JP4931502B2 - 表面検査方法及び検査装置 - Google Patents
表面検査方法及び検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4931502B2 JP4931502B2 JP2006193195A JP2006193195A JP4931502B2 JP 4931502 B2 JP4931502 B2 JP 4931502B2 JP 2006193195 A JP2006193195 A JP 2006193195A JP 2006193195 A JP2006193195 A JP 2006193195A JP 4931502 B2 JP4931502 B2 JP 4931502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspected
- light beam
- inspection
- scattered
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 133
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 100
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 241000375392 Tana Species 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Description
図1は本発明の表面検査方法の原理説明図であり、図2は、本発明の第1の実施形態が適用される表面検査装置の概略構成図である。
本発明の第1の実施形態では、強度比R=1/100となるように設定するものとし、これは上式(1)より、例えば、θ1=θ2≒17.55°のときに満たされる。
本発明の第1の実施形態では、L=200マイクロメートルとなるよう設定するものとし、照射レンズ18として焦点距離f=200mmのレンズを用いるとすると、ウォーラストンプリズム12での分離角A≒3.4分となる。
Claims (6)
- 主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射し、上記被検査物体からの散乱、回折又は反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する表面検査方法において、
1つの光源から発生された光ビームを分割した第1及び第2の光ビームであって、上記被検査物体の表面に対して、互いに略等しく、かつ5°〜45°の範囲にある仰角と、互いに略等しい方位角と、互いに略等しい偏光特性と、互いに略等しい波長とを有し、互いに強度が異なる上記第1の光ビームと第2の光ビームとを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射し、
上記2つの領域からの散乱、回折又は反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出することを特徴とする表面検査方法。 - 請求項1記載の表面検査方法において、上記第1の光ビーム及び第2の光ビームの、上記被検査物体の表面に対する仰角は、上記被検査物体の主構成物質の光学定数に関して略ブリュースター角であることを特徴とする表面検査方法。
- 主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射し、上記被検査物体からの散乱、回折又は反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する表面検査方法において、
上記被検査物体の表面に対して、略等しい仰角と、略等しい方位角と、略等しい偏光特性と、略等しい波長とを有し、互いに強度が異なる第1の光ビームと第2の光ビームとを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射し、
上記被検査物体移動ステージの主走査回転に伴って上記第2の光ビームにより照射された上記被検査物体表面の第2の照明領域が上記被検査物体表面上で描く軌跡と、上記第1の光ビームにより照射された上記被検査物体表面の第1の照明領域が上記被検査物体表面上で描く軌跡とが、上記被検査物体移動ステージの半径方向において略一致して重ならせ、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域からのみ得られた場合は、この第1の照明領域から得られたピーク信号に基づいて、上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出し、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域及び第2の照明領域の2つの領域から得られた場合であって、第2の照明領域から得られたピーク信号が、有効下限閾値以下のときは、上記第1の照明領域から得られたピーク信号に基づいて、上記異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出し、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域及び第2の照明領域の2つの領域から得られた場合であって、第2の照明領域から得られたピーク信号が、有効下限閾値を越えるときは、上記第1の光ビームの強度の上記第2の光ビームの強度に対する倍率を、上記第2の照明領域から得られたピーク信号に乗算して得られた信号に基づいて、上記異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出することを特徴とする表面検査方法。 - 主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射し、上記被検査物体からの散乱、回折又は反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する表面検査装置において、
1つの光源と、この1つの光源から発生された光ビームを上記第1及び第2の光ビームに分割する手段とを有し、上記被検査物体の表面に対して、互いに略等しく、共に5°〜45°の範囲にある仰角と、互いに略等しい方位角と、互いに略等しい偏光特性と、互いに略等しい波長とを有し、互いに強度が異なる上記第1の光ビームと上記第2の光ビームとを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射する光ビーム照射手段と、
上記2つの領域からの散乱、回折又は反射された光を集光する集光手段と、
集光した光に基づいて上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出する検査手段と、
を備えることを特徴とする表面検査装置。 - 請求項4記載の表面検査装置において、上記第1の光ビーム及び第2の光ビームの、上記被検査物体の表面に対する仰角は、上記被検査物体の主構成物質の光学定数に関して略ブリュースター角であることを特徴とする表面検査装置。
- 主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射し、上記被検査物体からの散乱、回折又は反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する表面検査装置において、
上記被検査物体の表面に対して、互いに略等しい仰角と、互いに略等しい方位角と、互いに略等しい偏光特性と、互いに略等しい波長とを有し、互いに強度が異なる第1の光ビームと第2の光ビームとを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射する光ビーム照射手段であり、上記被検査物体移動ステージの主走査回転に伴って上記第2の光ビームにより照射された上記被検査物体表面の第2の照明領域が上記被検査物体表面上で描く軌跡と、上記第1の光ビームにより照射された上記被検査物体表面の第1の照明領域が上記被検査物体表面上で描く軌跡とが、上記被検査物体移動ステージの半径方向において略一致して重なるように上記第1の光ビームと第2の光ビームとを照射する上記光ビーム照射手段と、
上記2つの領域からの散乱、回折又は反射された光を集光する集光手段と、
集光した光に基づいて上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出する検査手段と、
を備え、
上記検査手段は、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域からのみ得られた場合は、この第1の照明領域から得られたピーク信号に基づいて、上記異物又は欠陥の位置、大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出し、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域及び第2の照明領域の2つの領域から得られた場合であって、第2の照明領域から得られたピーク信号が、有効下限閾値以下のときは、上記第1の照明領域から得られたピーク信号に基づいて、上記異物又は欠陥の位置、大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出し、
上記第1及び第2の照明領域からの散乱、回折又は反射された光から得られるピーク信号が、上記第1の照明領域及び第2の照明領域の2つの領域から得られた場合であって、第2の照明領域から得られたピーク信号が、有効下限閾値を越えるときは、上記第1の光ビームの強度の上記第2の光ビームの強度に対する倍率を、上記第2の照明領域から得られたピーク信号に乗算して得られた信号に基づいて、上記異物又は欠陥の位置及び大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出することを特徴とする表面検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193195A JP4931502B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 表面検査方法及び検査装置 |
US11/776,887 US20080013076A1 (en) | 2006-07-13 | 2007-07-12 | Surface Inspection Method and Surface Inspection Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193195A JP4931502B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 表面検査方法及び検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008020362A JP2008020362A (ja) | 2008-01-31 |
JP4931502B2 true JP4931502B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=38948925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006193195A Expired - Fee Related JP4931502B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 表面検査方法及び検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080013076A1 (ja) |
