JPH04329347A - 薄膜試料x線回折装置 - Google Patents
薄膜試料x線回折装置Info
- Publication number
- JPH04329347A JPH04329347A JP3124413A JP12441391A JPH04329347A JP H04329347 A JPH04329347 A JP H04329347A JP 3124413 A JP3124413 A JP 3124413A JP 12441391 A JP12441391 A JP 12441391A JP H04329347 A JPH04329347 A JP H04329347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film sample
- rays
- monochromator
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はX線を微小入射角で薄
膜試料に照射して回折X線を測定する薄膜試料X線回折
装置に関する。
膜試料に照射して回折X線を測定する薄膜試料X線回折
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜試料のX線回折測定を行う装置とし
ては、特公平2−54496号公報に記載された装置が
知られている。この装置は、X線を微小入射角で薄膜試
料に入射して、そこからの回折X線をソ−ラ−スリット
とモノクロメ−タ(分光結晶)を通過させてX線検出器
で検出するものである。回折パタ−ンを測定するには、
薄膜試料に対するX線入射角を一定にした状態で、ソ−
ラ−スリットとモノクロメ−タとX線検出器とを、薄膜
試料を中心として回転させて、回折X線強度を測定する
。この装置におけるX線光学系は、通常の集中法とは異
なり、平行ビ−ム法の光学系となる。
ては、特公平2−54496号公報に記載された装置が
知られている。この装置は、X線を微小入射角で薄膜試
料に入射して、そこからの回折X線をソ−ラ−スリット
とモノクロメ−タ(分光結晶)を通過させてX線検出器
で検出するものである。回折パタ−ンを測定するには、
薄膜試料に対するX線入射角を一定にした状態で、ソ−
ラ−スリットとモノクロメ−タとX線検出器とを、薄膜
試料を中心として回転させて、回折X線強度を測定する
。この装置におけるX線光学系は、通常の集中法とは異
なり、平行ビ−ム法の光学系となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の装置は
、薄膜試料の回折測定に極めて有効なものであり、特に
、薄膜試料からX線検出器に至る光路においては、ソ−
ラ−スリットを配置して回折X線の拡散角を所定の範囲
内に制限するとともに、その後にモノクロメ−タを配置
して所定の波長のX線だけをX線検出器に導いている。 このようにして、平行ビ−ム法を使用した場合でも、高
精度の測定を可能にしている。ところで、上述の従来の
装置では、薄膜試料の入射側では、X線の単色化や平行
化についてあまり注意を払っていなかった。
、薄膜試料の回折測定に極めて有効なものであり、特に
、薄膜試料からX線検出器に至る光路においては、ソ−
ラ−スリットを配置して回折X線の拡散角を所定の範囲
内に制限するとともに、その後にモノクロメ−タを配置
して所定の波長のX線だけをX線検出器に導いている。 このようにして、平行ビ−ム法を使用した場合でも、高
精度の測定を可能にしている。ところで、上述の従来の
装置では、薄膜試料の入射側では、X線の単色化や平行
化についてあまり注意を払っていなかった。
【0004】この発明の目的は、薄膜試料に入射する側
のX線についてもその単色化や平行化を図って、より高
精度の薄膜試料回折測定装置を提供することにある。
のX線についてもその単色化や平行化を図って、より高
精度の薄膜試料回折測定装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明の薄膜試料X線
回折装置は、薄膜試料の入射側に平板状のモノクロメ−
タを設けることによって、入射X線の単色化と平行化を
図っている。すなわち、この発明は、X線を微小入射角
で薄膜試料に照射して回折X線を測定する薄膜試料X線
回折装置において、X線源から薄膜試料に至る光路の途
中に配置された平板状の入射側モノクロメ−タと、薄膜
試料からX線検出器に至る光路の途中に配置されてX線
の拡散角を制限するソ−ラ−スリットと、ソ−ラ−スリ
ットからX線検出器に至る光路の途中に配置された反射
側モノクロメ−タと、ソ−ラ−スリットと反射側モノク
ロメ−タとX線検出器とを搭載して薄膜試料を中心とし
て回転できる測角台とを備えることを特徴としている。
回折装置は、薄膜試料の入射側に平板状のモノクロメ−
タを設けることによって、入射X線の単色化と平行化を
