
いて、上側絶縁層を形成する前に下側絶縁層の表面の一
部に窒化膜等のエッチングストッパを設け、このエッチ
ングストッパを利用した上側絶縁層のみのエッチング
と、エッチングストッパを設けていない部分への下側絶
縁層までのエッチングとを同時に行うことで、深さの異
なるホールを形成できる。そのような場合、深さの異な
るホールを同時に測定すると、浅いホールの信号が邪魔
をして深いホールのエッチング判定ができなくなる可能
性がある。そのような場合には、設計データに基づいて
深さの異なるホールをグループ分けし、それぞれのグル
ープ毎に電子ビームを照射して電流を測定することがよ
い。計測結果を二次元平面に表示するときには、それぞ
れの深さに対応する設計図面と、表面を表す二次電子像
とを同時に表示して、測定された位置が確認できるよう
にすることが望ましい。
【００６１】以上の説明ではコンタクトホールあるいは
バイアホールの検査に本発明を利用する場合について説
明した。本発明はこの他に、同様の構造をもつスルーホ
ール、レジスト露光・現像後の開口部、配線、溝の開口
判別検査や形状測定に利用することもできる。以下に、
フォトレジストの検査に本発明を利用する場合の例を説
明する。
バイアホールの検査に本発明を利用する場合について説
明した。本発明はこの他に、同様の構造をもつスルーホ
ール、レジスト露光・現像後の開口部、配線、溝の開口
判別検査や形状測定に利用することもできる。以下に、
フォトレジストの検査に本発明を利用する場合の例を説
明する。
【００６２】フォトレジストに形成される開口のサイズ
は光の波長より小さい0.1ミクロンのオーダであり、光
を使用した検査はできないので、従来は電子顕微鏡によ
る検査が行われていた。しかし、電子顕微鏡検査では、
二次電子を利用するため、レジスト開口部の表面からの
観察しかできず、実際にレジストが抜けているのか否か
を調べることができない。また、同一ショット内で露光
量分布によるレジスト開口むらが生じる可能性がある
が、それを検査することはできなかった。
は光の波長より小さい0.1ミクロンのオーダであり、光
を使用した検査はできないので、従来は電子顕微鏡によ
る検査が行われていた。しかし、電子顕微鏡検査では、
二次電子を利用するため、レジスト開口部の表面からの
観察しかできず、実際にレジストが抜けているのか否か
を調べることができない。また、同一ショット内で露光
量分布によるレジスト開口むらが生じる可能性がある
が、それを検査することはできなかった。
【００６３】これに対して本発明によれば、下地が導電
性材料であれば、コンタクトホールの場合と同様にフォ
トレジストを検査することができる。すなわち、フォト
レジスト開口部に電子ビームを照射して基板に流れる電
流を測定し、標準電流量と比較することにより、ホール
の開口状態を知ることができる。また、ショットの周辺
部と中心部とに順次電子ビームを照射して基板に流れる
電流量を測定することで、電流量が開口の大きさに比例
して変化することから、露光量むらに起因する開口の大
きさの分布を測定することができる。下地が導電性材料
とは、フォトレジストが直接に接する層が導電性材料で
ある場合に限定されるものではなく、電子ビームが透過
できる程度の薄い絶縁層が存在する場合や、レジストマ
スク形成後のエッチングによりホールが形成されて導電
層が露出している場合を含む。
性材料であれば、コンタクトホールの場合と同様にフォ
トレジストを検査することができる。すなわち、フォト
レジスト開口部に電子ビームを照射して基板に流れる電
流を測定し、標準電流量と比較することにより、ホール
の開口状態を知ることができる。また、ショットの周辺
部と中心部とに順次電子ビームを照射して基板に流れる
電流量を測定することで、電流量が開口の大きさに比例
して変化することから、露光量むらに起因する開口の大
きさの分布を測定することができる。下地が導電性材料
とは、フォトレジストが直接に接する層が導電性材料で
ある場合に限定されるものではなく、電子ビームが透過
できる程度の薄い絶縁層が存在する場合や、レジストマ
スク形成後のエッチングによりホールが形成されて導電
層が露出している場合を含む。
【００６４】図２４にフォトレジスト検査フローの一例
を示す。通常、ひとつの露光エリアには複数のチップが
割り当てられている。また、必ずしも、検査対象のホー
ルがアレイ状に配列されているとは限らない。したがっ
て、検査対象となる露光で使用されるマスクのレイアウ
ト情報から、設計上同じ大きさに作られているホールを
抽出する。続いて、抽出されたホールの中から、１回の
露光で露光される範囲の外周部に沿って検査対象ホール
を指定し、各ホールに電子ビームを照射して、その位置
で流れる電流をホール位置の関数として記録する。検査
対象ホールを順次内側のものにして、ショットの中心に
至るまで繰り返す。記録された電流と位置の幾何学的関
係を保ったまま、電流量を等高線として表示する。等高
線表示のかわりに、測定された電流量の最大値対最小値
の範囲あるいは分布を統計処理して露光の状態を表示す
ることもできる。また、ホールの測定順は図２４に示し
た例に限定されるものではない。
を示す。通常、ひとつの露光エリアには複数のチップが
割り当てられている。また、必ずしも、検査対象のホー
ルがアレイ状に配列されているとは限らない。したがっ
て、検査対象となる露光で使用されるマスクのレイアウ
ト情報から、設計上同じ大きさに作られているホールを
抽出する。続いて、抽出されたホールの中から、１回の
露光で露光される範囲の外周部に沿って検査対象ホール
を指定し、各ホールに電子ビームを照射して、その位置
で流れる電流をホール位置の関数として記録する。検査
対象ホールを順次内側のものにして、ショットの中心に
至るまで繰り返す。記録された電流と位置の幾何学的関
係を保ったまま、電流量を等高線として表示する。等高