JP (1) | JP4931502B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4959225B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査方法及び光学式検査装置 |
JP5279992B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2013-09-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び装置 |
JP5132982B2 (ja) * | 2007-05-02 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
JP4898713B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2012-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査装置および表面検査方法 |
JP2009236791A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
CN102759533B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-03-04 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 |
JP5820735B2 (ja) | 2012-01-27 | 2015-11-24 | 昭和電工株式会社 | 表面検査方法及び表面検査装置 |
US8995746B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-03-31 | KLA—Tencor Corporation | Image synchronization of scanning wafer inspection system |
US11157072B1 (en) * | 2016-02-24 | 2021-10-26 | Apple Inc. | Direct retinal projector |
CN105911072B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-09-07 | 浙江工业大学 | 一种球体表面微小瑕疵的光学快速检测装置 |
US10591422B2 (en) | 2017-10-05 | 2020-03-17 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for increasing dynamic range of a particle sensor |
US11269193B2 (en) * | 2017-11-27 | 2022-03-08 | Liqxtal Technology Inc. | Optical sensing device and structured light projector |
CN112540082A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测系统及检测方法 |
CN111579449B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-04-07 | 泛测(北京)环境科技有限公司 | 一种大气颗粒污染物空间扫描预警方法和装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279846A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-05 | Fujitsu Ltd | 光学式検査装置 |
US6411377B1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
US20020054291A1 (en) * | 1997-06-27 | 2002-05-09 | Tsai Bin-Ming Benjamin | Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources |
US6288780B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
US5798829A (en) * | 1996-03-05 | 1998-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample |
US5923423A (en) * | 1996-09-12 | 1999-07-13 | Sentec Corporation | Heterodyne scatterometer for detecting and analyzing wafer surface defects |
US5917588A (en) * | 1996-11-04 | 1999-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination |
US6366690B1 (en) * | 1998-07-07 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel based machine for patterned wafers |
US20010030744A1 (en) * | 1999-12-27 | 2001-10-18 | Og Technologies, Inc. | Method of simultaneously applying multiple illumination schemes for simultaneous image acquisition in an imaging system |
US6532064B1 (en) * | 2001-10-16 | 2003-03-11 | Baader-Canpolar Inc. | Automatic inspection apparatus and method for simultaneous detection of anomalies in a 3-dimensional translucent object |
US7046353B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-05-16 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface inspection system |
US6833913B1 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically inspecting a sample for anomalies |
DE10239548A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Objekts |
US7002675B2 (en) * | 2003-07-10 | 2006-02-21 | Synetics Solutions, Inc. | Method and apparatus for locating/sizing contaminants on a polished planar surface of a dielectric or semiconductor material |
JP4531447B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-08-25 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
US7489393B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Enhanced simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7567344B2 (en) * | 2006-05-12 | 2009-07-28 | Corning Incorporated | Apparatus and method for characterizing defects in a transparent substrate |
-
2006
- 2006-07-13 JP JP2006193195A patent/JP4931502B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-12 US US11/776,887 patent/US20080013076A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080013076A1 (en) | 2008-01-17 |
JP2008020362A (ja) | 2008-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4931502B2 (ja) | 表面検査方法及び検査装置 | |
JP5279992B2 (ja) | 表面検査方法及び装置 | |
US7643139B2 (en) | Method and apparatus for detecting defects | |
US8804109B2 (en) | Defect inspection system | |
US20180067060A1 (en) | Defect inspecting method and defect inspecting apparatus | |
JP4797005B2 (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
US7616299B2 (en) | Surface inspection method and surface inspection apparatus | |
JP5425494B2 (ja) | 不良検出システムの改良 | |
US8670116B2 (en) | Method and device for inspecting for defects | |
JP2008020374A (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
JP2008268140A (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
JP4703671B2 (ja) | 表面検査方法およびそれを用いた検査装置 | |
JP5581343B2 (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
JP5430614B2 (ja) | 光学装置 | |
JP2002116155A (ja) | 異物・欠陥検査装置及び検査方法 | |
JP2005347448A (ja) | 半導体ウェハの検査装置及び方法 | |
JPH11258157A (ja) | 異物検査装置 | |
JPS5961142A (ja) | 欠陥検出装置 | |
JP2004335611A (ja) | 半導体検査装置及び検査方法、半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |