JP2906924B2 - ウエーハの表面粗さ測定方法 - Google Patents
ウエーハの表面粗さ測定方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層構造を有する半導
体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを測定する方法に
関する。
体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを測定する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウエーハの表面粗さを測
定する方法としては、ウエーハ表面に微小な針を接触さ
せてその上下動を増幅してウエーハの表面粗さを測定す
る触針式（例えば、Rank Taylor Hobson社製タリステッ
プ（Talystep）を用いる方式）、原子間力を利用してウ
エーハの表面粗さを測定するＡＦＭ法、位相シフト干渉
法を利用した機器（ＷＹＫＯ社製、型式：ＴＯＰＯ−３
Ｄ等）を用いてウエーハの表面粗さを測定する方法、レ
ーザ表面検査装置（日立電子エンジニアニング（株）社
製、型式：ＬＳ−６０００）を用いて可視光レーザをウ
エーハに低角度で入射させてその散乱光をによってウエ
ーハの表面粗さを相対的に測定する方法等が知られてい
る。
定する方法としては、ウエーハ表面に微小な針を接触さ
せてその上下動を増幅してウエーハの表面粗さを測定す
る触針式（例えば、Rank Taylor Hobson社製タリステッ
プ（Talystep）を用いる方式）、原子間力を利用してウ
エーハの表面粗さを測定するＡＦＭ法、位相シフト干渉
法を利用した機器（ＷＹＫＯ社製、型式：ＴＯＰＯ−３
Ｄ等）を用いてウエーハの表面粗さを測定する方法、レ
ーザ表面検査装置（日立電子エンジニアニング（株）社
製、型式：ＬＳ−６０００）を用いて可視光レーザをウ
エーハに低角度で入射させてその散乱光をによってウエ
ーハの表面粗さを相対的に測定する方法等が知られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記各種の
測定法には以下のような問題がある。
測定法には以下のような問題がある。
【０００４】即ち、触針式ではウエーハ表面に針が接触
するため、ウエーハ表面に微細な傷が発生したり、金属
元素等のコンタミネーションが生ずる虞れがあり、プロ
セス中での測定は不可能である。
するため、ウエーハ表面に微細な傷が発生したり、金属
元素等のコンタミネーションが生ずる虞れがあり、プロ
セス中での測定は不可能である。
【０００５】又、前記ＡＦＭ法は、ウエーハ表面の凹凸
を非常に高精度に測定することができるが、サンプルの
セッティング等が難しい上、測定領域が非常に狭く、測
定に要する時間が長いという欠点があり、測定のインラ
イン化が難しい。
を非常に高精度に測定することができるが、サンプルの
セッティング等が難しい上、測定領域が非常に狭く、測
定に要する時間が長いという欠点があり、測定のインラ
イン化が難しい。
【０００６】更に、前記位相シフト干渉法を利用した機
器による測定法は、ウエーハ表面の凹凸を非接触でｎｍ
オーダーまで測定可能であるが、測定に可視光を用いる
ために光学的に透明なウエーハに対する測定は原理的に
不可能である。又、シリコンウエーハの表面粗さの測定
は可能であっても、可視光はシリコンに対してμｍオー
ダーの侵入深さを有しているため、シリコン層（以下、
ＳＯＩ層と称す）／埋め込みシリコン酸化膜（以下、埋
め込み酸化膜と称す）／シリコン支持基板の構造を持つ
ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層最表面の表面粗さを本方法で
測定しようとすると、ＳＯＩウエーハに形成されている
数μｍ厚のＳＯＩ層を可視光が通過してしまい、ＳＯＩ
ウエーハ表面での反射光とＳＯＩ層と埋め込み酸化膜と
の界面での反射光とが同時に検出されてしまい、ＳＯＩ
ウエーハの表面粗さを正確に測定することができない。
器による測定法は、ウエーハ表面の凹凸を非接触でｎｍ
オーダーまで測定可能であるが、測定に可視光を用いる
ために光学的に透明なウエーハに対する測定は原理的に
不可能である。又、シリコンウエーハの表面粗さの測定
は可能であっても、可視光はシリコンに対してμｍオー
ダーの侵入深さを有しているため、シリコン層（以下、
ＳＯＩ層と称す）／埋め込みシリコン酸化膜（以下、埋
め込み酸化膜と称す）／シリコン支持基板の構造を持つ
ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層最表面の表面粗さを本方法で
測定しようとすると、ＳＯＩウエーハに形成されている
数μｍ厚のＳＯＩ層を可視光が通過してしまい、ＳＯＩ
ウエーハ表面での反射光とＳＯＩ層と埋め込み酸化膜と
の界面での反射光とが同時に検出されてしまい、ＳＯＩ
ウエーハの表面粗さを正確に測定することができない。
【０００７】更に又、前記可視光レーザを用いる測定法
も、光学的に透明なウエーハや光学的にレーザ光を透過
してしまう薄膜を最上層に有するＳＯＩウエーハ等の多
層構造を有するウエーハに対する測定は原理的に不可能
である。
も、光学的に透明なウエーハや光学的にレーザ光を透過
してしまう薄膜を最上層に有するＳＯＩウエーハ等の多
層構造を有するウエーハに対する測定は原理的に不可能
である。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、多層構造を有する半導体ウエ
ーハを含むウエーハの表面粗さを非破壊及び非接触で正
確、且つ、簡便に測定することができるウエーハの表面
粗さ測定方法を提供することにある。
で、その目的とする処は、多層構造を有する半導体ウエ
ーハを含むウエーハの表面粗さを非破壊及び非接触で正
確、且つ、簡便に測定することができるウエーハの表面
粗さ測定方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明に係るウエーハの表面粗さ測定方法は、入射方向
に平行なビーム状のＸ線を臨界角以下の低角度でウエー
ハに入射させ、ウエーハ最表面から発せられる蛍光Ｘ線
又は、ウエーハ最表面から発せられる散乱Ｘ線の強度を
測定する操作を、表面粗さが既知の複数のウエーハに対
して繰り返すことによってＸ線強度とウエーハの表面粗
さとの相関関係を求め、表面粗さが未知の被測定ウエー
ハに対して上記と同一の操作によりＸ線強度を測定し、
その測定値に基づいて前記相関関係から被測定ウエーハ
の表面粗さを求めることを特徴とする。
本発明に係るウエーハの表面粗さ測定方法は、入射方向
に平行なビーム状のＸ線を臨界角以下の低角度でウエー
ハに入射させ、ウエーハ最表面から発せられる蛍光Ｘ線
又は、ウエーハ最表面から発せられる散乱Ｘ線の強度を
測定する操作を、表面粗さが既知の複数のウエーハに対
して繰り返すことによってＸ線強度とウエーハの表面粗
さとの相関関係を求め、表面粗さが未知の被測定ウエー
ハに対して上記と同一の操作によりＸ線強度を測定し、
その測定値に基づいて前記相関関係から被測定ウエーハ
の表面粗さを求めることを特徴とする。
【００１０】
【作用】可視光よりも非常に波長が短いＸ線を臨界角
（入射Ｘ線が全反射する角度）以下の低角度でウエーハ
に入射させると、Ｘ線のウエーハへの侵入深さは数ｎｍ
と短いために該Ｘ線は例えばＳＯＩウエーハのＳＯＩ層
を通過することがなく、入射Ｘ線によって励起されたウ
エーハマトリックスからの蛍光Ｘ線がウエーハ最表面か
ら発生するとともに、入射Ｘ線によりウエーハ中の電子
によって生じる二次Ｘ線である散乱Ｘ線が発生する。そ
して、蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度を半導体検出器で測
定する。なお、シリコンウエーハのような、最表面が鏡
面状態にある試料に低い角度（最表面と入射Ｘ線とのな
す角度）でＸ線を入射させると、大半のＸ線が反射す
る。この現象は全反射と呼ばれ、この現象が顕著に現れ
始める入射角は全反射臨界角といわれる。また、前記散
乱Ｘ線は、一次Ｘ線である入射Ｘ線がウエーハ表面で散
乱したもの（すなわち入射Ｘ線が単にその進行方向を変
えたもの）ではなく、ウエーハ内部から発生したもので
ある。
（入射Ｘ線が全反射する角度）以下の低角度でウエーハ
に入射させると、Ｘ線のウエーハへの侵入深さは数ｎｍ
と短いために該Ｘ線は例えばＳＯＩウエーハのＳＯＩ層
を通過することがなく、入射Ｘ線によって励起されたウ
エーハマトリックスからの蛍光Ｘ線がウエーハ最表面か
ら発生するとともに、入射Ｘ線によりウエーハ中の電子
によって生じる二次Ｘ線である散乱Ｘ線が発生する。そ
して、蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度を半導体検出器で測
定する。なお、シリコンウエーハのような、最表面が鏡
面状態にある試料に低い角度（最表面と入射Ｘ線とのな
す角度）でＸ線を入射させると、大半のＸ線が反射す
る。この現象は全反射と呼ばれ、この現象が顕著に現れ
始める入射角は全反射臨界角といわれる。また、前記散
乱Ｘ線は、一次Ｘ線である入射Ｘ線がウエーハ表面で散
乱したもの（すなわち入射Ｘ線が単にその進行方向を変
えたもの）ではなく、ウエーハ内部から発生したもので
ある。
【００１１】一方、研磨水準を変えて表面粗さを異なら
せた複数のウエーハ（以下、サンプルウエーハと称す）
の各表面粗さを、例えば位相シフト干渉法を利用した機
器を用いる従来の測定法によって測定するとともに、こ
れら各ウエーハに対する前記Ｘ線照射によって発生する
蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度を測定する。
せた複数のウエーハ（以下、サンプルウエーハと称す）
の各表面粗さを、例えば位相シフト干渉法を利用した機
器を用いる従来の測定法によって測定するとともに、こ
れら各ウエーハに対する前記Ｘ線照射によって発生する
蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度を測定する。
【００１２】そして、各サンプルウエーハについて測定
された表面粗さと蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度（以下、
Ｘ線強度と略称す）をプロットすると、両者には強い相
関が存在することが確認され、表面粗さとＸ線強度とは
正比例することが分かった。従って、表面粗さとＸ線強
度との関係を示す相関関係、例えば直線状の検量線が作
成される。
された表面粗さと蛍光Ｘ線又は散乱Ｘ線の強度（以下、
Ｘ線強度と略称す）をプロットすると、両者には強い相
関が存在することが確認され、表面粗さとＸ線強度とは
正比例することが分かった。従って、表面粗さとＸ線強
度との関係を示す相関関係、例えば直線状の検量線が作
成される。
【００１３】而して、表面粗さが未知の被測定ウエーハ
に対してＸ線を照射してそのときのＸ線強度を測定すれ
ば、その測定値に対応する被測定ウエーハの表面粗さを
前記検量線から求めることができる。この場合、前述の
ようにＸ線は例えばＳＯＩウエーハのＳＯＩ層も透過す
ることがないため、ＳＯＩウエーハ等の多層構造を有す
る半導体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを非破壊及
び非接触で正確に測定することができる。
に対してＸ線を照射してそのときのＸ線強度を測定すれ
ば、その測定値に対応する被測定ウエーハの表面粗さを
前記検量線から求めることができる。この場合、前述の
ようにＸ線は例えばＳＯＩウエーハのＳＯＩ層も透過す
ることがないため、ＳＯＩウエーハ等の多層構造を有す
る半導体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを非破壊及
び非接触で正確に測定することができる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明方法を実施するための全反射
蛍光Ｘ線分析装置の構成図であり、同図において１はス
テージであって、これは３つの駆動モータＭX,ＭY,ＭZ
によって図示の直交座標軸Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動せしめ
られてその位置が任意に調整される。
蛍光Ｘ線分析装置の構成図であり、同図において１はス
テージであって、これは３つの駆動モータＭX,ＭY,ＭZ
によって図示の直交座標軸Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動せしめ
られてその位置が任意に調整される。
【００１６】そして、上記ステージ１上には被測定対象
であるウエーハＷが載置され、同ステージ１の真上には
エネルギー分散型の半導体検出器２が設置されている。
であるウエーハＷが載置され、同ステージ１の真上には
エネルギー分散型の半導体検出器２が設置されている。
【００１７】又、ステージ１の一側（図１において左
側）には、Ｘ線発生装置３、モノクロメータ４及びスリ
ット５が、他側（図１において右側）にはスリット６及
びシンチレーションカウンタ（ＳＣ）７がそれぞれ配設
されている。
側）には、Ｘ線発生装置３、モノクロメータ４及びスリ
ット５が、他側（図１において右側）にはスリット６及
びシンチレーションカウンタ（ＳＣ）７がそれぞれ配設
されている。
【００１８】而して、本実施例においては、研磨水準を
変えて表面粗さを異ならせた複数（８枚）のシリコンウ