線表示のかわりに、測定された電流量の最大値対最小値
の範囲あるいは分布を統計処理して露光の状態を表示す
ることもできる。また、ホールの測定順は図２４に示し
た例に限定されるものではない。
【００６５】図２５および図２６はフォトレジスト検査
を行う場合の電子ビームの照射位置の例を示し、図２５
はホール位置がアレイ状に配列されるメモリセルの例、
図２６はホール位置がアレイ状にはならないロジックデ
バイスの例である。これらの例では、ひとつの露光エリ
アに４個のチップが含まれ、各チップ内に複数のホール
が含まれる。このようなひとつの露光エリアを検査範囲
としてフォトレジスト検査を行う。
を行う場合の電子ビームの照射位置の例を示し、図２５
はホール位置がアレイ状に配列されるメモリセルの例、
図２６はホール位置がアレイ状にはならないロジックデ
バイスの例である。これらの例では、ひとつの露光エリ
アに４個のチップが含まれ、各チップ内に複数のホール
が含まれる。このようなひとつの露光エリアを検査範囲
としてフォトレジスト検査を行う。
【００６６】図２７および図２８は検査結果の電流量等
高線表示例を示し、図２７は良品の例、図２８は不良品
の例である。均一に露光が行われている場合、ショット
内の電流はほとんど均一に流れる。したがって、等高線
の本数は少なくなる。一方、露光分布があると、フォト
レジストに形成される穴の大きさにバラツキが生じるの
で、電流量に分布が生じ、等高線の本数が増加する。ま
た、中心に偏りが生じることもある。
高線表示例を示し、図２７は良品の例、図２８は不良品
の例である。均一に露光が行われている場合、ショット
内の電流はほとんど均一に流れる。したがって、等高線
の本数は少なくなる。一方、露光分布があると、フォト
レジストに形成される穴の大きさにバラツキが生じるの
で、電流量に分布が生じ、等高線の本数が増加する。ま
た、中心に偏りが生じることもある。
【００６７】特に等高線の形状が同心円のまま中心に偏
りが生じた場合には、露光装置のレンズが傾斜している
などの不具合があることがわかる。また、等高線の形状
が歪んで等高線が横縞となってしまう場合には、露光の
ときに基板が傾いていたなどの不具合があると考えられ
る。また、電流分布のレンジ、あるいは最大、最小値に
対してしきい値をあらかじめ設定しておき、その値と比
較することで、露光の良否を判定することができる。
りが生じた場合には、露光装置のレンズが傾斜している
などの不具合があることがわかる。また、等高線の形状
が歪んで等高線が横縞となってしまう場合には、露光の
ときに基板が傾いていたなどの不具合があると考えられ
る。また、電流分布のレンジ、あるいは最大、最小値に
対してしきい値をあらかじめ設定しておき、その値と比
較することで、露光の良否を判定することができる。
【００６８】図２９は複数の測定位置を一括して測定す
る検査フローを示す。以上の実施例ではホールなどの個
々の測定位置をひとつずつ測定する例を説明したが、複
数の測定位置を一括して測定し、その平均値を求めるこ
ともできる。すなわち、図２におけるアパーチャー１３
に開口の大きなものを用い、図１に示した制御装置２の
制御より、試料１４上の複数の測定位置を複数の領域に
区分して、その区分された領域毎に電子ビーム３が照射
されるように制御し、電流量を測定する。データ処理装
置４は、区分された領域毎に測定された電流量をその領
域内に含まれる複数の測定位置で得られる平均電流量と
して表示装置５に表示する。
る検査フローを示す。以上の実施例ではホールなどの個
々の測定位置をひとつずつ測定する例を説明したが、複
数の測定位置を一括して測定し、その平均値を求めるこ
ともできる。すなわち、図２におけるアパーチャー１３
に開口の大きなものを用い、図１に示した制御装置２の
制御より、試料１４上の複数の測定位置を複数の領域に
区分して、その区分された領域毎に電子ビーム３が照射
されるように制御し、電流量を測定する。データ処理装
置４は、区分された領域毎に測定された電流量をその領
域内に含まれる複数の測定位置で得られる平均電流量と
して表示装置５に表示する。
【００６９】図３０は一括モードと個々の測定位置を測
定する個別モードとを切り替えて測定する検査フローを
示し、図３１は一括モードの測定対象領域と電流量の例
を示す。
定する個別モードとを切り替えて測定する検査フローを
示し、図３１は一括モードの測定対象領域と電流量の例
を示す。
【００７０】図２９に示した一括モードの検査では、比
較的広い領域毎の測定を行うため、ある領域に異常があ
ってもそのどの測定位置（コンタクトホール、スルーホ
ール、レジストホール、配線、溝など）に異常があるの
かについては判断できない。また、領域により回路パタ
ーンの粗密がある場合には、それが測定結果に反映され
ることになる。そのような場合には、単純には表示装置
５の表示から人間が判断して、個々の測定位置を検査す
る必要がある。図３０に示す検査フローは、これを自動
的に行うものである。
較的広い領域毎の測定を行うため、ある領域に異常があ
ってもそのどの測定位置（コンタクトホール、スルーホ
ール、レジストホール、配線、溝など）に異常があるの
かについては判断できない。また、領域により回路パタ
ーンの粗密がある場合には、それが測定結果に反映され
ることになる。そのような場合には、単純には表示装置
５の表示から人間が判断して、個々の測定位置を検査す
る必要がある。図３０に示す検査フローは、これを自動
的に行うものである。
【００７１】図１および図２を参照して図３０の検査フ
ローを説明する。電子ビーム露光装置１は、制御装置２
の制御により、試料１４上の複数の測定位置を複数の領
域に区分してその区分された領域毎に電子ビーム３を照
射する一括モードと、個々の測定位置に電子ビーム３を
照射する個別モードとを切り替え可能である。制御装置
２は、電子ビーム露光装置１を一括モードに設定して測
