«1 Изобретение относитс к рентгенов скому анализу монокристаллов с нарушенными поверхностными сло ми и може использоватьс в технологии полупроводниковых приборов дл контрол режимов обработки поверхностных слоев. Известен способ исследовани стру турного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов, за ключающийс в том, что образец облучают коллимированным рентгеновским излучением так, что удовлетвор ютс услови дифракции в геометрии Брэгга затем поворачивают его на малые углы в обе стороны от точного брэгговского положени и с помощью вращающегос кристалла-анализатора и установленного за ним детектора исследуют зависимость интенсивности дифрагированных волн от угла выхода к поверхкости кристалла l. Этот способ позвол ет исследовать структуру поверхностных слоев тол1циной пор дка длины экстинкции (т.е. в диапазоне .0,5-10 мкм) рентгеновского излучени в кристалле и определ ть относительные изменени параметра решетки в поверхностном слое, с точностью до 10 . Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ определени структур ных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов, заключающийс в том, что исследуемый крис талл облучают коллимированным пучком рентгеновского излучени так, что удовлетвор ютс услови дифракции в геометрии Лауэ, вывод т в положение, соответствующее дифракционному отражению в услови х полного внешнего от ражени , путем поворота исследуемого кристалла и измер ют интенсивность дифрагированного излучени , и дл различных углов падени исследуют угловое распределение интенсивности зеркальной компоненты дифрагированной волны в плоскости дифракции, параллельной поверхности, посредством синхронного вращени кристалла и детектора со щелью на углы 0 и 29 вокруг нормали.к поверхности кристалла а дл фиксации угла падени , помимо вертикальной щели, , выдел ющей направлени в плоскости дифракции, . устанавливают также горизонтальную щель zj . Этот способ позвол ет исследовать структуру поверхностных слоев глуби262 ной на 2-3 пор дка меньше,чем вьппеуказанный способ. Недостатком известного способа вл етс необходимость коллимации падающего излучени в двух взаимно перпендикул рных плоскост х, что сопpoвoждaetc большой потерей интенсивности излучени и даже при грубой коллимации, обеспечивающей измерение относительных изменений параметра решетки в слое с точностью до 10, требует привлечени мощных источников рентгеновского излучени , типа источников с вращающимс анодом. Цель изобретени - повьщ1ение точности измерений и снижение энергозатрат . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу определени структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов, заключающемус в том, что исследуемый кристалл облучают коллимированным пучком рентгеновского излучени , вывод т в положение, соответствующее дифракционному отражению в услови х полного внешнего отражени , путем поворота исследуемого кристалла и измег р ют интенсивность дифрагированного излучени , по которому суд т о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикул рно плоскости дифракции и интенсивность дифрагированного излучени в плоскости дифракции измер ют при неподвижном кристалле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучени с поверхностью кристалла. Кроме того, дл различных углов выхода к поверхности кристалла измер ют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падени . На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа. Схема включает источник излучени 1, кристалл-монохроматор 2, щель 3, исследуемый кристалл 4, детектор 5 с щелью 6 и детектор 7 с щелью 8. Способ осуществл етс следующим образом. Пучок рентгеновских лучей от источника 1 мощностью 2 кВт направл етс на кристалл-монохроматор 2 под углом Брэгга S. Далее отраженный от кристалл-монохроматора луч падает на исследуемый кристалл 4 под малым скольз щим углом Р , испытыва дифракцию по Лауэ на плоскост х, перпендикул рных к входной поверхности исследуемо го кристалла. Детектор 5 регистрирует дифрагированные волны с разлишшми углами выхода из пов1 кности цфис талла. На детекторе 5 установлена щель 6 с переменным окном, котора позвол ет вьоделить из всего диала юна углов достаточно узкую об асгь Размером щели 3 определ етс фронта пучка, падающего на исследуемый кристалл. На детекто| е 7 укреплена щель 8 шириной 50 Ktji. Это пензвол ет раздельно регист| н о вать проход щую и зеркально оЧразвенную волны. Расходимость рентгеновского пушса в горизонтальной плоскости определ етс кривой отражени крщтг ла и составл ет, например, дл кристаллов кремни около 0,1 -0,2. Очевидно , малое значение угла скольжени может быть Легко достигнуто всле твие малой расходимости излучени в горизонтальной плоскости. В вертикальной плоскости коллимац:и отсутст вует и расходимость пучка лимитируетс конструкцией спектрометра. Поскольку падающее излучение не коллимировано в плоскости дифракции то из кристалла одновременно выходит набор зеркально отраженных дифрагированных волн, соответствующих различным отклонени м от точного услови Брэгга. Исход из граничных условий дл волновых векторов на поверхности кристалла, можно показать что угол выхода каждой отдельной волны к поверхности кристалла зависит от того, какому отклонению от услови Брэгга она соответствует. Например, если отражающие плоскости перпендикул рны поверхности, то имеет место соотношение угол падени ; угол выхода зеркально отраженно дифрагированной волны; t -281п2бм8в стандартный параметр отклонени от точного усло ВИЯ Брэгга (в. плоскости дифра.кЦйи ); 264 SB -угол отклонени от точного услови Брэгга; угол Брэгга. В этой св зи исследование интенсивности зеркальной компоненты дифрагированной волны в зависимости от угла выхода, например, с помощью вращающегос детектора со щелью или кристалла-анализатора соответствует исследованию зависимости интенсивности от угла ® отклонени от точного услов 1 Брэгга, но при этом позвол ет применить значительно более грубую коллимацию и даёт выигрьш в интенсивности на 3-4 пор дка. Действительно, согласно соотношение 2Q которое следует из (1), коллимаци по углу п с точностью 1 ссотв етствует коллимации по углу б с точностью 10 -10, Коллимаци по углу б в способе-прототипе обеспечиваетс .с помощью кристалла-монохроматора, который позвол ет получать угловую расходимость падающего излучени не лучше 1. В прототипе при определении структурных характеристик используютс мощные источники излучени , такие как, например, рентгеновска трубка с вращающи1 с анодом. Указанный источник излучени сопр жен с возможностью возникновени опасности облучени оператора, в силу чего необходимо использовать дополнительные средства защиты от облучени , что в свою очередь требует финансовых затрат . Предложенный способ в отличив от прототипа позвол ет использовать источники излучени с малой мощностью, такой, как, например, отпа нна рентгеновскай трубка типа БСВ, что снижает требовани к технике безопасности и 5 еньшает энергозатраты, а также повысить точность измерений при onpt делении структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов , НТО обеспечивает получение более качественных интегральных схем.