エーハＷが用意され、各シリコンウエーハＷが図１に示
すようにステージ１上にセットされ、該シリコンウエー
ハＷに対してＸ線が照射される。
変えて表面粗さを異ならせた複数（８枚）のシリコンウ
エーハＷが用意され、各シリコンウエーハＷが図１に示
すようにステージ１上にセットされ、該シリコンウエー
ハＷに対してＸ線が照射される。
【００１９】即ち、前記Ｘ線発生装置３から出射するＸ
線は、前記モノクロメータ４によって単色化され、更に
スリット５で絞られて入射方向に平行なビームとなって
ウエーハＷに臨界角（Ｘ線がウエーハＷ上で全反射する
角度であって、本実施例では０．１８°）以下の低角度
θ（本実施例では、θ＝０．０７°）で入射せしめられ
る。
線は、前記モノクロメータ４によって単色化され、更に
スリット５で絞られて入射方向に平行なビームとなって
ウエーハＷに臨界角（Ｘ線がウエーハＷ上で全反射する
角度であって、本実施例では０．１８°）以下の低角度
θ（本実施例では、θ＝０．０７°）で入射せしめられ
る。
【００２０】すると、シリコンウエーハＷ表面で入射Ｘ
線によって励起されたシリコンマトリックスからの蛍光
Ｘ線がウエーハＷの最表面から発生するとともに、該最
表面から散乱Ｘ線が発生するが、これらの蛍光Ｘ線又は
散乱Ｘ線の強度が前記半導体検出器２によって測定され
る。なお、ウエーハＷの最表面での全反射光はシンチレ
ーションカウンタ７で測定される。
線によって励起されたシリコンマトリックスからの蛍光
Ｘ線がウエーハＷの最表面から発生するとともに、該最
表面から散乱Ｘ線が発生するが、これらの蛍光Ｘ線又は
散乱Ｘ線の強度が前記半導体検出器２によって測定され
る。なお、ウエーハＷの最表面での全反射光はシンチレ
ーションカウンタ７で測定される。
【００２１】以上の操作を全て（８枚）のシリコンウエ
ーハＷに対して行ない、各ウエーハＷについて蛍光Ｘ線
又は散乱Ｘ線の強度の測定値を得る。
ーハＷに対して行ない、各ウエーハＷについて蛍光Ｘ線
又は散乱Ｘ線の強度の測定値を得る。
【００２２】一方、同じシリコンウエーハＷの各々につ
いて、例えば位相シフト干渉法を利用した機器による従
来の測定法によってその表面粗さを測定する。
いて、例えば位相シフト干渉法を利用した機器による従
来の測定法によってその表面粗さを測定する。
【００２３】そして、各シリコンウエーハＷについて測
定された表面粗さと蛍光Ｘ線強度及び表面粗さと散乱Ｘ
線強度をプロットすると、図２及び図３に示す結果とな
り、表面粗さと各Ｘ線強度との間には強い相関が存在
し、Ｘ線強度は表面粗さに正比例することが確認され
た。従って、図２に示すように、表面粗さと蛍光Ｘ線強
度との関係を示す直線状の検量線Ｌが作成され、又、図
３に示すように、表面粗さと散乱Ｘ線強度との関係を示
す同じく直線状の検量線Ｌ’が作成される。
定された表面粗さと蛍光Ｘ線強度及び表面粗さと散乱Ｘ
線強度をプロットすると、図２及び図３に示す結果とな
り、表面粗さと各Ｘ線強度との間には強い相関が存在
し、Ｘ線強度は表面粗さに正比例することが確認され
た。従って、図２に示すように、表面粗さと蛍光Ｘ線強
度との関係を示す直線状の検量線Ｌが作成され、又、図
３に示すように、表面粗さと散乱Ｘ線強度との関係を示
す同じく直線状の検量線Ｌ’が作成される。
【００２４】而して、表面粗さが未知の被測定対象であ
るシリコンウエーハに対して図１に示す装置を用いてＸ
線を照射してそのときの蛍光Ｘ線強度又は散乱Ｘ線強度
を測定すれば、その測定値に基づいて図２に示す検量線
Ｌ又は図３に示す検量線Ｌ’からシリコンウエーハの表
面粗さを求めることができる。
るシリコンウエーハに対して図１に示す装置を用いてＸ
線を照射してそのときの蛍光Ｘ線強度又は散乱Ｘ線強度
を測定すれば、その測定値に基づいて図２に示す検量線
Ｌ又は図３に示す検量線Ｌ’からシリコンウエーハの表
面粗さを求めることができる。
【００２５】ここで、具体例として、ＳＯＩウエーハの
表面粗さを求めた結果について説明する。
表面粗さを求めた結果について説明する。
【００２６】被測定対象であるＳＯＩウエーハとして
は、イオンインプランテーション法によって形成された
埋め込み酸化膜を有し、そのＳＯＩ層の厚さが０．１μ
ｍのものを２枚（サンプル１，２とする）用いた。
は、イオンインプランテーション法によって形成された
埋め込み酸化膜を有し、そのＳＯＩ層の厚さが０．１μ
ｍのものを２枚（サンプル１，２とする）用いた。
【００２７】そして、２枚のＳＯＩウエーハ（サンプル
１，２）の各々について図１に示す装置を用いて蛍光Ｘ