定を行う。データ処理装置４は、その測定結果を表示装
置５に表示すると共に、測定値をその大きさにより分類
し、あらかじめ定められた基準にしたがっていくつかの
領域を選択して、制御装置２に通知する。制御装置２
は、その領域に対して、電子ビーム露光装置１を個別モ
ードに設定して測定を繰り返す。得られた測定値は、デ
ータ処理装置４により処理され、表示装置５に表示され
る。このようにすることで、全てを個別モードで測定す
る場合に較べ、大幅に検査時間を短縮できる。
ローを説明する。電子ビーム露光装置１は、制御装置２
の制御により、試料１４上の複数の測定位置を複数の領
域に区分してその区分された領域毎に電子ビーム３を照
射する一括モードと、個々の測定位置に電子ビーム３を
照射する個別モードとを切り替え可能である。制御装置
２は、電子ビーム露光装置１を一括モードに設定して測
定を行う。データ処理装置４は、その測定結果を表示装
置５に表示すると共に、測定値をその大きさにより分類
し、あらかじめ定められた基準にしたがっていくつかの
領域を選択して、制御装置２に通知する。制御装置２
は、その領域に対して、電子ビーム露光装置１を個別モ
ードに設定して測定を繰り返す。得られた測定値は、デ
ータ処理装置４により処理され、表示装置５に表示され
る。このようにすることで、全てを個別モードで測定す
る場合に較べ、大幅に検査時間を短縮できる。
【００７２】図３１に示す例では、ウェハー状に正方形
で示す領域毎に一括モードの測定を行い、得られた電流
量（図３１では規格化して示す）をその大きさの順にソ
ーティングして、電流量の最も大きい領域、電流量が中
間の領域、電流量が最も小さい領域を選択し、その領域
を個別モードで測定する。個別モードによる測定の対象
となる領域を選択する基準としては、この他に、測定さ
れた電流量があらかじめ定められた値より小さい領域、
大きい領域、中間の領域など、検査項目に適した種々の
基準が考えられる。
で示す領域毎に一括モードの測定を行い、得られた電流
量（図３１では規格化して示す）をその大きさの順にソ
ーティングして、電流量の最も大きい領域、電流量が中
間の領域、電流量が最も小さい領域を選択し、その領域
を個別モードで測定する。個別モードによる測定の対象
となる領域を選択する基準としては、この他に、測定さ
れた電流量があらかじめ定められた値より小さい領域、
大きい領域、中間の領域など、検査項目に適した種々の
基準が考えられる。
【００７３】図３２は面分布を測定する場合の測定位置
の選択フローを示し、図３３は選択のためのアイコン表
示例を示す。
の選択フローを示し、図３３は選択のためのアイコン表
示例を示す。
【００７４】ウェハー面内の分布を検査する場合には、
ウェハーの全面をすべて検査する必要はなく、図７ない
し図１０を参照して説明したように、その測定項目に応
じた代表的な位置を測定するだけで十分である。電子ビ
ーム露光装置や電子顕微鏡には従来から電子ビームの照
射位置およびその照射順序をあらかじめ設定するスケジ
ュール機能が設けられているが、それを利用したとして
も、その入力はテンキーにより座標を個々に指定するも
のであり、検査目的および検査対象毎にそのような位置
および順序を設定することは大変な手間である。
ウェハーの全面をすべて検査する必要はなく、図７ない
し図１０を参照して説明したように、その測定項目に応
じた代表的な位置を測定するだけで十分である。電子ビ
ーム露光装置や電子顕微鏡には従来から電子ビームの照
射位置およびその照射順序をあらかじめ設定するスケジ
ュール機能が設けられているが、それを利用したとして
も、その入力はテンキーにより座標を個々に指定するも
のであり、検査目的および検査対象毎にそのような位置
および順序を設定することは大変な手間である。
【００７５】そこで、図１に示した記憶装置３に、検査
しようとする項目に適した測定位置パターンおよびその
内容が視角的に理解できるようなアイコンを記憶装置３
に登録し、そのアイコンを表示装置５に検査項目選択画
面として表示する。操作者が表示装置５に表示されたア
イコンを選択することで、検査条件を設定できる。制御
装置２は、記憶装置３から、操作者が選択したアイコン
に対応する測定位置パターンを読み出し、測定対象の大
きさに合わせてその測定位置パターンを展開して、実際
に検査が行われる座標に変換する。そして、これにより
得られた実座標に基づいて、指定された測定位置および
順序で電子ビームが照射されるように電子ビーム露光装
置１を制御する。
しようとする項目に適した測定位置パターンおよびその
内容が視角的に理解できるようなアイコンを記憶装置３
に登録し、そのアイコンを表示装置５に検査項目選択画
面として表示する。操作者が表示装置５に表示されたア
イコンを選択することで、検査条件を設定できる。制御
装置２は、記憶装置３から、操作者が選択したアイコン
に対応する測定位置パターンを読み出し、測定対象の大
きさに合わせてその測定位置パターンを展開して、実際
に検査が行われる座標に変換する。そして、これにより
得られた実座標に基づいて、指定された測定位置および
順序で電子ビームが照射されるように電子ビーム露光装
置１を制御する。
【００７６】図３３において、（ａ）にはエッチングバ
ラツキ評価用のアイコン例を示し、（ｂ）には露光バラ
ツキ評価用のアイコン例を示す。測定位置パターンとし
ては、これらの他に、ウェハー上に分布して形成された
特定回路パターンを測定するようなものや、エッチング
バラツキ評価、露光バラツキ評価などの検査について、
量産時のインラインで検査する場合には測定位置を間引
き、不良のなかったものについては詳しく検査するもの
などが考えられる。
ラツキ評価用のアイコン例を示し、（ｂ）には露光バラ
ツキ評価用のアイコン例を示す。測定位置パターンとし
ては、これらの他に、ウェハー上に分布して形成された
特定回路パターンを測定するようなものや、エッチング
バラツキ評価、露光バラツキ評価などの検査について、
量産時のインラインで検査する場合には測定位置を間引
き、不良のなかったものについては詳しく検査するもの
などが考えられる。
【００７７】図３４は本発明の利用例を示す図であり、
量産のためのプロセス条件を決定するための検出フロー
を示す。
量産のためのプロセス条件を決定するための検出フロー
を示す。
【００７８】電子ビームを試料に照射して電流を測定す
ることでエッチングその他のプロセスのバラツキを評価
することは上述したとおりであるが、これを量産時のプ
ロセス条件を決定するために利用することができる。そ
の場合、特に、ホールや配線を孤立して形成する場合と
密集して形成する場合とでプロセス条件が異なることに
注意する。例えばエッチングの場合、密集して設けられ
たホールと孤立ホールでは後者のほうがエッチングされ
にくいことがわかっており、孤立ホールが密集ホールと
同じように均一にエッチングされるような条件が最適条
件である。
ることでエッチングその他のプロセスのバラツキを評価
することは上述したとおりであるが、これを量産時のプ
ロセス条件を決定するために利用することができる。そ
の場合、特に、ホールや配線を孤立して形成する場合と
密集して形成する場合とでプロセス条件が異なることに
注意する。例えばエッチングの場合、密集して設けられ
たホールと孤立ホールでは後者のほうがエッチングされ
にくいことがわかっており、孤立ホールが密集ホールと
同じように均一にエッチングされるような条件が最適条
件である。
【００７９】図３４に示した検出フローによりエッチン
グ条件を決定する場合の例について、図１、図２に示し
た装置構成を例に説明する。まず、試料１４として、互
いに異なるエッチング条件で形成され、ある領域には孤
立ホールが形成され、別な領域には密集してホールが形
成された複数の試作試料を用いる。制御装置２は、電子
ビーム露光装置１を制御し、孤立ホールの領域と密集ホ
ールの領域とにそれぞれ電子ビーム３を照射して、電流
量を測定する。データ処理装置４は、測定された電流量
を比較し、その試作試料に対して行われたエッチング条
件をパラメータとし、その比較結果を記憶する。複数の
試作試料に関する比較結果から、その比較結果が基準以
下である条件を最適なエッチング条件として選択する。
グ条件を決定する場合の例について、図１、図２に示し
た装置構成を例に説明する。まず、試料１４として、互
いに異なるエッチング条件で形成され、ある領域には孤
立ホールが形成され、別な領域には密集してホールが形
成された複数の試作試料を用いる。制御装置２は、電子
ビーム露光装置１を制御し、孤立ホールの領域と密集ホ
ールの領域とにそれぞれ電子ビーム３を照射して、電流
量を測定する。データ処理装置４は、測定された電流量
を比較し、その試作試料に対して行われたエッチング条
件をパラメータとし、その比較結果を記憶する。複数の
試作試料に関する比較結果から、その比較結果が基準以
下である条件を最適なエッチング条件として選択する。
【００８０】図３５はエッチング条件の選択例を示す。
孤立ホールで測定された電流量と密集ホールで測定され
た電流量との差が基準値以下のエッチング条件のうち、
中心の条件を選択する。
孤立ホールで測定された電流量と密集ホールで測定され
た電流量との差が基準値以下のエッチング条件のうち、
中心の条件を選択する。
【００８１】密集ホールの電流量については、その中の
１個だけを測定してもよく、複数のホールを測定してそ
の平均値を求めてもよく、複数のホールに流れた電流量
をその個数で規格化した１個当たりの電流量を求めても
よい。このようにして得られた１個のホールの電流量
を、１個の孤立ホールに流れた電流量と比較する。ホー
ルだけでなく、配線パターンについても同様にしてプロ
セス条件を決定することができる。ホールあるいは配線
パターンが比較的高密度に形成された第一領域と、比較
的低密度に形成された第二領域と、孤立して形成された
第三領域とについて検査してもよい。
１個だけを測定してもよく、複数のホールを測定してそ
の平均値を求めてもよく、複数のホールに流れた電流量
をその個数で規格化した１個当たりの電流量を求めても
よい。このようにして得られた１個のホールの電流量
を、１個の孤立ホールに流れた電流量と比較する。ホー
ルだけでなく、配線パターンについても同様にしてプロ
セス条件を決定することができる。ホールあるいは配線
パターンが比較的高密度に形成された第一領域と、比較
的低密度に形成された第二領域と、孤立して形成された
第三領域とについて検査してもよい。
【００８２】図３６は本発明の別の利用例を示す図であ
り、量産時のプロセス異常を検出する検査フローを示
す。図１、図２に示した装置構成を例に、エッチング装
置の異常を検出する場合を例に説明する。この検査のた
めには制御装置２は、あらかじめＣＡＤデータを用い
て、試料上１４の密に形成されたホールの位置と孤立ホ
ールの位置とを特定しておく。そして、それぞれのホー
ルに電子ビームを照射したときの電流量を測定する。デ
ータ処理装置４は測定された電流量を比較し、その比較
結果があらかじめ定められた条件を満たさなくなったと
きには、その試料に対して行われたエッチング工程に異
常があるものとして表示装置５に警報を発生する。
り、量産時のプロセス異常を検出する検査フローを示
す。図１、図２に示した装置構成を例に、エッチング装
置の異常を検出する場合を例に説明する。この検査のた
めには制御装置２は、あらかじめＣＡＤデータを用い
て、試料上１４の密に形成されたホールの位置と孤立ホ
ールの位置とを特定しておく。そして、それぞれのホー
ルに電子ビームを照射したときの電流量を測定する。デ
ータ処理装置４は測定された電流量を比較し、その比較
結果があらかじめ定められた条件を満たさなくなったと