図っている。すなわち、この発明は、X線を微小入射角
で薄膜試料に照射して回折X線を測定する薄膜試料X線
回折装置において、X線源から薄膜試料に至る光路の途
中に配置された平板状の入射側モノクロメ−タと、薄膜
試料からX線検出器に至る光路の途中に配置されてX線
の拡散角を制限するソ−ラ−スリットと、ソ−ラ−スリ
ットからX線検出器に至る光路の途中に配置された反射
側モノクロメ−タと、ソ−ラ−スリットと反射側モノク
ロメ−タとX線検出器とを搭載して薄膜試料を中心とし
て回転できる測角台とを備えることを特徴としている。
【0006】
【作用】X線源からのX線は、平板状の入射側モノクロ
メ−タで反射することによって特定の波長のX線が特定
の反射角方向に出ていくことになる。しかも、入射側モ
ノクロメ−タはその表面が平面となっているので、ここ
で反射したX線は、拡散のほとんどない平行ビ−ムとな
る。このようにして、単色化された平行ビ−ムが薄膜試
料に微小入射角で入射する。薄膜試料で反射した回折X
線は、ソ−ラ−スリットと反射側モノクロメ−タとを通
ってX線検出器で検出される。X線源と入射側モノクロ
メ−タと薄膜試料とを静止した状態で、ソ−ラ−スリッ
トと反射側モノクロメ−タとX線検出器とを薄膜試料を
中心として回転させながら、回折X線の強度を検出すれ
ば、薄膜試料の回折パタ−ンが得られる。
メ−タで反射することによって特定の波長のX線が特定
の反射角方向に出ていくことになる。しかも、入射側モ
ノクロメ−タはその表面が平面となっているので、ここ
で反射したX線は、拡散のほとんどない平行ビ−ムとな
る。このようにして、単色化された平行ビ−ムが薄膜試
料に微小入射角で入射する。薄膜試料で反射した回折X
線は、ソ−ラ−スリットと反射側モノクロメ−タとを通
ってX線検出器で検出される。X線源と入射側モノクロ
メ−タと薄膜試料とを静止した状態で、ソ−ラ−スリッ
トと反射側モノクロメ−タとX線検出器とを薄膜試料を
中心として回転させながら、回折X線の強度を検出すれ
ば、薄膜試料の回折パタ−ンが得られる。
【0007】
【実施例】図1は、この発明の一実施例の平面図であり
、(A)はX線光学系の全体図、(B)は試料表面付近
の拡大図である。図1の(A)において、X線源2から
のX線は、第1スリット4と入射側モノクロメ−タ6と
第2スリット8とを経由して、薄膜試料10に入射し、
ここで回折したX線は、ソ−ラ−スリット12と反射側
モノクロメ−タ14とを経由してX線検出器16で検出
される。ソ−ラ−スリット12と反射側モノクロメ−タ
14とX線検出器16とは測角台18に搭載されており
、測角台18は薄膜試料10を中心として回転できる。
、(A)はX線光学系の全体図、(B)は試料表面付近
の拡大図である。図1の(A)において、X線源2から
のX線は、第1スリット4と入射側モノクロメ−タ6と
第2スリット8とを経由して、薄膜試料10に入射し、
ここで回折したX線は、ソ−ラ−スリット12と反射側
モノクロメ−タ14とを経由してX線検出器16で検出
される。ソ−ラ−スリット12と反射側モノクロメ−タ
14とX線検出器16とは測角台18に搭載されており
、測角台18は薄膜試料10を中心として回転できる。
【0008】図2は入射側モノクロメ−タ6の斜視図で
ある。この入射側モノクロメ−タ6は単結晶の平板から
なり、X線が入射する平面7は25mm×25mmの正
方形である。この入射側モノクロメ−タ6はGe単結晶
でできており、その(111)面が表面に平行になって
いる。そして、この(111)面で回折したX線が図1
の第2スリット8を通過するように、光学系が配置され
ている。Ge(111)面に対して特定の波長λが回折
条件を満たすブラッグ角をθaとすると、入射X線に対
する回折X線の角度は2θaとなる。したがって、この
入射側モノクロメ−タ6にX線が入射すると、波長λの
X線だけが角度2θaの方向に回折することになり、そ
の結果、第2スリット8を通過するX線は、特定波長λ
に単色化される。また、Ge(111)面に対する入射
角がθaとなる入射X線だけが回折条件を満足すること
になるので、入射X線が、互いに平行になっていない(
一般的にはある程度の発散角をもっている)場合には、
入射角θa以外の入射角で入射したX線は回折条件を満
足せずに散乱することになる。さらに、この入射側モノ
クロメ−タ6は、その表面が、平面度の極めて高い平面
になっている。これらのことにより、モノクロメ−タ6
で反射する回折X線は平行度の揃ったX線ビ−ムとなる
。このようにして、薄膜試料10に入射するX線ビ−ム
は、入射側モノクロメ−タ6によって単色化され、かつ
平行化される。なお、モノクロメ−タ6に入射するX線
ビ−ムは、その進行方向に垂直な断面形状が、鉛直方向
に細長くなっている。これは、薄膜試料に入射するX線
の強度をかせぐためである。入射側モノクロメ−タ6と
しては、上述のGe(111)面以外にも、Ge(22
0)面やSi(111)面を使うこともできる。
ある。この入射側モノクロメ−タ6は単結晶の平板から
なり、X線が入射する平面7は25mm×25mmの正
方形である。この入射側モノクロメ−タ6はGe単結晶
でできており、その(111)面が表面に平行になって
いる。そして、この(111)面で回折したX線が図1
の第2スリット8を通過するように、光学系が配置され
ている。Ge(111)面に対して特定の波長λが回折
条件を満たすブラッグ角をθaとすると、入射X線に対
する回折X線の角度は2θaとなる。したがって、この
入射側モノクロメ−タ6にX線が入射すると、波長λの
X線だけが角度2θaの方向に回折することになり、そ
の結果、第2スリット8を通過するX線は、特定波長λ
に単色化される。また、Ge(111)面に対する入射
角がθaとなる入射X線だけが回折条件を満足すること
になるので、入射X線が、互いに平行になっていない(
一般的にはある程度の発散角をもっている)場合には、
入射角θa以外の入射角で入射したX線は回折条件を満
足せずに散乱することになる。さらに、この入射側モノ
クロメ−タ6は、その表面が、平面度の極めて高い平面
になっている。これらのことにより、モノクロメ−タ6
で反射する回折X線は平行度の揃ったX線ビ−ムとなる
。このようにして、薄膜試料10に入射するX線ビ−ム
は、入射側モノクロメ−タ6によって単色化され、かつ
平行化される。なお、モノクロメ−タ6に入射するX線
ビ−ムは、その進行方向に垂直な断面形状が、鉛直方向
に細長くなっている。これは、薄膜試料に入射するX線
の強度をかせぐためである。入射側モノクロメ−タ6と
しては、上述のGe(111)面以外にも、Ge(22
0)面やSi(111)面を使うこともできる。
【0009】図1の(A)に戻って、第2スリット8を
通過したX線は、薄膜試料10に微小入射角で入射する
。図1の(B)は薄膜試料10の表面付近の一部を拡大
した平面図である。薄膜試料10は下地物質11の上に
堆積しており、薄膜試料10の表面に対してX線が微小
入射角αで入射する。入射X線に対する反射X線の検出
角度を2θbとすると、ブラッグ角がθbとなるような
回折条件を満足する結晶格子面からの回折X線を検出で
きる。そして、測角台18を回転させて2θbを変化さ
せることにより、薄膜試料10内に存在する各種の結晶
格子面からの回折X線を検出して、回折パタ−ンを求め
ることができる。このとき、薄膜試料10に対するX線
の入射角αは一定にしておく。薄膜試料10は、結晶の
配向性の影響を除くために面内で回転させてもよい。 X線の入射角は微小角度αに設定されているので、X線
は、厚さの薄い薄膜試料10内を比較的長い距離だけ進
むことができて、回折X線の強度をかせぐことができる
。入射角αが大きくなると、X線が薄膜試料10を透過
しやすくなって、下地物質11からの散乱X線が無視で
きなくなる。入射角αは、薄膜中の進行距離をかせぐと
いう観点からは小さければ小さいほどよいが、実際上は
0.05〜0.1°程度に設定される。
通過したX線は、薄膜試料10に微小入射角で入射する
。図1の(B)は薄膜試料10の表面付近の一部を拡大
した平面図である。薄膜試料10は下地物質11の上に
堆積しており、薄膜試料10の表面に対してX線が微小
入射角αで入射する。入射X線に対する反射X線の検出
角度を2θbとすると、ブラッグ角がθbとなるような
回折条件を満足する結晶格子面からの回折X線を検出で
きる。そして、測角台18を回転させて2θbを変化さ
せることにより、薄膜試料10内に存在する各種の結晶
格子面からの回折X線を検出して、回折パタ−ンを求め
ることができる。このとき、薄膜試料10に対するX線
の入射角αは一定にしておく。薄膜試料10は、結晶の
配向性の影響を除くために面内で回転させてもよい。 X線の入射角は微小角度αに設定されているので、X線
は、厚さの薄い薄膜試料10内を比較的長い距離だけ進
むことができて、回折X線の強度をかせぐことができる
。入射角αが大きくなると、X線が薄膜試料10を透過
しやすくなって、下地物質11からの散乱X線が無視で
きなくなる。入射角αは、薄膜中の進行距離をかせぐと
いう観点からは小さければ小さいほどよいが、実際上は
0.05〜0.1°程度に設定される。
【0010】この発明では、薄膜試料10に入射するX
線を入射側モノクロメ−タ6で単色化および平行化して
いるので、薄膜試料10のX線回折測定を行うに当たっ
て次のような利点がある。第1に、入射X線が単色化さ
れているので、回折パタ−ンの角度分解能が向上する。 第2に、入射X線が平行ビ−ムになっているので、同様
に、回折パタ−ンの角度分解能が向上する。第3に、入
射X線が平行ビ−ムになっているので、薄膜試料10に
対するX線の侵入深さがどのX線でも一様になり、下地
物質からの影響が一定になる。
線を入射側モノクロメ−タ6で単色化および平行化して
いるので、薄膜試料10のX線回折測定を行うに当たっ
て次のような利点がある。第1に、入射X線が単色化さ
れているので、回折パタ−ンの角度分解能が向上する。 第2に、入射X線が平行ビ−ムになっているので、同様
に、回折パタ−ンの角度分解能が向上する。第3に、入
射X線が平行ビ−ムになっているので、薄膜試料10に
対するX線の侵入深さがどのX線でも一様になり、下地
物質からの影響が一定になる。
【0011】薄膜試料10からの回折X線は、ソ−ラ−
スリット12によって、水平面内での拡散角が制限され
、平行度の高いビ−ムとなって反射側モノクロメ−タ1
4に入射する。反射側モノクロメ−タ14は、特定波長
λのX線だけを取り出すためのものである。反射側モノ
クロメ−タ14で単色化されたX線はX線検出器16で
検出される。X線検出器16は、反射側モノクロメ−タ
14の入射X線に対して角度2θcのところに配置され
ている。特定波長λに対してX線検出器16の角度位置
が位置決めされたら、薄膜試料10の測定中は、X線検
出器16は反射側モノクロメ−タ14に対して相対的に
固定される。
スリット12によって、水平面内での拡散角が制限され
、平行度の高いビ−ムとなって反射側モノクロメ−タ1
4に入射する。反射側モノクロメ−タ14は、特定波長
λのX線だけを取り出すためのものである。反射側モノ
クロメ−タ14で単色化されたX線はX線検出器16で
検出される。X線検出器16は、反射側モノクロメ−タ
14の入射X線に対して角度2θcのところに配置され
ている。特定波長λに対してX線検出器16の角度位置
が位置決めされたら、薄膜試料10の測定中は、X線検
出器16は反射側モノクロメ−タ14に対して相対的に
固定される。
【0012】次に、この装置の全体的な動作をまとめて
説明すると次のようになる。まず、使用するX線源が決
まると、測定に用いる特性X線の波長が決まり、この波
長に合わせて、入射側モノクロメ−タ6に対するX線入
射角θaと反射側モノクロメ−タ14に対するX線入射
角θcを設定する。さらに、薄膜試料10に対するX線
入射角αを所定の微小角度に設定する。この状態で、測
角台18を回転させて、回転角度(2θb)に対する回
折X線強度を測定し、薄膜試料10の回折パタ−ンが得
られる。
説明すると次のようになる。まず、使用するX線源が決
まると、測定に用いる特性X線の波長が決まり、この波
長に合わせて、入射側モノクロメ−タ6に対するX線入
射角θaと反射側モノクロメ−タ14に対するX線入射
角θcを設定する。さらに、薄膜試料10に対するX線
入射角αを所定の微小角度に設定する。この状態で、測
角台18を回転させて、回転角度(2θb)に対する回
折X線強度を測定し、薄膜試料10の回折パタ−ンが得
られる。
【0013】
【発明の効果】この発明の薄膜試料X線回折装置は、薄
膜試料の入射側に平板状のモノクロメ−タを設けたので
、入射X線が単色化かつ平行化され、回折パタ−ンの角
度分解能が向上すると共に、薄膜試料の下地物質の影響
が一様化される。
膜試料の入射側に平板状のモノクロメ−タを設けたので
、入射X線が単色化かつ平行化され、回折パタ−ンの角
度分解能が向上すると共に、薄膜試料の下地物質の影響
が一様化される。
【図1】この発明の一実施例の平面図である。
【図2】入射側モノクロメ−タの斜視図である。
2 X線源
6 入射側モノクロメ−タ
10 薄膜試料
12 ソ−ラ−スリット
14 反射側モノクロメ−タ
16 X線検出器
18 測角台
Claims (1)
- 【請求項1】 X線を微小入射角で薄膜試料に照射し
て回折X線を測定する薄膜試料X線回折装置において、
X線源から薄膜試料に至る光路の途中に配置された平板
状の入射側モノクロメ−タと、薄膜試料からX線検出器
に至る光路の途中に配置されてX線の拡散角を制限する
ソ−ラ−スリットと、ソ−ラ−スリットからX線検出器
に至る光路の途中に配置された反射側モノクロメ−タと
、ソ−ラ−スリットと反射側モノクロメ−タとX線検出
器とを搭載して薄膜試料を中心として回転できる測角台
とを備えることを特徴とする薄膜試料X線回折装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3124413A JPH04329347A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜試料x線回折装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3124413A JPH04329347A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜試料x線回折装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04329347A true JPH04329347A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14884864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3124413A Pending JPH04329347A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜試料x線回折装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04329347A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009085668A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | X線回折装置およびx線回折方法 |
JP2009085669A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | X線回折装置およびx線回折方法 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3124413A patent/JPH04329347A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009085668A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | X線回折装置およびx線回折方法 |
JP2009085669A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | X線回折装置およびx線回折方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI414752B (zh) | 用於分析樣本之裝置及方法 | |
US20070286344A1 (en) | Target alignment for x-ray scattering measurements | |
JP6230618B2 (ja) | 面内斜入射回折を用いた表面マッピングのための装置、および、方法 | |
US8953743B2 (en) | X-ray stress measurement method and apparatus | |
JP6009156B2 (ja) | 回折装置 | |
JPH05264479A (ja) | X線分析装置 | |
JP3968350B2 (ja) | X線回折装置及び方法 | |
JPH08128971A (ja) | Exafs測定装置 | |
JP4521573B2 (ja) | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 | |
JPH04329347A (ja) | 薄膜試料x線回折装置 | |
JP2001033406A (ja) | X線位相差撮像方法及びx線位相差撮像装置 | |
JPH0915392A (ja) | X線解析装置 | |
SU1257482A1 (ru) | Рентгенодифракционный способ исследовани структурных нарушений в тонких приповерхностных сло х кристаллов | |
JP2002333409A (ja) | X線応力測定装置 | |
JP2921597B2 (ja) | 全反射スペクトル測定装置 | |
JPH0833359B2 (ja) | 全反射蛍光x線分析装置 | |
JP3968452B2 (ja) | X線分析装置 | |
JP2952284B2 (ja) | X線光学系の評価方法 | |
SU1103126A1 (ru) | Способ определени структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов | |
JPH1151883A (ja) | 蛍光x線分析装置および方法 | |
JPH02107952A (ja) | 粉末のx線回析測定方法 | |
SU1599732A1 (ru) | Способ определени структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла | |
JPS6353457A (ja) | 二次元走査型状態分析装置 | |
JPH0721469B2 (ja) | X線による被測定物の組成分析方法 | |
JPH04127044A (ja) | 表面構造解析方法 |