線強度を測定したところ、表１に示すように、それぞれ
１２８．３ｃｐｓ，９０．９ｃｐｓの蛍光Ｘ線強度の測
定値が得られ、これらの測定値に対応する表面粗さを図
２に示す検量線Ｌから求めると、表１に示すように、そ
れぞれ２．１７ｎｍ，０．９６３ｎｍの値が得られた。
１，２）の各々について図１に示す装置を用いて蛍光Ｘ
線強度を測定したところ、表１に示すように、それぞれ
１２８．３ｃｐｓ，９０．９ｃｐｓの蛍光Ｘ線強度の測
定値が得られ、これらの測定値に対応する表面粗さを図
２に示す検量線Ｌから求めると、表１に示すように、そ
れぞれ２．１７ｎｍ，０．９６３ｎｍの値が得られた。
【００２８】一方、各ＳＯＩウエーハからサンプルを切
り出して触針式、ＡＦＭ法等の従来の測定法によってそ
の表面粗さを直接測定すると、表１に示すように、各サ
ンプル１，２について２．４８ｎｍ，０．９４ｎｍの実
測値が得られた。
り出して触針式、ＡＦＭ法等の従来の測定法によってそ
の表面粗さを直接測定すると、表１に示すように、各サ
ンプル１，２について２．４８ｎｍ，０．９４ｎｍの実
測値が得られた。
【００２９】
【表１】 ところで、ＳＯＩウエーハに照射されるＸ線の波長は可
視光のそれに比して非常に短く、該Ｘ線のＳＯＩウエー
ハへの入射角θを前述のように臨界角（０．１８°）以
下の０．０７°に設定すれば、入射Ｘ線のＳＯＩウエー
ハへの侵入深さは数ｎｍオーダーであって、ＳＯＩ層の
厚さ０．１μｍよりも小さいため、Ｘ線はＳＯＩ層を透
過することがなく、ＳＯＩウエーハの表面粗さは正確に
求められ、表１はこのことを実証している。即ち、表１
によれば、サンプル１，２について本発明方法によって
求められた表面粗さ（検量線Ｌから求めた表面粗さ）
２．１７ｎｍ、０．９６３ｎｍは、実測値である２．４
８ｎｍ，０．９４ｎｍに非常に近似している。
視光のそれに比して非常に短く、該Ｘ線のＳＯＩウエー
ハへの入射角θを前述のように臨界角（０．１８°）以
下の０．０７°に設定すれば、入射Ｘ線のＳＯＩウエー
ハへの侵入深さは数ｎｍオーダーであって、ＳＯＩ層の
厚さ０．１μｍよりも小さいため、Ｘ線はＳＯＩ層を透
過することがなく、ＳＯＩウエーハの表面粗さは正確に
求められ、表１はこのことを実証している。即ち、表１
によれば、サンプル１，２について本発明方法によって
求められた表面粗さ（検量線Ｌから求めた表面粗さ）
２．１７ｎｍ、０．９６３ｎｍは、実測値である２．４
８ｎｍ，０．９４ｎｍに非常に近似している。
【００３０】従って、本発明方法によれば、ＳＯＩウエ
ーハ等の多層構造を有する半導体ウエーハを含むウエー
ハの表面粗さを非破壊及び非接触で正確に求めることが
できる。
ーハ等の多層構造を有する半導体ウエーハを含むウエー
ハの表面粗さを非破壊及び非接触で正確に求めることが
できる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、入射方向に平行なビーム状のＸ線を臨界角以下
の低角度でウエーハに入射させ、ウエーハ最表面から発
せられる蛍光Ｘ線又は、ウエーハ最表面から発せられる
散乱Ｘ線の強度を測定する操作を、表面粗さが既知の複
数のウエーハに対して繰り返すことによってＸ線強度と
ウエーハの表面粗さとの相関関係を求め、表面粗さが未
知の被測定ウエーハに対して上記と同一の操作によりＸ
線強度を測定し、その測定値に基づいて前記相関関係か
ら被測定ウエーハの表面粗さを求めるため、多層構造を
有する半導体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを非破
壊及び非接触で正確に測定することができるという効果
が得られる。
よれば、入射方向に平行なビーム状のＸ線を臨界角以下
の低角度でウエーハに入射させ、ウエーハ最表面から発
せられる蛍光Ｘ線又は、ウエーハ最表面から発せられる
散乱Ｘ線の強度を測定する操作を、表面粗さが既知の複
数のウエーハに対して繰り返すことによってＸ線強度と
ウエーハの表面粗さとの相関関係を求め、表面粗さが未
知の被測定ウエーハに対して上記と同一の操作によりＸ
線強度を測定し、その測定値に基づいて前記相関関係か
ら被測定ウエーハの表面粗さを求めるため、多層構造を
有する半導体ウエーハを含むウエーハの表面粗さを非破
壊及び非接触で正確に測定することができるという効果
が得られる。
【図１】本発明方法を実施するための全反射蛍光Ｘ線分
析装置の構成図である。
析装置の構成図である。
【図２】ウエーハ表面粗さと蛍光Ｘ線強度との関係を示
す図である。
す図である。