きには、その試料に対して行われたエッチング工程に異
常があるものとして表示装置５に警報を発生する。
【００８３】図３７は警報発生条件の一例を示す。孤立
ホールで測定された電流量と密集ホールで測定された電
流量との差が基準値を越えた場合には、異常が発生した
ものと判断できる。
ホールで測定された電流量と密集ホールで測定された電
流量との差が基準値を越えた場合には、異常が発生した
ものと判断できる。
【００８４】この検査の場合にも、密集ホールの電流量
について、その中の１個だけを測定してもよく、複数の
ホールを測定してその平均値を求めてもよく、複数のホ
ールに流れた電流量をその個数で規格化した１個当たり
の電流量を求めてもよい。このようにして得られた１個
のホールの電流量を、１個の孤立ホールに流れた電流量
と比較する。エッチング条件だけでなく、配線の形成工
程やその他の製造工程についても、同様にしてプロセス
条件を決定することができる。ホールあるいは配線パタ
ーンが比較的高密度に形成された第一領域と、比較的低
密度に形成された第二領域と、孤立して形成された第三
領域とについて検査してもよい。また、孤立ホールまた
は密集ホールで測定された電流量が基準値に満たない場
合は、追加でエッチングする工程を加えることもでき
る。
について、その中の１個だけを測定してもよく、複数の
ホールを測定してその平均値を求めてもよく、複数のホ
ールに流れた電流量をその個数で規格化した１個当たり
の電流量を求めてもよい。このようにして得られた１個
のホールの電流量を、１個の孤立ホールに流れた電流量
と比較する。エッチング条件だけでなく、配線の形成工
程やその他の製造工程についても、同様にしてプロセス
条件を決定することができる。ホールあるいは配線パタ
ーンが比較的高密度に形成された第一領域と、比較的低
密度に形成された第二領域と、孤立して形成された第三
領域とについて検査してもよい。また、孤立ホールまた
は密集ホールで測定された電流量が基準値に満たない場
合は、追加でエッチングする工程を加えることもでき
る。
【００８５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のデバイ
ス検査装置および検査方法では、試料を非破壊で検査で
き、その検査結果を測定点に対応してマップ表示でき
る。特にコンタクトホールの検査に利用すると、従来は
試料を破壊して断面を観察するなどして求めていたコン
タクトホール底の直径を、非破壊で求めその値を測定点
の位置座標に対応したウェハーマップ上に示す事ができ
る。等高線図などが得られるのでその模様からプラズマ
の分布が視覚的に確認でき、不具合原因の特定に力を発
揮する。また、コンタクトホールあるいはバイアホール
だけでなく、例えば、同様の構造を持つスルーホール、
レジスト露光・現像後の開口部、配線、溝の開口判別検
査や形状測定にも本発明を利用できる。同様に、種々の
エッチング処理後あるいは洗浄処理後の形状検査や底の
状態を検査することも可能である。
ス検査装置および検査方法では、試料を非破壊で検査で
き、その検査結果を測定点に対応してマップ表示でき
る。特にコンタクトホールの検査に利用すると、従来は
試料を破壊して断面を観察するなどして求めていたコン
タクトホール底の直径を、非破壊で求めその値を測定点
の位置座標に対応したウェハーマップ上に示す事ができ
る。等高線図などが得られるのでその模様からプラズマ
の分布が視覚的に確認でき、不具合原因の特定に力を発
揮する。また、コンタクトホールあるいはバイアホール
だけでなく、例えば、同様の構造を持つスルーホール、
レジスト露光・現像後の開口部、配線、溝の開口判別検
査や形状測定にも本発明を利用できる。同様に、種々の
エッチング処理後あるいは洗浄処理後の形状検査や底の
状態を検査することも可能である。
【００８６】本発明は非破壊なので、従来のように試料
断面をSEM観察しなくてもホール底の情報が得られるの
で、製品を直接測定する事が可能で、モニターウェハー
が不要となり、プロセスコストが安くなる。
断面をSEM観察しなくてもホール底の情報が得られるの
で、製品を直接測定する事が可能で、モニターウェハー
が不要となり、プロセスコストが安くなる。
【００８７】また、従来では不可能であったプロセス途
中のコンタクトホール底の面積、あるいは直径が測定電
流からの換算によって、高速にかつアナログ的に測定で
きるので、プロセス改良をその場で進める事ができる。
例えば、エッチングの条件出しを行う場合、開口形状と
ともにコンタクトホール底の形状を制御する必要がある
が、本方法を用いれば、その場でウェハー全体でのコン
タクトホール径の分布を測定できる。また、従来の検査
では、完全に穴が閉じている場合にのみ、良否を判別す
る事が出来たが、本発明の方法では、作製されたコンタ
クトホールが抜けているか否か、および底が抜けている
ホールに関しては、底径の値が常にモニターできるの
で、開口が閉じてしまう前に前駆的に生じる開口径の変
化を検出できる。そのため、本手法では、実際にコンタ
クトホール開口不良が出る遥か以前に、異常を発見可能
である。そのため、実際に不良が生じる前に機械のメン
テナンス作業を行う事ができる。異常検出が生じると自
動的にエッチング装置に対して割り込みをかけるための
信号を発生する事が出来るので、この割込み信号をエッ
チング装置が用いる事で、自動的にエッチング装置のメ
ンテナンス情報を集める事などができる。
中のコンタクトホール底の面積、あるいは直径が測定電
流からの換算によって、高速にかつアナログ的に測定で
きるので、プロセス改良をその場で進める事ができる。
例えば、エッチングの条件出しを行う場合、開口形状と
ともにコンタクトホール底の形状を制御する必要がある
が、本方法を用いれば、その場でウェハー全体でのコン
タクトホール径の分布を測定できる。また、従来の検査
