JP2016502119A - 面内斜入射回折を用いた表面マッピングのための装置、および、方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 面内斜入射回折を用いて結晶試料の表面を検査する装置であって、
特定方位の結晶構造を有する試料の切片から面内斜入射X線回折信号の生成をもたらす試料表面に対してある角度で該試料に入射するX線ビームを発生するX線源であって、該ビームは、第1の方向における前記試料の長さ全体に実質的に延びる試料領域を同時に照射する、該X線源と、
前記X線回折信号を受信する位置感知X線検出器であって、該X線回折信号は前記試料の照射される領域に対応する空間プロファイルを有する、該位置感知X線検出器と、
前記試料の照射される領域を変化させるように前記X線ビームと前記試料との相対位置を変化させるための変位機構と
を備えたことを特徴とする装置。 - 前記位置感知X線検出器は、1次元X線検出器であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記位置感知X線検出器は、2次元X線検出器であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記試料の照射される領域は、所定の厚さをもつラインを近似することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記検出器によって検出される前記回折信号は、所定の厚さをもつラインを近似することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記変位機構は、前記X線ビームに対する前記試料の横方向位置を変化させるように調整することができる試料支持体を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記変位機構は、前記X線ビームに対する前記試料の回転位置を変化させるように調整することができる試料支持体を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 結晶試料の表面を検査する方法であって、
特定方位の結晶構造を有する試料の切片から面内斜入射X線回折信号の生成をもたらす試料表面に対してある角度で該試料に対してX線ビームを向けるステップであって、該ビームは、第1の方向における前記試料の長さ全体に実質的に延びる試料領域を同時に照射する、該ステップと、
位置感知X線検出器を用いて前記X線回折信号を検出するステップであって、該X線回折信号は前記試料の照射される領域に対応する空間プロファイルを有する、該ステップと、
前記X線ビームにより前記試料の照射される領域を変化させるように前記X線ビームと前記試料とを互いに相対的に変位させるステップと
を備えたことを特徴とする装置。 - 前記X線ビームと前記試料とを互いに相対的に変位させる前記ステップは、前記X線ビームと前記試料との相対的な横方向位置を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記X線ビームと前記試料との相対的な横方向位置を変化させるステップは、前記第1の方向に直交する方向における前記相対的な横方向位置を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項9記載の方法。
- 前記X線ビームと前記試料とは複数回互いに相対的に変位され、各変位について前記回折されるX線ビームが検出され、対応する強度情報が前記回折信号の前記空間プロファイルに対して記録され、
前記各変位から前記試料表面の空間プロファイルを構築するように前記強度情報を組立てるステップをさらに備えたことを特徴とする請求項8記載の方法。 - 堆積された信号減衰物質の存在および位置を識別するために、前記試料表面の前記空間プロファイルを分析するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記信号減衰物質の相対的な厚さの空間プロファイルを決定するために、前記試料表面の前記空間プロファイルを分析するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記試料はシリコンウェアを含み、前記信号減衰物質は半導体製造中に使用されるマスキング剤を含むことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記試料中における結晶粒界の存在を同定するために、前記試料表面の前記空間プロファイルを分析するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記試料中における結晶欠陥の存在を同定するために、前記試料表面の前記空間プロファイルを分析するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の方法。
- その中に曲率を見つけるために、前記試料表面の前記空間プロファイルを分析するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記X線ビームと前記試料とを互いに相対的に変位させる前記ステップは、前記X線ビームと前記試料との相対的な回転位置を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 回折条件が姿勢変化以前に存在しなかった場合に前記試料の領域内で回折条件を生成するように、前記試料表面の面内において前記X線ビームと前記試料との相対的な回転位置を変化させるステップをさらに備えたことを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記検出器を用いて前記回折信号の強度プロファイルを検出している間、方位変化を繰返すステップをさらに備え、前記強度プロファイルの変化を使用して前記試料の異なる領域内において前記結晶方位のプロファイルを組立てるようにしたことを特徴とする請求項19記載の方法。
- 前記位置感知X線検出器を用いて前記X線回折信号を検出するステップは、1次元X線検出器を用いてX線回折信号を検出するステップを含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記位置感知X線検出器を用いて前記X線回折信号を検出するステップは、2次元X線検出器を用いてX線回折信号を検出するステップを含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
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