【図３】ウエーハ表面粗さと散乱Ｘ線強度との関係を示
す図である。
す図である。
２ 半導体検出器 ３ Ｘ線発生装置 ４ モノクロメータ ５，６ スリット Ｗ ウエーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相原 健 群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越半 導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 平６−300663（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−145567（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−27056（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−273357（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−340407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−79144（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 15/00 - 15/08 G01N 23/00 - 23/227
Claims (1)
- 【請求項１】 入射方向に平行なビーム状のＸ線を臨界
角以下の低角度でウエーハに入射させ、ウエーハ最表面
から発せられる蛍光Ｘ線又は、ウエーハ最表面から発せ
られる散乱Ｘ線の強度を測定する操作を、表面粗さが既
知の複数のウエーハに対して繰り返すことによってＸ線
強度とウエーハの表面粗さとの相関関係を求め、表面粗
さが未知の被測定ウエーハに対して上記と同一の操作に
よりＸ線強度を測定し、その測定値に基づいて前記相関
関係から被測定ウエーハの表面粗さを求めることを特徴
とするウエーハの表面粗さ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162432A JP2906924B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ウエーハの表面粗さ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162432A JP2906924B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ウエーハの表面粗さ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0719844A JPH0719844A (ja) | 1995-01-20 |
| JP2906924B2 true JP2906924B2 (ja) | 1999-06-21 |
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ID=15754505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5162432A Expired - Fee Related JP2906924B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ウエーハの表面粗さ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906924B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351516B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-02-26 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Detection of voids in semiconductor wafer processing |
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-
1993
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|---|---|
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