では、完全に穴が閉じている場合にのみ、良否を判別す
る事が出来たが、本発明の方法では、作製されたコンタ
クトホールが抜けているか否か、および底が抜けている
ホールに関しては、底径の値が常にモニターできるの
で、開口が閉じてしまう前に前駆的に生じる開口径の変
化を検出できる。そのため、本手法では、実際にコンタ
クトホール開口不良が出る遥か以前に、異常を発見可能
である。そのため、実際に不良が生じる前に機械のメン
テナンス作業を行う事ができる。異常検出が生じると自
動的にエッチング装置に対して割り込みをかけるための
信号を発生する事が出来るので、この割込み信号をエッ
チング装置が用いる事で、自動的にエッチング装置のメ
ンテナンス情報を集める事などができる。
【００８８】単にホールの個別情報からのみでなく分布
の統計値や標準量からのずれを用いて良否判定を行う事
もできる。これらの検査により、従来では不可能であっ
たインラインでのウェハー選別が可能となり、ウェハー
投入量の最適化を行うことができる。
の統計値や標準量からのずれを用いて良否判定を行う事
もできる。これらの検査により、従来では不可能であっ
たインラインでのウェハー選別が可能となり、ウェハー
投入量の最適化を行うことができる。
【００８９】マップに表示されるのは電流量そのものが
利用できる場合は、特に変換せずにそのままマップに表
示してもよい。
利用できる場合は、特に変換せずにそのままマップに表
示してもよい。
【図１】本発明の実施形態を示すブロック構成図であ
り、電子ビーム露光装置を用いた構成例を示す図。
り、電子ビーム露光装置を用いた構成例を示す図。
【図２】電子ビーム露光装置の詳細を示す図。
【図３】補償電流とホール不良の関係を示す図。
【図４】電子ビーム照射領域の形状の一例を示す図。
【図５】電子ビーム照射領域の形状の別の例を示す図。
【図６】電子ビーム照射領域の形状の別の例を示す図。
【図７】ホール径の面分布測定領域を示す図。
【図８】ウェハー面内分布の測定例を示す図であり、
（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの測定
点における電流量のグラフを示す図。
（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの測定
点における電流量のグラフを示す図。
【図９】ステッパーショット内の分布の測定例を示す図
であり、（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞ
れの測定点における電流量のグラフを示す図。
であり、（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞ
れの測定点における電流量のグラフを示す図。
【図１０】チップ内の分布の測定例を示す図であり、
（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの測定
点における電流量のグラフを示す図。
（ａ）はウェハー上の測定点、（ｂ）はそれぞれの測定
点における電流量のグラフを示す図。
【図１１】不良であると判断された測定点の位置をウェ
ハーマップ上に表示した例を示す図。
ハーマップ上に表示した例を示す図。
【図１２】不良モード表示の一例を示す図。
【図１３】不良モード表示の別の例を示す図。
【図１４】不良モード表示の別の例を示す図。
【図１５】ホール径を等高線として表示する例を示す
図。
図。
【図１６】ホール径をホール径の範囲毎に別の色を用い
て表示する例を示す図。
て表示する例を示す図。
【図１７】電子ビーム照射時に基板に流れる電流量、あ
るいは、ホール径の空間周波数分析を行って表示するフ
ォーマット例を示す図。
るいは、ホール径の空間周波数分析を行って表示するフ
ォーマット例を示す図。
【図１８】ウェハー毎に測定されたホール径の割合を示
した頻度グラフの一例を示す図。
した頻度グラフの一例を示す図。
【図１９】ショット毎に測定されたホール径の割合を示
した頻度グラフの一例を示す図。
した頻度グラフの一例を示す図。
【図２０】任意に指定された領域にて測定されたホール
径の割合を示した頻度グラフの一例を示す図。
径の割合を示した頻度グラフの一例を示す図。
【図２１】代表的な統計値を表として表示する例を示す
図。
図。
【図２２】代表的な統計値を表として表示する例を示す
図。
図。
【図２３】代表的な統計値を表として表示する例を示す
図。
図。
【図２４】フォトレジストの検査フローの一例を示す
図。
図。
【図２５】メモリセルのフォトレジスト検査を行う場合
の電子ビームの照射位置の例を示す図。
の電子ビームの照射位置の例を示す図。
【図２６】ロジックデバイスのフォトレジスト検査を行
う場合の電子ビームの照射位置の例を示す図。
う場合の電子ビームの照射位置の例を示す図。
【図２７】検査結果の電流量等高線表示例を示す図。
【図２８】検査結果の電流量等高線表示例を示す図。
【図２９】複数の測定位置を一括して測定する検査フロ
ーを示す図。
ーを示す図。
【図３０】一括モードと個々の測定位置を測定する個別
モードとを切り替えて測定する検査フローを示す図。
モードとを切り替えて測定する検査フローを示す図。
【図３１】一括モードの測定対象領域と電流量の例を示
す図。
す図。
【図３２】面分布を測定する場合の測定位置の選択フロ
ーを示す図。
ーを示す図。
【図３３】アイコン表示例を示す図であり、（ａ）はエ
ッチングバラツキ評価用、（ｂ）は露光バラツキ評価用
のアイコン例を示す図。
ッチングバラツキ評価用、（ｂ）は露光バラツキ評価用
のアイコン例を示す図。
【図３４】本発明の利用例の検出フローを示す図。
【図３５】エッチング条件の選択例を示す図。
【図３６】本発明の利用例の検査フローを示す図。
【図３７】警報発生条件の一例を示す図。
１ 電子ビーム露光装置 ２ 制御装置 ３ 記憶装置 ４ データ処理装置 ５ 表示装置 ６ プリンタ １１ 電子銃 １２ コンデンサレンズ １３ アパーチャー １４ 試料 １５ ステージ １６ 電極 １７ 電流計 １８ 移動距離測定装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｒ 1/06 Ｇ０１Ｒ 1/06 Ｆ ５Ｃ０３３ 31/302 Ｈ０１Ｊ 37/22 ５０２Ｄ Ｈ０１Ｊ 37/22 ５０２ ５０２Ｚ 37/28 Ｂ 37/28 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者 牛木 健雄 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 辻出 徹 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F067 AA22 BB00 CC17 HH06 JJ05 KK04 RR24 RR29 RR41 SS13 SS16 UU38 2G011 AA01 AC06 AE03 2G032 AA00 AD01 AD08 AE04 AE08 AE09 AE10 AE11 AF08 AH07 AL14 2G060 AA09 AF01 EB08 HC13 HC14 HC18 KA16 4M106 AA01 BA02 CA04 CA50 CA70 DH03 DH11 DH33 DJ12 DJ20 DJ21 DJ23 5C033 UU01 UU05 UU06
Claims (31)
- 【請求項１】 試料上の複数の測定位置に同一の形状と
なるように順次電子ビームを照射する手段と、個々の測
定位置に電子ビームを照射したときに前記試料に生じる
電流を測定する手段と、測定された電流あるいはその電
流から導かれる物理所量を測定位置の関数として二次元
平面に表示する表示手段を備えたことを特徴とするデバ
イス検査装置。 - 【請求項２】 前記測定する手段は、個々の測定位置に
電子ビームが照射された際に試料に生じる総電流量を測
定する請求項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項３】 前記試料は１または複数のコンタクトホ
ールまたはレジストの開口部が設けられた半導体ウェハ
ーであり、前記照射する手段は、その半導体ウェハーを
横断する任意の１軸に沿ってあらかじめ定められた間隔
の位置に電子ビームを照射する請求項１または２記載の
デバイス検査装置。 - 【請求項４】 前記あらかじめ定められた間隔は一定周
期の間隔である請求項３記載のデバイス検査装置。 - 【請求項５】 前記照射する手段はステッパー露光のＩ
回の露光範囲であるショット領域の決められた間隔の位
置に電子ビームを照射する請求項３または４記載のデバ
イス検査装置。 - 【請求項６】 前記照射する手段は１つのデバイスの領
域を定めるスクライブ領域を横断する任意の１軸に沿っ
て決められた間隔の位置に電子ビームを照射する請求項
３記載のデバイス検査装置。 - 【請求項７】 前記表示手段は、デバイス毎に定められ
た良否判定アルゴリズムに従って各測定位置における電
流量を評価し、ウェハー形状を模した二次元平面上に不
良あるいは良品である位置に対応して特定のシンボルを
表示する手段を含む請求項３記載のデバイス検査装置。 - 【請求項８】 前記表示手段は、デバイス毎に定められ
た不良モードにしたがってそのモードに対応する特定の
シンボルを表示する手段を含む請求項７記載のデバイス
検査装置。 - 【請求項９】 前記表示手段は、デバイス毎に定められ
たホール径測定アルゴリズムに従って各測定位置におけ
る電流量を評価し、ウェハー形状を模した二次元平面上
に測定位置に対応してホール径の値あるいはその概略値
を表示する手段を含む請求項３記載のデバイス検査装
置。 - 【請求項１０】 前記表示手段はホール径の値の範囲を
表すシンボルを表示する手段を含む請求項９記載のデバ
イス検査装置。 - 【請求項１１】 前記表示手段はホール径の値を等高線
表示する手段を含む請求項１０記載のデバイス検査装
置。 - 【請求項１２】 前記表示手段はホール径の値の範囲を
表す色を表示する手段を含む請求項１０記載のデバイス
検査装置。 - 【請求項１３】 前記表示手段は、測定された電流量の
空間周波数を計算し、二次元平面上に、空間周波数に対
する測定電流の大きさを表示する手段を含む請求項９記
載のデバイス検査装置。 - 【請求項１４】 前記表示手段は、ウェハー毎のホール
径の割合をホール径の関数として表示する手段を含む請
求項９記載のデバイス検査装置。 - 【請求項１５】 前記照射する手段はステッパー露光装
置の電子ビーム照射手段により構成され、 前記表示手段は、ステッパー露光におけるショット毎の
ホール径の割合をホール径の関数として表示する手段を
含む請求項９記載のデバイス検査装置。 - 【請求項１６】 前記表示手段は、ウェハー上のチップ
毎のホール径の割合をホール径の関数として表示する手
段を含む請求項９記載のデバイス検査装置。 - 【請求項１７】 前記表示手段は、ウェハー毎のホール
径の最大値、最小値、平均値、標準偏差、および標準値
からのずれを含む統計量を表示する手段を含む請求項９
記載のデバイス検査装置。 - 【請求項１８】 前記試料は表面にフォトレジストが設
けられてホールが形成された導電性材料基板であり、そ
のフォトレジストの露光時に一度に露光される範囲の各
チップについて、その露光時に使用されるマスクのレイ
アウト情報から設計上同じ大きさのホールを抽出して検
査対象ホールを指定する手段を備えた請求項１記載のデ
バイス検査装置。 - 【請求項１９】 前記試料は深さの異なるホールが設け
られた素子であり、それらのホールを設計データに基づ
いてグループ分けし、それぞれのグループ毎に電子ビー
ムが照射されるように前記照射する手段を制御する手段
を備えた請求項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２０】 前記表示手段は、各ホールの深さに対
応する設計図面と、表面をあらわす二次電子像とを同時
に表示する手段を含む請求項１９記載のデバイス検査装
置。 - 【請求項２１】 前記試料上の複数の測定位置を複数の
領域に区分してその区分された領域毎に電子ビームが照
射されるように前記照射する手段を制御する手段を備
え、 前記表示手段は、前記領域毎に測定された電流量をその
領域内に含まれる複数の測定位置で得られる平均電流量
として表示する平均値表示手段を含む請求項１記載のデ
バイス検査装置。 - 【請求項２２】 前記照射する手段は、前記試料上の複
数の測定位置を複数の領域に区分してその区分された領
域毎に電子ビームを照射する第一のモードと、個々の測
定位置に電子ビームを照射する第二のモードとを切り替
え可能であり、 前記照射する手段を前記第一のモードに設定して前記測
定する手段により測定された電流量をその大きさにより
分類し、あらかじめ定められた基準にしたがっていくつ
かの領域を選択して、その領域に対して前記照射する手
段を前記第二のモードに設定して測定を繰り返す制御手
段を備えた請求項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２３】 検査しようとする項目に適した測定位
置パターンが登録された記憶手段と、 操作者が選択した検査項目に応じて前記記憶手段から対
応する測定位置パターンを読み出し、測定対象の大きさ
に合わせてその測定位置パターンを展開して、実際に検
査が行われる座標に変換する手段と、 この変換する手段により得られた実座標に基づいて、指
定された測定位置および順序で電子ビームが照射される
ように前記照射する手段を制御する手段とを備えた請求
項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２４】 前記試料として、互いに異なるプロセ
ス条件で形成され、検査対象物が異なる密度で形成され
た複数の領域を含む複数の試作試料が用いられ、 前記複数の領域にそれぞれ電子ビームを照射したときに
前記測定する手段により測定された電流量を比較する手
段と、 その試作試料に対して行われたプロセス条件をパラメー
タとし、前記比較する手段の比較結果を記憶する手段
と、 この記憶する手段に記憶された複数の試作試料に関する
比較結果から最適なプロセス条件を選択する手段とを備
えた請求項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２５】 前記複数の領域は検査対象物が密に形
成された第一領域と検査対象物が孤立して形成された第
二領域とを含む請求項２４記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２６】 前記検査対象物はホールであり、 前記比較する手段は、前記第一領域内の１個のホールに
流れた電流量と前記第二領域内の１個の孤立ホールに流
れた電流量とを比較する手段を含む請求項２５記載のデ
バイス検査装置。 - 【請求項２７】 前記検査対象物はホールであり、 前記比較する手段は、前記第一の領域内の複数のホール
に流れた電流量をその個数で規格化した１個当たりの電
流量と前記第二領域内の１個の孤立ホールに流れた電流
量とを比較する手段を含む請求項２５記載のデバイス検
査装置。 - 【請求項２８】 前記検査対象物は配線パターンである
請求項２５記載のデバイス検査装置。 - 【請求項２９】 前記複数の領域は検査対象物が比較的
高密度に形成された第一領域と比較的低密度に形成され
た第二領域と孤立して形成された第三領域とを含む請求
項２４記載のデバイス検査装置。 - 【請求項３０】 前記試料上で検査対象物が異なる密度
で形成された複数の領域を特定する手段と、 この複数の領域にそれぞれ電子ビームを照射したときに
前記測定する手段により測定された電流量を比較する手
段と、 この比較する手段の比較結果があらかじめ定められた条
件を満たさなくなったときにはその試料に対して行われ
た製造工程に異常があるものとして警報を発生する手段
とを備えた請求項１記載のデバイス検査装置。 - 【請求項３１】 試料上の複数の測定位置に同一の形状
となるように順次電子ビームを照射してそのときに前記
試料に生じる電流を測定し、各測定位置とその測定位置
で測定された電流量とを記憶する第一のステップと、 この第一のステップで記憶された電流量および測定位置
を読み出し、電流量あるいはその電流量から導かれる物
理所量を測定位置の関数として二次元平面に表示する第
二のステップとを含むことを特徴とするデバイス検査方
法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
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| TW089125420A TW558735B (en) | 1999-11-30 | 2000-11-29 | Semiconductor device tester and semiconductor device test method |
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| JP11-340696 | 2000-06-26 | ||
| JP2000-191818 | 2000-06-26 | ||
| JP2000332754A JP3877952B2 (ja) | 1999-11-30 | 2000-10-31 | デバイス検査装置および検査方法 |
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